АННОТАЦИЯ

ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ БАКАЛАВРОВ

Направление 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»

210100.62.04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»

Выпускающий институт: Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций

Выпускающая кафедра: «Физика полупроводников и наноэлектроника»

Руководитель ООП – заведующий кафедрой профессор Дмитрий Анатольевич Фирсов Цель и концепция программы Область профессиональной деятельности бакалавров включает: совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.

Цель программы по данному профилю – подготовка специалистов, способных на современном уровне проводить исследование, моделирование, разработку, производство и эксплуатацию полупроводниковых материалов, компонентов, приборов и устройств различного назначения твердотельной, микро- и нано- и оптоэлектроники.

Основой программы, реализуемой в СПбГПУ, являются труды ученых и преподавателей кафедры в областях физики собственных, примесных и неупорядоченных полупроводников, закономерностей неравновесных процессов в полупроводниках, физики и техника полупроводниковых приборных структур, оптически активных материалов, технологии полупроводниковых кристаллов, пленок, гомо- и гетероструктур, включая наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками.

Возможные места трудоустройства выпускников: университеты и институты Российской академии наук, организации и научно-производственные предприятия, разрабатывающие и производящие высокотехнологичную продукцию в области микро- опто- и наноэлектроники и полупроводниковых приборов Условия обучения Срок обучения – 4 года, форма – очная. Обучение возможно как по бюджету, так и по контракту.

Учебный план Основные дисциплины учебного плана:

1 курс: Иностранный язык; История; Философия; Математика. Математический анализ.

Аналитическая геометрия. Линейная алгебра; Физика; Химия; Физический практикум; Дополнительные главы физики; Актуальные проблемы наноэлектроники; Информатика; Информатика (лаб.); Введение в физику полупроводников; Семинар. САПР; Семинар. Системы передачи информации; Физическая культура 2 курс: Иностранный язык; Правоведение; Социология; Психология и педагогика; Русский язык и культура речи; Математика. Математический анализ; Физика; Физический практикум; Механика; Прикладная физика (лекц., упр.); Теория вычислительных систем; Теория вычислительных систем (лаб.); Численные методы; Численные методы (лаб.); Инженерная и компьютерная графика (лекц., лаб.); Теоретические основы электротехники; Физические основы электроники;

Схемотехника; Основы проектирования электронной компонентной базы; Семинар по физике полупроводников; Семинар по схемотехнике; Физическая культура 3 курс: Семинар на иностранном языке; Экономика и организация производства; Экология;

Теория вероятности и математическая статистика; Электродинамика; Квантовая механика; Метрология, стандартизация и технические измерения; Материаловедение; Экспериментальные методы исследования; Физика конденсированного состояния; Методы математической физики; Вакуумная и плазменная электроника; Физическая культура 4 курс: Семинар на иностранном языке; Культурология; Политология; Статистическая физика; Безопасность жизнедеятельности; Наноэлектроника; Основы технологии электронной компонентной базы; Физические свойства кристаллов; Твердотельная электроника; Физика полупроводников и наноразмерных структур; Физика сверхпроводников; Фотоэлектрические явления в полупроводниках; НИР в области полупроводниковых гетероструктур; НИР в области наноразмерных структур Профессорско-преподавательский персонал Высококвалифицированный профессорско-преподавательский персонал кафедры насчитывает 10 профессоров, д.ф.-м.н. и 14 доцентов, к.ф.-м.н. Ведущие ученые имеют различные награды и почетные звания (проф. Л.Е.Воробьев, лауреат Государственной премии СССР, лауреат премии им. А.Ф.Иоффе Правительства СПб и СПб научного центра РАН, заслуженный деятель науки РФ, почетный работник высшего профессионального образования, действительный член Академии естественных наук РФ и Академии инженерных наук РФ; профессор В.И.Ильин, заслуженный работник высшей школы РФ, действительный член Академии инженерных наук РФ.

Воробьев Л.Е., проф., д.ф.-м.н.

Вейс А.Н., проф., д.ф.-м.н., Зубкова Т.И., доц., к.т.н.

