Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего профессионального образования

«СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ГОРНО-МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ГОСУДАРСТВЕНННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)»

«Утверждаю»

Проректор по учебной работе,

проф. Габараев О.З.

«_»_2014 г.

ПРОГРАММА

вступительных испытаний в магистратуру по направлению подготовки 210100 - «Электроника и наноэлектроника»

на магистерскую программу «Наноэлектроника»

Разработана:

Д-р. тех. наук, Г.А. Мустафаев Согласована:

Директор по качеству ООО ВТЦ «БАСПИК», к.т.н. Алкацева Т.Д.

_ (подпись) «»2014 г.

Зав. кафедрой /_/ Козырев Е.Н.

(подпись) РассмотреноУМК СКГМИ (ГТУ) «_»_2014 г.

протокол № Председатель УМК_ Владикавказ - 2014 г.

Пояснительная записка Вступительные испытания по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника", на магистерскую программу «Наноэлектроника» (очная форма обучения) проводятся для лиц, желающих освоить программу специализированной подготовки магистра по данному направлению.

Цель вступительных испытаний заключается в определении уровня общей личностной культуры, профессиональной компетентности и готовности к освоению программы специализированной подготовки магистра в области электроники и наноэлектроники, поступающих в магистратуру.

Лица, желающие освоить программу специализированной подготовки магистра, должны иметь высшее профессиональное образование определенной ступени, подтвержденное документом государственного образца.

Лица, имеющие диплом бакалавра по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника", зачисляются на специализированную магистерскую подготовку на конкурсной основе. Условия конкурсного отбора определяются вузом на основе государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования бакалавра по данному направлению. Вступительные испытания проводятся в форме устного экзамена, включающего в себя разделы физики конденсированного состояния; твердотельной электроники и микроэлектроники; квантовой и оптической электроники, вакуумной и плазменной электроники, предусмотренные государственным образовательным стандартом подготовки бакалавра по данному направлению.

Лица, желающие освоить программу специализированной подготовки магистра по данному направлению и имеющие высшее профессиональное образование, профиль которого не указан выше, допускаются к конкурсу по результатам сдачи устного экзамена, включающего в себя разделы физики конденсированного состояния; твердотельной электроники и микроэлектроники; квантовой и оптической, вакуумной и плазменной электроники, необходимые для освоения программы подготовки магистра и предусмотренные государственным образовательным стандартом подготовки бакалавра по данному направлению.

Программа составлена на основе стандартов ФГОС ВПО.

Магистр по направлению подготовки 210100 - «Электроники и наноэлектроники», должен быть подготовлен к решению профессиональных задач в соответствии с профильной направленностью магистерской программы и следующим видам профессиональной деятельности:

• проектно-конструкторская;

• производственно-технологическая;

• научно-исследовательская;

• научно-педагогической.

Программа Наноэлектроника предусматривает расширение сферы компетенции в области электроники и наноэлектроники и включают в себя:

совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микрои наноэлектроники различного функционального назначения.

Содержание вступительного экзамена 1. Физика конденсированного состояния Электронные состояния в кристаллах Уравнение Шредингера для кристалла. Адиабатическое приближение.

Одноэлектронное приближение. Волновые функции Блоха. Физический смысл зоны Бриллюэна и ее построение. Свойства энергетического спектра электронов, энергетические зоны. Волновой вектор электрона, импульс, скорость. Эффективная масса электрона. Число и плотность состояний в энергетической зоне. Характер заполнения энергетических зон. Электроны и дырки. Металлы, полупроводники, диэлектрики.

Статистика электронов и дырок в полупроводниках Функция распределения Больцмана и Ферми-Дирака. Энергия Ферми, химический потенциал. Концентрация электронов и дырок. Собственный полупроводник, собственная концентрация свободных носителей. Уровни в запрещенной зоне, доноры и акцепторы. Зависимость положения уровня Ферми от температуры в собственном и примесном полупроводнике.

Вырожденный полупроводник. Уравнение электронейтральности.

Некомпенсированные и компенсированные полупроводники.

Контактные явления в полупроводниках Термодинамическая и истинная работа выхода. Контакт двух металлов. Связь между контактной разностью потенциалов и работой выхода.

Контакт металл-полупроводник. Образование контакта. Распределение концентрации основных носителей заряда. Уравнение Пуассона.

Неравновесные носители заряда, их диффузия и дрейф. Формула Эйнштейна.

Квазиуровень Ферми. Контакт дырочного и электронного полупроводников.

