«Тонкие In2O3, Fe – In2O3 и Fe3О4 – ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства ...»

Как видно на рисунке 31 поверхностная морфология для осажденной пленки до проведения реакции значительно отличается от морфологии пленки после реакции. До проведения реакции характерный размер зерна лежал в широком диапазоне от 30 нм до 400 нм. После прохождения волны окисления размер зерна лежал в диапазоне 20 – 40 нм и не зависел от давления в вакуумной камере. Анализ микрофотографий сканирующего электронного микроскопа говорит об однородности по поверхности синтезированных автоволновой реакцией окисления пленок In2O3. Размеры зерен после реакции хорошо согласуются со значениями, полученными из рентгенограмм, используя формулу Шерерра. Однако для исходной пленки In + In2O3 формула Шерерра дат заниженное значение 25 нм среднего размера зерна. Возможное объяснение состоит в том, что формула Шерерра не учитывает широкий разброс размеров зерна от 30 нм до 400 нм, который существует в исходных образцах.

Для определения толщины пленки, было снято поперечное сечение среза тонкой пленки оксида индия на MgO подложке (рисунок 32) с помощью сканирующего электронного микроскопа.

Рисунок 32. Изображение поперечного сечения пленки оксида индия, полученное с помощью 3.3 Электрические свойства пленок оксида индия Электрическое сопротивление синтезированных пленок In2O3 не монотонно уменьшается с уменьшением давления в вакуумной камере. Наилучшие характеристики имели пленки In2O3, полученные при давлении 0.5 Торр, которые имели удельное сопротивление 1.8·10-2 Ом·см. Концентрация и подвижность зарядов носителей имели значения 5.7·1019 см-3 и 1.92 см2/ В·с, соответственно. Электрические измерения были проведены при комнатной температуре.

Спектры пропускания In2O3 плнок, полученных в режиме автоволнового окисления исходных In + In2O3 образцов при давлениях 1.5, 0.9 и 0.5 Торр представлены на рисунке 33.

Рисунок 33. Зависимость коэффициента пропускания от длины волны In2O3 плнок, полученных автоволновым окислением при различных давлениях в вакуумной камере: 2.5 Торр (1); 1.5 Торр (2);

0.9 Торр (3); 0.5 Торр (4) стеклянная подложка (5). На вставке – коэффициент пропускания исходной Все синтезированные образцы имели высокие коэффициенты пропускания в видимой части спектра. Из рисунка 33 видно, что существует зависимость между коэффициентом пропускания и давлением, при котором проходит автоволновой режим окисления.

Коэффициент пропускания уменьшается при увеличении давлении вакуумной камеры, в котором проходила реакция окисления. Для подтверждения вышесказанного, мы изготовили дополнительный образец In2O3 (рисунок 33) при давлении 2.5 Торр.

Исследование коэффициента пропускания данного образца, подтверждает зависимость уменьшения коэффициента пропускания при увеличении давления при реакции. Однако при уменьшении давления вакуумной камеры ниже 0.5 Торр автоволновой режим окисления не инициировался. Мы считаем, что отсутствие достаточного количества кислорода при давлении ниже 0.5 Торр подавляет процесс окисления. Максимальными значениями коэффициента прозрачности 86% обладали пленки In2O3, полученные при давлении вакуумной камеры 0.5 Торр.

Энергия оптической запрещенной зоны пленки оксида индия (рисунок 34) определялась по методике, которая описана в параграфе 2.4 настоящей работы.

Рисунок 34. Зависимость квадрата коэффициента поглощения от энергии падающего фотона для пленки Энергия оптической запрещенной зоны для тонкой In2O3 пленки составила ~ 3.5 эВ.

Это значение хорошо согласуется с другими экспериментальными значениями для пленок оксида индия [5, 9, 44, 92].

3.5 Сравнительный анализ и предполагаемый механизм автоволнового окисления В таблице 2 приведены значения удельного сопротивления и прозрачности пленок In2O3 (при 0.5Торр), полученных в автоволновом режиме окисления и полученных ранее различными методами. Из таблицы 2 видно, что пленки In2O3, изготовленные автоволновым окислением, по своим характеристикам сопоставимы с характеристиками пленок оксида индия, полученных другими методами. К преимуществам автоволнового режима окисления надо отнести технологическую простоту и низкую температуру синтеза пленок In2O3.

Таблица 2. Сравнение коэффициента пропускания в диапазоне 400 – 900 нм и удельного электрического сопротивления различных пленок на основе оксида индия.

Из тепловых теорий следует, что движущей силой автоволновых процессов горения является значительное тепловыделение на фронте. Так основной характеристикой СВСпроцессов является высокая адиабатическая температура, Tad T0 + Q/c, где T0 – начальная температура, Q – тепловой эффект реакции с учтом фазовых превращений на фронте и c – средняя тепломкость продуктов реакции. Для инициирования СВСреакций необходимо иметь достаточно высокие значения Tad, однако в большинстве случаев адиабатическая температура не превышают 5000 K [130]. Энтальпия образования H и с средняя тепломкость In2O3 равны H = -927kJ mol1 и с = 94JKmol1, соответственно. Оценка адиабатической температуры горения индия в кислороде дат крайне высокое значение Tad 10000 K. Эта величина сильно превышает значение, необходимое для автоволнового режима реакции. Однако в плнках в результате диссипации тепла реальная температура фронта окисления значительно меньше адиабатической температуры.

Результаты работы предполагают возможный механизм реакции. Из рисунка следует, что зона реакции ~ 0.5см. Это расстояние фронт реакции, распространяющийся со скоростью v ~ 0.5cм/сек, пройдт за время ~ 1сек. За это время в зоне реакции происходит диффузия кислорода на толщину плнки ~ 100 нм, что соответствует коэффициенту диффузии D ~ d2/ t = 10-10см2/сек для тврдой фазы. Так как температура инициирования реакции 180°С выше температуры плавления In (156°С), то в начальной стадии диффузия кислорода идт в жидкий индий с формированием слоя In2O3, имеющего высокую температуру плавления (1910°С). Из вышесказанного следует, что дальнейший рост In2O3 фазы происходит диффузией кислорода через слой In2O3, находящейся в тврдой фазе. Из этого следует, что температура фронта окисления не превосходит температуру плавления In2O3.

';

4 ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ ФОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ И

ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА In2O3 ТОНКИХ

ПЛЕНОК

В данной главе представлены результаты исследования комплексного воздействия температуры (5 – 373 К) и фотооблучения (спектральный диапазон 0.2 – 0.7 мкм) на оптоэлектронные свойства пленок оксида индия, полученных автоволновым окислением. Представлены исследования релаксации электрического сопротивления и коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 5 – 20 мкм после прекращения облучения. Кроме этого, показано, что облучение УФ светом приводит к возникновению перехода металл-полупроводник при низких температурах.

4.1 Температурная зависимость электрического сопротивления пленок оксида Температурная зависимость сопротивления R пленок оксида индия в диапазоне температур 3 – 300 К представлена на рисунке 35.

Рисунок 35. Температурная зависимость нормированного электрического сопротивления пленки оксида индия (R0 – электрическое сопротивление, измеренное при комнатной температуре).

Сопротивление оксида индия незначительно меняется с 300 до 95 К. Однако при дальнейшем понижении температуры изменение становится более заметным.

Отношения сопротивления при 3 К к сопротивлению при 300 К является очень ограниченным ( 20.

Температурная зависимость сопротивления пленки оксида индия указывает на полупроводниковый тип проводимости.

Из рисунка 36 видно, что сопротивление пленки незначительно меняется (~ 10 %) от температуры в диапазоне 300 – 373К.

Рисунок 36. Температурная зависимость нормированного электрического сопротивления пленки оксида 4.2 Динамическое изменение сопротивления пленки оксида индия в зависимости от На рисунке 37 представлено спектральное распределение излучения ртутной газоразрядной лампы, которая использовалась в эксперименте. Спектр излучения имеет типичные пики для паров ртути. Мощность излучения лампы составляла ~ 0.223 Ватт/см2 в месте расположения образца тонкой пленки оксида индия.

Зависимость сопротивления пленки оксида индия от времени облучения светом и динамика увеличения сопротивления при выключении лампы представлена на рисунке 38.

При включении лампы происходит резкое уменьшение сопротивления пленки на 52 %, предположительно, из-за генерации свободных носителей заряда и/или увеличении подвижности электронов за счет десорбции ионов кислорода с межзеренных границ [83].

Рисунок 37. Спектр ртутной газоразрядной лампы сверхвысокого давления, используемой для Рисунок 38. Изменение сопротивления пленки оксида индия во время фотооблучения при температуре После прекращения облучения наблюдалось увеличение сопротивления пленки оксида индия со скоростью 15 Ом/сек первые 30 секунд и 7 Ом/сек в последующее время.

Температура образца не влияла на скорости релаксации сопротивления. При увеличении температуры образца оксида индия уменьшалась величина изменения сопротивления во время облучения (рисунок 39).

Рисунок 39 Температурная зависимость сопротивления пленки оксида индия во время фотооблучения 4.3 Релаксация коэффициента пропускания и электрического сопротивления Одним из методов для определения концентрации свободных носителей заряда в нанопленках полупроводников является инфракрасная (ИК) спектроскопия [132]. В концентрацию носителей заряда с плазменной частотой поглощения p, имеет вид (8).

Подставляя n = 1019 см-3; e = 1.6·10-19 Кл; m* = 0.36·me [40] (me – масса электрона 9.1·10- кг); 0 = 8.85·10-12 Ф/м в выражение (8) плазменная частота для пленок оксида индия, полученных автоволновым окислением, оказалась равной p ~ 3·1014 с-1 (~ 6.3 мкм).

