[ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ)
УНИВЕРСИТЕТ
УТВЕРЖДАЮ:
Составлена в соответствии с федеральными
Проректор по научной работе
Государственными требованиями к структуре
_ П.С. Аветисян основной профессиональной образовательной «» 20г.
программы послевузовского профессионального образования (аспирантура) Институт: Математики и высоких технологий Кафедра: Общей физики и квантовых наноструктур Учебная программа подготовки аспиранта ДИСЦИПЛИНА: ОД.А. Основные вехи развития электроники _ наименование дисциплины по учебному плану подготовки аспиранта Физика полупроводников 01.04. -Шифр наименование научной специальности Программа одобрена на заседании кафедры протокол № от 20 г.
Утверждена Ученым Советом РАУ протокол № от 20_г.
Заведующий кафедрой _ д.ф.м.н., профессор Саркисян А.А.
Подпись И.О.Ф, ученая степень, звание Разработчик программы _ д.ф.м.н., профессор Казарян Э.М.
Подпись И.О.Ф, ученая степень, звание Ереван 1. Аннотация. Настоящая рабочая программа обязательной дисциплины “Основные вехи развития электроники” послевузовского проффесионального образования ориентирована на аспирантов физико-технического факультета РАУ по специальности 01.04.10. физика полупроводников.
В курсе излагается развитие электроники начиная с раннего этапа до современности в исторической последовательности их возникновения. Рассмотриваются методологические вопросы истории науки и обсуждается влияние различных сторон общественной жизни на развитие электроники. Специальное место отведено также современным тенденциям развития наноэлектроники.
Цель преподавания дисциплины: ознакомление аспирантов с историческими основами и нормами, с научным анализом условий, определяющих ход ее развития на отдельных исторических этапах (радиоэлектроника, микроэлектроника, наноэлектроника).
Учебная задача: Подготовка молодого ученого, умеющего в современную эпоху экспоненциального развития электроники, правильно соорентироваться в огромном количестве истинно научных представлений.
Основные методы проведения занятий: лекции, реферативные работы.
Список литературы: содержит 9 наименований книг и монографий, обеспечивающих систематичность и целостность обучения.
2. Требования к исходным уровням знаний и умений аспирантов.
“Квантовая теория твердого тела”, “Физические основы наноэлектроники”, “Твердотеланая электроника” 3. Требования к уровню освоения содержания дисциплины.
После изучения дисциплины аспирант должен:
знать основные этапы развития и современные достижения электроники, иметь представление об основных особенностях развития современной физики.
4. Трудоемкости дисциплины и видов учебной работы по учебному плану.
Лекции (минимальный объем теоретических знаний) 1/ Семинар Практические занятия Другие виды учебной работы (авторский курс, учитывающий результаты исследований научных школ Университета, в т.ч.
региональных) 5. Содержание дисциплины Глава 1 Радиоэлектроника 1 Заявка исследователя Ли де Фореста на изобретенную им конструкцию электронной лампы-вакуумного триода (1906г., 1ч.
Первая королева) 2 Физические ограничения применения электронных ламп в радиоэлектронике Глава 2. Полупроводниковая электроника-микроэлектроника 1 Создание твердотельного полупроводникового усилителя электрических сигналов (1947г., У. Шокли, Дж. Бардин, У. 2ч.
2 Транзистор-элементная база полупроводниковой электроники.
Главные особенности транзистора 4 Биполярные транзисторы. Принцип работы биполярного транзистора. Быстродействие транзистора 5 Полевой транзистор. Принцип работы, основные параметры:
крутизна, быстродействие 6 Пути совершенствования биполярных и полевых транзисторов 1ч.
Введение – определение нанонауки и нанотехнологии (“Внизу много места” Р. Фейман, 1959) Элементная база наноэлектроники – “гетеропереход”, типы гетеропереходов, примеры Классификация низкоразмерных структур и наноматериалов:
квантовых ям, проволок, точек, сверхрешеток. Энергетический спектр носителей заряда, плотность состояний Интерференционные эффекты в наноструктурах. Эффект Технология создания наностроктур (эпитаксиальные методы, методы зондового сканирования, нанолитография) 6. Образовательные технологии В процессе обучения применяются следующие образовательные технологии:
1. Сопровождение лекций показом визуального материала.
2. Проведение лекций с использованием интерактивных методов обучения.
7. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины Учебно-методические и библиотечно-информационные ресурсы обеспечивают учебный процесс и гарантируют качественное освоение аспирантом образовательной программы. Университет располагает обширной библиотекой, включающей научноэкономическую литературу, научные журналы и труды научно-практических конференций по основополагающим проблемам науки и практики управления.
1. Электроника: прошлое, настоящее, будущее, Сб. ст. перевод с англ., М., 1979.
2. Левиншейн М.Е., Симин Г.С. “Знакомство с полупроводниками”, библиотека “Квант”, вып.33, М., Наука, 1984.
3. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. “Барьеры”, библиотека “Квант”, вып. 65, М., 5. Федотов А.Я. ”Основы физики полупроводниковых приборов”, 2 изд., М., 1969.
6. Мейндл Дж. “Элементы микроэлектронных схем”, УФН,, т.127, в. 2, 1979.
7. Интегральные схемы, перевод с англ., М., 1970.
8. Алферов Ж.И. “Гетеропереходы в полупроводниковой электронике”, в кн.
“Физика сегодня и завтра” под ред. Тучкевича В.Н., Л., 1973.
9. Шишкин Г.Г., Агеев И.М. “Наноэлектроника. Элементы, приборы устройства”, М., Изд. Бином, 2011.
7. 2. Интернет-ресурсы 1. http://www.scholar.google.com 2. http://adsabs.harvard.edu
«