ОАО «НПО «Орион»

XXIII Международная

научно-техническая конференция

и школа

по фотоэлектронике

и приборам ночного видения

28-30 мая 2014

Москва, Россия

ПРОГРАММА

XXIII Международная научно-техническая конференция и школа

по фотоэлектронике и приборам ночного видения организована:

Государственным научным центром Российской Федерации

Открытым акционерным обществом «НПО «Орион»

и проводится при поддержке:

Министерства промышленности и торговли РФ;

Министерства образования и наук

и РФ;

Государственной корпорации «Ростехнологии»;

ОАО «Швабе»;

Российской академии наук;

Российского фонда фундаментальных исследований;

Правительства г. Москвы;

Оптического общества им. Д.С. Рождественского Тематика конференции:

полупроводниковые и тепловые приёмники излучения, формирователи сигналов изображения;

методы обработки сигнала;

техника тепловидения и ночного видения;

новые направления и последние достижения в фотоэлектронике;

микроэлектроника для фотоприёмных устройств, в том числе криогенная;

новые технологии и материалы в фотоэлектронике;

метрология приема оптического излучения;

микрокриогенная техника;

фотоприемники УФ диапазона;

многоспектральные приемники излучения;

программное обеспечение для фотоэлектроники и оптики.

XXIII Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014 г. Москва, Россия

ПРОГРАММА

Государственный научный центр Российской Федерации Открытое акционерное общество «НПО «Орион»

Москва, Международный программный комитет 23 Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения Председатель – Филачев А.М., ОАО «НПО «Орион», Россия Заместители председателя:

Бурлаков И.Д., ОАО «НПО «Орион», Россия Дирочка А.И., ОАО «НПО «Орион», Россия

Ученый секретарь – Яковлева Н.И., ОАО «НПО «Орион», Россия Члены комитета:

Асеев А.Л. – СО РАН Белоусов Ю.И. – ОАО «Корпорация «Комета», Россия Бугаев А.С. – МФТИ, Россия Быков В.А. – ФГУП «НИИ ФП», Россия Гуляев Ю.В. – ИРЭ РАН Иванов В.П. – ОАО «НПО «ГИПО», Россия Карпов В.В. – ОАО «Швабе-Фотосистемы», Россия Крохин О.Н. – ФИ РАН Крутиков В.Н. – ФГУП «ВНИИОФИ», Россия Кудрявцев Н.Н. – МФТИ, Россия Lanfrey David Billon – Sofradir, Франция Латышев А.В. – ИФП СО РАН им. А.В. Ржанова Мармалюк А.А. – ОАО «НИИ «Полюс», Россия Пожела Ю.К. – ИФП, Литва Пономаренко В.П. – ОАО «НПО «Орион», Россия Попов С.В. – ОАО «Швабе», Россия Пустовойт В.И. – НТЦ уникального приборостроения РАН Рыжий В.И. – Tohoku University, Япония Rogalski Antoni – WAT, Польша Соломенин Е.А. – ЦНИИ МО РФ Салаев Э.Ю. – Институт физики, Азербайджан Сигов А.С. – МИРЭА, Россия Сизов Ф.Ф. – ИФП НАНУ, Украина Солдатенков В.А. – ОАО «НПО «Геофизика-НВ», Россия Средин В.Г. – Академия РВСН им. Петра Великого Степанов P.M. – ЦНИИ «Электрон», Россия Тарасов А.П. – ОАО «Красногорский завод» им. С.А. Зверева Тарасов В.В. – ОАО «ЦНИИ «Циклон», Россия Яковлев Ю.П. – ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе Якушенков Ю.Г. – МИИГАиК, Россия Председатель – Филачев А.М., ОАО «НПО «Орион»

Заместители председателя:

Корнеева М.Д., ОАО «НПО «Орион»

Гринченко Л.Я., ОАО «НПО «Орион»

Ответственный секретарь – Романишина М.И., ОАО «НПО «Орион»

Члены комитета:

Ахменеев А.Д. – ГК «Ростехнологии»

Волков К.А. – ОАО «НПО «Орион»

Криволапова М.А. – Правительство г. Москвы Куликов А.В. – Минпромторг РФ Проскурин В.М. – ОАО «НПО «Орион»

Ракович Н.С. – ОАО «Швабе»

Токарев А.М. – ОАО «НПО «Орион»

Время и место проведения Конференция проводится 28-30 мая 2014 г. в ОАО «НПО «Орион» по адресу:

г. Москва, ул. Косинская, д. 9, корпус 2Г (вблизи станции метро «Выхино»).

Регистрация Начало регистрации участников, выдача материалов конференции и отметка командировочных удостоверений 28 мая 2014 г. с 8.30.

Открытие конференции 28 мая 2014 г. в 10. Организационный взнос Регистрационный взнос, включающий участие в научной программе, издание Трудов конференции, будет составлять: для зарубежных участников – 150 EUR, для участников из России и стран СНГ – 2500 руб., для докладчиков – 1200 руб., для студентов и аспирантов – 800 руб. Взнос может быть оплачен при регистрации.

Стендовые доклады вывешиваются с 12.30 до 19.00 в фойе 2-го этажа Участникам школы по фотоэлектронике рекомендуется посещение всех пленарных докладов, устных и стендовых докладов по направлениям.

Труды конференции публикуются в авторской редакции.

Желающие опубликовать свои доклады в журнале «Успехи прикладной физики»

и «Прикладная физика» могут передать материалы для публикации в программный комитет во время проведения конференции или прислать их в срок до 1 августа 2014 г. в ОАО «НПО «Орион».

Материалы для публикации должны быть оформлены в соответствии с правилами журнала «Успехи прикладной физики» (см. стр. 40) и «Прикладная физика» (см. стр. 44).

Метро «Выхино», первый вагон от центра, выход на ул. Косинская.

(или ж/д станция «Выхино», выход к улицам Красный Казанец, Вешняковская, Косинская) Идти вдоль ул. Косинская мимо перехватывающей автостоянки до развилки ул. Косинская с трассой «Вешняки-Люберцы».

Перейти трассу «Вешняки-Люберцы» и идти вдоль забора в сторону эстакады мимо здания Мосводоканала. Напротив здания ОАО «НПО «Орион»

металлическая калитка.

Заезд на автостоянку ОАО «НПО «Орион» возможен с ул. Косинская или с трассы «Вешняки-Люберцы».

При заезде с ул. Косинская – свернуть ул. Косинская на трассу «ВешнякиЛюберцы», проехать мимо поста ДПС до знака разворота, развернуться, перестроиться в правый ряд, через несколько метров свернуть направо на подъездную дорогу к автостоянке ОАО «НПО «Орион».

При заезде с трассы «Вешняки-Люберцы»: после проезда под МКАД перестроиться в правый ряд, примерно через 400 метров свернуть направо на подъездную дорогу к автостоянке ОАО «НПО «Орион».

111538, Москва, ул. Косинская, дом Тел.: +7 (499)-374-81-51, +7 (499)-374-81- Факс:+7 (499)-373-68- 10.00 Открытие конференции Вступительное слово председателя конференции А.М. Филачева и перспективы развития фотоэлектроники (I) (Конференц-зал) П01 Л.Н. Курбатов и фотоэлектроника Дирочка А.И.1,2, Филачев А.М. 10. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия П02 Современные тенденции создания приборов регистрации 10.40 оптического излучения Бурлаков И.Д.1,3, Филачев А.М.1, Пономаренко В.П.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия П03 Унифицированный ряд современных ФПУ разработки и 11.10 производства ОАО «ЦНИИ «Электрон» для видимого, ультрафиолетового и ближнего инфракрасного диапазонов длин Алымов О.В., Васильев И.С., Минкин В.А., Татаурщиков С.С.

ОАО “ЦНИИ “Электрон”, Санкт-Петербург, Россия П04 Матричные фотоприёмные устройства формата 640512 на основе 11.40 гетероструктур CdHgTe, выращенных методом МЛЭ Брунев Д.В., Васильев В.В., Варавин В.С., Вишняков А.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Латышев А.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Заседание 2. Современное состояние и перспективы развития фотоэлектроники (II) (Конференц-зал) П05 Перспективные направления развития приборов и технологий 12.30 оптического, инфракрасного и миллиметрового диапазона в Федоринин В.Н., Паулиш А.Г., Кремис И.И., Журов Г.Е., Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия П06 Flip-chip assembly for FPA 13.00 Jean-Stphane Mottet SET (entire name: SET Corporation S.A.), France П07 Прогнозы развития тепловизионной техники и твердотельной 13.30 фотоэлектроники: как быстро они сбываются Тарасов В.В., Якушенков Ю.Г.