Образование области объемного барьера на границе двух полупроводников.

Уравнение Пуассона. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Емкость запорного слоя. Гетеропереходы.

Энергетические диаграммы гетеропереходов. Механизмы прохождения токов через гетеропереход.

Поверхностные явления в полупроводниках Поверхностные состояния, их природа. Энергетическая диаграмма поверхностной области полупроводника. Изгиб зон. Объединение, обогащение и инверсия. Эффект поля. Быстрые и медленные состояния.

Колебание атомов кристаллической решетки. Статистика фононов Спектр колебаний кристаллической решетки. Акустические и оптические колебания. Фононы. Энергия и импульс фонона. Статистика фононов.

Плотность состояний фононов. Теплоемкость кристаллической решетки, температура Дебая. Тепловое расширение твердых тел.

Гальваномагнитные, термоэлектрические и термомагнитные явления Эффект Холла. Термоэлектрические и термомагнитные явления.

Свойства твердых тел в сильных электрических полях. Эффект Ганна.

Оптические свойства полупроводников Оптические характеристики твердых тел. Механизмы поглощения света в полупроводниках. Закон сохранения энергии и волнового вектора при оптических переходах электрона. Собственное поглощение света. Прямые и оптические переходы. Электронное поглощение. Поглощение на глубоких и мелких примесях. Поглощение свободными носителями заряда.

Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда неравновесных носителей заряда. Центры рекомбинации. Люминесценция полупроводников.

Фотоэлектрические явления в полупроводниках фотопроводимость.

Спектральная и температурная зависимость фотопроводимости. Фото Э.Д.С. в полупроводниках.

Свойства диэлектриков Электропроводность диэлектриков. Поляризация диэлектриков. Вектор поляризации, электрическое поле в диэлектрике. Поляризуемость и диэлектрическая проницаемость. Основные механизмы поляризации в диэлектриках. Электронная, ионная и дипольная поляризация. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости. Спонтанная поляризация.

Пироэффект.

Сегнетоэлектрики. Сегнетоэлектрический фазовый переход.

Пьезоэлектрический эффект.

Полупроводниковые диоды Электрический переход в равновесном состоянии. Работа р-п перехода при внешнем напряжении. Контакт металл-полупроводник. Выпрямление на р-п переходе. Типы полупроводниковых диодов, классификация, технология изготовления. Выпрямительные низкочастотные диоды. Особенности выпрямительных высокочастотных диодов. Импульсные диоды. Туннельные Диоды Шоттки. Лавинопролетные диоды. Стабилитроны. Варикапы. Диоды Гана. Их назначение, параметры, ВАХ.

Биполярные транзисторы Устройство, классификация и система обозначения. Принцип действия транзистора. Схема включения транзистора с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Коэффициенты усиления транзистора. Входные и выходные характеристики транзисторов. Биполярные транзисторы ИМС.

Многоэмиттерные транзисторы.

Полевые транзисторы транзисторы с встроенным каналом. МДП транзисторы с индуцированным каналом. Полевые транзисторы с управляемым р-п переходом. Применение полевых транзисторов. МДП-транзисторы ИМС. Комплементарные структуры МДП - транзисторов.

Тиристоры: динисторы, тринисторы и симисторы Назначение, устройство и система обозначения тиристоров.

Принцип принцип действия тринисторов и симисторов.

Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы Полупроводниковые ИМС на биполярных и МДП структурах.

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции. Маршрутная технология биполярных интегральных схем. Базовая технология МДП-интегральных микросхем.

Активные и пассивные элементы ИМС. Гибридные ИМС. Технология тонкопленочных ГИС и микросборок: Технология толстопленочных ГИС.

Особенности технологии, разновидности, свойства, применение ИМС.

Схемотехнические структуры ИМС Разновидности структур цифровых ИМС. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ). Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ). Инжекционная интегральная логика (И Л). Схемотехника, свойства, применение.

МПД-логика: МДП-п, МДП-р, КМДП-логика. Схемотехника, свойства, применение. Структура аналоговых ИМС.

3. Квантовая и оптическая, вакуумная и плазменная электроника Полупроводниковые излучатели и фотоприемники Физические основы работы светоизлучательного диода. Конструкция и технология изготовления. Параметры и характеристики светоизлучательных диодов. Диоды с перестраиваемым цветом. Полупроводниковые лазеры.

Общие сведения о фотоприемниках с внутренним фотоэффектом.

Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы.

Квантовые усилители и генераторы Спонтанное и вынужденное излучение. Коэффициенты Эйнштейна.