Мы предполагали, что в случае генерации свободных носителей заряда за счет облучения светом поглощение будет вблизи плазменной частоты. Для проверки этих предположений были проведены измерения коэффициента пропускания в ИК диапазоне (рисунок 40) пленки In2O3 на кремневой подложке после прекращения облучения светом.

Рисунок 40 Коэффициент пропускания пленки оксида индия, измеренный при комнатной температуре, после прекращения фотооблучения, сек.: 1 – 60, 2 – 80, 3 – 110, 4 – 130, 5 – 150, 6 – 170, 7 – 190, 8 – 210, Измерение коэффициента пропускания проводилось через 60 с после прекращения облучения в нормальных условиях. Задержка измерения в 60 с связана со временем, которое необходимо для достижения рабочего вакуума спектрометра Bruker Vertex 80V.

Необходимо отметить, что коэффициент пропускания тонкой пленки оксида индия на кремневой подложке до фотооблучения принимался за 100 %.

Из рисунка 40 видно, что после прекращения облучения светом коэффициент пропускания уменьшается на 2.4 % на длине волны 6.3 мкм. Однако со временем происходит релаксационный процесс, при котором наблюдается постепенное увеличение коэффициента прозрачности. Из анализа релаксации коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм следует, что скорость увеличения прозрачности составляла 0.006 % /сек.

Для сравнения релаксации электрического сопротивления и коэффициента пропускания результаты измерений представлены на одном графике (рисунок 41). Как видно из рисунка 41, динамика увеличения электрического сопротивления и коэффициента пропускания после облучения имеют идентичный характер.

Рисунок 41 Релаксация сопротивления и коэффициента пропускания (6.3 мкм) после прекращения фотооблучения, измеренная при комнатной температуре [131].

В настоящее время существует несколько представлений о влиянии света на электрические свойства оксида индия [83]: генерация электронно – дырочных пар, десорбция кислородных адсорбатов, фотовосстановление (в английских источниках «photoreduction»). Ширина запрещенной зоны пленок оксида индия, в зависимости от способа изготовления, может иметь значение от 3.5 эВ (355 нм) до 4 эВ (310 нм) [35].

Поэтому, для перехода электрона с валентной зоны в зону проводимости, необходимо облучать пленки оксида индия светом с длиной волны 355 нм. В спектре ртутной газоразрядной лампы длины волн 355 нм имеют малую интенсивность на уровне фона.

Однако большое количество поверхностных дефектов и межзеренных границ приводят к модификации зонной структуры оксида индия. Следовательно, переход электрона возможен и при энергиях света меньших, чем энергия запрещенной зоны [83, 133]. В результате данного перехода может образоваться электронно – дырочная пара. Однако при выключении лампы мы не наблюдали резкого скачка увеличения сопротивления пленки.

Десорбция кислородных адсорбатов с поверхности пленки проводящих прозрачных оксидов во время облучения светом может увеличить подвижность носителей заряда и, следовательно, повысить проводимость пленки [77]. Данное влияние света на проводимость пленки оксида индия в нашем случае возможно, но оно не является доминирующим. Результаты ИК спектроскопии образцов пленок и схожесть характера релаксации электрического сопротивления и коэффициента прозрачности показывают, что за изменение проводимости пленок оксида индия ответственно главным образом изменение концентрации электронов. В противном случае результаты ИК спектроскопии должны были бы показать постоянство коэффициента прозрачности в ИК диапазоне и/или несовпадение релаксации электрического сопротивления и коэффициента прозрачности.

Механизм фотовосстановления заключается в том, что фотообразованная дырка рекомбинирует со связанным электроном в связи In – O. Это вызывает разрушение химической In – O связи, освобождение атома кислорода и его миграцию к поверхности пленки, где два атома кислорода образуют молекулу O2, и происходит е десорбция с поверхности. В конечном итоге в кристаллической структуре появляются дополнительные кислородные вакансии, которые являются источниками электрической проводимости в пленках оксида индия [67, 134]. Поэтому мы предполагаем, что в наших исследованиях фотовосстановление является доминирующим механизмом влияния света на проводимость пленок оксида индия.

4.4 Индуцированный при помощи УФ облучения переход металл – полупроводник В данном параграфе представлено интересное физическое явление – обратимый индуцированный при помощи УФ облучения переход металл – полупроводник, который наблюдается в тонких пленках оксида индия. Данный переход происходит при низких температурах в облученных УФ светом пленках оксида индия. С другой стороны, когда облученные УФ светом пленки оксида индия подвергались выдержке на воздухе, переход не наблюдался. На рисунке 42 представлена температурная зависимость удельного электрического сопротивления для пленки оксида индия при различных обработках.

Рисунок 42 Удельное сопротивление тонкой In2O3 пленки в зависимости от температуры, измеренное в отсутствии освещения для четырех видов обработки: шаг 1 (а), шаг 2 (б), шаг 3 (в) и шаг 4 (г). Открытые квадраты на рисунке – экспериментальные данные и красные сплошные линии в (а) - (г) являются результатом аппроксимации экспериментальных данных при использовании уравнения (6) [135].

Мы провели четыре последовательных обработки пленки оксида индия для того, чтобы продемонстрировать обратимость индуцированного перехода. Четыре обработки соответствуют двум полным циклам «отсутствие перехода – присутствие перехода». В таблице 3 указаны параметры последовательных обработок пленки оксида индия.

Таблица 3. Последовательная обработка тонкой In2O3 пленки.

Рисунок 42 однозначно показывает, что МПП в тонких пленках может быть индуцирован и подавлен при помощи УФ облучения и выдержки на воздухе, соответственно. Температура перехода ТМПП для шага 2 и шага 4 была 105 К и 97 К. Эти значения являются близкими к температуре перехода (ТМПП = 118 К) для эпитаксально выращенной пленки оксида индия, указанной в работе [44]. Более того, для оксида индия легированного оловом ТМПП была 94 K [136], 87 K [137], ~ 100 K и ~ 80 K [138].

Для оксида индия легированного ниобием ТМПП была ~ 100 K [139]. Из близости этих температур перехода мы предполагаем, что возможно непосредственно структурная особенность оксида индия ответственна за МПП.

В настоящее время существует научные публикации о ППО на основе ZnO, в которых наблюдается МПП. Для того, чтобы расширить нашу гипотезу, мы проанализировали значения температуры перехода: ТМПП для нелегированного оксида цинка было ~ 160 K [80], ~ 150 K [140] и ~ 195 K [140]. Для оксида цинка легированного водородом ТМПП было 165 K и 210 K [141]. Для оксида цинка легированного галлием ТМПП было 160 K [81], 170 K [142], 141 K [143]. Оксид цинка легированный алюминием и европием имел ТМПП при 150 K [144] и 190 K [145], соответственно. Степень беспорядка в структуре ведт к смещению температуры в нелегированном оксиде цинка, как показано в работе[140]. Таким образом, мы предполагаем, что МПП в ППО связан главным образом с особенностью структуры оксида.

На рисунке 43 представлены результаты измерения Холловской концентрации и подвижности зарядов носителей в зависимости от температуры. Измерения электронных свойств тонкой пленки оксида индия проводились для последовательных шагов обработки.

Рисунок 43 Холловская концентрация (а) и подвижности (б) зарядов носителей в зависимости от температуры для тонкой In2O3 пленки. Фигурные точки на рисунке – экспериментальные данные, сплошные линии являются результатом аппроксимации экспериментальных данных [135].

Концентрация носителей заряда, измеренная после Шаг 1, по сравнению с Шаг более зависит от температуры. Абсолютное значение концентрации зарядов носителей для Шаг 1 выше, чем для Шага 2. С другой стороны, соответствующая подвижность носителей заряда для Шаг 1 относительно слабо зависит от температуры по сравнению с Шаг 2. Кроме того, значение подвижности Шаг 2 больше, чем значение подвижности Шаг 1. Аналогичная ситуация происходит для Шаг 3 и Шаг 4. Из данных концентраций носителей и мобильности для Шаг 2 и Шаг 4, неочевидно, почему МПП происходит при ~ 100 К.

Температурнуя зависимость сопротивления ППО часто объясняют с помощью модели прыжковой проводимости Мотта [44, 141]. Критической концентрацией зарядов носителей для переключения на металлический тип проводимости, согласно критерию Мотта, является 7.2x1018 см-3 для In2O3 [146]. Из рисунка 43 (а) видно, что в нашем случае концентрация носителей заряда является выше концентрации Мотта.

Модель, предложенная для материала [90], в котором присутствует беспорядок, может быть использована. Необходимо, чтобы длина волны Ферми F была сопоставима с длиной совободного пробега электрона. Для Шаг 2 и Шаг 4, мы получили F >, таким образом, квантовые поправки могут быть использованы. На рисунке 42 приведены соответствующие аппроксимирующие кривые с учетом Соответствующие значения параметров, которые входят в уравнения (6), полученных аппроксимацией экспериментальных данных, приведены в таблице 4.

Таблица 4. Значения параметров уравнения (6) для тонкой In2O3 пленки, полученных при аппроксимации экспериментальных данных.

Название Мы предполагаем, что МПП в In2O3, возможно, связан со структурой оксида основного металла, который имеет некоторый беспорядок по кислородным вакансиям.

Вполне возможно, что УФ-облучение изменяет степень беспорядка через эффект фотовосстановления, что приводит к МПП при низких температурах. Однако выдержка на воздухе приводит к возвращению в начальную степень беспорядка в In2O3 пленках.

Мы также считаем, что обратимый УФ индуцированной переход металл-полупроводник будет происходить в других ППО, которые имеют полупроводниковый тип проводимости и ограниченное отношение (~ 5 К) / (~ 272K) ~ 1.

