«МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по организации и проведению итоговой государственной аттестации бакалавров и магистров по профилю подготовки Наноинженерия Под редакцией заслуженного деятеля науки РФ, Член-корреспондента РАН, ...»

Иллюстративный материал выполняется с целью демонстрации при защите ДМ основных моментов работы, отражающих суть выполненных теоретических исследований и прикладных разработок, выводов и рекомендаций. В приложении Б 8 приведен пример оформления графического материала ДМ.

Иллюстративный материал выносится на защиту ДМ либо на бумажном носителе (формат листов А1 ГОСТ 2.301), либо в мультимедийном виде (в виде слайдов) с распечаткой раздаточного материала. Допускается использование кино- и видеороликов. Для одной ДМ допускается сочетание разных форм подачи иллюстративного материала.

Графический материал, предусмотренный заданием на ДМ, выполняется в соответствии с требованиями государственных стандартов единой системы конструкторской и технологической документации.

Диссертационная работа, выполненная в виде проекта, состоит из пояснительной записки и графической части. Графический материал оформляется в соответствии с требованиями государственных стандартов единой системы конструкторской и технологической документации.

Правила оформления диссертации магистра и иллюстративных материалов аналогичны требованиям, предъявляемым к бакалаврским работам (п.2.6), приложение В.

Магистерская диссертация должна содержать следующие структурные части:

перечень условных обозначений (при необходимости);

общую характеристику работы;

основную часть, разбитую на главы, в которой приводят анализ научной литературы, описание использованных методов, оборудования и материалов, а также сущность и основные результаты исследования;

библиографический список;

приложения (при необходимости).

Титульный лист диссертации оформляется согласно приложению Б 6.

Название диссертации должно быть кратким, определять область проведенных исследований, отражать их цель и соответствовать содержанию диссертации. В названии диссертации следует избегать использования усложненной терминологии и сокращений, аббревиатур. Не рекомендуется начинать название диссертации со слов: "Изучение процесса...", "Исследование некоторых путей...", "Разработка и исследование...", "Некоторые вопросы...", "Материалы к изучению...", "К вопросу..." и тому подобных.

Оглавление дается в начале диссертации и включает в себя названия ее структурных частей ("Перечень условных обозначений", "Введение", "Общая характеристика работы", названия всех глав, разделов и подразделов, "Заключение", "Библиографический список", "Приложения") с указанием номеров страниц, на которых размещается начало изложения соответствующих частей диссертации.

В разделе "Введение" обосновывается актуальность темы, определяется ее цель, формулируются задачи, которые необходимо решить для достижения поставленной цели, выбираются методы исследования.

Раздел "Общая характеристика работы" содержит следующие подразделы:

- "Связь работы с крупными научными программами (проектами) и темами";

- "Цель и задачи исследования";

- "Положения, выносимые на защиту";

- "Личный вклад соискателя";

- "Апробация результатов диссертации";

- "Опубликованность результатов диссертации";

- "Структура и объем диссертации".

Название каждого подраздела выносится в отдельный подзаголовок.

В подразделе "Цель и задачи исследования" формулируется цель работы и задачи, которые необходимо решить для ее достижения. Не следует формулировать цель как "Исследование...", "Изучение...", так как эти слова указывают на процесс достижения цели, а не на саму цель. В этом же подразделе указывается объект и предмет исследования и обосновывается их выбор.

В подразделе "Положения, выносимые на защиту" в сжатой форме отражается сущность и новизна полученных научных результатов. В формулировке положений, выносимых на защиту, должны содержаться отличительные признаки новых научных результатов, характеризующие вклад соискателя в область науки, к которой относится тема диссертации. Они должны содержать не только краткое изложение сущности полученных новых результатов, но и сравнительную оценку их научной и практической значимости.

В подразделе "Личный вклад магистранта" должно быть отражено разграничение вклада соискателя в научные результаты, вошедшие в диссертацию, от вклада соавторов совместных публикаций.

В подразделе "Апробация результатов диссертации" указывается, на каких конференциях, семинарах и т.п. были доложены результаты исследований, включенные в магистерскую диссертацию.