Ширина спектральной линии. Уширение спектральной линии. Условия самовозбуждения квантового генератора. Методы создания инверсной населенности. Двух-, трех- и четырехуровневые схемы работы квантовых генераторов. Квантовые усилители: принцип действия, параметры, применение.

Оптические резонаторы Типы резонаторов. Добротность резонатора. Работа квантового генератора в режиме свободной генерации. Работа квантового генератора в режиме модуляции добротности.

Твердотельные, газовые и жидкостные лазеры Рубиновый и неодимовый лазеры. Гелий неоновый лазер. Лазеры на растворах органических красителей.

Термоэлектронная эмиссия, электровакуумные приборы Работа выхода электрона из твердого тела в вакуум. Основное уравнение термоэлектронной эмиссии. Распределение эмитированных электронов по начальным скоростям. Термоэлектронные катоды.

Разновидности термоэлектронных катодов, активированные катоды.

Конструкции термоэлектронных катодов. Долговечность катодов. Примеры использования в приборах вакуумной электроники. Вакуумные диоды, триоды. Многоэлектродные лампы.

Фотоэлектронная эмиссия, Внешний фотоэффект, основные законы. Фотоэлектронная эмиссия металлов и полупроводников. Эффективные фотокатоды. Вакуумные фотоприемники. Конструкция вакуумных фотоприемников, их характеристики и параметры. Применение вакуумных фотоприемников.

Вторичная электронная эмиссия Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Примеры использования в приборах вакуумной электроники. Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ):

конструкция, принцип действия, применение.

Автоэлектронная эмиссия Автоэлектронная эмиссия из металла и полупроводника.

Формирование и пространственное перемещение электронного потока, Электронный поток. Способ формирования электронных потоков различных интенсивностей. Электронный прожектор и электронная пушка.

Транспортировка электронного потока и способы его ограничения.

Электронные линзы.

Электронно-лучевые трубки. Конструкция электронно-лучевой трубки:

типы отклоняющих систем, экраны. Применение электронно-лучевых трубок:

типы развертки в электронно-лучевых трубка; осциллографические и телевизионные трубки.

Элементарные процессы в плазме. Основные методы генерации плазмы. Типы газовых разрядов. Общие свойства плазмы. Излучение плазмы. Плазма в магнитном поле.

Плазменные панели. Газоразрядные приборы, использующие дуговой разряд.

Вопросы к вступительному экзамену в магистратуру по направлению:

- «Электроника и наноэлектроника» (специализации: Электронные приборы и устройства», «Микро-и наноэлектроника», «Промышленная электроника») 1. Физика конденсированного состояния 1.Уравнение Шредингера для кристалла. Адиабатическое приближение.

Одноэлектронное приближение.

2.Волновые импульс, скорость. Эффективная масса электрона.

3.Физический Свойства энергетического спектра электронов, энергетические зоны.

Металлы, полупроводники, диэлектрики.

4.Функция распределения Болыдмана и Ферми-Дирака. Энергия Ферми.

Поверхность Ферми. Число и плотность состояний в энергетической зоне. Концентрация электронов и дырок в зонах.

5.Дефекты в кристаллах. Классификация дефектов. Точечные дефекты.

Собственные и примесные дефекты. Протяженные дефекты, дислокации.

6.Собственный свободных носителей. Уровни в запрещенной зоне, доноры и акцепторы.

Вырожденный полупроводник. Уравнение электронейтральности.

Некомпенсированные и компенсированные полупроводники.

7.Контакт барьера. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки.

Уравнение Пуассона.

8.Контакт на границе двух полупроводников. Поле и потенциал в р-п-переходе.

Уравнение Пуассона.

9.Гетеропереходы.

Механизмы прохождения токов через гетеропереход.

10.Природа диаграмма приповерхностной области полупроводника. Обеднение, состояния. Скорость поверхностной рекомбинации.

11.МДП-структуры.

Механизмы накопления и перераспределения заряда в МДП-структурах.

12.Спектр колебаний кристаллической решетки. Акустические и оптические колебания. Фононы. Энергия и импульс фонона. Статистика фононов. Плотность состояний фононов.

13.Теплоемкость твердых тел. Решеточная теплоемкость. Квантовая теория теплоемкости по Эйнштейну и Дебаю. Температура Дебая.

14.Тепловое происхождение. Теплопроводность твердых тел.

15.Гальваномагнитные, явления. Эффект Холла. Эффект Нернста. Эффект Эттингсгаузена.