МИИГАиК, Москва, Россия Заседание 3. Матричные ФПУ (Конференц-зал) П08 Высококачественные матрицы фотодиодов на основе КРТ 15.30 форматов 640512 и 320256 на длины волн 3-5 и 8-12 мкм Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Марчишин И.В., Предеин А.В., Дворецкий С.А., Васильев В.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия П09 Линейчатый фотоприемник формата 2884 с длинноволновой 15.55 границей спектральной чувствительности более 12,0 мкм Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С., Вишняков А.В., Дворецкий С.А., Предеин А.В., Сабинина И.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 16.20 антимонида индия формата 640512 с шагом 15 мкм Болтарь К.О.1,2, Власов П.В.1, Киселева Л.В.1, Лопухин А.А.1, Мансветов Н.Г.1, Полунеев В.В.1, Рудневский В.С.1, Савостин А.В. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия У02 Оптимизация топологии ИК-фотоприемников с временной 16.40 задержкой-накоплением применительно к задаче теплопеленгации: строгий подход ОАО «ПО «УОМЗ», филиал «Урал-Геофизика», Москва, Россия У03 Матричный фотоприемый модуль на основе многослойных 17.00 гетероструктур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами Есаев Д.Г., Савченко А.П., Фатеев В.А., Марчишин И.В., Торопов А.И., Калагин А.К., Валишева Н.А., Вицина Н.Р.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У04 Исследование квантовой эффективности и темнового тока 17.20 фотоприемных устройств на основе InSb Патрашин А.И.1, Бурлаков И.Д.1,2, Власов П.В.1, Лопухин А.А.1, Никонов А.В.1, Яковлева Н.И. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия У05 ФПУ на монолитно выполненных матрицах диапазона (3-5) мкм 17.40 Карпов В.В., Лыткин А.П., Петренко В.И., Семенов В.И., Чиж К.В.

ОАО «Швабе - Фотосистемы», Москва, Россия 18.00 Прием для участников Конференции Заседание 4 МФПУ, технология МФПУ (Конференц-зал) У06 Исследование дефектности фотодиодов крупноформатных 9.30 матричных фотоприемников на основе антимонида индия Болтарь К.О.1,2, Власов П.В.1, Ерошенков В.В.1, Лопухин А.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия У07 Влияние толщины фоточувствительных слоев на свойства МФПУ 9.50 на основе антимонида индия ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных У 10.05 гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов Талипов Н.Х.1, Войцеховский А.В.2, Григорьев Д.В. РВСН им. Петра Великого, Москва, Россия Томский государственный университет, Томск, Россия У09 Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного 10.25 модуля формата 320256 на основе InGaAs Балиев Д.Л.1,2, Лазарев П.С.1,2, Болтарь К.О.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 10.40 фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe с применением метода сканирования светового пятна при малых уровнях фототока Вишняков А.В., Стучинский В.А., Брунев Д.В., Зверев А.В., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У11 Ионно-лучевое травление для формирования меза-структур 11.00 МФПУ Болтарь К.О.1,2, Седнев М.В.1, Шаронов Ю.П.1, Лопухин А.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия У12 Температурные зависимости обратных токов p-n и n-p переходов 11.20 CdHgTe среднего спектрального ИК-диапазона Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Царенко А.В., Панова З.В., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У13 Исследование гетероэпитаксиальных структур методом 11.40 спектроскопической эллипсометрии Скребнева П.С.1,2, Бурлаков И.Д.1,2, Кулаков А.Н. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия Заседание 5. Новые приборы и явления (Конференц-зал) У14 Кремниевый координатный фотодиод с улучшенными 12.15 параметрами Демидов С.С.1, Климанов Е.А.1,2, Нури М.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия У15 Принципы аналитической системы физического проектирования 12.35 лавинных гетерофотодиодов с разделенными областями поглощения и умножения Бурлаков И.Д.1,4, Никитин М.С.2, Холоднов В.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия ОАО «Швабе – Фотоприбор», Москва, Россия Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, МГТУ МИРЭА, Москва, Россия У16 Характер зависимости пороговой энергии ударной ионизации в 12.55 лавинных фотодиодах от взаимного импульсного расположения зоны проводимости и валентной зоны Бурлаков И.Д.1,3, Другова А.А.2, Холоднов В.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, МГТУ МИРЭА, Москва, Россия У17 О взаимосвязи плазменного резонанса, экзоэлектронной полупроводниках Роках А.Г., Шишкин М.И., Вениг С.Б., Матасов М.Д., Аткин В.А.

Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, У18 Средний инфракрасный спектр пленок CdS-PbS: возможность 13.35 плазменного резонанса Роках А.Г., Шишкин М.И., Скапцов А.А.

Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Заседание 6. Системы термостатирования (I). (Конференц-зал).

15.20 микрокриогенных систем для охлаждаемых ФПУ ООО «НТК «Криогенная техника», Омск, Россия У19 Исследование возможности охлаждения фотоприёмных устройств 15.50 с помощью нескольких газовых криогенных машин малой холодопроизводительности Карпов В.В., Козырев М.Е., Кузнецов Н.С.

ОАО «Швабе - Фотосистемы», Москва, Россия У20 Проблемы и перспективы применения термоакустических 16.10 преобразователей в бортовых системах охлаждения Довгялло А.И., Некрасова С.О.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, У21 Вакуумные криостатированные корпуса для охлаждаемых 16.30 инфракрасных приемников излучения Брунёв Д.В.1, Добровольский П.П.2, Крапивко Е.А.2, Рафайлович А.В.2, Хатункин В.В.1, Анциферов А.П.1, Бударных В.И.1, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия У22 Оценка эффективности использования баллона с криогенной 16.50 заправкой для бортовой дроссельной системы охлаждения Довгялло А.И., Сармин Д.В., Угланов Д.А.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, У23 Результаты испытаний и выбор оптимального состава экранновакуумной теплоизоляции для бортовой системы охлаждения Зиновьев В.И., Красночуб Е.К., Довгялло А.И.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, У24 Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов 17.30 n-InSe Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М.1, Бабаева Р.Ф.2, Рзаев Р.М. Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Азербайджанская государственная нефтяная академия, Баку, Азербайджанский Государственный Экономический Университет, Заседание 7. Системы термостатирования (II). (Конференц-зал).

У25 Испытания бортового твердотельного аккумулятора холода для 18.05 системы криостатирования ИК аппаратуры Зиновьев В.И., Красночуб Е.К., Довгялло А.И.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, У26 Исследование смещения матрицы чувствительных элементов 18.25 криогенно-охлаждаемых фотоприемных устройств при криостатировании Полесский А.В.1,3, Самвелов А.В.1, Смирнова Е.А.1,2, Хамидуллин К.А.1, Цыганкова Г.М. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия 18.45 Bi0,7Sb1,3Te2,93Se0, Бархалов Б.Ш., Алиев Р.Ю., Багиева Г.З.

Институт физики НАН, Баку, Азербайджан (13.35 – 15.20; 19.00 – 20.00). Фойе Конференц-зала (2 этаж) Заседание 8. Оптико-электронные приборы (Зал НТС) У28 Тепловизионная камера на базе КРТ фотоприемника формата 9.30 320256 элементов для спектрального диапазона 8-12 мкм Брунёв Д.В.1, Васильев В.В.1, Вишняков А.В.1, Вяткин С.Н.2, Гульцов С.В., Дворецкий С.А., Зверев А.В., Марчишин И.В.1, Предеин А.В.1, Сабинина И.В.1, Сидоров Г.Ю.1, Сидоров Ю.Г.1, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия ЗАО «ЭЛСИ», Великий Новгород, Россия У29 Неохлаждаемый тепловизионный прибор наблюдения 9.50 Голицын А.А., Голицын А.В., Журов Г.Е., Цивинский М.Ю., Чибурун С.Д., Яшина Т.В.

Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия У30 Экспериментальное исследование влияния характеристик оправ 10.10 на внешний и внутренний паразитные потоки в диапазоне Научно-исследовательская группа «Конструктивная Кибернетика», У31 Определение температурного изменения показателя преломления 10.30 отечественных марок стекол в современных САПР по расчёту оптических систем ОАО «Лыткаринский завод оптического стекла», Лыткарино, Россия У32 Приложение для настройки режимов работы и для управления 10.50 теле- или тепловизионным прибором наблюдения Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия У33 Метод электронной юстировки высокочувствительного бортового 11.10 матричного ИК-теплопеленгатора Забенькин О.Н., Касаткин А.В., Титов А.Г.

ОАО «ПО «УОМЗ», филиал «Урал-Геофизика», Москва, Россия 11.30 фотоприемных устройств среднего инфракрасного диапазона Болтарь К.О.1,2, Власов П.В.1, Лопухин А.А.1, Мансветов Н.Г. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия Заседание 9. Технология оптико-электронных приборов (Зал НТС) МОС-гидридная эпитаксия узкозонных полупроводников А3В П 12.15 для фотоэлектронных применений Мармалюк А.А., Панин А.А., Сабитов Д.Р., Ладугин М.А., ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия У35 Фоточувствительные МДП-структуры со сверхтонким 12.45 диэлектриком на КРТ Кеслер В.Г., Гузев А.А., Дворецкий С.А., Закиров Е.Р., Ковчавцев А.П., Панова З.В., Якушев М.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У36 Оптический мониторинг температуры в процессе подготовки и 13.05 роста КРТ структур Волков П.В.1, Горюнов А.В.1, Лукьянов А.Ю.1, Тертышник А.Д.1, Икусов Д.Г.2, Михайлов Н.Н.2, Ремесник В.Г.2, Ужаков И.Н. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У37 Исследование влияния термообработки на электрофизические 13.25 характеристики эпитаксиальных слоев гетероструктур теллурида-кадмия ртути Головин С.В.1, Кашуба А.С.1, Болтарь К.О.1,2, Пермикина Е.В.1, Атрашков А.C.1, Ратников П.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия У38 Влияние защитного покрытия CdTe на электрофизические 13.45 параметры эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Ремесник В.Г., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Заседание 10. Технология приборов и фоточувствительных материалов У39 Ростовые дефекты КРТ МЛЭ, приводящие к образованию 15.30 округлых скоплений дефектных пикселей в матричных фотоприемниках Сидоров Г.Ю., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У40 Взаимодействие дефектов в легированном As МЛЭ CdHgTe Ижнин И.И.1,2, Дворецкий С.А.3, Мынбаев К.Д.4, Фицыч Е.И.5, 15. Михайлов Н.Н.3, Варавин В.С.3, Войцеховский А.В. Научно-производственное предприятие “Карат”, Львов, Украина Томский государственный университет, Томск, Россия Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Санкт-Петербург, Россия Академия сухопутных войск им. П. Сагайдачного, Львов, Украина У41 Дислокации в гетероэпитаксиальных структурах КРТ на 16.10 подложках ориентации (310) и возможности снижения плотности дислокаций в рабочей области фотодиодов Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Труханов Е.М., Сабинина И.В., Лошкарев И.Д., Якушев М.В., Ремесник В.Г.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У42 Пленки PbSnTe:In для сверхдальнего ИК (свыше 30 мкм) и ТГц 16.30 диапазонов Акимов А.Н., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Пащин Н.С., Шерстякова В.Н., Шумский В.Н., Эпов В.С.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У43 Плазмохимическое травление слоев AlxGa1-xN в смеси газов 16.50 BCl3/Ar/N Протасов Д.Ю., Вицина Н.Р., Валишева Н.А., Гаврилова Т.А., Дульцев Ф.Н., Малин Т.В., Журавлев К.С.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У44 Влияние термического отжига на состав и оптические свойства 17.10 тонкопленочных твердых растворов системы CdS-PbS Форостяная Н.А., Маскаева Л.Н., Марков В.Ф.