5 КОМПОЗИТНЫЕ Fe – In2O3 И Fe3O4 - ZnO ТОНКИЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ

ТВЕРДОФАЗНЫМ СИНТЕЗОМ

В этой главе представлен новый метод синтеза для реализации композитных Fe – In2O3 и Fe3O4 – ZnO тонких пленок, которые обладают высокой намагниченностью при комнатной температуре, с помощью твердофазных реакций. Приведены исследования структурных и магнитных свойств композитных Fe – In2O3 и Fe3O4 – ZnO тонких пленок.

5.1 Особенности синтеза тонких композитных Fe – In2O3 пленок Для синтеза тонких композитных Fe - In2O3 пленок использовалась следующая технологическая последовательность в изготовлении:

1) термическое вакуумное напыление чистого железа (99,99 %) с толщиной ~ 50 нм на стеклянную подложку;

2) окисление в атмосфере кислорода тонкой пленки железа до – Fe2O3 фазы;

3) термическое вакуумное напыление чистого индия (99,99 %) толщиной ~ 50 нм на пленку Fe2O3;

4) отжиг данной системы до 250 0С в вакууме.

Композитные тонкие Fe - In2O3 пленки формируются по следующему химическому сценарию:

что является аналогом классической химической реакции алюметрии:

которая широко использовалась для сварки железнодорожных путей около ста лет назад.

Синтез тонких композитных Fe – In2O3 пленок проводился в автоволновым режиме.

На рисунке 44 представлена фотография и схематическое представление процесса синтеза данных пленок.

Рисунок 44 Снимок (вверху) и схематическое изображение автоволнового режима синтеза Fe – In2O (внизу). На рисунке приняты обозначения, In(s) – индий в твердом состоянии, In(l) – индий в жидкой Для организации автоволнового режима синтеза была использована большая скорость нагрева > 20 K/сек. Температура начала реакции была ~ 450 К. В автоволновом режиме синтеза подразумевается, что есть горючий и окислительный реагенты, а также наличие зажигательного температурного механизма. В нашем случае, In является горючим реагентом, а Fe2O3 является окислительным реагентом. Большая скорость нагрева системы выступает в роли термического поджига. Стоит отметить, что автоволновой режим синтеза является, по сути, экзотермической реакцией, для которой характерно выделение большого количества теплоты. По этой причине наблюдается волна горения при синтезе.

5.2 Структурные свойства тонких композитных Fe – In2O3 пленок Структурные свойства тонких композитных Fe – In2O3 пленок были исследованы с помощью рентгеноструктурного анализа, просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного рентгеновского микроанализа, мессбауэровской спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

На рисунке 45 представлены рентгеновские дифрагтограммы образцов пленки до и после проведения твердофазной реакции.

Рисунок 45 Дифрагтограмма для исходной тонкопленочной In/ Fe2O3 системы (а) и дифрагтограмма для синтезированной композитной Fe – In2O3 пленки (б) [147].

Из рисунка 45 однозначно видно, что после проведения твердофазной реакции над исходной тонкопленочной In / Fe2O3 системой, получалась пленка, которая содержит только In2O3 и – Fe фазы.

Измерения образцов пленок при помощи рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии после проведения твердофазной реакции приведены на рисунке 46.

Рисунок 46 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия тонкой композитной Fe – In2O3 пленки:

химическое состояние атомов индия (а) и химическое состояние атомов железа (б) [147].

Исследование рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показывает, что после твердофазной реакции, атомы индия находились в химически связанном состоянии с кислородом (рисунок 46 а). С другой стороны, после твердофазной реакции, атомы железа находились в основном состоянии железа, что говорит о наличии чистого железа в пленке (рисунок 46 б). Существовало небольшое число атомов железа, которые находились в оксидном состоянии в пленке. Возможно, что после реакции пленка содержала оксидные фазы железа.

Результаты мессбауэровской спектроскопии после проведения твердофазной реакции представлены на рисунке 47.

Рисунок 47 Мессбауэровская спектроскопия тонкой композитной Fe – In2O3 пленки [147].

Мессбауровская спектроскопия однозначно показала (рисунок 47) наличие фаз главным образом -Fe и Fe3O4 в полученной композитной пленке. Результаты мессбауровской спектроскопии по идентификации химического состояния атомов железа в композитной рентгеноструктурным анализом и результатами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

энергодисперсионного рентгеновского микроанализа представлены на рисунке 48.

Рисунок 48 Изображение поверхности тонкой композитной Fe – In2O3 пленки, которое было получено при помощи просвечивающего электронного микроскопа. Общая картина поверхности (а) и детальное изображение одного структурного включения (б) с энергодисперсионным рентгеновским композитная Fe – In2O3 плнка состояла из плнки оксида индия с внедрнными наночастицами -Fe. Мы предполагаем, что возможно, наночастицы -Fe имеют структуру типа «ядро-оболочка». Где в качестве ядра выступает чистое железо, а оболочка состоит из переходных оксидных слоев.

5.3 Намагниченность и сопротивление при синтезе тонких композитных Fe – In2O сопротивления в зависимости от температуры отжига исходной тонкопленочной In / Fe2O3 системы.

Рисунок 49 Нормированная намагниченность насыщения (а) и сопротивления (б) в зависимости от температуры отжига при синтезе тонкой композитной Fe – In2O3 пленки. На вставках (вверху) магнитная петля гистерезиса для полученной Fe – In2O3 пленки и (вверху) динамика сопротивления при синтезе Стоит отметить, что Мs обозначает намагниченность насыщения образца, а Mo намагниченность насыщения для исходной не окисленной пленки железа. Таким образом, мы произвели нормировку намагниченности образца на намагниченность исходной не окисленной пленки железа.

Из рисунка 49 видно, что после твердофазной реакции композитная Fe – In2O3 пленка имела намагниченность насыщения ~ 65% от намагниченности насыщения исходной не окисленной пленки железа. Из этого мы предполагаем, что после проведения твердофазной реакции ~ 65% атомов железа находилось в чистом металлическом состоянии.

Измерения намагниченности и сопротивления тонкопленочного образца в зависимости от температуры отжига, показали, что температура начала твердофазной реакции имела значение ~ 450 К.

5.4 Структурные свойства тонких композитных Fe3O4 – ZnO пленок Тонкие композитные Fe3O4 – ZnO пленки были синтезированы при помощи разработанной технологии, которая описана в параграфе 5.1. Однако вместо индия напыляли чистый металлический цинк (99,99 %) и после этого проводили термоотжиг в вакууме. Таким образом, мы получали исходную пленочную систему Zn/Fe2O3 до проведения твердофазной реакции.

На рисунке 50 представлены рентгеновские дифрагтограммы образцов пленки до и после проведения твердофазной реакции. По данным рентгеноструктурного анализа до проведения твердофазной реакции исходная система содержала только чистый цинк и оксидную фазу железа Fe2O3. После термоотжига в вакууме до 673 К исходной тонкопленочной системы Zn/Fe2O3, рентгеноструктурный анализ показал наличие фазы Fe3O4 и ZnO. Содержания фаз от чистого железа и цинка не наблюдалось.

Таким образом, по данным рентгеноструктурного анализа мы предполагаем, что цинк полностью прореагировал с оксидом железа.

Рисунок 50 Дифрагтограмма для исходной тонкопленочной Zn/ Fe2O3 системы (а) и дифрагтограмма для синтезированной композитной Fe3O4 – ZnO пленки (б) [148].

С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии мы провели измерения концентрации атомов цинка, железа и кислорода по толщине для синтезированной композитной Fe3O4 – ZnO пленки. На рисунке 51 представлены результаты исследования концентрации атомов по толщине пленки.

Согласно экспериментальным данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (рисунок 51) концентрация атомов цинка и железа значительно меняется по толщине синтезированной пленки. С другой стороны, изменение концентрации атомов кислорода незначительно меняется по толщине синтезированной пленки.

Возможно, это связанно с тем, что после твердофазной реакции исходной пленочной Zn/Fe2O3 системы произошло химическое перераспределение атомов кислорода от оксида железа к цинку по всей толщине. Однако полученная композитная пленка возможна имела кластерную структуру, которая состоит из ZnO и Fe3O4. По этой причине не наблюдается однородность концентрации атомов цинка и железа по толщине полученной пленки.

Рисунок 51 Изменения концентрации атомов цинка, железа и кислорода по толщине для синтезированной композитной Fe3O4 – ZnO пленки [148].

При проведении структурных исследований тонкой композитной Fe3O4 – ZnO пленки, нам было известно, что в таких системах может получиться цинковый феррит. Однако с помощью рентгеноструктурного анализа затруднительно определить наличие фазы цинкового феррита в синтезированной пленке. Это связанно с тем, что расположения рентгеновских пиков от цинкового феррита являются очень близкими к пикам от Fe3O фазы. По этой причине нам потребовалось провести исследования тонкой структуры химических состояний атомов железа в синтезированных пленках с помощью мессбауэровской спектроскопии.

Результаты мессбауэровской спектроскопии для синтезированной композитной Fe3O – ZnO пленки, полученной до и после проведения твердофазной реакции исходной системы Zn/Fe2O3, представлены на рисунке 52.

Рисунок 52 Мессбауэровская спектроскопия исходной тонкопленочной Zn/Fe2O3 системы (а) и тонкой Как видно из рисунка 52, исходная тонкопленочная система, как и ожидалось, имеет только оксидную фазу железа Fe2O3. После проведения твердофазной реакции исходной пленочной системы Zn/Fe2O3, мессбауровская спектроскопия показывала, что атомы железа находятся только в оксидной фазе Fe3O4. Мессбауровская спектроскопия не показала наличия других пиков связанных с фазами цинкового феррита.

мессбауровской спектроскопии мы пришили к выводу, что после проведения твердофазной реакции над исходной пленочной системой Zn/Fe2O3 образуется тонкая композитная пленка, состоящая из Fe3O4 и ZnO фаз.