В подразделе "Структура и объем диссертации" кратко излагается структура работы и поясняется логика ее построения. Приводится полный объем диссертации в страницах, объем, занимаемый иллюстрациями, таблицами, приложениями (с указанием их количества), а также количество использованных библиографических источников (включая собственные публикации соискателя).

Основная часть материала диссертации излагается в главах, в которых приводятся:

- аналитический обзор литературы по теме, обоснование выбора направления исследований, общая концепция работы;

- описание объектов исследования и используемых методов исследования;

- изложение теоретических и (или) экспериментальных исследований.

В аналитическом обзоре литературы магистрант приводит очерк основных этапов развития научных представлений по рассматриваемой проблеме. Сжато, критически осветив известные ему в этой области работы, магистрант должен определить свое место в решении проблемы.

В основной части дается обоснование выбора принятого направления исследования, методы решения задач и их сравнительные оценки, разработка общей методики проведения исследований. В теоретических работах излагаются методы расчетов, рассматриваемые гипотезы, в экспериментальных - принципы действия и характеристики разработанной аппаратуры, оценки погрешностей измерений.

При описании собственного исследования автор магистерской диссертации должен выделить то новое, что он вносит в разработку проблемы (задачи) или развитие конкретных направлений в соответствующей отрасли науки. Весь порядок изложения в диссертации должен быть подчинен цели исследования, сформулированной автором. Дробление материала диссертации на главы, разделы, подразделы, а также их последовательность должны быть логически оправданными. При написании диссертации следует избегать общих слов и рассуждений, бездоказательных утверждений. Результаты исследований необходимо излагать в диссертации сжато, логично и аргументировано.

При написании диссертации магистрант обязан делать ссылки на источники, из которых он заимствует материалы или отдельные результаты. Не допускается пересказ текста других авторов без ссылок на них, а также его цитирование без использования кавычек.

Каждую главу диссертации следует завершать краткими выводами, которые подводят итоги этапов исследования и на которых базируется формулировка основных научных результатов и практических рекомендаций диссертационного исследования в целом, приводимые в разделе "Заключение".

Раздел "Заключение" содержит формулировку отличительных признаков научных результатов. Во втором подразделе обсуждаются возможности практического применения полученных результатов. В нем же могут быть обсуждены перспективы дальнейшего развития данного научного направления. При наличии актов, справок об использовании (внедрении) полученных результатов, других материалов, относящихся к объектам интеллектуальной собственности, зарегистрированным в установленном порядке, в соответствующих пунктах этого подраздела следует делать ссылки на эти документы.

Раздел "Библиографический список" должен включать два подраздела: "Список использованных источников", содержащий перечень источников информации, на которые в диссертации приводятся ссылки, и "Список публикаций магистранта", в котором приводятся библиографические сведения о публикациях соискателя академической степени "магистр" по теме диссертации.

В раздел "Приложения" включается вспомогательный материал. Он формируется в случае необходимости более полного раскрытия содержания и результатов исследований, оценки их научной и практической значимости. Число приложений определяется автором диссертации.

В этот раздел включаются:

- промежуточные математические доказательства, формулы и расчеты, оценки - исходные тексты компьютерных программ и краткое их описание;

таблицы и иллюстрации вспомогательного характера;

- документы или их копии, которые подтверждают научное и (или) практическое применение результатов исследований или рекомендации по их использованию.

Оформление автореферата является заключительным этапом выполнения диссертационной работы перед представлением ее к защите. Цель автореферата ознакомление с содержанием и результатами магистерской диссертации широкого круга научных, научно-педагогических и научно-исследовательских учреждений, организаций, членов ГАК и др. заинтересованных лиц.

Автореферат достаточно полно раскрывает содержание диссертации, не содержит излишних подробностей, а также информации, которая отсутствует в диссертации.

Объем рукописи автореферата магистра (без учета обложки и списка публикаций) должен составлять 1 печатный лист (16 страниц).

