Программа вступительного испытания по специальности 05.27.01 «Твердотельная

электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на

квантовых эффектах»

Содержание программы

Раздел 1. Физика полупроводников

Природа химической связи в полупроводниках. Структура кристаллов. Идеальные и

реальные кристаллы. Дефекты в кристаллах. Свойства основных монокристаллических

материалов микроэлектроники: Si, GaAs, Ge.

Поликристаллические и амфорные полупроводники. Зонная теория твердого тела.

Энергетические спектры электронов в металлах, полупроводниках, диэлектриках. Зона проводимости и валентная зона. Эффективная масса электрона и дырки. Собственные и примесные полупроводники. Роль донорных и акцепторных примесей.

Основы статистической физики. Функция распределения Ферми-Дирака. Концентрация электронов и дырок в зонах. Температурные зависимости. Распределение Больцмана. Критерий вырождения электронного газа. Вырожденные и невырожденные полупроводники Рекомбинация носителей. Рекомбинация «зона-зона» и рекомбинация через примеси и дефекты. Теория рекомбинации Шокли-Рида. Диффузионная длинна и время жизни свободных носителей заряда. Поверхностная рекомбинация.

Электропроводность полупроводников. Поведение свободных носителей заряда в слабом электрическом поле. Взаимодействие с фононами, примесными атомами, дефектами.

Подвижность электронов и дырок. Условие электронейтральности. Диффузия и дрейф носителей заряда. Соотношение Эйнштейна. Свободные носители заряда в сильном электрическом поле. Горячие электроны. Лавинное умножение в полупроводниках.

Электрические домены и токовые шнуры. Эффект Ганна.

Уравнение для плотности электрического тока в полупроводниках. Уравнение непрерывности. Уравнение Пуассона.

Электронно-дырочный переход (р-n). Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда. Вольт-амперная и вольт-фарадная характеристики р-п перехода. Токи носителей заряда в р-n переходе, квазиуровни Ферми. Коэффициент инжекции. Генерация и рекомбинация носителей в р-п переходе. Барьерная и диффузионная мкость. Пробой р-n перехода: тепловой, лавинный, туннельный.

Гетеропереходы. Контакт металл-проводник. Омический и выпрямляющий переходы Шоттки.

Поверхностные состояния. Структуры металл-диэлектрик полупроводник (МДП).

Полевой эффект в МДП-структурах.

Теплопроводность полупроводников. Термоэлектрические явления. Термо- и гальвомагнитные эффекты. Эффект Холла.

Поглощение излучения в полупроводниках. Прямые и непрямые переходы носителей заряда. Виды люминесценции: инжекторная, катодо-фотолюминесценция.

Электролюминесценция порошковых и пленочных полупроводников Основные материалы оптоэлектроники: соединения А3В5 и А2В6.

Электро-, магнито- и акустооптические эффекты в твердых телах.

Раздел 2. Приборы твердотельной электроники и микроэлектроники Полупроводниковые диоды. Основные параметры и характеристики диодов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы. Импульсные и частотные свойства диодов.

Выпрямительные и импульсные диоды. Диоды с накоплением заряда. Варикапы.

Стабилитроны.

Туннельные и обращенные диоды Лавинно-пролетные диоды. Диоды Шоттки. Диоды Ганна. Диоды для СВЧ.

Биополярные транзисторы Структура и принцип действия. Распределение носителей в областях транзисторов. Эффект Эрли. Основные параметры и характеристики транзисторов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы и математические модели транзистора: модели Эберса-Молла, Линвилла, зарядовая. Импульсные и частотные свойства транзисторов. Работа транзистора при высоком уровне инжекции. Пробой транзистора и смыкание переходов. Шумы в транзисторах. Мощные транзисторы. СВЧ транзисторы.

Тиристоры, принцип их действия и классификация. Основные параметры и характеристики.

Полевые транзисторы МДП, с р-n переходом и с барьером Шоттки. Принцип действия.