Поверхностная морфология для синтезированной композитной Fe3O4 – ZnO пленки представлена на рисунке 53.

Рисунок 53 Изображение поверхности тонкой композитной Fe3O4 – ZnO пленки, которое полученно при помощи сканирующего электронрого микроскопа [148].

Изображение поверхности синтезированной пленки Fe3O4 – ZnO (рисунок 53) указывает на композитную структуру. Кроме этого, возможно, что при наличии такой композитной структуры существовали значительные изменения концентрации атомов цинка и железа по толщине пленки.

5.5 Намагниченность тонких композитных Fe3O4 – ZnO пленок Измерения по определению намагниченности исходной системы Zn/Fe2O3 в зависимости от температуры отжига были проведены в диапазоне температур от комнатной температуры до 723 К.

На рисунке 54 представлены измерения намагниченности исходной системы Zn/Fe2O в зависимости от температуры отжига.

Рисунок 54 Температурная зависимость намагниченности для исходной Zn/Fe2O3 системы (а) и магнитная петля гистерезиса для тонкой композитной Fe3O4 – ZnO пленки (б) [148].

Температурная зависимость намагниченности для исходной Zn/Fe2O3 системы (рисунок 54) показывает, что температура начала твердофазной реакции имеет значения ~510 К. Синтезированная композитная Fe3O4 – ZnO пленка имела намагниченность ~ 450 э.м.е./см3. Данное значение хорошо согласуется с намагниченностью для оксидной фазы Fe3O4. Магнитная петля гистерезиса для композитной Fe3O4 – ZnO пленки показывает, что композитная пленка имела значение перемагничивающего поля ~ Эр.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

диссертационной работы, а именно:

1) была разработана низкотемпературная технология получения In2O3 пленок, основанная на термическом испарении чистого индия в низком вакууме до 0.5 Торр и последующим нагревом до 250С. Определены температура инициирования T0 = 180C и скорость нагрева (> 1K/сек), выше которой существует автоволновой режим синтеза In2O3 пленок в диапазоне давлений в вакуумной камере (1.5 - 0.5) Торр. Показано, что после прохождения волны окисления слой продуктов реакции содержит кубическую In2O3 фазу, которая распределена однородно как по поверхности, так и по глубине с характерным размером зерна 20 – 40 нм. Лучшие характеристики пленок оксида индия были получены в вакууме 0.5 Торр, которые имели коэффициент прозрачности более 85 % и удельное электрическое сопротивление 1.8·10-2 Ом·см.

2) Электрическое сопротивление пленок In2O3 слабо менялось (~ 10 %) в диапазоне температур 25 – 100 0С. Показано, что при облучении светом происходит резкое уменьшение электрического сопротивления (на 52 %) пленок оксида индия. При увеличении температуры во время облучения происходит уменьшение изменения сопротивления. После прекращения облучения пленки происходит релаксация сопротивления с двумя скоростями ~ 15 Ом/сек первые 30 секунд и ~ 7 Ом/сек в последующее время. Температура не влияла на скорости релаксации сопротивления.

Установлено, что коэффициент пропускания в диапазоне длин волн 5 – 15 мкм уменьшается после облучения светом. На длине волны 6.3 мкм изменение составляло 2.4 %. После прекращения облучения наблюдалась релаксация коэффициента пропускания со скоростью 0.006 % /сек. Показано, что релаксация электрического сопротивления и коэффициента пропускания пленок оксида индия имеют одинаковый характер, что подтверждает предположение о генерации дополнительных носителей заряда за счет механизма фотовосстановления.

3) Были проведены измерения удельного сопротивления, холловской концентрации зарядов носителей и холловской подвижности пленок оксида индия в температурном диапазоне 5-272 K. Впервые было найдено, что после УФ облучения пленок оксида индия происходит МПП с температурой ~ 100 K. Мы показали, что МПП может подавляться при помощи выдержки на воздухе. Кроме того, были продемонстрированы обратимость и повторяемость МПП с помощью выдержки на воздухе и УФ облучения, соответственно. Сделано предположение, что нелегированная структура оксида индия, которая имеет некоторый беспорядок по кислородным вакансиям, является ответственной за появление МПП.

4) Разработан новый метод синтеза для изготовления тонких композитных Fe-In2O пленок, которые обладают ферромагнетизмом при комнатной температуре. Новый метод синтеза был основан на использовании термитной реакции между двумя слоями In и Fe2O3 пленки. В термитной реакции In и Fe2O3 использовались как горючее и окислитель, соответственно. Было показано, что температура инициирования реакции имеет значение T нач = 180°С с преимущественным формированием Fe и In2O3 фаз. При скоростях нагрева выше 20K/с, реакция проходит в самораспространяющейся моде, в которой фронту реакции предшествует фронт плавления In пленки. Продукты реакции содержат нанокристаллы -Fe, окружнные In2O3 оболочкой.

5) Впервые были получены тонкие композитные Fe3O4 – ZnO пленки, которые обладали намагниченностью ~ 450 э.м.е./см3 при комнатной температуре, при помощи твердофазной реакции на основе термитной реакции. Температура инициирования реакции была Tнач ~ 240°C.

Основные результаты исследований по теме диссертации опубликованы в работах [123,126,131,135,147,148].

Автор выражает глубокую признательность научному руководителю д.ф.-м.н., с.н.с.

ИФ СО РАН, В.Г. Мягкову. Автор выражает благодарность к.ф.-м.н., н.с. ИФ СО РАН, А.А. Иваненко за проведение оптических исследований и обсуждение результатов; в.н.с.

ИФ СО РАН, д.ф.-м.н., В.С. Жигалова за помощь при изготовлении образцов и обсуждение полученных результатов; н.с. ИФ СО РАН, к.ф.-м.н., Л.Е. Быковой за обсуждение полученных результатов; инженеру ИФ СО РАН И.В. Немцеву за проведение исследований образцов с помощью сканирующей электронной микроскопии; н.с. ИХХТ, Г.Н. Бондаренко за рентгеноструктурные исследования; с.н.с.

ИХХТ, д.х.н., Ю.Л. Михлину за проведение исследований с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии; м.н.с. ИФ СО РАН, к.ф.-м.н., А.С. Тарасову и с.н.с.

ИФ СО РАН, к.ф.-м.н., Е.В. Еремену за проведение исследований транспортных свойств; в.н.с. ИФ СО РАН, д.ф.-м.н., О.А. Баюкову; студентке СибГАУ Е.В. Ежиковой за помощь в написании настоящей диссертационной работы. Автор выражает диссертационной работы.

Сборники трудов конференций и тезисы докладов, в которых отражены результаты настоящей диссертационной работы структурные и оптические свойства. // Материалы всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученных «ВНКСФ-18»/ Красноярск 2012. – с. 232.

И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков. Тонкие пленки In2O3, полученных автоволновой реакцией окисления композитных пленок In – In2O3. // Сборник материалов «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества» / Москва 2012. – с. 558И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков и др. Структурные свойства пленок In2O3, полученные автоволновым окисления. // Труды международной научно-технической конференции «Нанотехнологии функциональных материалов»/ г. Санкт – Петербург 2012 – с. 125-127.

И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков. Магнитные и структурные свойства композитных In2O3-Fe3O4 пленок. // Тезисы докладов 5 Байкальской международной конференции «Магнитные материалы. Новые технологии» / Иркутск 2012– с. О-8.

И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков. Детектирование ультрафиолетового излучения пленками оксида индия. // Материалы 16 международной научной конференции «Решетневские чтения» / Красноярск 2012– с. 418.

И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков и др. Изменения электрических и оптических свойств In2O3 пленок при фотооблучении. // Материалы всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученных «ВНКСФ-19»/ Архангельск 2013 – с. 175-176.

И.А. Тамбасов. Влияния ультрафиолетового облучения и температуры на оптоэлектронные свойства тонких In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением.

// Сборник материалов всероссийской молодежной научной конференции «Инновация в материаловедении» / Москва 2013 – с. 325.

И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков и др. Влияния ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением. // Тезисы докладов 11 Российской конференции по физике полупроводников. / Санкт-Петербург 2013– с. 161.

И.А. Тамбасов и др. Проводимость тонких In2O3 пленок при воздействии ультрафиолетового излучения и низких температур. // Тезисы докладов школыконференции молодых ученых «Неорганические соединения и функциональные материалы»/ Новосибирск 2013– с. 85.

10. Myagkov V.G., Tambasov I.A., Bayukov O.A., Zhigalov V.S., Nemtsev I.V., Bykova L.E, Bondarenko G.N., Magnetic and structural properties of nanocomposite Fe3O4-ZnO films prepared by solid-state synthesis // Материалы V Euro-Asian Symposium “Trends in MAGnetism”: Nanomagnetism EASTMAG-2013, 15-21 / Russky Island, Vladivostoc, Russia 2013 – p. 134.

Диплом 2 степени за победу в рамках Всероссийской молодежной научной конференции с международным участием «Инновации в материаловедении», секция «Материалы авиационной и космической техники», Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, г. Москва, 2013 г.

ЛИТЕРАТУРА

1. Raviendra, D. In2O3 and In2O3-Sn (ITO) films by post-oxidation of metal-films / D. Raviendra, J.K. Sharma // Physica Status Solidi a-Applied Research. 1985. T. 88, № 1.

C. K83-K86.

2. Das, V.D. Optical and electrical investigations of indium oxide thin films prepared by thermal oxidation of indium thin films / V.D. Das, S. Kirupavathy, L. Damodare, N. Lakshminarayan // Journal of Applied Physics. 1996. T. 79, № 11. C. 8521-8530.

3. Girtan, M. Influence of oxidation conditions on the properties of indium oxide thin films / M. Girtan, G.I. Rusu, G.G. Rusu, S. Gurlui // Applied Surface Science. 2000. T. 162. C.

