[ Государственный Научный Центр
Российской Федерации
Федеральное государственное учреждение
Научно – производственный комплекс
«ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР»
МИЭТ
Научно – производственный
комплекс «Технологический Центр»
основан как университетский
исследовательский центр
Московского института
электронной техники в июне 1988 г.
В середине 1989 г. произведен
запуск основного комплекта технологического оборудования.
В начале 1990 г. освоены технологии и изготовление первых микросхем.
В июне 1994 г. постановлением Правительства Российской Федерации присвоен статус Государственного научного центра.
Основные направления деятельности:
ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ
- производственная практика;- дипломное и курсовое проектирование;
- специализированные учебные курсы:
проектирование специализированных БИС на основе БМК, технология микросистем - межвузовская программа подготовки разработчиков специализированных БИС;
- для осуществления высококвалифицированной подготовки студентов, аспирантов на базе ТЦ создана кафедра "Микроэлектроника и микросистемы".
В соответствии с тематикой последних разработок ТЦ, одной из профилирующих специальностей на кафедре является "Микро- и наноэлектроника".
Основные направления деятельности:
НАУЧНО –ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ
Разработки в области микроэлектроники микросистемной техники микроэлектронной аппаратуры нанотехнологий Основные направления деятельности:
ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
производство опытных образцов и малых серий специализированных БИС, интегральных сенсоров и МЭМС;изготовление опытных образцов и малых серий полупроводниковых приборов по нестандартным технологическим маршрутам.
изготовление фотошаблонов Площадь помещений полупроводникового производства: 2200 м в том числе класса “100”: 1000 м (обеспечены энергетической структурой и системой мониторинга микроклимата) Технологические возможности:
По производству:
КМОП БИС – 1,0 мкм;
БИКМОП БИС – 1,2 мкм;
MEMS – 2,0 мкм.
По разработке:
КБиМОП – 0,8 мкм.
Производственные возможности:
До 2000 пластин диаметром 100 мм в месяц.
Кристальное производство аттестовано на право изготовления изделий специального назначения.
В учреждении под контролем Представительства Заказчика реализовано производство ряда изделий с приёмкой «5».
Среди них полузаказные микросхемы на основе серии БМК 5503, микросхемы серии 1191 и 1192 для преобразователей Чистое помещение класса Участок технологических измерений Технологический контроль Участок напыления металлов Сборочное производство Основные направления деятельности
НПК ТЦ МИЭТ
- Новые конструктивно-технологические базисы для - Библиотеки элементов на основе разработанной технологии Микроэлектроника - САПР и средства макетирования для оперативной разработки - Новые типы быстродействующих БМК высокой степени Продукция и новые разработки «Технологический Центр»Интегрированная система проектирования Учебная версия САПР БИС "Ковчег 2.1" предназначенa для разработки КМОП БИС на основе младших типов базовых матричных кристаллов (К5503ХМ1, К5503ХМ2) В состав учебной версии САПР БИС "Ковчег 2.1" входят все основные подсистемы, необходимые для разработки и подготовки к производству полузаказной БИС, а именно:
система функционально-логического моделирования подсистема размещения ячеек на поле БМК;
подсистема синтеза топологии;
специализированный топологический редактор;
подсистема верификации;
подсистема расчета параметров топологии.
Интегрированная система проектирования - подготовка информации о проектируемой БИС в удобной для разработчика форме;
- создание математической модели БИС и анализ правильности ее функционирования;
- моделирование в семизначном алфавите в статическом и динамическом режимах с возможностью сравнения вычисленных и эталонных реакций;
- размещение логических элементов на поле базового матричного кристалла;
- автоматическое формирование топологии переменного слоя БИС;
- уточнение характеристик модели БИС с учетом топологии;
- проверка правильности функционирования проекта БИС при воздействии внешних факторов и подготовка информации для изготовления БИС.
Серия БМК 5503 гражданского и специального Серия 5503 базовых матричных кристаллов представляет собой набор универсальных устройств для реализации различных цифровых и цифро-аналоговых БИС с уровнем сложности до 10000 условных вентилей. Применение серии БМК обеспечивает значительное уменьшение габаритов и энергопотребления изделий, повышает их надёжность, резко сокращает номенклатуру применяемых микросхем.