Модуляция глубины канала. Основные параметры и характеристики полевых транзисторов.

Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Частотные и импульсные свойства полевых транзисторов. Шумы полевых транзисторов в диапозоне низких частот и на СВЧ. МДП транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. МНОП-структуры. Интегральные микросхемы. Элементы ИС: транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы в составе ИС.

Классификация ИС по конструктивно-технологическому и функциональному решению.

Цифровые и аналоговые ИС. Полупроводниковые ЗУ и микропоцессоры. Биполярные ТТЛ, ЭСЛ и И2 Л- схемы, МДП-ИС: с р- и п- каналами, К/МОП.

Приборы с зарядовой связью. Принцип действия, основные параметры и области применения.

Оптоэлектронные приборы. Назначение и области применения. Фотоприемники:

фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы, лавинные фотодиоды. Основные параметры и характеристики: фоточувствительность, обнаружительная способность, быстродействие.

Солнечные батареи. Полупроводниковые излучатели: светодиоды и лазеры. Приборы для систем отображения информации. Оптроны и оптоэлектронные интегральные схемы.

Термоэлектрические и гальваномагнитные полупроводниковые приборы. Твердотельные датчики, включая микроэлектронные преобразователи информации.

Акустоэлектроника, магнитоэлектроника, криоэлектроника (общее представление).

Функциональная электроника.

Раздел 3. Технологические процессы в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Определение кристаллографической ориентации полупроводников. Ориентированная резка, шлифовка и полировка пластин. Станки для полировки полупроводника.

Химическое травление и химическая полировка германия, кремния и арсенида галлия.

Химико-механическая полировка. Финишная очистка пластин. Методы контроля качества очистки. Пленарная технология. Физические основы процесса диффузии. Основные уравнения.

Граничные условия и расчетные формулы для наиболее важных частных случаев диффузии.

Практические методы проведения диффузионных процессов. Структурные схемы диффузионных печей.

Методы получения электронных и ионных пучков. Ионное легирование.

Плазмохимические и ионно-плазменные методы обработки полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. Дефекты, вносимые электронно-ионной обработкой, их устранение. Конструктивные схемы основных типов оборудования для электронно-ионной и ионно-химической обработки.

Эпитаксия. Практические методы эпитаксиального выращивания Si. Методы контроля эпитаксиальных слоев. Распределение примесей в эпитаксиальных слоях. Дефекты эпитаксиальных пленок. Получение эпитаксиальных гетеропереходов. Выращивание эпитаксиальных пленок А3В5. Оборудование для эпитаксиального наращивания пленок.

Сравнение газотранспортной, жидкофазной и молекулярной эпитаксии.

Термическое окисление кремния в парах воды, в сухом и влажном кислороде; распыление и конденсация окислов кремния в вакууме; анодное окисление; химическое осаждение окисла из газовой фазы. Маскирующая способность пленок двуокиси кремния. Заряженные примеси в пленках, методы изменения заряда пленок. Пленки нитрида кремния.

Получение тонких пленок термическим испарением в вакууме. Ионно-плазменное распыление. Химическое осаждение из газовой фазы. Оборудование для получения тонких пленок. Материалы тонкопленочной технологии.

Фотолитография. Основные типы оборудования для фотолитографии. Проекционная фотолитография. Фотошаблоны и их изготовление. Дефекты микросхем, связанные с фотолитографическими процессами.

Основы конструирования структуры полупроводниковых ИС. Методы изоляции элементов. Изопланарная технология, эпик-процесс, технология "кремний на изоляторе".

Структура и свойства элементов ИС.

Сборка и монтаж полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Корпуса полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Методы герметизации Бескорпусные приборы. Методы отвода тепла в мощных полупроводниковых приборах Тенденция развития планарной технологии Субмикронная технология.

Раздел 4.Основы наноэлектроники.