Структура автореферата. Автореферат содержит следующие обязательные компоненты:

сведения, приводимые на лицевой стороне обложки, общую характеристику работы, основное содержание, заключение, список публикаций магистранта по теме магистерской диссертации.

Автореферат титульного листа не имеет. Лицевая и оборотная стороны обложки автореферата оформляется согласно приложениям Б4 и Б5.

Общая характеристика работы должна включать следующие разделы: актуальность темы диссертации; цель и задачи исследования; (объект и предмет исследования, методы проведенного исследования); научная новизна и значимость полученных результатов;

практическая значимость полученных результатов; основные положения, выносимые на защиту (не более трех); апробация результатов диссертации; опубликованность результатов;

структура и объем диссертации.

В основном содержании кратко излагается содержание глав диссертации.

Заключение, приводимое в автореферате, должно содержать выводы, приведенные в диссертации.

Общая характеристика работы и заключение, приводимые в автореферате, должны дословно воспроизводить соответствующие разделы диссертации без изъятий или дополнений. Номера ссылок в заключении приводятся в соответствии со списком публикаций соискателя по теме диссертации, помещенным в автореферате.

Список публикаций соискателя по теме диссертации включает в себя все работы по теме диссертации, а также работы, подтверждающие практическую значимость результатов.

Автореферат магистерской диссертации печатается в виде брошюры в количестве, определяемом выпускающей кафедрой по специальности магистерской подготовки. Формат издания автореферата - А5. Текст печатается на обеих сторонах листа. На автореферате должны быть указаны выпускные данные согласно ГОСТ 7.4-95. Пример титульного листа автореферата приведен в приложениях Б 4 и Б 5.

Все экземпляры автореферата диссертации, подготовленные к рассылке, должны быть подписаны автором магистерской диссертации на первом листе.

Защита ДМ осуществляется на заседании Государственной аттестационной комиссии по соответствующей основной образовательной программе высшего профессионального образования.

Защита ДМ производится в соответствии с Положением о Государственных аттестационных комиссиях высших учебных заведений.

К защите ДМ допускаются студенты, выполнившие все требования учебного плана.

Расписание работы ГАК, согласованное с председателем ГАК и утвержденное деканом факультета, доводится до общего сведения студентов не позднее, чем за две недели до начала защит ДМ.

Не позднее, чем за две недели до защиты дипломник обязан сдать в деканат зачетную книжку, а также письменно засвидетельствовать свое согласие о правильности проставленных в справке деканата оценок.

В ГАК до начала защиты ДМ предоставляются следующие документы:

- справка деканата о выполнении студентом учебного плана;

- отзыв научного руководителя ДМ;

Защита ДМ происходит на открытом заседании ГАК в такой последовательности:

зачитывается справка деканата;

доклад диссертанта (15...20 мин);

ответ диссертанта на вопросы членов ГАК, а также всех желающих;

оглашение отзыва научного руководителя и рецензии;

заслушиваются ответы диссертанта на замечания рецензента.

В докладе диссертанту следует изложить важнейшие этапы, особенности и результаты работы, не вдаваясь скрупулезно в тонкости конкретных технических решений, четко сформулировать конечные результаты.

Вопросы, задаваемые диссертанту, могут касаться деталей выполненного проекта, либо общих теоретических положений, связанных или несвязанных с темой проекта, в пределах существующих учебных программ.

Решение комиссии принимается простым большинством голосов на закрытом заседании ГАК. Результаты защиты ДМ определяются оценками "отлично", "хорошо", "удовлетворительно", "неудовлетворительно". При оценке работы учитывается качество выполнения и оформления проекта, уровень защиты проекта и ответов на вопросы, мнение руководителя и рецензента. ГАК может принять решение о выдаче диплома с отличием, а также рекомендовать защитившего диплом к поступлению в аспирантуру.

Защита проекта может быть проведена на иностранном языке. В этом случае на заседание ГАК приглашается переводчик или преподаватель кафедры ИНО, а защищающийся представляет членам ГАК текст своего выступления, отпечатанный на русском языке.