Серия БМК 5507 – развитие серии Конструкция БМК Канальная структура 4-х транзисторная ячейка 2 слоя разводки горизонтальный – polySi шаг металла 4,8 мкм длина канала 1,8 мкм 1 зашивочный слой технология обеспечивает повышенную устойчивость к спецфакторам Серия двухметальных БМК 5508 имеет структуру "море вентилей" и рабочую частоту до 100 МГц. Серия БМК 5509 на структурах «кремний на изоляторе»
имеет повышенную устойчивостью к воздействию одиночных ядерных частиц.
Прогнозируемые характеристики стойкости БИС к спец.факторам Воздействующий характеристики И Серия БМК 5521 гражданского и специального назначения объёмом до 1000 000 усл. вентилей Освоение в производстве:
2010г.- в гражданском исполнении.
2012г.- по ОСТ В 11 0998-99 (план) Производство чипов: ОАО «Микрон»
4 типа БМК: 120, 250, 500 и 1000 тыс. усл.
вентилей.
Технология КМОП – 0.18 мкм.
Полная совместимость по библиотекам элементов с сериями БМК 5503,5507,5508,5509.
Отечественная САПР.
Номинальное значение напряжения питания микросхем Ucc=3В10%.
Быстродействие триггера в счётном режиме Технология разработки аппаратуры специального назначения БМК-ПЛИС-БМК
САПР САПР
“КОВЧЕГ” разработанных и изготовленных НПК “Технологический центр” МИЭТ Аппаратура интегрированная система управления космической платформы Система управления разгонным блоком “Бриз-М” и “1200” Бортовая телеметрическая система “Пирит” БЦВМ, входящая в состав модифицированного варианта ракеты – носителя “СоюзТМА” Вычислительный комплекс для космического аппарата “Метеор-3М” Аппаратура спутниковой навигации космической системы “Лиана” Бортовая ЦВМ системы аварийной защиты ракеты-носителя “Союз-2” Бортовая система управления движением МВС-4 для самолётов С-37, Бе-200, МИГ-АТ Бортовая вычеслительная система для космического аппарата “Ресурс-ДК” Электронно-вычислительная машина “Багет-НЦ” Аппаратура бортовых систем серии космических аппаратов “Экспресс” Бортовая аппаратура самолёта ТУ- Элементная база в космической аппаратуре По данным международных аналитиков, общее количество запусков в мире (на все орбиты – низкие, средние, геостационарные и геопереходные) в 2004 году распределилось следующим образом:на долю России пришлось 42,6%, США – 29,6%, Китай – 14,8%, Европейской космическое агентство – 5,6%, Индия – 1,9%, по программе «Морской старт» - 5,6%.
Среди пусков российских ракет-носителей доля РН «Протон-М» / разгонный блок «Бриз-М» составила 20%.
Таким образом, 8,5% от общего количества запусков в мире за год было осуществлено с применением микросхем серии 5503, разработанных и изготовленных в НПК «Технологический центр»
Основные направления деятельности
НПК ТЦ МИЭТ
- Микросистемы анализа физических воздействий Микросистемная техника - Специальная элементная база обработки информации - Интеллектуальные микродатчики физических величин иПЕРСПЕКТИВНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ И
ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И
РАЗРАБОТОК КРЕМНИЕВЫХ МИКРОСИСТЕМ
преобразователей.Перспективы применения в спецтехнике.
основе для сверхминиатюрных летательных аппаратов.
Интегральный преобразователь давления ИПД 5. Электрическая схема ЧЭД5. 3, 6 - Uвых.
Интегральный преобразователь давления ИПД ЧЭД5. 3, 6 - Uвых.
Чувствительный элемент датчика давления основание Тензомодули абсолютного давления ТДМ-А Тензомодуль ТДМ-А предназначен для измерения абсолютного давления газовых неагрессивных сред. В тензомодуле применяется чувствительный элемент давления (ЧЭД), представляющий собой сборку из кристалла интегрального преобразователя давления ИПД и кремниевых деталей конструктивного назначения. Тип кристалла зависит от номинального значения давления. В процессе сборки ЧЭД между кристаллом ИПД и кремниевой прокладкой формируется вакуумная полость.
ЧЭД приклеивается к металлическому основанию, в которое впаяны металлостеклянные выводы. К объему с измеряемым давлением тензомодуль подсоединяется через штуцер в крышке корпуса диаметром 4,8 мм.
Тензомодули дифференциального давления ТДМ -Д 12, Тензомодули избыточного давления и разрежения Интегральные балочные преобразователи Концентраторы механических напряжений Тензорезисторы Электрическая схема
«