16.Свойства твердых тел в сильных электрических полях. Эффект Ганна.

17.Оптические характеристики твердых тел. Механизмы поглощения вектора при оптических переходах электрона.

18.Люминесценция Рекомбинационная и внутрицентровая люминесценция.

19.Предпробойная и инжекционная электролюминесценция.

20.Типы фотоэффектов в полупроводниках. Собственная и примесная фотопроводимость. Спектральная и температурная зависимость фотопроводимости.

Фотомагнитный эффект.

22. Механизмы электропроводности диэлектриков, понятие об ионной и поляронной проводимости.

23.Поляризация диэлектриков. Вектор поляризации, электрическое поле в диэлектрике. Поляризуемость и диэлектрическая проницаемость.

24. Основные механизмы поляризации в диэлектриках. Электронная, диэлектрической проницаемости.

25.Спонтанная Сегнетоэлектрический фазовый переход. Пьезоэлектрический эффект.

2. Твердотельная электроника и микроэлектроника 1.Вольт-амперная характеристика р-п-перехода. Выпрямление на р-п переходе. Коэффициент выпрямления.

2.Полупроводниковые изготовления, обозначение.

3.Основные параметры полупроводниковых диодов.

4.Выпрямительные Особенности выпрямительных высокочастотных диодов.

5.Импульсные параметры, назначение.

6.Полупроводниковые детекторные диоды, переключательные диоды: основные параметры, назначение.

7.Лавинно-пролетные параметры, назначение.

8. Диоды с барьером Шоттки: основные параметры, назначение.

9. Пробой р-п-перехода. Виды пробоя.

10.Туннельные особенности, принцип действия, ВАХ, параметры, применение.

11.Стабилитроны, обозначение, параметры и применение.

12. Варикапы: основные параметры, назначение.

13.Биполярные технология и система обозначения.

14. Принцип действия транзистора. Физические процессы в биполярном транзисторе. Коэффициенты усиления транзистора. Схема включения транзистора с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.

15.Статические транзистора. Входные и выходные характеристики транзисторов.

h-параметры. Связь физических параметров транзистора с h-параметрами.

Назначение, устройство, и система обозначения тиристоров. Принципы действия и ВАХ динистора. Тринисторы и симисторы. Применение тиристоров.

и система обозначения.

19.Полевые Устройство, принцип работы, обозначение. Характеристики и параметры.

20. МДП - транзисторы. МДП транзисторы с встроенным каналом. МДП принцип работы, обозначение. Характеристики и параметры.

микросхемы. Классификация микросхем. Полупроводниковые ИМС на биполярных и МДП элементах. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции.

Гибридные ИМС.

Базовая технология МДП-интегральных микросхем. Активные и пассивные элементы IIMC.

25.Технология тонкопленочных ГИС и микросборок: Технология толстопленочных ГИС. Особенности технологии, разновидности, свойства, применение.

24.Схемотехнические Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ). Инжекционная интегральная логика (И Л). Схемотехника, свойства, применение.

25.Схемотехнические структуры ИМС на полевых транзисторах.

МДП-логика: МДП-п, МДП-р, КМДП-логика. Схемотехника, свойства, применение.

3. Квантовая и оптическая, вакуумная и плазменная электроника 1. Физические основы работы светоизлучательного диода. Конструкция светоизлучательных диодов. Индикаторы на основе светодиодов.

2.Электролюминесцентные порошковые электролюминесцентные излучатели: конструкция и технология изготовления.

фотоэффектом. Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы.

4.Квантовые линии. Уширение спектральной линии.

создания инверсной населенности. Двух- трех-и четырехуровневые схемы работы квантовых генераторов.

6. Квантовые усилители: принцип действия, параметры, применение.

7.Твердотельные, газовые и жидкостные лазеры. Рубиновый и неодимовый лазеры. Гелий-неоновый лазер. Лазеры на растворах органических красителей.

8. Полупроводниковые инжекционные лазеры.

9. Жидкокристаллические индикаторы.

10.Интегрально-оптическая излучения элементов интегральной оптики. Фокусирующие элементы интегральной оптики. Призменные и решеточные элементы связи.

стекловолокне. Принцип действия волоконно-оптических линий связи. Структурная схема и классификация. Оптическое соединение элементов.

12. Вакуумная электроника и электровакуумные приборы. Применение и перспективы развития. Преимущества и недостатки электровакуумных приборов по сравнению с твердотельной электроникой.

13. Термоэлектронная эмиссия. Работа выхода электрона из твердого тела в вакуум. Основное уравнение термоэлектронной эмиссии.