УрФУ им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, У45 Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых 17.30 пленок In2S3 для солнечных преобразователей Туленин С.С., Марков В.Ф.

УрФУ им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, У46 Влияние параметров границы раздела полупроводник – 17.50 диэлектрик на ток охранного кольца кремниевых фотодиодов Демидов С.С., Климанов Е.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия У47 Temperature Dependent Hall Effect Studies on the InxGa1-xAs/InP 18.10 MSM Infrared Photodetectors Tark Asar, Mehmet Kasap, Tofig Memmedli and Sleyman zelik Department of Physics, Faculty of Science, Gazi University, Ankara, Photonics Application and Research Center, Gazi University, Ankara, (13.35 – 15.20; 18.30 – 20.00). Фойе Конференц-зала (2 этаж) Заседание 11. Проблемы обработки сигнала (Конференц-зал) У48 Устройства считывания многоэлементных ИК ФПУ третьего 9.30 поколения Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия У49 Нейронная схема формирования изображения для ФПУ с 9.50 микросканированием Жегалов С.И.1, Соляков В.Н.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия У50 Компьютерная модель процесса регистрация точечных 10.10 источников излучения многорядными ФПУ с режимом ВЗН Соляков В.Н.1,2, Козлов К.В.1,2, Кузнецов П.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия У51 Использование технологий CUDA и OpenCL для отработки 10.30 сложных алгоритмов обработки изображения в комплексных оптико-электронных системах Журов Г.Е., Цивинский М.Ю.

Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия У52 Результаты лабораторных экспериментов по обработке 10.50 изображений, содержащих фрагменты с периодически изменяющейся яркостью Первинкин И.А., Прилепский Б.В.

ОАО «Швабе-Исследования», Москва, Россия У53 Столбцевой АЦП последовательного приближения для КМОП 11.10 матричных фотоприемников Шнякин А.А.1, Бородин Д.В.2, Балбеков А.O.1, Горбоконенко П.А.1, Зинис К.А.1, Осипов Ю.В.2, Певцов Е.Ф.1, Скрылев А.С. МГТУ МИРЭА, Москва, Россия ОАО «НПП «Пульсар», Москва, Россия У54 Схемотехника скоростного матричного фотоприёмника 11.30 1386НК01Н4 формата 256256 с кадровой частотой 10 кГц ОАО «Ангстрем», Зеленоград, Россия У55 Схемно-конструктивные особенности сверхдлинных 11.50 интегральных многорядных фотоприёмных линеек 5532ХИ1Н4, 5532ХИ2Н4 форматов 3072128 и 6144128 с ВЗН ОАО «Ангстрем», Зеленоград, Россия Заседание 12. Проблемы метрологии (Конференц-зал) У56 Метрологическое обеспечение оптико-электронных приборов, 12.25 работающих по некогерентному оптическому излучению Шкуркин А.П., Плотников А.В., Шарганов К.А.

«ГНМЦ» Минобороны России, Мытищи Московской области, Россия У57 Особенности определения точностных характеристик 12.45 лабораторных дифференциальных инфракрасных коллиматорных стендов, предназначенных для испытаний тепловизионных наблюдательных приборов Шарганов К.А., Шкуркин А.П.

«ГНМЦ» Минобороны России, Мытищи Московской области, Россия У58 Исследование фотоэлектрической связи ультрафиолетового 13.05 МФПУ Кононов М.Е.1,2, Семенченко Н.А.1,3, Селиванов А.С.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, Россия У59 Автоматизированная установка измерения отношения сигналшум ЭОП на основе методов цифровой обработки изображения Чистов О.В., Широков Д.А., Макеев Л.П.

ОАО НПО «Геофизика-НВ», Москва, Россия У60 Полупрозрачный p-GaN(Cs,O) - фотокатод: происхождение 13.35 избыточного темнового тока и поперечное распределение эмитированных фотоэлектронов Горшков Д.В.1, Рожков С.А.1, Шайблер Г.Э.1, Терехов А.С.1, Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мазалов А.В., Падалица А.А.2, Долгих А.В.3, Чикинев А.В.3, Гамзинов С.В.3, Гольдберг И.И. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия ФГУП «НИИ Полюс» им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия ОАО «Катод», Новосибирск, Россия Заседание 13. Фотоприемники и фотоприемные устройства (Зал НТС) У61 Фотоприемные модули с режимом ВЗН для мониторинга земной 9.30 поверхности в ИК-диапазоне Кузнецов П.А., Мощев И.С.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия У62 Преимущества использования твердотельных фотоприемных 10.00 устройств на область спектра 1,4-1,7 мкм в приборах ночного Гусарова Н.И.1, Кощавцев Н.Ф.2, Попов С.В. ОАО «Швабе», Екатеринбург, Россия Институт машиноведения им. Благонравова РАН, Москва, Россия У63 Высокочувствительный солнечно-слепой гибридный 10.20 телевизионный прибор Айнбунд М.Р., Алымов О.В., Андреева Е.Б., Васильев И.С., Левина Е.Е., Пашук А.В., Плахов С.А., Свищёв И.А., Чернова О.В.

ОАО ЦНИИ «Электрон», Санкт-Петербург, Россия У64 Широкоформатный телевизионный фотоэлектронный прибор 10.40 систем ночного видения Плахов С.А., Гарбуз А.В., Никулин С.И., Максимова Г.А., Тесля О.А.

ОАО «ЦНИИ «Электрон», Санкт-Петербург, Россия У65 Одноэлементные и многоэлементные детекторы УФ излучения 11.00 на основе широкозонных (алмаз и карбид кремния) материалов Шепелев В.А.1, Алтухов А.А.1, Буробин В.А.2, Талипов Н.Х.3, ООО «ПТЦ УралАлмазИнвест», Москва, Россия ОАО «ЦНИТИ «Техномаш», Москва, Россия РВСН им. Петра Великого, Москва, Россия У66 Спектральные характеристики фотоприемников на основе InAs в 11.20 температурном интервале 80-300 К Комков О.С.1, Фирсов Д.Д.1, Ковалишина Е.А.2, Петров А.С. «ЛЭТИ» им. В.И. Ленина (Государственный университет), Санкт-Петербург, Россия ОАО «ЦНИИ «Электрон», Санкт-Петербург, Россия Заседание 14. Фотоприемные устройства и излучатели (Зал НТС).

П12 Электролюминесцентные свойства дисковых лазеров со 12.00 сдвоенными резонаторами на основе квантово-размерной наногетероструктуры GaInAsSb/AlGaAsSb ( ~ 2,2 - 2,4 m) Яковлев Ю.П.1, Именков А.Н.1, Гребенщикова Е.А.1, Леонидов А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Серебренникова О.Ю.1, R. Teisssier2, Баранов А.Н.2, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institut d'Electronique du Sud (IES), Universit Montpellier, France У67 Приемники ИК-излучения на основе моноселенида галлия Абдинов А.Ш., Амирова С.И., Бабаева Р.Ф.1, Рагимова Н.А.

12. Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Азербайджанский государственный экономический университет, У68 Длинноволновая фотолюминесценция из HgCdTe наноструктур Морозов С.В.1,2, Гавриленко В.И.1,2, Румянцев В.В.1,2, Антонов А.В.1,2, 12. Дубинов А.А.1,2, Кудрявцев К.Е.1,2, Михайлов Н.Н.3, Дворецкий С.А. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Россия Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, У69 Фотоэлектрические свойства InAs/InAsSbP/InAs/InAsSbP гетерофотодиодов с диаметрами активной области 0,1-2,0 мм для спектрального диапазона 1,5-4,0 мкм Андреев И.А., Серебренникова О.Ю., Ильинская Н.Д., Шерстнев В.В., Коновалов Г.Г., Kуницына Е.В., Яковлев Ю.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия У70 Фотодиоды на основе одиночных гетероструктур с активными 13.30 областями из InAs и InAsSb Брунков П.Н.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Латникова Н.М.2, Лавров А.А.1, Матвеев Б.А.1, Петров А.С.3, Ременный М.А.1, Севостьянов Е.Н., Стусь Н.М., Усикова А.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия «ЛЭТИ» им. В.И. Ленина (Государственный университет), СанктПетербург, Россия ОАО «ЦНИИ Электрон», Санкт-Петербург, Россия У71 Полупроводниковый инжекционный многомодовый лазер 13.50 ЛПИ-1000, перспективный для применения в системах активной импульсной подсветки ТВ камер и ПНВ Буничев А.П., Мамонычев Е.А., Микаелян Г.Т., Соколов С.Н.