492-498.

4. Rambu, A.P. Electronic transport and optical properties of indium oxide thin films prepared by thermal oxidation / A.P. Rambu, D. Sirbu, M. Dobromir, G.G. Rusu // Solid State Sciences.

2012. T. 14, № 10. C. 1543-1549.

5. Chopra, K.L. Transparent conductors - a status review / K.L. Chopra, S. Major, D.K.

Pandya // Thin Solid Films. 1983. T. 102, № 1. C. 1-46.

6. Nath, P. Preparation of In2O3 and tin-doped In2O3 films by a novel activated reactive evaporation technique / P. Nath, R.F. Bunshah // Thin Solid Films. 1980. T. 69, № 1. C.

63-68.

7. Kaleemulla, S. Physical properties of In2O3 thin films prepared at various oxygen partial pressures / S. Kaleemulla, A.S. Reddy, S. Uthanna, P.S. Reddy // Journal of Alloys and Compounds. 2009. T. 479, № 1-2. C. 589-593.

8. Adurodija, F.O. High-quality indium oxide films at low substrate temperature / F. O.

Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, H. Matsui, M. Motoyama // Applied Physics Letters. 1999. T. 74, № 20.

9. Tripathi, N. Growth dynamics of pulsed laser deposited indium oxide thin films: a substrate dependent study / N. Tripathi, S. Rath, V. Ganesan, R.J. Choudhary // Applied Surface Science. 2010. T. 256, № 23. C. 7091-7095.

10. Sierros, K.A. Pulsed laser deposition of indium tin oxide films on flexible polyethylene naphthalate display substrates at room temperature / K.A. Sierros, D.R. Cairns, J.S. Abell, S.N.

Kukureka // Thin Solid Films. 2010. T. 518, № 10. C. 2623-2627.

11. Beena, D. Photoluminescence in laser ablated nanostructured indium oxide thin films / D.

Beena, K.J. Lethy, R. Vinodkumar, A.P. Detty, V.P.M. Pillai, V. Ganesan // Journal of Alloys and Compounds. 2010. T. 489, № 1. C. 215-223.

12. Chen, S.H. Influence of gallium-doped zinc-oxide thickness on polymer light-emitting diode luminescence efficiency / S.H. Chen, W.C. Chen, C.F. Yu, C.F. Lin, P.C. Kao // Microscopy Research and Technique. 2013. T. 76, № 8. C. 783-787.

13. Park, S.M. Effects of substrate temperature on the properties of Ga-doped ZnO by pulsed laser deposition / S.M. Park, T. Ikegami, K. Ebihara // Thin Solid Films. 2006. T. 513, № 1-2. C. 90-94.

14. Beena, D.Effect of substrate temperature on structural, optical and electrical properties of pulsed laser ablated nanostructured indium oxide films / D. Beena, K.J. Lethy, R. Vinodkumar, V.P.M. Pillai, V. Ganesan, D.M. Phase, S.K. Sudheer // Applied Surface Science. 2009. T.

255, № 20. C. 8334-8342.

15. Dekkers, J.M. Role of Sn doping in In2O3 thin films on polymer substrates by pulsed-laser deposition at room temperature / J.M. Dekkers, G. Rijnders, D.H.A. Blank // Applied Physics Letters. 2006. T. 88, № 15. C. 3.

16. Novotny, M. Structural characterization of ZnO thin films grown on various substrates by pulsed laser deposition / M. Novotny, J. Cizek, R. Kuzel, J. Bulir, J. Lancok, J. Connolly, E.

McCarthy, S. Krishnamurthy, J.P. Mosnier, W. Anwand, G. Brauer // Journal of Physics DApplied Physics. 2012. T. 45, № 22. C. 12.

17. Exarhos, G.J. Discovery-based design of transparent conducting oxide films / G.J. Exarhos, X.D. Zhou // Thin Solid Films. 2007. T. 515, № 18. C. 7025-7052.

18. Fan, J. C. p-Type ZnO materials: Theory, growth, properties and devices / J.C. Fan, K.M.

Sreekanth, Z. Xie, S.L. Chang, K.V. Rao // Progress in Materials Science. 2013. T. 58, № 6. C. 874-985.

19. Sun, S.H. d(0) ferromagnetism in undoped n and p-type In2O3 films / S.H. Sun, P. Wu, P.F. Xing // Applied Physics Letters. 2012. T. 101, № 13. C. 4.

20. Ye, Y. Influence of sputtering parameters on the electrical property of indium tin oxide film used for microwave absorbing / Y. Ye, L.X. Song, X.L. Song, T. Zhang // Journal of Alloys and Compounds. 2013. T. 581. C. 133-138.

21. Kim, D.J. Effect of thickness and substrate temperature on the properties of transparent Tidoped In2O3 films grown by direct current magnetron sputtering / D.J. Kim, B.S. Kim, H.K.

Kim // Thin Solid Films. 2013. T. 547. C. 225-229.

22. Oka, N. Thermophysical and electrical properties of Al-doped ZnO films / N. Oka, K.

Kimura, T. Yagi, N. Taketoshi, T. Baba, Y. Shigesato // Journal of Applied Physics. 2012.

T. 111, № 9. C. 5.

23. Montero, J. AZO/ATO double-layered transparent conducting electrode: A thermal stability study / J. Montero, C. Guillen, J. Herrero // Thin Solid Films. 2011. T. 519, № 21.

C. 7564-7567.

24. Tahar, R. Tin doped indium oxide thin films: Electrical properties / R.B.H. Tahar, T. Ban, Y. Ohya, Y. Takahashi // Journal of Applied Physics. 1998. T. 83, № 5. C. 2631-2645.

25. Lu, J.G. Quasi-one-dimensional metal oxide materials - Synthesis, properties and applications / J.G. Lu, P.C. Chang, Z.Y. Fan // Materials Science & Engineering R-Reports.

2006. T. 52, № 1-3. C. 49-91.

26. Patil, P.S. Versatility of chemical spray pyrolysis technique / P.S. Patil // Materials Chemistry and Physics. 1999. T. 59, № 3. C. 185-198.

27. Ravichandran, K. Fabrication of protective over layer for enhanced thermal stability of zinc oxide based TCO films / K. Ravichandran, P. Ravikumar, B. Sakthivel // Applied Surface Science. 2013. T. 287. C. 323-328.

28. Pasquarelli, R.M. Solution processing of transparent conductors: from flask to film / R.M.

Pasquarelli, D.S. Ginley, R. O'Hayre // Chemical Society Reviews. 2011. T. 40, № 11. C.

5406-5441.

29. Agrawal, A. Review of solid-state electrochromic coatings produced using sol-gel techniques / A. Agrawal, J.P. Cronin // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1993. T.

31, № 1. C. 9-21.

30. Poznyak, S.K. Structural, optical, and photoelectrochemical properties of nanocrystalline TiO2-In2O3 composite solids and films prepared by sol-gel method / S.K. Poznyak, D.V.

Talapin, A.I. Kulak // Journal of Physical Chemistry B. 2001. T. 105, № 21. C. 4816Guo, D.Y. Low-temperature preparation of (002)-oriented ZnO thin films by sol-gel method / D.Y. Guo, K. Sato, S. Hibino, T. Takeuchi, H. Bessho, K. Kato // Thin Solid Films.

2014. T. 550. C. 250-258.

32. Tsay C. Y., Hsu W. T. Sol-gel derived undoped and boron-doped ZnO semiconductor thin films: Preparation and characterization // Ceramics International. 2013. T. 39, № 7. C.

7425-7432.

33. Dakhel, A.A. Structural and optoelectronic properties of Zn-incorporated CdO films prepared by sol-gel method / A.A. Dakhel // Journal of Alloys and Compounds. 2012. T.

539. C. 26-31.

34. Gnanam, S. Synthesis of tin oxide nanoparticles by sol-gel process: effect of solvents on the optical properties / S. Gnanam, V. Rajendran // Journal of Sol-Gel Science and Technology. 2010. T. 53, № 3. C. 555-559.

35. Han, S.Y. Low-Temperature, High-Performance, Solution-Processed Indium Oxide ThinFilm Transistors / S.Y. Han, G.S. Herman, C.H. Chang // Journal of the American Chemical Society. 2011. T. 133, № 14. C. 5166-5169.

36. Kim, M.G. Low-temperature fabrication of high-performance metal oxide thin-film electronics via combustion processing / M.G. Kim, M.G. Kanatzidis, A. Facchetti, T.J. Marks // Nature Materials. 2011. T. 10, № 5. C. 382-388.

37. Rim, Y.S. Low-Temperature Metal-Oxide Thin-Film Transistors Formed by Directly Photopatternable and Combustible Solution Synthesis / Y.S. Rim, H.S. Lim, H.J. Kim // Acs Applied Materials & Interfaces. 2013. T. 5, № 9. C. 3565-3571.

38. Kim, M.G. Delayed Ignition of Autocatalytic Combustion Precursors: Low-Temperature Nanomaterial Binder Approach to Electronically Functional Oxide Films / M.G. Kim, J.W.

Hennek, H.S. Kim, M.G. Kanatzidis, A. Facchetti, T.J. Marks // Journal of the American Chemical Society. 2012. T. 134, № 28. C. 11583-11593.

39. Fuchs, F. Indium-oxide polymorphs from first principles: Quasiparticle electronic states / F. Fuchs, F. Bechstedt // Physical Review B. 2008. T. 77, № 15. C. 10.

40. Brewer, S.H. Calculation of the electronic and optical properties of indium tin oxide by density functional theory / S.H. Brewer, S. Franzen // Chemical Physics. 2004. T. 300, № 1-3. C. 285-293.

41. Ozgur, U. A comprehensive review of ZnO materials and devices / U. Ozgur, Y.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.J. Cho, H. Morkoc // Journal of Applied Physics. 2005. T. 98, № 4. C. 103.