Распределение эмитированных электронов по начальным скоростям.

14.Термокатоды.

активированные катоды. Конструкции термоэлектронных катодов.

вакуумной электроники.

действия двухэлектродной лампы. Анодные и эмиссионные характеристики вакуумного диода. Параметры диода.

системе. Вакуумный триод. Характеристики триода. Семейство анодно-сеточных и сеточных характеристик. Многоэлектродные лампы.

законы. Фотоэлектронная эмиссия металлов и полупроводников.

Эффективные фотокатоды. Вакуумные фотоприемники: конструкция, параметры и характеристики.

18.Вторичная возникновения вторичной электронной эмиссии. Схема измерения Изменение коэффициента вторичной эмиссии при изменении угла падения первичных электронов.

19.Эффективные использования в приборах вакуумной электроники. Фотоэлектронный умножитель.

металла и полупроводника. Автоэлектронные катоды. Применение автоэлектронных катодов. Дисплеи с полевой эмиссией (PET).

21. Формирование и пространственное перемещение электронного потока. Электронный прожектор. Отклоняющие системы. Экраны.

22. Общие сведения об электронно-лучевых трубках. Типы развертки в электронно-лучевых трубках. Осциллографические и телевизионные трубки.

23.Общие сведения об электрическом разряде в газе. Типы газовых разрядов.

использующие тлеющий разряд. Неоновые лампы. Стабилитроны.

Газоразрядные приборы, использующие дуговой разряд.

Дополнительные вопросы по собеседованию в магистратуру (профиль:

1. Множество Парето.

2. Экспертные процедуры и задачи оценивания.

3. Метод ветвей и границ.

4. Конечно-автоматная интерпретация систем управления в вычислительной технике.

5. Топологические и функциональные базисные элементы реализации функций переходов и выходов устройств логического управления.

6. Использование аппарата дифференцирования модельных графов в решении оптимизационных задач.

7. Использование методов искусственного интеллекта в САПР.

8. Классификация математических моделей, используемых в САПР.

9. Организация баз данных и знаний в автоматизированных системах.

Ю.Структурный и параметрический синтез.

11. Стадии проектирования.

12. Методы случайного поиска.

13. Процедуры системного анализа.

Физико-технологические основы. М: Физматлит, 2006.

2.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов. - СПб.: Лань, 2009.

3.Казеннов Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем М.: Бином, 2009.

4.Драгунов наноэлектроники. Учебное пособие. - изд-во Логос, 2006.

5.Гуртов В.А., Осауленко Р.Н. Физика твердого тела для инженеров.

Учебное пособие. — М.: Изд-во Физико-математическая литература, 2007.

6.Воронков Э.Н., Гуляева A.M., Мирошникова И.Н., Чарыков Н.А.

Твердотельная электроника. Учебное пособие. Изд-во: ACADEMIA, 2009.

7. Винтайкин Б.Е. Физика твердого тела. Учебное пособие. Изд-во:

МГТУ им. Баумана, 2008.

8.Старосельский микроэлектроники. Учебное пособие. Изд-во: ЮРАИТ, 2011.

9. Тарасов Л.В. Физические основы квантовой электроники. Оптический диапазон. Изд-во: Либроком, 2010.

10.Удда Э. Волоконно-оптические датчики. Изд-во: Техносфера, 2008.

11.Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Введение в процессы интегральных микро-и нанотехнологий. В 2 томах. Изд-во: Бином, 2010.

12.Курочка СП., Кузнецов Г.Д., Курочка А.С. Вакуумная и плазменная электроника. Курс лекций. М: МИСиС, 2009.

Дополнительная литература 1. Сушков А.Д. Вакуумная электроника: Физико-технические основы.

Учебное пособие. - СПб.: Лань, 2004.

2. Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. Перевод с англ. под ред. А.Ю. Заболотной М.: Техносфера, 2004.

3.Рембеза СИ., Каргин Н.И. Физика твердого тела. Курс лекций.

Ставрополь.: Из-во СевКавГТУ, 2003 г.

4.Рембеза СИ., Синельников Б.М., Рембеза Е.С, Каргин Н.И.

Физические методы исследования материалов твердотельной электроники.

Учебное пособие. - Ставрополь: СевКавГТУ, 2002.

5.Светцов В.И., Смирнов С.А. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии. Учебное пособие. Из Иван. гос. хим.-технол. ун-т. - Иваново, 2002.

6.Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 2001.