ОАО «НПП «Инжект», Саратов, Россия У72 Structural and Electrical Properties of GaAsP LED on GaP Substrate 14. Gazi University, Faculty of Science, Department of Physics, Ankara, Gazi University Photonics Application and Research Center, Ankara, У73 Electrical and Optical Properties of Single Crystal Ge(111) Grown by 14.30 Czochralski Technique Department of Physics, Faculty of Science, Gazi University, Ankara, 14.50. Закрытие конференции (Конференц-зал) 1 Корреляция случайных полей концентрации и тока подвижных носителей заряда в гомогенном полупроводнике Селяков А.Ю.

ОАО «НПО «Орион» Москва, Россия 2 Корреляционная теория случайных полей концентрации и тока подвижных носителей заряда в ИК фотодиодах Селяков А.Ю.

ОАО «НПО «Орион» Москва, Россия Шум типа 1/F в фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца Мирошникова И.Н.1, Мирошников Б.Н.1, Мохаммед Х.С.Х.1, НИУ «МЭИ», Москва, Россия НИУ «МЭИ» и университет Fayuom, Египет 4 Оценка параметров собственного излучения и движения фоновых полей облачности на различных высотах тропосферы Алленов М.И., Третьяков Н.Д., Фёдоров В.О.

ФГБУ «НПО «Тайфун», Обнинск, Россия 5 Применение тестовой структуры с экранированными фотодиодами для измерения диффузионной длины электронов в эпитаксиальном слое КРТ р-типа Предеин А.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 6 Двумерный анализ фотодиода МФЧЭ на основе ГЭС КРТ Предеин А.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 7 Расчет фотоэлектрической связи в фотодиодной матрице на основе эпитаксиальных структур Hg1-xCdxTe с р-Р гетеропереходом Предеин А.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 8 Программное обеспечение создания и верификации юридически значимых цифровых фотоснимков на основе квалифицированной электронной подписи, формируемой в цифровом фотоаппарате Гаценко О.Ю., Баушев С.В., Буторин Н.В.

ОАО «НИИ программных средств», Санкт-Петербург, Россия 9 Математическая обработка выходного оптического изображения матрицы неохлаждаемых биматериальных приёмников ИКдиапазона методом особенность-ориентированного сканирования Лапшин Р.В.1,2,Хафизов Р.З.1, Фетисов Е.А. Московский институт электронной техники, Москва, Зеленоград, НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия 10 Математическое моделирование газодинамических условий при осаждении легированных слоев СdHgTe из паров ртути и МОС (MOCVD-метод) Шабарова Л.В., Моисеев А.Н., Чилясов А.В., Степанов Б.С.

Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, 11 Теоретический анализ безотказности МФПУ Патрашин А.И.1, Бурлаков И.Д.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 12 Аналитическая модель МФПУ коротковолнового диапазона ИК спектра 0,9 - 1,7 мкм Патрашин А.И.1, Балиев Д.Л.1,2, Болтарь К.О.1,2, Бурлаков И.Д.1,3, Лазарев П.С.1,2, Полунеев В.В.1, Яковлева Н.И. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 13 Алгоритм обработки и распознавания изображений оптикоэлектронных систем летательных аппаратов Бельский А.Б., Чобан В.М.

ОАО «Московский вертолётный завод им. М.Л. Миля», п. Томилино, 14 Расчет спектра поглощения полупроводниковых структур CdHgTe Яковлева Н.И.1, Болтарь К.О.1,2, Никонов А.В.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 15 Влияние на функцию передачи модуляции аберраций при однократном и двукратном прохождении света через оптическую Ильинский Р.Е., Харламов Г.Ю.

ОАО ОКБ МЭИ, Москва, Россия 16 Рекурсивная последовательно-параллельная обработка пиросигнала в тепловизионной камере Кондратов П.А., Ткаченко В.Ф.

Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина 17 Псевдобинокулярные очки ночного видения с углом поля Волков В.Г.1,2, Гиндин П.Д. МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, Россия ОАО «Швабе - Фотоприбор», Москва, Россия 18 Перспективные бинокулярные очки ночного видения Волков В.Г.1,2, Гиндин П.Д. МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, Россия ОАО «Швабе - Фотоприбор», Москва, Россия 19 Светосильный объектив на спектральный диапазон 3,5 - 10,5 мкм Горелик Л.И.1, Демидов В.И.1, Полесский А.В.1,2, Юдовская А.Д. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 20 Зеркально-линзовый объектив для измерения фотоэлектрической связи в ИК диапазоне Добрунов С.В.1, Полесский А.В.1,3, Семенченко Н.А.1,2, Смирнова Е.А.1,2, Шкетов А.И. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 21 Стенд измерения относительной спектральной характеристики матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового диапазона Деомидов А.Д.1,2, Кононов М.Е.1,2, Полесский А.В.1,4, Семенченко Н.А.1,3, Хамидуллин К.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия НИУ «МЭИ», Москва, Россия МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 22 Объектив ультрафиолетового диапазона спектра Горелик Л.И.1, Колесова А.А.1,2, Полесский А.В.1,3, Хамидуллин К.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Росси 23 Исследования шумов фотоприемных устройств ИК-диапазона Патрашин А.И.1, Бурлаков И.Д.1,2, Яковлева Н.И. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 24 Фотоприемники-гиды оптических телескопов Комаров В.В.

Специальная астрофизическая обсерватория РАН, Нижний Архыз, 25 Нашлемная система целеуказания и индикации Солдатенков В.А., Грузевич Ю.К., Ачильдиев В.М., Левкович А.Д., Евсеева Ю.Н.

ОАО «НПО Геофизика-НВ», Москва, Россия 26 Блок телеметрического контроля ФПУ Бочков В.Д., Бычковский Я.С., Дражников Б.Н., Комаров Д.А., Петухов В.Ю., Пожидаев Д.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 27 Контрольное оборудование для проведения испытаний электронных блоков ФПУ Дражников Б.Н.1, Бочков В.Д.1, Бычковский Я.С.1, Матвеев А.В.1, Кондюшин И.С.1, Козлов К.В.1,2, Александров В.В. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 28 Особенности построения совмещенного теплотелевизионного Бадертдинов Э.Р., Денисов И.Г., Козлов А.В.

ОАО «НПО «ГИПО», Казань, Россия 29 Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности атмосферы при наблюдении из нижней полусферы Тиранов Д.Т, Гусева А.А., Филиппов В.Л.

ОАО «НПО «ГИПО», Казань, Россия 30 Комбинированные оптические телекоммуникационные системы с цифровыми блоками Гарцев А.И., Гуськов П.А., Крохалев И.Н., Кузяков Б.А., Тихонов Р.В., Ульянов А.С.

МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 31 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.

МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 32 Объектив с асферическими поверхностями для широкоформатного охлаждаемого матричного фотоприёмника спектрального диапазона 3-5 мкм Алдохин П.А.

Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия 33 Объективы для диапазона 3-12 мкм Парфёнова Т.В., Хацевич Т.Н.

Сибирская государственная геодезическая академия, Новосибирск, 34 Универсальная установка контроля параметров электронных Дражников Б.Н.1, Бычковский Я.С.1, Александров В.В.1, Козлов К.В.1,2, Кондюшин И.С.1, Матвеев А.В. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия блокирующих светофильтров Наумов И.В., Ильин А.С., Астахов В.П.

ОАО «Швабе - Фотосистемы», Москва, Россия 36 Стенд измерения фотоэлектрических параметров субматричных и матричных фотоприемных устройств Карпов В.В., Мартиросов А.В., Петренко В.И., Семенов В.И., Чиж К.В.

ОАО «Швабе - Фотосистемы», Москва, Россия 37 Интерференционные фильтры для глубокоохлаждаемых фотоприемных устройств Гайнутдинов И.С., Гусев А.Г., Кольцов А.Ю., Хасанов А.М., Галиев А.Н.

ОАО «НПО «ГИПО», Россия, Казань.

38 Термоэлементы на основе экструдированных образцов Bi85Sb15 для термоэлектрического охлаждения Тагиев М.М., Алиева Т.Д., Ахундова Н.М., Абдинова Г.Д.

Институт физики НАН, Баку, Азербайджан 39 Исследования герметичности газовой микрокриогенной машины, работающей по циклу Стирлинга Минаев Д.В., Оганесян Н.Н., Самвелов А.В., Сысоев Д.А., Жуков Е.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 40 Оптическая система для широкоформатного охлаждаемого матричного фотоприемного устройства спектрального диапазона Ульянова Е.О.

Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия 41 Исследование оптических свойств гетероэпитаксиальных структур Болтарь К.О.1,2, Никонов А.В.1,2, Никифоров И.А.1,2, Яковлева Н.И. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 42 Исследование фотодиодных лавинных элементов матричных фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs Яковлева Н.И.1, Болтарь К.О.1,2, Седнев М.В.1, Патрашин А.И.1, Иродов Н.A.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 43 Фотоэлектрические свойства гетроперехода (p)InSb-(n)CdTe Матевосян Л.А., Авджян К.Э., Петросян С.Г.