42. Jarzebski, Z.M. Preparation and physical-properties of transparent conducting oxide-films / Z.M. Jarzebski // Physica Status Solidi a-Applied Research. 1982. T. 71, № 1. C. 13-41.

43. Diebold, U. The surface science of titanium dioxide / U. Diebold // Surface Science Reports. 2003. T. 48, № 5-8. C. 53-229.

44. Seiler, W. Epitaxial undoped indium oxide thin films: Structural and physical properties / W. Seiler, M. Nistor, C. Hebert, J. Perriere // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2013.

T. 116. C. 34-42.

45. Wang, C.Y. Structural studies of single crystalline In2O3 films epitaxially grown on InN(0001) / C.Y. Wang, V. Lebedev, V. Cimalla, T. Kups, K. Tonisch, O. Ambacher // Applied Physics Letters. 2007. T. 90, № 22. C. 3.

46. Kang, B.S. Strain Mismatch Induced Tilted Heteroepitaxial (000l) Hexagonal ZnO Films on (001) Cubic Substrates / B.S. Kang, L. Stan, I.O. Usov, J.K. Lee, T.A. Harriman, D.A Lucca., R.F. DePaula, P.N. Arendt, M. Nastasi, J.L. MacManus-Driscoll, B.H. Park, Q. Jia// Advanced Engineering Materials. 2011. T. 13, № 12. C. 1142-1145.

47. Kaspar, T.C. Hidden ferromagnetic secondary phases in cobalt-doped ZnO epitaxial thin films / T.C. Kaspar, T. Droubay, S.M. Heald, M.H. Engelhard, P. Nachimuthu, S.A. Chambers // Physical Review B. 2008. T. 77, № 20. C. 4.

48. Xie, Y. Enforced c-axis growth of ZnO epitaxial chemical vapor deposition films on aplane sapphire / Y. Xie, M. Madel, T. Zoberbier, A. Reiser, W.Q. Jie, B. Neuschl, J. Biskupek, U. Kaiser, M. Feneberg, K. Thonke // Applied Physics Letters. 2012. T. 100, № 18. C. 4.

49. Wang, C.Y. Growth mechanism and electronic properties of epitaxial In2O3 films on sapphire / C.Y. Wang, L. Kirste, F.M. Morales, J.M. Manuel, C.C. Rohlig, K. Kohler, V.

Cimalla, R. Garcia, O. Ambacher // Journal of Applied Physics. 2011. T. 110, № 9. C. 7.

50. Rogozin, A. Annealing of indium tin oxide films by electric current: Properties and structure evolution / A. Rogozin, N. Shevchenko, M. Vinnichenko, M. Seidel, A. Kolitsch, W.

Moeller // Applied Physics Letters. 2006. T. 89, № 6.

51. Cho, S. Effects of rapid thermal annealing on the properties of In2O3 thin films grown on glass substrate by rf reactive magnetron sputtering / S. Cho // Microelectronic Engineering.

2012. T. 89. C. 84-88.

52. Farahani, S.K.V. Electron mobility in CdO films / S.K.V. Farahani, T.D. Veal, P.D.C.

King, J. Zuniga-Perez, V. Munoz-Sanjose, C.F. McConville // Journal of Applied Physics.

2011. T. 109, № 7.

53. Rey, G. Electron scattering mechanisms in fluorine-doped SnO2 thin films / G. Rey, C.

Ternon, M. Modreanu, X. Mescot, V. Consonni, D. Bellet // Journal of Applied Physics.

2013. T. 114, № 18.

54. Bonnell, D.A. Imaging physical phenomena with local probes: From electrons to photons / D.A. Bonnell, D.N. Basov, M. Bode, U. Diebold, S.V. Kalinin, V. Madhavan, L. Novotny, M.

Salmeron, U.D. Schwarz, P.S. Weiss // Reviews of Modern Physics. 2012. T. 84, № 3.

55. Gao, M. The effect of heating rate on the structural and electrical properties of sol-gel derived Al-doped ZnO films / M. Gao, X. Wu, J. Liu, W. Liu // Applied Surface Science.

2011. T. 257, № 15. C. 6919-6922.

56. Rosen, J. Electronic structure of amorphous indium oxide transparent conductors / J.

Rosen, O. Warschkow // Physical Review B. 2009. T. 80, № 11.

57. Nakazawa, H. The electronic properties of amorphous and crystallized In2O3 films / H.

Nakazawa, Y. Ito, E. Matsumoto, K. Adachi, N. Aoki, Y. Ochiai // Journal of Applied Physics.

2006. T. 100, № 9.

58. Ellmer, K. Past achievements and future challenges in the development of optically transparent electrodes / K. Ellmer // Nature Photonics. 2012. T. 6, № 12. C. 808-816.

59. Cheng, G. Indium oxide nanostructures / G. Cheng, E. Stern, S. Guthrie, M.A. Reed, R.

Klie, Y.F. Hao, G. Meng, L. Zhang // Applied Physics a-Materials Science & Processing.

2006. T. 85, № 3. C. 233-240.

60. Li, S.Y. Low temperature synthesized Sn doped indium oxide nanowires / S.Y. Li, C.Y.

Lee, P. Lin, T.Y. Tseng // Nanotechnology. 2005. T. 16, № 4. C. 451-457.

61. Zheng, M.J. Ordered indium-oxide nanowire arrays and their photoluminescence properties / M.J. Zheng, L.D. Zhang, G.H. Li, X.Y. Zhang, X.F. Wang // Applied Physics Letters. 2001.

T. 79, № 6. C. 839-841.

62. Zheng, X.J. A vacuum pressure sensor based on ZnO nanobelt film / X.J. Zheng, X.C. Cao, J. Sun, B. Yuan, Q.H. Li, Z. Zhu, Y. Zhang // Nanotechnology. 2011. T. 22, № 43.

63. Kar, S. Morphology dependent field emission from In2O3 nanostructures / S. Kar, S.

Chakrabarti, S. Chaudhuri // Nanotechnology. 2006. T. 17, № 12. C. 3058-3062.

64. Al-Gaashani, R. XPS and optical studies of different morphologies of ZnO nanostructures prepared by microwave methods / R. Al-Gaashani, S. Radiman, A.R. Daud, N. Tabet, Y. AlDouri // Ceramics International. 2013. T. 39, № 3. C. 2283-2292.

65. Liang, Y.-C. Self-catalytic crystal growth, formation mechanism, and optical properties of indium tin oxide nanostructures / Y.-C. Liang, H. Zhong // Nanoscale Research Letters.

2013. T. 8.

66. Singh, N. Chemical sensing investigations on Zn-In2O3 nanowires / N. Singh, A. Ponzoni, E. Comini, P.S. Lee // Sensors and Actuators B-Chemical. 2012. T. 171. C. 244-248.

67. King, P.D.C. Conductivity in transparent oxide semiconductors / P.D.C. King, T.D. Veal // Journal of Physics-Condensed Matter. 2011. T. 23, № 33.

68. Zuev, D.A. Pulsed laser deposition of ITO thin films and their characteristics / D.A. Zuev, A.A. Lotin, O.A. Novodvorsky, F.V. Lebedev, O.D. Khramova, I.A. Petuhov, P.N. Putilin, A.N. Shatohin, M.N. Rumyanzeva, A.M. Gaskov // Semiconductors. 2012. T. 46, № 3.

C. 410-413.

69. Ma, J. Preparation and properties of transparent conducting zinc oxide and aluminiumdoped zinc oxide films prepared by evaporating method / J. Ma, F. Ji, H.L. Ma, S.Y. Li // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2000. T. 60, № 4. C. 341-348.

70. Mao, W. Correlation between defects and conductivity of Sb-doped tin oxide thin films / W. Mao, B. Xiong, Y. Liu, C. He // Applied Physics Letters. 2013. T. 103, № 3.

71. Zhu, Y. Transparent and conductive indium doped cadmium oxide thin films prepared by pulsed filtered cathodic arc deposition / Y. Zhu, R.J. Mendelsberg, J. Zhu, J. Han, A. Anders // Applied Surface Science. 2013. T. 265. C. 738-744.

72. Adurodija, F.O. Crystallization process and electro-optical properties of In2O3 and ITO thin films / F.O. Adurodija, L. Semple, R. Bruning // Journal of Materials Science. 2006.

T. 41, № 21. C. 7096-7102.

73. Cao, L. Preparation and thermal stability of F-doped ZnO transparent conducting thin films / L. Cao, L.P. Zhu, W.F. Chen, Z.Z. Ye // Optical Materials. 2013. T. 35, № 6. C. 1293Adurodija, F.O. Real-time in situ crystallization and electrical properties of pulsed laser deposited indium oxide thin films / F.O. Adurodija, L. Semple, R. Bruning // Thin Solid Films.

2005. T. 492, № 1-2. C. 153-157.

75. Dong, B.-Z. Comprehensive investigation of structural, electrical, and optical properties for ZnO : Al films deposited at different substrate temperature and oxygen ambient / B.-Z. Dong, H. Hu, G.-J. Fang, X.-Z. Zhao, D.-Y. Zheng, Y.-P. Sun // Journal of Applied Physics. 2008.

T. 103, № 7.

76. Rogozin, A. Real-time evolution of the indium tin oxide film properties and structure during annealing in vacuum / A. Rogozin, N. Shevchenko, M. Vinnichenko, F. Prokert, V.

Cantelli, A. Kolitsch, W. Moller // Applied Physics Letters. 2004. T. 85, № 2. C. 212Muraoka, Y. Photoinduced conductivity in tin dioxide thin films / Y. Muraoka, N. Takubo, Z. Hiroi // Journal of Applied Physics. 2009. T. 105, № 10.