3.8. Требования к государственному экзамену магистра Порядок проведения и программа государственного экзамена определяются вузом на основании методических рекомендаций и соответствующих примерных программ, разработанных УМО по образованию в области наноинженерии, Положения об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений, утвержденного Минобразованием России, и государственного образовательного стандарта.

Уровень требований, предъявляемых на государственных экзаменах в магистратуре, должен соответствовать уровню требований на вступительных экзаменах в аспирантуру или кандидатских экзаменах по непрофилирующим дисциплинам для научных специальностей [27]:

05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах;

05.27.02 Вакуумная и плазменная электроника;

05.27.03 Квантовая электроника;

05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники;

01.04.03 Радиофизика;

01.04.04 Физическая электроника;

01.04.07 Физика конденсированного состояния;

01.04.10 Физика полупроводников 01.04.21 Лазерная физика.

Примерная программа государственного экзамена по направлению «Нанотехнология»

с профилем подготовки «Наноинженерия» для магистров приведена в приложении Б 1.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Спектр работ в области наноинженерии чрезвычайно широк. Обилие направлений, новых принципов, методов, технологий и материалов, привлекаемых для создания наноэлектроных устройств, открывает широкий простор для применения сил и таланта юношей и девушек, специализирующихся по профилю подготовки «Наноинженерия».

Данное пособие поможет им конкретизировать и эффективно организовать свою работу на заключительном этапе соответствующего уровня высшего образования.

Важнейшим достоинством профиля подготовки «Наноинженерия» является ее высокая наукоемкость в сочетании с тесной связью с современным промышленным производством. Фундаментальные законы физики, химии, биологии и других наук, управляющие электронными и атомными процессами в материальных объектах, используются для создания наноэлектронных компонентов, технологий их изготовления, контрольно-диагностических систем и сложнейших объектов микросистемной техники.

Однако, в настоящее время, мы находимся на таком этапе развития, когда, прежде чем использовать тот или иной физический процесс или объект в инженерных приложениях, требуется его всесторонне исследовать. Только органическое соединение качеств исследователя и инженера-проектировщика позволит отечественной науке и технике в области наноразмерных систем выйти на передовые позиции в этом судьбоносном для развития не только страны, но и цивилизации направлении.

Эти особенности профиля подготовки «Наноинженерия» открывают выпускнику широкие перспективы активного участия в глобальном научно-техническом прогрессе и дают возможность в полной мере раскрыть свои творческие способности.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Федеральный закон от 10.07.1992 N 3266-1 «Об образовании» (с изменениями и дополнениями).

2 Федеральный закон от 22.08.1996 N 125-ФЗ «О высшем и послевузовском профессиональном образовании» (с изменениями и дополнениями).

3 Типовое положение об образовательном учреждении высшего профессионального образования (высшем учебном заведении), утвержденное постановлением Правительства РФ от 14 февраля 2008 г. N 71.

4 Положением об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений Российской Федерации, утвержденным приказом Минобразования России от 25.03.2003 № 5 Дипломное проектирование: методические указания. И.П. Бушминский, Е.М. Парфенов, В.А. Шахнов, В.В. Чермошенский. /Под ред. В.А. Шахнова.- М.: Изд-во МГТУ им.

Н.Э.Баумана, 1998, - 51 с.

6 Соломонов Л.А., Парфенов Е.М., Багдасарьян Н.Г. Методические рекомендации по дипломному проектированию для студентов факультета «Информатика и системы управления /Под ред. В.Н. Четверикова. -М,: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 1995. – 23 с.

7 Парфенов Е.М., Мысловский Э.В. Предпроектные исследования при конструировании электронных средств: Учебное пособие. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2000. – 8 ГОСТ 7.32-2001 "Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления", 9 ГОСТ 7.1-2003 "Библиографическое описание документа" 10 Неволин В. Зондовые нанотехнологии в электронике. М.: Техносфера. 2005 – 152 с.

11 Мартинес-Дуарт Д.М.,Мартин-Пилма Р.Д., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микрои оптоэлектроники. М.: Техносфера. 2007. – 368 с.