Институт радиофизики и электроники НАН, Аштарак, Армения 44 Фотоприемник на основе СdxHg1-xTe с управляемой спектральной характеристикой чувствительности Исмаилов Н.Д., Алиев А.А., Гусейнов Э.К., Кулиев Ш.М., Раджабли А.А.

Институт физики НАН, Баку, Азербайджан 45 Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми Войцеховский А.В., Горн Д.И.

Томский государственный университет, Томск, Россия Фотолюминесценция «p+-n» гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/Si Мынбаев К.Д.1, Баженов Н.Л.1, Шиляев А.В.1, Якушев М.В.2, Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А.

Санкт-Петербург, Россия Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 47 Спектры оптического поглощения твердых растворов TlGa1-xDyxSe Керимова Э.М., Гасанов Н.З., Абасова А.З., Керимов Р.Н., Исмайлова П.Г.

Институт физики НАН, Баку, Азербайджан 48 Влияние атомов примеси Sm и гамма излучения на спектры фотопроводимости слоистых монокристаллов GeS Мадатов Р.С., Алекперов А.С., Гасанов О.М., Байрамов Р.Б.

Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку Институт радиационных исследований НАН, Баку, Азербайджан Влияние -облучения на параметры локальных уровней в р-GaSe и р-GaSe Tl при постоянном токе Исмаилов А.А., Ахмедов Г.М.

Институт Физика НАН, Баку, Азербайджан Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан 50 Влияние электронного облучения на диэлектрические свойства монокристалла TlGaS2 в переменных электрических полях Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Исмаилов А.А.

Институт физики НАН, Баку, Азербайджан 51 Efficiency of ion-induced secondary electron emission from photocathode surface in an IR image converter E. Ko1 and B.G. Salamov1, Physics Department, Faculty of Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey Institute of Physics, National Academy of Science, Baku, Azerbaijan 52 Насыщение чувствительности фотодиодов на основе антимонида индия в поле лазерного излучения Чишко В.Ф.1, Средин В.Г.2, Сахаров М.В.2, Воробьев А.А.2, Астраускас Й.И., Васильева Ю.В., Карпов В.В., Астахов В.П. ОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва, Россия РВСН им. Петра Великого, Москва, Россия высокотемпературного фотодиода Шоттки на основе Au/n-GaP Рудневский В.С.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 54 Метод исследования параметров ФПУ с ВЗН на основе КРТ Соляков В.Н.1,2, Козлов К.В.1,2, Бочков В.Д.1, Кузнецов П.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Технический университет), Россия 55 Влияние полирующего травления на характеристики поверхности эпитаксиальных гетероструктур КРТ Кашуба А.С., Головин С.В., Пермикина Е.В., Атрашков А.С.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 56 Исследование подложек КЦТ Сизов А.Л.1, Яковлева Н.И.1, Смирнова Н.А.2, Денисов И.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия ОАО «Гиредмет», Москва, Россия 57 Исследования действия мягкого рентгеновского излучения на поверхность твердых растворов CdxHg1-xTe методами атомной силовой микроскопии Мирофянченко А.Е.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 58 Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x=0,22-0,23 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур Войцеховский А.В.1, Несмелов С.Н.1, Дзядух С.М.1, Васильев В.В.2, Варавин В.С.2, Дворецкий С.А.2, Михайлов Н.Н.2, Кузьмин В.Д.2, Ремесник В.Г.2, Сидоров Ю.Г. Томский государственный университет, Томск, Россия Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 59 Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x=0.22-0.23) Войцеховский А.В.1, Несмелов С.Н.1, Дзядух С.М.1, Васильев В.В.2, Варавин В.С.2, Дворецкий С.А.2, Михайлов Н.Н.2, Кузьмин В.Д.2, Ремесник В.Г.2, Сидоров Ю.Г. Томский государственный университет, Томск, Россия Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 60 О модифицированной модели коллективного движения неосновных носителей заряда в двухслойном полупроводнике Серегина Е.В.1, Степович М.А.1, Макаренков А.М.2, Филиппов М.Н.3, Платошин Е.В. Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, Калуга, Россия Филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга, Россия Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, Россия 61 Анализ диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe Вишняков А.В., Стучинский В.А., Брунев Д.В., Зверев А.В., Дворецкий С.А.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 62 Длина диффузии неосновных носителей заряда в слоях AlGaN для фотоприемных структур Малин Т.В.1, Гилинский А.М.1, Мансуров В.Г.1, Протасов Д.Ю.1, Якимов Е.Б.2, Журавлев К.С. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия 63 Влияние плазмохимического травления и последующего отжига на электрофизические свойства HgxCd1-xTe Костюк Б.А., Варавин В.С., Парм И.О., Ремесник В.Г., Сидоров Г.Ю.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 64 Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности Строганкова Н.И., Белов А.Г., Денисов И.А., Каневский В.Е. НИУ «Высшая школа экономики», Москва, Россия ОАО «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия 65 Исследование дефектов структуры в кристаллах CdZnTe методами инфракрасной и оптической микроскопии Гришечкин М.Б.1, Денисов И.А.1, Силина А.А.2, Смирнова Н.А.1, Шматов Н.И.1, Яковенко А.Г. ОАО «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия МИТХТ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия фототермопреобразователей избирательного излучения Касымахунова А.М., Олимов Ш.А.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан 67 Исследование характеристик многоканального линейного ИК фотодетектора на основе гетероструктур КРТ/КЦТ для фемтосекундного измерительного комплекса «Накачказондирование»

Андрусов Ю.Б.1, Денисов И.А.1, Серебряков Д.В.2, Смирнова Н.А. ОАО «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия Институт ядерных исследований РАН, Москва, Россия 68 Исследование шероховатости поверхности подложек CdZnTe Бурлаков И.Д.1, Денисов И.А.2, Сизов А.Л.1, Силина А.А.3, Смирнова Н.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия ОАО «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия МИТХТ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 69 Исследование температурной зависимости диффузионной длины неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях CdHgTe Никифоров И.А.1,2, Болтарь К.О.1,2, Никонов А.В.1, МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия ОАО НПО «Орион», Москва, Россия 70 Исследование влияния обработки поверхности ГЭС КРТ на время жизни носителей заряда Болтарь К.О.1,2, Кашуба А.С.1, Седнев М.В.1, Шаронов Ю.П. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 71 Исследование планарных фотодиодов МФЧЭ на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP Болтарь К.О.1,2, Власов П.В.1, Иродов Н.А.1, Лопухин А.А. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 72 Исследование влияния светового отжига на свойства матричных фотоприемных структур на основе антимонида индия Лопухин А.А., Степанюк В.Е.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 73 Исследование влияния взаимосвязи между элементами матрицы фотодиодов планарного типа на основе структуры InGaAs/InP на вольтамперные характеристики Акимов В.М.1, Демидов С.С.1, Климанов Е.А.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 74 Гальваномагнитные свойствa Mn0,6Ga0,4Sb Исмаилов А.А.1, Алиев С.А.2, Алиева И.К.2, Алиев Х.М. Институт физики НАН, Баку, Азербайджан Азербайджанская государственная морская академия, Баку 75 Физические свойства GaSb - NdSb Исмаилов А.А.1, Алиев С.А.2, Алиева И.К.2, Алиев Х.М. Институт физики НАН, Баку, Азербайджан Азербайджанская государственная морская академия, Баку 76 Исследование дефектности гетероэпитаксиальных структур КРТ Коротаев Е.Д., Яковлева Н.И.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 77 Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов на основе кремния с квантовыми точками германия Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А.

Томский государственный университет, Томск, Россия 78 Механизм релаксации тока в примесных фоторезисторах на кремнии, легированном галлием или бором, при гелиевых температурах и низкой облучённости Залетаев Н.Б.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 79 Автоматизированный стенд для измерения основных параметров МФПУ на основе InGaAs Деомидов А.Д.1,2, Полесский А.В.1,4, Сидорин А.В.1,2, Смирнова Е.А.1,3, Юдовская А.Д. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия НИУ «МЭИ», Москва, Россия МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 80 Установка измерения параметров фотомодуля с ВЗН на основе КРТ Александров В.В.1, Бочков В.Д.1, Бычковский Я.С.1, Дражников Б.Н.1, Козлов К.В.1,2, Кондюшин И.С.1, Матвеев А.В.1, Соляков В.Н.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия 81 Влияние быстрого отжига на ВАХ AlGaN фотодиодов Седнев М.В., Смирнов Д.В., Степанюк В.Г.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 82 Особенности спектральной характеристики ультрафиолетовых GaP фотодиодов на основе барьера Шоттки Варганова В.С.1, Кравченко Н.В.1, Патрин В.М.1, Тришенков М.А.1,2, Хакуашев П.Е.1, Чинарева И.В. ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 83 Формирование граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей Новоселов А.Р.

Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия 84 Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона Варавин В.С., Марин Д.В., Ремесник В.Г., Якушев М.В.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 85 Металлооксидные наногетероструктуры на базе твердого раствора Hg(Cd)Te, полученные ионной имплантацией серебра Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Савкина Р.К., Смирнов А.Б., Полудин В.Н., Удовицкая Р.С.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН, Киев, полупроводниковых и диэлектрических пластинах-подложках для эпитаксиального выращивания слоёв нитрида галия Аверичкин П.А, Донсков А.А., Ежлов В.С., Князев С.Н., Козлова Ю.П., ОАО «Гиредмет», Москва, Россия 87 Молекулярно-лучевая эпитаксия AlGaN/GaN гетероструктур для фотоприемников Малин Т.В., Гилинский А.М., Мансуров В.Г., Протасов Д.Ю., Журавлев К.С.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 88 Структурно совершенныe эпитаксиальные пленки Cd1-xMnxTe и p-n гомопереходы на их основе Нуриев И.Р.1, Мехрабова М.А.2, Назаров А.М.1, Садыгов Р.М. Институт физики НАН, Баку, Азербайджан Институт радиационных проблем НАН, Баку, Азербайджан 89 Исследование условий выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК) по Бриджмену Гришечкин М.Б.1, Денисов И.А.1, Силина А.А.2, Смирнова Н.А.1, Шматов Н.И. ОАО «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия МИТХТ им. М.В. Ломоносова Россия, Москва, пр. Вернадского, 86.

90 Влияние пассивирующего слоя CdTe на термическую стабильность электрофизических параметров MOCVD-cлоев CdхHg1-хTe Моисеев А.Н., Чилясов А.В., Бовкун Л.С., Степанов Б.С., Евстигнеев В.С.

Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия 91 Модифицированная топология индиевых микроконтактов в МФПУ Акимов В.М.1, Болтарь К.О.1,2, Васильева Л.А.1, Демидов С.С.1, Иродов Н.А., Климанов Е.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия.

МФТИ (Государственный университет), Долгопрудный, Россия МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 92 О выборе режима секундного фотонного отжига слоёв InAs, имплантированных ионами Be+ Артамонов А.В., Астахов В.П., Карпов В.В.

ОАО «Швабе – Фотосистемы», Москва, Россия 93 Формирование наноразмерного рельефа на поверхности подложек PbTe и Pb1-xSnxTe в процессе безабразивного химико-механического полирования Маланич Г.П., Томашик В.Н., Коломыс О.Ф., Стрельчук В.В., Стратийчук И.Б., Литвин П.М., Литвин О.С., Томашик З.Ф.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, 94 Многообразие наноструктур теллурида свинца, формируемых на внутренней стороне маски Si при плазменном распылении PbTe Зимин С.П.1, Горлачев Е.С.1,2, Дубов Г.А.1, Амиров И.И.2, Наумов В.В.2, Багиева Г.З. Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия Институт физики НАН, Баку, Азербайджан 95 Разработка технологии и конструкции мозаичных неохлаждаемых терагерцового спектральных диапазонов форматом до 3072576 и Демьяненко М.А.1, Есаев Д.Г.1, Клименко А.Г.1, Козлов А.И.1, Марчишин И.В., Новоселов А.Р., Овсюк В.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Филиал ИФП СО РАН КТИ ПМ, Новосибирск, Россия 96 Фрактально-кластерный подход к исследованию процесса образования тонких пленок Cu-Ga-Se Федорова Е.А., Маскаева Л.Н., Марков В.Ф.

УрФУ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, 97 Селективно-чувствительный детектор ультрафиолетового излучения на основе низкоразмерной гетероструктуры ZnCdS/ZnMgS/GaP Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М., Алкеев Н.В., Гладышева Н.Б. Фрязинский филиал ИРЭ РАН, Фрязино, Россия ФГУП «Пульсар», Москва, Россия 98 Фоторезистор с кодом Грея из гетероэпитаксиальных структур КРТ для регистрации импульсного излучения СО2 лазера Гиндин П.Д., Карпов В.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Петренко В.И., Никифоров А.Ю., Кузнецов Н.С., Грибанов А.А.

ОАО «Швабе-фотосистемы», Москва, Россия 99 Кремниевая интегральная схема считывания формата 384288 с шагом ячеек 25 m для гибридных ИК матричных фотоприемников средневолнового и длинноволнового диапазонов на базе КРТ фотодиодных матриц Дворецкий C.A., Зверев А.В., Макаров Ю.С., Михантьев Е.А.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 100 Исследование влияния структуры кремниевого мультиплексора и параметров матрицы детекторов инфракрасного диапазона на характеристики фотоприемных устройств Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 101 Матричный КМОП мультиплексор формата 640512 ячеек 1515 мкм для гибридных ФПУ Бородин Д.В.1,2, Осипов Ю.В.1,2, Васильев В.В. ФГУП «НПП «Пульсар», Москва, Россия ООО «РТК Инпекс», Москва, Россия 102 Коррекция пространственной неравномерности по изображению для инфракрасных обзорно-прицельных каналов Денисов А.И., Денисов И.Г., Валиев К.Р.

ОАО «НПО «ГИПО», Казань, Россия средневолнового ИК диапазона Нигматуллина Н.Г., Шарифуллина Д.Н., Насыров А.Р., Рагинов С.В.

ОАО «НПО «ГИПО», Казань, Россия 104 Особенности схемотехники импульсных пороговых ФПУ с малым временем восстановления чувствительности после воздействия импульса перегрузки Боровков П.М., Потапов А.В., Казарин Л.Н., Кравченко Н.В., Тришенков М.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 105 Разработка структурной, принципиальной электрической схемы квантования сигнала блока электронной обработки для МФПУ большого формата без применения ЭРИ ИП Лазарев П.С1., Балиев Д.Л.1, Соляков В.Н.1, ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия МФТИ (Технический университет), Долгопрудный, Россия 106 Возможности применения модели процесса генерации спектров вторичной флуоресценции конденсированного вещества Романов А.В.1, Степович М.А.1, Филиппов М.Н. Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, Калуга, Россия Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, Россия 107 Методы коррекции топологии БИС считывания Акимов В.М., Васильева Л.А., Демидов С.С., Климанов Е.А.

ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия.

108 Поиск и учет дефектных элементов в тепловизионных каналах на базе охлаждаемых матричных фотоприемных устройств Денисов И.Г., Иванов В.П., Фаткуллин А.Э.

ОАО «НПО «ГИПО», Казань, Россия 109 Моделирование искрового плазменного спекания термоэлектрических материалов для охладителей Булат Л.П.1, Нефедова И.А.1, Пшенай-Северин Д.А. Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, 110 Классификация молекулярных загрязнений в атмосфере чистых производственных помещений микроэлектронных производств ОАО «НПО «Орион», Москва, Россия 111 Инфракрасный объектив с двумя значениями фокусного расстояния Гордиенко В.И., Мазурин И.В., Шкапа В.Ф.

НПК «Фотоприбор», Черкассы, Украина 112 Легирование теллурида кадмия мышьяком в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии Сизиков П.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Карташев В.А., Протасов Д.Ю.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, 113 Бесконтактный беспроводной датчик экспрессного измерения температуры на основе МЭМС и система информационного обеспечения для индивидуального мониторинга здоровья Рыгалин Д.Б.1,2, Фетисов Е.А.1,2,. Крупнов Ю.Д.2, Глазов В.М.1, Решетников И.А., Беллин А.М., Каменский А.М., Ковриго Е.М.2, Колпаков И.В. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Москва, ООО «ЭЛЕМ ИНФО», Москва, Россия 114 Полупроводниковые неохлаждаемые детекторы ионизирующих излучений на основе кристаллов твердых растворов теллуридов Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.

МГТУ МИРЭА, Москва, Россия 115 Получение гетероструктур GaN/AlN методом МОС-гидридной эпитаксии для создания матричных УФ-фотоприемников Падалица А.А., Мазалов А.В., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А.

ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия 116 Особенности получения гетероструктур AlInAs/GaInAs/InP с раздельными областями поглощения и умножения методом МОСгидридной эпитаксии для лавинных фотодиодов Ладугин М.А., Падалица А.А., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Яроцкая И.В., Мармалюк А.А.

ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия Правила для авторов по оформлению рукописей статей, предлагаемых к публикации в журнале “Успехи прикладной физики” 1. Журнал предназначен для публикации развернутых статей и обзоров по последним наиболее значимым достижениям в области физики, имеющими перспективу прикладного (технического и научного) применения.

Направляя рукопись статьи в редакцию журнала "Успехи прикладной физики", авторы передают редколлегии, учредителям и издателю журнала безвозмездное неисключительное право опубликовать ее на русском языке в качестве статьи в печатной версии журнала, в электронной версии журнала в сети Интернет и на лазерных дисках, а также перевести на английский язык и опубликовать статью в англоязычном варианте журнала. При этом за авторами сохраняются их интеллектуальные права на рукопись статьи (в т.ч. "авторское право"). В связи с этим и с учетом Четвертой части (Раздел VII) Гражданского Кодекса РФ авторами должно быть представлено в редакцию письмо в следующей форме:

Лицензионный договор о передаче права на публикацию (издательский лицензионный договор) Мы, нижеподписавшиеся, авторы рукописи, предоставляем редколлегии, учредителям и издателю журнала "Успехи прикладной физики" безвозмездную простую (неисключительную) лицензию на публикацию этой рукописи статьи как в печатной, так и в электронной версиях журнала, в т.ч. в его англоязычном варианте.

Мы подтверждаем, что данная публикация не нарушает интеллектуальных прав других лиц или организаций.

Подписи авторов: _ (ф. и. о., ученая степень, дата) Статья должна быть подписана всеми авторами. В случае нескольких авторов указывается фамилия автора, ответственного за переписку с редакцией.

2. Рукопись статьи в редакцию представляется обязательно на русском языке, и редакционные требования, изложенные в п.п. 3-16, относятся именно к этому случаю.

3. Каждая статья рецензируется в соответствии с решением редколлегии журнала, при этом рецензия (рецензии) направляется редакцией журнала авторам рукописи. Решение о порядке публикации статьи принимается редколлегией в контакте с редакцией. Статья может быть отправлена авторам на доработку или отклонена как по формальным, так и по научным причинам. В случае окончательного отклонения рукописи статьи редакция направляет авторам мотивированный отказ.