78. Zhurbina, I.A. Optical Generation of Free Charge Carriers in Thin Films of Tin Oxide / I.A. Zhurbina, O.I. Tsetlin, V.Y. Timoshenko // Semiconductors. 2011. T. 45, № 2. C.

236-240.

79. Koida, T. Hydrogen-doped In2O3 transparent conducting oxide films prepared by solidphase crystallization method / T. Koida, M. Kondo, K. Tsutsumi, A. Sakaguchi, M. Suzuki, H.

Fujiwara // Journal of Applied Physics. 2010. T. 107, № 3.

80. Nistor, M. Metal-semiconductor transition in epitaxial ZnO thin films / M. Nistor, F.

Gherendi, N.B. Mandache, C. Hebert, J. Perriere, W. Seiler // Journal of Applied Physics.

2009. T. 106, № 10.

81. Li, Y. The change of electrical transport characterizations in Ga doped ZnO films with various thicknesses / Y. Li, Q. Huang, X. Bi // Journal of Applied Physics. 2013. T. 113, 82. Calnan, S. High mobility transparent conducting oxides for thin film solar cells / S. Calnan, A.N. Tiwari // Thin Solid Films. 2010. T. 518, № 7. C. 1839-1849.

83. Wagner, T. Photoreduction of Mesoporous In2O3: Mechanistic Model and Utility in Gas Sensing / T. Wagner, C.D. Kohl, S. Morandi, C. Malagu, N. Donato, M. Latino, G. Neri, M.

Tiemann // Chemistry-a European Journal. 2012. T. 18, № 26. C. 8216-8223.

84. Wagner, T. Mesoporous materials as gas sensors / T. Wagner, S. Haffer, C. Weinberger, D.

Klaus, M. Tiemann // Chemical Society Reviews. 2013. T. 42, № 9. C. 4036-4053.

85. Kiriakidis, G. Ultra-low gas sensing utilizing metal oxide thin films / G. Kiriakidis, K.

Moschovis, I. Kortidis, V. Binas // Vacuum. 2012. T. 86, № 5. C. 495-506.

86. Katsarakis, N. Photon sensitive high index metal oxide films / N. Katsarakis // Journal of Physics-Condensed Matter. 2004. T. 16, № 35. C. S3757-S3768.

87. Kim, Y.H. Flexible metal-oxide devices made by room-temperature photochemical activation of sol-gel films / Y.H. Kim, J.S. Heo, T.H. Kim, S. Park, M.H. Yoon, J. Kim, M.S.

Oh, G.R. Yi, Y.Y. Noh, S.K. Park // Nature. 2012. T. 489, № 7414. C. 128-U191.

88. Siegrist, T. Disorder-induced localization in crystalline phase-change materials / T.

Siegrist, P. Jost, H. Volker, M. Woda, P. Merkelbach, C. Schlockermann, M. Wuttig // Nature Materials. 2011. T. 10, № 3. C. 202-208.

89. Amorim, C.A. Measuring the mobility of single crystalline wires and its dependence on temperature and carrier density / C.A. Amorim, O.M. Berengue, H. Kamimura, E.R. Leite, A.J.

Chiquito // Journal of Physics-Condensed Matter. 2011. T. 23, № 20.

90. Lee, P.A. Disordered electronic systems / P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan // Reviews of Modern Physics. 1985. T. 57, № 2. C. 287-337.

91. Mergel, D. Dielectric modelling of optical spectra of thin In2O3 : Sn films / D. Mergel, Z.

Qiao // Journal of Physics D-Applied Physics. 2002. T. 35, № 8. C. 794-801.

92. Lozano, O. Factors limiting the doping efficiency of transparent conductors: A case study of Nb-doped In2O3 epitaxial thin-films / O. Lozano, Q.Y. Chen, P.V. Wadekar, H.W. Seo, P.V. Chinta, L.H. Chu, L.W. Tu, I. Lo, S.W. Yeh, N.J. Ho, F.C. Chuang, D.J. Jang, D.

Wijesundera, W.K. Chu // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2013. T. 113. C. 171Mendelsberg, R.J. Determining the nonparabolicity factor of the CdO conduction band using indium doping and the Drude theory / R.J. Mendelsberg, Y. Zhu, A. Anders // Journal of Physics D-Applied Physics. 2012. T. 45, № 42.

94. Liu, H. Transparent conducting oxides for electrode applications in light emitting and absorbing devices / H. Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, U. Ozgur, H. Morkoc // Superlattices and Microstructures. 2010. T. 48, № 5. C. 458-484.

95. Delahoy, A.E. New technologies for CIGS photovoltaics / A.E. Delahoy, L.F. Chen, M.

Akhtar, B.S. Sang, S.Y. Guo // Solar Energy. 2004. T. 77, № 6. C. 785-793.

96. Lu, J.G. Carrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO : Al films / J.G.

Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, Z.Z. Ye, Y.J. Zeng, Y.Z. Zhang, L.P. Zhu, H.P. He, B.H. Zhao // Journal of Applied Physics. 2007. T. 101, № 97. Aperathitis, E. Properties of rf-sputtered indium-tin-oxynitride thin films / E. Aperathitis, M. Bender, V. Cimalla, G. Ecke, M. Modreanu // Journal of Applied Physics. 2003. T. 94, № 2. C. 1258-1266.

98. Kronenberger, A. Structural, electrical, and optical properties of hydrogen-doped ZnO films / A. Kronenberger, A. Polity, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, A. Schleife, F. Bechstedt // Physical Review B. 2012. T. 86, № 11.

99. Mendelsberg, R.J. Extracting reliable electronic properties from transmission spectra of indium tin oxide thin films and nanocrystal films by careful application of the Drude theory / R.J. Mendelsberg, G. Garcia, D.J. Milliron // Journal of Applied Physics. 2012. T. 111, № 100. Wolf, S.A. Spintronics: A spin-based electronics vision for the future / S.A. Wolf, D.D.

Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. von Molnar, M.L. Roukes, A.Y.

Chtchelkanova, D.M. Treger // Science. 2001. T. 294, № 5546. C. 1488-1495.

101. Dietl, T. A ten-year perspective on dilute magnetic semiconductors and oxides / T. Dietl // Nature Materials. 2010. T. 9, № 12. C. 965-974.

102. Jamet, M. High-Curie-temperature ferromagnetism in self-organized Ge1-xMnx nanocolumns / M. Jamet, A. Barski, T. Devillers, V. Poydenot, R. Dujardin, P. BayleGuillemaud, J. Rothman, E. Bellet-Amalric, A. Marty, J. Cibert, R. Mattana, S. Tatarenko // Nature Materials. 2006. T. 5, № 8. C. 653-659.

103. Bonanni, A. A story of high-temperature ferromagnetism in semiconductors / A. Bonanni, T. Dietl // Chemical Society Reviews. 2010. T. 39, № 2. C. 528-539.

104. Ogale,S.B. Dilute Doping, Defects, and Ferromagnetism in Metal Oxide Systems / S.B.

Ogale // Advanced Materials. 2010. T. 22, № 29. C. 3125-3155.

105. Park, J.H. Co-metal clustering as the origin of ferromagnetism in Co-doped ZnO thin films / J.H. Park, M.G. Kim, H.M. Jang, S. Ryu, Y.M. Kim // Applied Physics Letters. 2004.

T. 84, № 8. C. 1338-1340.

106. An, Y. Correlation between oxygen vacancies and magnetism in Fe-doped In2O3 films / Y. An, S. Wang, D. Feng, Z. Wu, J. Liu // Applied Surface Science. 2013. T. 276. C.

535-538.

107. Jiang, F.-X. The role of Cu codoping on the Fe metal clustering and ferromagnetism in Fe-doped In2O3 films / F.-X. Jiang, Q. Feng, Z.-Y. Quan, R.-R. Ma, S.M. Heald, G.A.

Gehring, X.-H. Xu // Materials Research Bulletin. 2013. T. 48, № 9. C. 3178-3182.

108. Li, Q. Room temperature ferromagnetism in epitaxial In2O3 films with embedded nanosized Fe3O4 columns / Q. Li, L. Wei, Y. Xie, T. Zhou, G. Hu, S. Yan, J. Jiao, Y. Chen, G. Liu, L. Mei // Nanoscale. 2013. T. 5, № 7. C. 2713-2717.

109. Okada, K. Magnetoresistance and Microstructure of Magnetite Nanocrystals Dispersed in Indium-Tin Oxide Thin Films / K. Okada, S. Kohiki, M. Mitome, H. Tanaka, M. Arai, M.

Mito, H. Deguchi // Acs Applied Materials & Interfaces. 2009. T. 1, № 9. C. 1893-1898.

110. Hao, R. Synthesis, Functionalization, and Biomedical Applications of Multifunctional Magnetic Nanoparticles / R. Hao, R. Xing, Z. Xu, Y. Hou, S. Gao, S. Sun // Advanced Materials. 2010. T. 22, № 25. C. 2729-2742.

111. Sun, S.H. Recent advances in chemical synthesis, self-assembly, and applications of FePt nanoparticles / S.H. Sun // Advanced Materials. 2006. T. 18, № 4. C. 393-403.

112. Leung, K.C.-F. Gold and iron oxide hybrid nanocomposite materials / K.C.-F. Leung, S.

Xuan, X. Zhu, D. Wang, C.-P. Chak, S.-F. Lee, W.K.W. Ho // Chemical Society Reviews.

2012. T. 41, № 5. C. 1911-1928.

113. Wei, S. Multifunctional composite core-shell nanoparticles / S. Wei, Q. Wang, J. Zhu, L.

Sun, H. Lin, Z. Guo // Nanoscale. 2011. T. 3, № 11. C. 4474-4502.