12 Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. М.: логос.

13 Введение в физику зарядовых и размерных эффектов. Поверхность, кластеры; Погосов В.В.; ФИЗМАТЛИТ; 2006 г.; 500; 328 стр.

14 Норенков И.П. Основы автоматизированного проектирования: Учебник для вузов.- 3-е изд., перераб. и доп.- М.: Изд-во МГТУ им.Н.Э. Баумана, 2006.- 446 с.

15 Шахнов В.А., Панфилов Ю.В., Власов А.И. и др. Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. – М.: МГТУ им.Н.Э.Баумана. 2008. – 100 с.

16 Немудров В., Мартин Г. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие.- М.:

Техносфера, 2004.- 212 с.

17 «Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника». Сборник статей под редакцией П.П. Мальцева, М., Техносфера, 2006.

18 Пул Ч. (мл.), Оуэнс Ф. Нанотехнологии: Учеб. пособие для вузов: Пер. с англ. / Ред. пер.

Головин Ю.И.; Доп. Лучинин В.В.- 2-е изд., доп.- М.: Техносфера, 2006.- 334 с.

19 Фрайден Дж. Современные датчики: Справочник: Пер. с англ. / Пер. Заболотная Ю.А.;

Ред. пер. Свинцов Е.Л.- М.: Техносфера, 2006.- 588 с.

20. Кузин Ф. А. Кандидатская диссертация. Методика написания, правила оформления и порядок защиты: практ. пособие для аспирантов и соискателей учен. степ. / Кузин Ф. А. – 5-е изд., доп. – М.: Ось-89, 2000.– 224 с.

21. Кузин Ф. А. Магистерская диссертация. Методика написания, правила оформления и процедура защиты: практ. пособие для студентов-магистрантов / Кузин Ф. А. – М.: ОСЬс..

22. Научные работы: Методика подготовки и оформления. /Авт-сост. И. Н.Кузнецов. – 2-е изд., перераб. и доп. – Мн.:Амалфея, 2000. – 544 с.

23. Леднев В. С. Научное образование: развитие способностей к научному творчеству / В. С.

Леднев. – 2-е изд., испр. – М.: МГАУ, 2002. – 120 с.

24. Дьяконов В. Математические пакеты расширения MatLab: спец. справ. / В.Дьяконов, В.

Круглов. – М.: Высш. шк., 1998. – 488 с.

25. ГОСТ Р 15.011-96 Патентные исследования.

26. Скорняков Э.П., Смирнова В.Р., Гаврилов С.В. Использование Интернета при проведении патентных исследований. – М.: ИНИЦ Роспатента, 2005. – 66 с.

27. http://vak.ed.gov.ru Сайт Высшей аттестационной комиссии Министерства образования и науки Российской Федерации При подготовке рекомендаций были использованы интернет ресурсы компаний – производителей нанотехнологчиеского оборудования, материалы портала www.nanometer.ru, http://www.rosnano.ru и http://nanotech.iu4.bmstu.ru

ПРИЛОЖЕНИЕ А.

Материалы по организации и проведению итоговой Примерная программа государственного экзамена по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия» для бакалавров Общие понятия о МП и микро-ЭВМ. Их преимущества, область применения.

Исторический обзор совершенствования элементной базы для построения аппаратуры.

Классификация МПК и микро-ЭВМ. CISC и RISC микропроцессоры. Вычислительные системы с RISC архитектурой. Принципы построения систем на основе RISC микропроцессоров. Конвейеризация. Организация подсистемы памяти и прерываний. Анализ микропроцессоров RISC архитектуры. Конвейерная организация. Параллелизм на уровне выполнения команд, планирование загрузки конвейера и методика разворачивания циклов.

Многопроцессорные системы и нейрокомпьютеры. Многопроцессорные системы с общей памятью. Многопроцессорные системы с локальной памятью и многомашинные системы. Транспьютеры. Нейрокомпьютеры. Архитектура и аппаратная часть CISC МП.