Гасумянц В.Э., проф., д.ф.-м.н., Зыков В.А., доц., к.ф.-м.н.

Ильин В.И., проф., д.ф.-м.н., Лыков С.Н., проф., к.ф.-м.н.

Квятковский О.Е., проф., д.ф.-м.н., Мусихин С.Ф., доц., к.ф.-м.н.

Равич Ю.И., проф., д.ф.-м.н., Прошина О.В., доц., к.ф.-м.н.

Рыков С.А., проф., д.ф.-м.н., Пшенай-Северин Д.А., доц., к.ф.-м.н.

Сидоров В.Г., проф., д.ф.-м.н., Пятышев Е.Н., доц.,к.ф.-м.н., Фирсов Д.А., зав. кафедрой, проф., д.ф.-м.н., Софронов А.Н., доц.,к.ф.-м.н., Шретер Ю.Г., проф., д.ф.-м.н., Радчук Н.Б., доц., к.ф.-м.н., Владимирская Е.В. доц, к.ф.-м.н., Ушаков А.Ю., доц., к.ф.-м.н., Гаврикова Т.А., доц., к.ф.-м.н. Шалыгин В.А., доц., к.ф.-м.н.

Елизарова М.В., доц., к.ф.-м.н. Паневин В.Ю., ст. преп.

Захарова И.Б., доц., к.ф.-м.н.

Возможные места практики и научно-исследовательской работы ФТИ им.А.Ф.Иоффе ОАО "ЦНИИ "Электрон ОАО "Позитрон" ОАО "Электронстандарт" ОАО "Магнетон" ГУП НПП "Электрон-оптроник" ЗАО Светлана-Рост".

Лаборатории и оборудование Современное технологическое и измерительное оборудование распределено по следующим лабораториям кафедры:

1. Учебно-исследовательская лаборатория «Методы экспериментального исследования полупроводников» (доц., к.ф.-м.н. В.А.Шалыгин) 2. Лаборатория оптики неравновесных носителей заряда в полупроводниках (проф., д.ф.-м.н. Л.Е.Воробьев, проф., д.ф.-м.н. Д.А.Фирсов) - взаимодействие оптического излучения с неравновесными электронами в полупроводниках и в квантово-размерных структурах, оптоэлектронные приборы на горячих носителях заряда и диагностика полупроводниковых материалов и наноструктур.

3. Лаборатория внутреннего фотоэффекта (проф., д.ф.-м.н. В.И.Ильин) - пленки и структуры на основе халькогенидов свинца и твердых растворов, размерно-квантованные структуры, процессы роста, взаимодействия дефектов, электрофизические, оптические и фотоэлектрические свойства.

4. Лаборатория сканирующей туннельной микроскопии и туннельной спектроскопии (проф., д.ф.-м.н. С.А.Рыков).

5. Научная группа высокотемпературной сверхпроводимости (проф., д.ф.-м.н.

В.Э.Гасумянц) - кинетические явления и зонный спектр керамик.

6. Научная группа оптической спектроскопии (проф., д.ф.м.н. А.Н.Вейс) - оптические явления в полупроводниках с участием примесных и дефектных состояний.

7. Лаборатория оптико-физических исследований (доц., к.ф.-м.н. А.Ю.Ушаков) - глубокие уровни в полупроводниках, устройства тепловидения.

8. Научная группа исследований широкозонных полупроводников (проф., д.ф.-м.н. В.Г.Сидоров).

9. Филиал кафедры физики полупроводников и наноэлектроники в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН (проф., д.ф.м.н. Ю.Г.Шретер – светоизлучающие диодные структуры на основе широкозонных нитридов). В рамках филиала возможна специализация в области теории полупроводников и полупроводниковых структур, в том числе структур с элементами размерного квантования (проф. Шретер Ю.Г., доц. Прошина О.В.).

Информационно-методическое обеспечение В фундаментальной библиотеке СПбГПУ имеется литература, необходимая для подготовки бакалавров по программе.