114. Loukya, B.Giant coercivity in ferromagnetic Co doped ZnO single crystal thin film / B.

Loukya, D.S. Negi, K. Dileep, N. Kumar, J. Ghatak, R. Datta // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2013. T. 345. C. 159-164.

115. Granqvist, C.G. Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review / C.G. Granqvist // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2007. T. 91, № 17. C. 1529Minami, T. Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes / T.

Minami // Semiconductor Science and Technology. 2005. T. 20, № 4. C. S35-S44.

117. Wang, C.Y. Integration of In2O3 nanoparticle based ozone sensors with GaInN/GaN light emitting diodes / C.Y. Wang, V. Cimalla, T. Kups, C.C. Rohlig, T. Stauden, O. Ambacher, M.

Kunzer, T. Passow, W. Schirmacher, W. Pletschen, K. Kohler, J. Wagner // Applied Physics Letters. 2007. T. 91, № 10.

118. Korotcenkov, G. Kinetics of indium oxide-based thin film gas sensor response: The role of "redox" and adsorption/desorption processes in gas sensing effects / G. Korotcenkov, M.

Ivanov, I. Blinov, J.R. Stetter // Thin Solid Films. 2007. T. 515, № 7-8. C. 3987-3996.

119. Korotcenkov, G. The nature of processes controlling the kinetics of indium oxide-based thin film gas sensor response / G. Korotcenkov, V. Brinzari, J.R. Stetter, I. Blinov, V. Blaja // Sensors and Actuators B-Chemical. 2007. T. 128, № 1. C. 51-63.

120. Fortunato, E. Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances / E. Fortunato, P. Barquinha, R. Martins // Advanced Materials. 2012. T. 24, № 22. C. 2945-2986.

121. Miagkov, V.G. Autowave oxidation of Dy-Co films / V.G. Miagkov, L.I. Kveglis, G.I.

Frolov, V.S. Zhigalov // Journal of Materials Science Letters. 1994. T. 13, № 17. C.

1284-1286.

122. Рогачев, А.С. Волны экзотермических реакций в многослойных нанопленках / А.С.

Рогачев // Успехи химии. 2008. T. 77, № 1. C. 22-38.

123. Тамбасов, И.А. Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением / И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков, А.А. Иваненко, И.В. Немцев, Л.Е. Быкова, Г.Н. Бондаренко, Ю.Л. Михлин, И.А. Максимов, В.В.

Иванов, С.В. Балашов, Д.С. Карпенко // Физика и техника полупроводников. 2013. T.

47, № 4. C. 546-550.

124. Ulutas, K. Structural properties of In-In2O3 composite films / K. Ulutas, D. Deger, N.

Kalkan, S. Yildirim, Y.G. Celebi, Y. Iskarlatos, M.L. Ovecoglu, A. Genc // 11th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials (EURODIM). T. 15: IOP Conference SeriesMaterials Science and Engineering Res Inst Solid State Phys & Optics, Pecs, HUNGARY, 2010.

125. Kwon, C. A microstructural study of indium-indium oxide composite films / C. Kwon, J.

Kim, H.J. Lee, H.C. Jung, C.G. Park // Journal of Applied Physics. 1991. T. 69, № 9. C.

6716-6718.

126. Тамбасов, И. Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O пленок, полученных автоволновым окислением / И. Тамбасов, И. Немцев, Д.

Савранский, А. Мацынин, Е. Ежикова // Вестник СибГАУ. 2013. T. 49, № 3. C. 103Sheel, D.W. Deposition of fluorine doped indium oxide by atmospheric pressure chemical vapour deposition / D.W. Sheel, J.M. Gaskell // Thin Solid Films. 2011. T. 520, № 4. C.

1242-1245.

128. Hamberg, I. Evaporated Sn-doped In2O3 films - basic optical-properties and applications to energy-efficient windows / I. Hamberg, C.G. Granqvist // Journal of Applied Physics.

1986. T. 60, № 11. C. R123-R159.

129. van Hest, M. High-mobility molybdenum doped indium oxide / M. van Hest, M.S.

Dabney, J.D. Perkins, D.S. Ginley // Thin Solid Films. 2006. T. 496, № 1. C. 70-74.

130. Мержанов, А.Г. Процессы горения и взрыва в физикохимии и технологии неорганических материалов / А.Г. Мержанов // Успехи химии. 2003. T. 72, № 4. C.

323-345.

131. Тамбасов, И.А. Эффект фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И.А.

Тамбасов, В.Г. Мягков, А.А. Иваненко, Л.Е. Быкова, Е.В. Ежикова, И.А. Максимов, В.В.

Иванов // Физика и техника полупроводников. 2014. T. 48, № 2. C. 220-224.

132. Журбина, И.А. Оптическая генерация свободных носителей заряда в тонких пленках оксида олова / И.А. Журбина, О.И. Цетлин, В.Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. 2011. T. 45, № 2. C. 4.

133. Wagner, T. Photocatalytic ozone sensor based on mesoporous indium oxide: Influence of the relative humidity on the sensing performance / T. Wagner, J. Hennemann, C.D. Kohl, M.

Tiemann // Thin Solid Films. 2011. T. 520, № 3. C. 918-921.

134. Lany, S. Surface Origin of High Conductivities in Undoped In2O3 Thin Films / S. Lany, A. Zakutayev, T.O. Mason, J.F. Wager, K.R. Poeppelmeier, J.D. Perkins, J.J. Berry, D.S.

Ginley, A. Zunger // Physical Review Letters. 2012. T. 108, № 1.

135. Tambasov, I.A. Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation / I.A. Tambasov, V.G. Maygkov, A.S. Tarasov, A.A.

Ivanenko, L.E. Bykova, I.V. Nemtsev, E.V. Eremin, E.V. Yozhikova // Semiconductor science and technology. 2014. T. 29,№ 8. С.082001.

136. Guo, E.-J. Structure and characteristics of ultrathin indium tin oxide films / E.-J. Guo, H.

Guo, H. Lu, K. Jin, M. He, G. Yang // Applied Physics Letters. 2011. T. 98, № 1.

137. Chiquito, A.J. Electron-electron scattering in Sn doped In2O3 nanowires / A.J. Chiquito, A.J.C. Lanfredi, E.R. Leite // Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2008.

T. 40, № 3. C. 449-451.

138. Liu, X.D. Electrical transport properties in indium tin oxide films prepared by electronbeam evaporation / X.D. Liu, E.Y. Jiang, D.X. Zhang // Journal of Applied Physics. 2008.

T. 104, № 7.

139. Lozano, O. Factors limiting the doping efficiency of transparent conductors: A case study of Nb-doped In2O3 epitaxial thin-films / O. Lozano, Q.Y. Chen, P.V. Wadekar, H.W. Seo, P.V. Chinta, L.H. Chu, L.W. Tu, I. Lo, S.W. Yeh, N.J. Ho, F.C. Chuang, D.J. Jang, D.

Wijesundera, W.-K. Chu // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2013. T. 113. C. 171Saha, D. Effect of disorder on carrier transport in ZnO thin films grown by atomic layer deposition at different temperatures / D. Saha, A.K. Das, R.S. Ajimsha, P. Misra, L.M.

Kukreja // Journal of Applied Physics. 2013. T. 114, № 4.

141. Singh, A. Hydrogen incorporation induced metal-semiconductor transition in ZnO:H thin films sputtered at room temperature / A. Singh, S. Chaudhary, D.K. Pandya // Applied Physics Letters. 2013. T. 102, № 17.

142. Bhosle, V. Metallic conductivity and metal-semiconductor transition in Ga-doped ZnO / V. Bhosle, A. Tiwari, J. Narayan // Applied Physics Letters. 2006. T. 88, № 3.

143. Naidu, R.V.M. Electron-electron interactions based metal-insulator transition in Ga doped ZnO thin films / R.V.M. Naidu, A. Subrahmanyam, A. Verger, M.K. Jain, S.V.N.B. Rao, S.N.

Jha, D.M. Phase // Electronic Materials Letters. 2012. T. 8, № 4. C. 457-462.

144. Bamiduro, O. Metal-like conductivity in transparent Al : ZnO films / O. Bamiduro, H.

Mustafa, R. Mundle, R.B. Konda, A.K. Pradhan // Applied Physics Letters. 2007. T. 90, № 25.

145. Pradhan, A.K. Pulsed-laser deposited Er : ZnO films for 1.54 mu m emission / A.K.

Pradhan, L. Douglas, H. Mustafa, R. Mundle, D. Hunter, C.E. Bonner // Applied Physics Letters. 2007. T. 90, № 7.

146. Zhang, K.H.L, Surface Structure and Electronic Properties of In2O3(111) Single-Crystal Thin Films Grown on Y-Stabilized ZrO2(111) / K.H.L. Zhang, D.J. Payne, R.G. Palgrave, V.K. Lazarov, W. Chen, A.T.S. Wee, C.F. McConville, P.D.C. King, T.D. Veal, G.

Panaccione, P. Lacovig, R.G. Egdell // Chemistry of Materials. 2009. T. 21, № 19. C.

4353-4355.

147. Myagkov, V.G. Solid State Synthesis and Characterization of ferromagnetic nanocomposite Fe-In2O3 thin films / V.G. Myagkov, I.A. Tambasov, O.A. Bayukov, V.S.

Zhigalov, L.E. Bykova, Y.L. Mikhlin, M.N. Volochaev, G.N. Bondarenko // Journal of Alloys and Compounds 2014. T. 612. C. 189-194.

148. Bykova, L.E. Magnetic and structural properties of nanocomposite ZnO- Fe3O4 films prepared by solid-state synthesis / L.E. Bykova, V.G. Myagkov, I.A. Tambasov, O.A.

Bayukov, V.S. Zhigalov, Y.L. Mikhlin, I.V. Nemtsev, G.N. Bondarenko // Solid state phenomena. 2014. T. 215. C. 158-162.