Структура и физические свойства атомно-чистых поверхностей. Технология получения низкоразмерных пленок и структур. Эффекты размерного квантования, "двумерный электронный газ". Особенности механических, электрофизических и оптических свойств наноразмерных пленок. Понятие о квантовых ямах в слоистых структурах. Полупроводниковые сверхрешетки и их приборные применения. Понятие о квантовых нитях и квантовых точках и перспективах их практического использования. Способы получения и структура "пористых" слоев Si и GaAs. Особенности люминесценции в "пористых" полупроводниковых материалах.

Рентгеновская и электронная литография наноразмерных элементов. Применения атомносилового и сканирующего туннельного микроскопов для нанолитографии и прецизионного контроля наноразмерных структур.

Раздел 5.Вопросы обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Организация контроля качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Методы измерения статических, динамических и импульсных параметров. Методы измерения шумовых характеристик полупроводниковых приборов. Методы контроля БИС и СБИС.

Виды производственных испытаний. Количественные характеристики надежности.

Эксплуатационная надежность. Надежность элементов ИС. Классификация и основные виды отказов. Механизм отказов. Статистические и физические методы анализа и прогнозирования отказов. Методы повышения надежности полупроводниковых приборов и ИС. Действие радиации на полупроводниковые приборы и микросхемы.

1. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. Высшее образование, Юрайт-Издат., 2009.

2. А.Н. Игнатов, Н.Е. Фадеева, В.Л. Савиных, и др. Классическая электроника и наноэлектроника. – М., Флинта: Наука, 2009, 728 с.

3. Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы. СПб. Лань, 2006. - 480 с.

4. Зи С.М. Физика в полупроводниковых приборов в 2-х книгах. -М., Мир, 1984 г., 964 с.

5. Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий. – М., Бином, 2010, 392 с.

6. Г.И. Зебрев. Физические основы кремниевой наноэлектроники. – М., МИФИ, 2008 г., 7. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам. Сборник статей под ред. П.П. Мальцева – М., Техносфера, 2005, 590 с.

8. Р.Маллер, Т.Кейминс. Элементы интегральных схем. М., Мир, 1989, 630 с.

9. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. - М. Наука, 1977.

10. Шалимова К.В. Физика полупроводников. -М., Энергия. 1976.

11..Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков. Полупроводниковые приборы, М., Энергоатомиздат 1990, 575 с.

12. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М.:Сов. Радио, 1980.

13. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. -М.: Сов. Радио, 1977.

14. Курносое А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Радио и связь, 1983.

15. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. -М: Радио и связь. 1983.

16. Валиев К.А., Раков А.В. Физические основы субмикронной литографии. -М: Радио и связь, 1984.

17. Ю.Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные микросхемы, материалы, приборы, изготовление. -М: Мир, 1985.

18. Броудай И.. Мерей Дж. Физические основы микротехнологии –М Мир, 1985.

19. Бургер Р.. Донован Р. Окисление, диффузия, эпитаксия -М Мио 1969.

20. Киреев В.Д., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. -М: Радио и связь, 1983.

21. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Конструирование и расчет микросхем и микропроцессов. -М: Радио и связь, 1986, 175с.

22. Сугано Т., Икома Т.. Такаэси Е. Введение в микроэлектронику -М Мир, 1988, 320с.

23. International conference on the physics of semiconductor, Seoul, Korea, 2010. J.Appl.Phys.

109, 102301 (2011) 24. Mechanisms of boron diffusion in silicon and germanium. S.Mirabello, D.De Salvador, E.Napolitani, E.Bruno, F.Priolo. J.Appl.Phys. 113, 031101 (2013).

25. Schottky barriers in carbon nanotube-metal contacts. Johannes Svensson and Eleanor E.B.Campbell. J.Appl.Phys. 110, 111101 (2011).

26. ZnO Schottky barriers and Omic contacts. Leonard J.Brillson and Yicheng Lu. J.Appl.Phys.

109, 121301 (2011).