4. Любая представленная рукопись статьи должна сопровождаться экспертным заключением о возможности публикации в открытой печати, оформленным в установленном порядке. Вместо экспертного заключения может быть представлено соответствующее заявление на имя главного редактора журнала от имени руководства организации, где работают авторы, или непосредственно от имени самодеятельных авторов. В экспертном заключении или заявлении в обязательном порядке должна быть отражена возможность открытой публикации и передачи публикуемых материалов за границу. Статья, являющаяся результатом работы, проведенной в организации (учреждении) по ее заданию, должна обязательно иметь направление этой организации (или головной организации при участии нескольких организаций в этой работе).

5. Основной текст статьи должен начинаться разделом «Введение» с четкой постановкой цели и задач работы, сопровождаемой аргументами в пользу ее выполнения на фоне существующего состояния затронутой в статье проблемы.

Дальнейший текст статьи также должен иметь смысловые рубрикаторы (разделы и подразделы). Заканчиваться статья должна отдельным разделом «Заключение»

с перечислением основных результатов, следующих из них выводов и, по возможности, предложений по развитию исследований и использованию их результатов.

6. Объем статьи (без рисунков) не должен превышать 12 страниц формата А4 при 1,5 межстрочных интервалах, а объем статьи обзорного характера — не более 25 страниц. Материал статьи представляется в печатном виде (на бумажном носителе) в двух экземплярах и в идентичном электронном варианте на CD/DVD-диске с текстом в формате Word 2003 (*.doc) (отдельным файлом от рисунков и подрисуночных подписей). Дискеты не принимаются. Следует избегать приведения в тексте излишне подробных и громоздких математических преобразований и выражений. Оформление статьи следующее:

статья начинается с указания УДК;

название статьи набирается строчными буквами (кроме начальной прописной) полужирным шрифтом, размер шрифта 14, для остального текста используется простой шрифт размером 12, причем рекомендуемая гарнитура шрифта — Times New Roman;

после названия - список авторов, инициалы авторов предшествуют их с отступлением в 2 строки представляется аннотация статьи (не более ниже аннотации перед основным текстом указываются коды классификации PACS (Physics and Astronomy Classification Scheme), по меньшей мере, до третьего уровня глубины включительно, соответствующие содержанию статьи (подробности классификации PACS в Интернет на сайте American Institute of Physics – www.aip.org/pacs);

далее приводится список ключевых слов для данной статьи (не более страницы текста нумеруются без пропусков и добавлений литерных обозначений (типа 1а, 2б и т. п.), причем в сквозную нумерацию должны быть включены все элементы статьи, кроме рисунков и подписей под внизу первой страницы текста помещается отдельный абзац (с полужирным шрифтом), содержащий контактную информацию об авторе (или авторах) в следующем виде: фамилия, имя, отчество, должность, почтовый адрес предприятия, телефон/факс, e-mail;

после основного текста - список использованных источников под названием "Литература";

в конце статьи название статьи, инициалы и фамилии авторов, предприятие, его почтовый адрес, город, страна, e-mail, аннотация, PACS, ключевые слова (keywords) повторяются на английском языке (поскольку журнал распространяется и за рубежом, редакция оставляет за собой право корректировать английскую часть текста без изменения 7. Список использованных источников необходимо представлять в соответствии с требованиями, установленными системой Российского индекса научного цитирования (РИНЦ) на основе существующего ГОСТ Р 7.0.5-2008.

Ссылка в тексте на использованный источник оформляется в квадратных скобках, например, [1-3], [7, 8]. Ссылки на формулы, рисунки и таблицы оформляются с использованием круглых скобок, например, формула (3), уравнение (1), (рис. 2), (табл. 7).

Примеры использованных источников:

Книга: Гроднев И.И. Оптоэлектронные системы передачи информации. — М.: Знание, 1991.

Статьи из журналов: Дмитриев А.Г., Царенков Б.В.// ПТЭ. 1972. № 1. С. 108.

Гершман Б.Н., Трахтенгерц В.Ю.// УФН. 1966. Т. 89. № 2. С. 8. Количество рисунков и фотографий для типовой статьи не должно превышать 5, для обзорной статьи — не более 10. Если один рисунок содержит два, три или более вариантов графических (или фото) изображений типа «рис. 2а», «рис. 2б» и т.д., то каждый отдельный вариант в этом случае засчитывается как отдельный рисунок. При превышении вышеуказанных лимитов на количество рисунков (фотографий) статья возвращается авторам на переработку. Графика (только черно-белая!) представляется в двух экземплярах на отдельных листах. На обратной стороне каждого рисунка необходимо проставить карандашом его номер, фамилии первых авторов статьи и начальные слова ее названия. Одновременно необходимо представить электронную версию рисунков на CD/DVD-диске в одном из форматов *.gif, *.jpg, *.png, *.bmp в виде отдельного файла для каждого рисунка.

9. Подписи под рисунками должны быть представлены на отдельной странице последовательно друг за другом, т. е. отдельно от рисунков. Каждая подпись должна быть по возможности лаконичной, но емкой по содержанию.

Любой указываемый в подписи физический (технический) символ должен иметь там же свое словесное раскрытие. Все подписи повторяются в электронном виде в одном общем файле на принятом электронном носителе.

10. В тексте статьи, а также на рисунках предварительную разметку буквенных символов в формулах и обозначениях не производить. Простые формулы вводить в текст в формате используемого текстового редактора, более сложные формулы - с использованием редактора формул Microsoft Equation или MathType. Для символьного обозначения невекторных физических (технических) величин использовать только латинский и греческий алфавиты, при этом в тексте для греческих букв и цифр использовать прямой шрифт, для латинских букв — наклонный шрифт (курсив), векторы обозначать полужирным прямым шрифтом (предпочтительнее!!) или стрелкой над символом вектора (курсивным). Для нижних и верхних индексов физических (технических) величин русские буквы не применять, а использовать только арабские цифры, латинские или греческие буквы, но если индекс, обычно нижний, представляет собой краткую (сокращенную) форму русского слова-характеристики, то допустимо использовать в его обозначении русские буквы (курсив), например, Uвх, Iвых, vгр и т.п. Размерность физических величин обозначается только по-русски и прямым шрифтом.

11. Таблицы выполнять в соответствии со следующими требованиями:

верхняя строка — наименование данных и размерность; следующие строки — сами данные.

12. Формулы, таблицы и рисунки должны иметь свою отдельную сквозную нумерацию. Если на конкретную формулу нет дополнительных (возвратных) ссылок в тексте или она в единственном числе, то нумерация ее не нужна.

Единственные таблица и рисунок также не нумеруются.

13. Плата с авторов (в т.ч. с аспирантов) за публикацию рукописей не взимается.

14. Рукописи и CD/DVD-диски редакцией не возвращаются.

15. Авторы (или автор) каждой статьи после ее публикации в очередном номере журнала имеют право на получение от редакции электронной версии статьи в формате PDF (редактор Adobe Acrobat).

16. При публикации в журнале каждая статья сопровождается сноской со знаком охраны авторского права ©, поставленным перед фамилией автора (фамилиями авторов) и годом издания. В начале статьи указывается также дата поступления статьи в редакцию.

Правила для авторов по оформлению рукописей статей, предлагаемых к публикации в журнале “Прикладная физика” 1. Журнал в настоящее время предназначен, в основном, для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения.

Направляя рукопись статьи в редакцию журнала "Прикладная физика", авторы передают редколлегии, учредителям и издателю журнала безвозмездное неисключительное право опубликовать ее на русском языке в качестве статьи в печатной версии журнала, в электронной версии журнала в сети Интернет и на лазерных дисках, а также перевести на английский язык и опубликовать статью в англоязычном варианте журнала. При этом за авторами сохраняются их интеллектуальные права на рукопись статьи (в т.ч. "авторское право"). В связи с этим и с учетом Четвертой части (Раздел VII) Гражданского Кодекса РФ авторами должно быть представлено в редакцию письмо в следующей форме:

Лицензионный договор о передаче права на публикацию (издательский лицензионный договор) Мы, нижеподписавшиеся, авторы рукописи _, предоставляем редколлегии, учредителям и издателю журнала "Прикладная физика" безвозмездную простую (неисключительную) лицензию на публикацию этой рукописи статьи как в печатной, так и в электронной версиях журнала, в т.ч.

в его англоязычном варианте.

Мы подтверждаем, что данная публикация не нарушает интеллектуальных прав других лиц или организаций.

Подписи авторов: _ (ф. и. о., ученая степень, дата) Статья должна быть подписана всеми авторами. В случае нескольких авторов указывается фамилия автора, ответственного за переписку с редакцией.

2. Рукопись статьи в редакцию представляется обязательно на русском языке, и редакционные требования, изложенные в п.п. 3-16, относятся именно к этому случаю.

3. Каждая статья рецензируется в соответствии с решением редколлегии журнала, при этом рецензия (рецензии) направляется редакцией журнала авторам рукописи. Решение о порядке публикации статьи принимается редколлегией в контакте с редакцией. Статья может быть отправлена авторам на доработку или отклонена как по формальным, так и по научным причинам. В случае окончательного отклонения рукописи статьи редакция направляет авторам мотивированный отказ.