7.Лачин В.И., Саволов Н.С Электроника. - Ростов-на-Дону: Феникс, 2001.

8.Щука А.А. Электроника. Учебное пособие. - СПб.: БХВ-Петербург, 2005.

9. Ермаков О.Н. Прикладная оптоэлектроника. М.: Техносфера, 2004.

10. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника Учебник для вузов. -М.: Высшая школа, 2001.

11. Горелик С.С, Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. - М.: МИСИС, 2003.

- «Квантовая и оптическая электроника»

1. Пихтин А.Н. Квантовая и оптическая электроника. Учебник - М:

Абрис, 2012.

2. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. Учебник - М: Лань, 2004.

3. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники. Учебник — М: Высшая школа, 2005.

4. Звелто О. Принципы лазеров. Учебник - М. Мир, 2005.

5. Иродов И.Е. Задачи по квантовой физике. Задачник Санкт-Петербург: Физматлит, 2005.

6. Щука А.А. Электроника. Учебник - Санкт-Петербург:

БХВ-Петербург, 2008.

7. Трофимова Т.И. Физика. Справочник с примерами задач. - М.

Высшее образование, - «Квантовые и оптоэлектронные приборы и устройства»

1. Айхлер Ю. Лазеры. Исполнение, управление, применение. Учебник.

- М: Высшая школа, 2008.

ЛОГОС, 2007. Электр. вер.

3. Иродов И.Е. Квантовая физика. Основные законы. Справочник Санкт-Петербург: Физматлит, 2005.

В.В. Оптическая электроника. Учебник - Санкт -Петербург: БХВ Петербург, 2008.

5. Ахманов С.А., Жаботинский М.Е. Квантовая электроника.

Справочник -М.: ЛОГОС, 2009.

6. Щука А.А. Электроника. Учебник - Санкт-Петербург:

БХВ-Петербург, 2008.

7. Трофимова Т.И. Физика. Справочник с примерами задач. - М.

Высшее образование, 2008.

- «Оптоэлектронные устройства на основе наноструктур»

1. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники. Учебник - М: Высшая школа, 2005.

2. Шубин Н.Е. От микроэлектроники к функциональной полимерной наноэлектронике. Учебник - Владикавказ: издат. СКГМИ (ГТУ), 2013.

Органические светоизлучающие диоды (OLED). - Нижний Новгород: Деком, 2011. Электр. вер.

характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Ульяновск: Ладья, 2006. Электр. вер.

5. Киреев В.В. Высокомолекулярные соединения. М.: Юрайт, 2013. экз.

6. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. - М.: Техносфера, 2005.

7. Пул Ч. Нанотехнологии. Учебник. - М.: Техносфера, 2006.

8. Дж.М. Мартинес-Дуарт, Р.Дж. Мартин-Палма. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники.

- «Процессы микро- и нанотехнологии»

1. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. - М.: Техносфера, 2005.

2. Мальцев П.П. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам. - М.: Техносфера, 2005.

Органические светоизлучающие диоды (OLED). - Нижний Новгород: Деком, 2011. Электр. вер.

4. Мальцев П.П. Нанотехнологии. Наноматериалы. Наноситстемная техника. -М.: Техносфера, 2008.

5. Ч. Пул - млю, Ф Оуэне. Нанотехнологии. - М.: Техносфера, 2010.

нанотехнологии. - М.: ЛОГОС, 2007.

Учебник. - М.: Техника, 2006.

- «Нанотехнологии»

Широкий взгляд на нанотехнологии. -М. Техносфера, 2012.

2. Алфимова М.М. Занимательные нанотехнологии. - М.: Юрайт, 2011.

нанотехнологии в технике. Учебник - М. Высшее образование, 2009.

4. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. - М.: Техносфера, 2005.

5. Пул Ч. Нанотехнологии. Учебник. - М.: Техносфера, 2006.

6. Мальцев П.П. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам. - М.: Техносфера, 2005.

нанотехнологии. - М.: ЛОГОС, 2007.

- «Физико-химические основы технологии наноэлектроники»

1. Лозовский В.Н., Г.С. Константинова. Нанотехнологии в электронике. Учебник. - М.: Высшее образование, 2009.

2. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. - М.: Техносфера, 2005.

3. Мальцев П.П. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам. -М.: Техносфера, 2005.

Органические светоизлучающие диоды (OLED). - Нижний Новгород: Деком, 2011. Электр. вер.

5. Алфимова М.М. Занимательные нанотехнологии. -М.: Юрайт, 2011.