4. Любая представленная рукопись статьи должна сопровождаться экспертным заключением о возможности публикации в открытой печати, оформленным в установленном порядке. Вместо экспертного заключения может быть представлено соответствующее заявление на имя главного редактора журнала от имени руководства организации, где работают авторы, или непосредственно от имени самодеятельных авторов. В экспертном заключении или заявлении в обязательном порядке должна быть отражена возможность открытой публикации и передачи публикуемых материалов за границу. Статья, являющаяся результатом работы, проведенной в организации (учреждении) по ее заданию, должна обязательно иметь направление этой организации (или головной организации при участии нескольких организаций в этой работе).

5. Основной текст статьи должен начинаться разделом «Введение» с четкой постановкой цели и задач работы, сопровождаемой аргументами в пользу ее выполнения на фоне существующего состояния затронутой в статье проблемы.

Дальнейший текст статьи также должен иметь смысловые рубрикаторы (разделы и подразделы). Заканчиваться статья должна отдельным разделом «Заключение»

с перечислением основных результатов, следующих из них выводов и, по возможности, предложений по развитию исследований и использованию их результатов.

6. Объем статьи (без рисунков) не должен превышать 6 страниц формата А4 при полуторном межстрочном интервале. Материал статьи представляется в печатном виде (на бумажном носителе) в двух экземплярах и в идентичном электронном варианте на CD/DVD-диске с текстом в формате Word (отдельным файлом от рисунков). Следует избегать приведения в тексте излишне подробных и громоздких математических преобразований и выражений.

Оформление статьи следующее:

статья начинается с указания УДК;

название статьи набирается строчными буквами (кроме начальной прописной) полужирным шрифтом, размер шрифта 14, для остального текста используется простой шрифт размером 12, причем рекомендуемая гарнитура шрифта — Times New Roman;

после названия - список авторов, инициалы авторов предшествуют их с отступлением в 2 строки представляется аннотация статьи (не более ниже аннотации перед основным текстом указываются коды классификации PACS (Physics and Astronomy Classification Scheme), по меньшей мере, до третьего уровня глубины включительно, соответствующие содержанию статьи (подробности классификации PACS в Интернет на сайте American Institute of Physics – www.aip.org/pacs);

далее приводится список ключевых слов для данной статьи (не более страницы текста нумеруются без пропусков и добавлений литерных обозначений (типа 1а, 2б и т. п.), причем в сквозную нумерацию должны быть включены все элементы статьи, кроме рисунков и подписей под внизу первой страницы текста помещается отдельный абзац (с полужирным шрифтом), содержащий контактную информацию об авторе (или авторах) в следующем виде: фамилия, имя, отчество, должность, почтовый адрес предприятия, телефон, e-mail;

после основного текста - список использованных источников под названием "Литература";

в конце статьи название статьи, инициалы и фамилии авторов, предприятие, его почтовый адрес, город, страна, e-mail, аннотация, PACS, ключевые слова (keywords) повторяются на английском языке (поскольку журнал распространяется и за рубежом, редакция оставляет за собой право корректировать английскую часть текста без изменения 7. Список использованных источников необходимо представлять в соответствии с требованиями, установленными системой Российского индекса научного цитирования (РИНЦ) на основе существующего ГОСТ Р 7.0.5-2008.

Ссылка в тексте на использованный источник оформляется в квадратных скобках, например, [1—3], [7, 8]. Ссылки на формулы, рисунки и таблицы оформляются с использованием круглых скобок, например, формула (3), уравнение (1), (рис. 2), (табл. 7).

Примеры использованных источников:

Книга: Гроднев И.И. Оптоэлектронные системы передачи информации. — М.: Знание, 1991.

Статьи из журналов: Дмитриев А. Г., Царенков Б. В.// ПТЭ. 1972. № 1. С. 208.

8. Количество рисунков и фотографий для типовой статьи не должно превышать 3. Если один рисунок содержит два, три или более вариантов графических (или фото) изображений типа «рис. 2а», «рис. 2б» и т.д., то каждый отдельный вариант в этом случае засчитывается как отдельный рисунок. При превышении вышеуказанных лимитов на количество рисунков (фотографий) статья возвращается авторам на переработку. Графика (только черно-белая!) представляется в двух экземплярах на отдельных листах. На обратной стороне каждого рисунка необходимо проставить карандашом его номер, фамилии первых авторов статьи и начальные слова ее названия. Одновременно необходимо представить электронную версию рисунков на CD/DVD-диске в одном из форматов *.gif, *.jpg, *.png, *.bmp в виде отдельного файла для каждого рисунка.

9. Подписи под рисунками должны быть представлены на отдельной странице последовательно друг за другом, т. е. отдельно от рисунков. Каждая подпись должна быть по возможности лаконичной, но емкой по содержанию.

Любой указываемый в подписи физический (технический) символ должен иметь там же свое словесное раскрытие. Все подписи повторяются в электронном виде в одном общем файле на принятом электронном носителе.

10. В тексте статьи, а также на рисунках предварительную разметку буквенных символов в формулах и обозначениях не производить. Простые формулы вводить в текст в формате используемого текстового редактора, более сложные формулы - с использованием редактора формул Microsoft Equation или MathType. Для символьного обозначения невекторных физических (технических) величин использовать только латинский и греческий алфавиты, при этом в тексте для греческих букв и цифр использовать прямой шрифт, для латинских букв — наклонный шрифт (курсив), векторы обозначать полужирным прямым шрифтом (предпочтительнее!!) или стрелкой над символом вектора (курсивным). Для нижних и верхних индексов физических (технических) величин русские буквы не применять, а использовать только арабские цифры, латинские или греческие буквы,но если индекс, обычно нижний, представляет собой краткую (сокращенную) форму русского слова-характеристики, то допустимо использовать в его обозначении русские буквы (курсив), например, Uвх, Iвых, vгр и т.п. Размерность физических величин обозначается только по-русски и прямым шрифтом.

11. Таблицы выполнять в соответствии со следующими требованиями:

верхняя строка — наименование данных и размерность; следующие строки — сами данные.

12. Формулы, таблицы и рисунки должны иметь свою отдельную сквозную нумерацию. Если на конкретную формулу нет дополнительных (возвратных) ссылок в тексте или она в единственном числе, то нумерация ее не нужна.

Единственная таблица и рисунок также не нумеруются.

13. Плата с авторов за публикацию рукописей не взимается.

14. Рукописи и CD/DVD-диски редакцией не возвращаются.

15. Авторы (или автор) каждой статьи после ее публикации в очередном номере журнала имеют право на получение от редакции электронной версии статьи в формате PDF (редактор Adobe Acrobat).

16. При публикации в журнале каждая статья (в контактной информации) сопровождается сноской со знаком охраны авторского права ©, поставленным перед фамилией автора (фамилиями авторов) и годом издания. В статье указывается также дата поступления статьи в редакцию.

17. Решением ВАК Минобрнауки России журнал входит в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО

Открытое акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион» (ОАО «НПО «Орион») основано в 1946 году по инициативе Президента АН СССР академика С.И. Вавилова, с 1994 года является Государственным научным центром Российской Федерации, единственным в области твердотельной фотоэлектроники. За годы деятельности в ОАО «НПО «Орион»

разработаны и выпускались тысячи видов новых изделий: электроннооптические преобразователи, приборы ночного видения, фотоприемники и фотоприемные устройства, тепловизионные приборы, инфракрасные лазеры, электронно-лучевое и ионно-плазменное оборудование, электронные микроскопы, спецвычислители и другие приборы и устройства.

В настоящее время ОАО «НПО «Орион» специализируется на разработке и выпуске изделий микрофотоэлектроники для оснащения оптико-электронных систем и комплексов в интересах науки, промышленности, обороны и безопасности, космической и других отраслей. Основные направление деятельности – фотоприемники, фотоприемные устройства, в том числе фотоэлектронные модули второго и третьего поколений, работающие в областях спектра оптического излучения от ультрафиолетовой до дальней инфракрасной и изготавливаемые на основе фоточувствительных полупроводниковых материалов (Si, Ge, CdHgTe, InSb, InGaAs, GaP, AlGaN, PbS) и микроэлектронных схем считывания и обработки фотосигнала, в том числе охлаждаемых до криогенных температур. В ОАО «НПО «Орион» представлены все виды высоких технологий: микроэлектронная, ионно-плазменная, электронно-лучевая, вакуумная, лазерная, молекулярно-лучевая, микрокриогенная и многие другие, обеспечивающие исследования, разработку и выпуск изделий на уровне лучших мировых достижений.

ОАО «НПО «Орион» совместно с высшими учебными заведениями осуществляет подготовку высококвалифицированных кадров на базовых кафедрах Московского государственного технического университета радиотехники, электроники и автоматики, Московского физико-технического института (государственного университета), Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники», а также в аспирантуре и Учебно-производственном центре предприятия.

ОАО «НПО «Орион» ведет активную научную деятельность, проводит Международную научно-техническую конференцию и выставку по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по проблемам теоретической и прикладной электронной оптики, является учредителем и издателем научно-технического журнала «Успехи прикладной физики» и соучредителем научно-технического журнала «Прикладная физика».

Работы ОАО «НПО «Орион» отмечены Сталинскими, Ленинскими, Государственными премиями и премиями Правительства СССР и России, лауреатами стали 48 сотрудников предприятия. Деятельность, приборы и разработки ОАО «НПО «Орион» отмечены медалями, специальными призами и дипломами международных научных обществ, симпозиумов, выставок и салонов инноваций в России, США, Германии, Великобритании, Франции, Швейцарии, Бельгии, Китае, Южной Корее и Колумбии.

Для заметок