Специализированное программное обеспечение CISC МП устройств. Архитектура МП различных типов, работа в различных режимах. Длина слова, скорость обработки информации. Системы команд МП, машинные и командные циклы. Основная память МП, способы адресации, организация памяти. Обмен информацией между МП и внешними устройствами, способы обмена. Шина, управление шиной. Прерывания. Типы интерфейсов, их классификация. Организация интерфейса.

Специализированное программное обеспечение CISC МП устройств. Языки программирования (машинные языки, языки Ассемблера, языки высокого уровня).

Микропрограммирование. Взаимосвязь между структурой алгоритмов МП и производительностью МПС. Средства разработки программ для МП. Средства автоматизации программирования. Резидентные и кросс-системы. Математический сопроцессор. Запуск и тестирование CISC микропроцессоров, отладка и монитогринг, режим SMM. Процессоры пятого, шестого и седьмого поколений. Технологии обеспечения работы микропроцессорных систем в форсированных режимах (разгон).

Применение CISC микропроцессоров в ПЭВМ. Структура и взаимодействие основных устройств микро-ЭВМ. Состав и назначение периферийного оборудования микро-ЭВМ.

Способы обмена данными. Синхронная и асинхронная передачи. Система прерываний и прямой доступ в память. Многомашинные комплексы на основе микро-ЭВМ. Применение МП устройств и ЭВМ в ЭС.

Перспективы развития МП средств. Основные направления развития архитектуры МП и микро-ЭВМ. Новые МПК и возможности их применения. Пути развития программного обеспечения, применение языков высокого уровня, средств отладки. Дорожная карта развития вычислительных систем с переходом на наноразмерные компоненты.

Конструкторское проектирование микро- и наносистем Принципы и методы конструкторского проектирования. Классификация микро- и наносистем. Ограничения при конструировании. Исходные данные и технические требования. Требования микроминиатюризации, стандартизации, технологичности конструкции, надежности, безопасности, охране окружающей среды. Экономические и эргономические требования и ограничения. Анализ исходных данных и ограничений.

Системный подход к проектированию микро- и наносистем.Уровни описания проектируемых объектов: системный, функциональный, конструкторский, технологический.

Функциональные, структурно-морфологические математические, информационные, теоретические, эмпирические, аналитические модели. Операции, процедуры и этапы проектирования. Классификация параметров проектируемых объектов: фазовые переменные;

внутренние, внешние и выходные параметры. Системные константы и размерности величин.

Классификация проектных процедур: анализ и синтез (параметрический, структурный).

Стадии проектирования. Техническое задание и технические условия. Техническое предложение, эскизный, технический и рабочий проекты. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы. Стадии жизненного цикла изделия.

Проектирование компонентов микро- и наноэлектромеханики. Механические модели в электромеханике: механическое равновесие, уравнение баланса динамических величин, уравнение движения. Физико-математические и морфолого-топологические модели базовых элементов объемной и поверхностной микромеханики: статические и динамические модели мембран, балок, струн, маятников; размерные эффекты, масштабирование.

Моделирование микросистем с электрическими и магнитными полями: полевые уравнения, краевые задачи; проектирование электростатических и электромагнитных приводов движения; расчет конструкции пьезоэлектрического и магнитострикционного микроактюатора. Моделирование процессов поглощения и диссипации энергии в микроэлектромеханических системах, термический анализ. Моделирование микропотоков жидкости и газа в капиллярах и микроклапанах.

Проектирование компонентов микро- и нанооптики. Физико-математические модели базовых компонентов микро- и нанооптических систем. Моделирование распространения света в объемном и планарном волноводах; рассеяние света на микронеоднородностях.

Проектирование базовых элементов управления оптическим излучением: электро-, акусто-, магнитооптическая ячейки. Методика расчета оптического тракта устройства интегральной оптики: физико-топологическая модель, эффекты масштабирования, размерный фактор.

Проектирование наносистем. физико-математические модели объектов наноэлектроники; энергетический спектр систем пониженной размерности в электрическом и магнитном полях, транспортные явления в гетероструктурах и квантовых проводниках, диффузионно-дрейфовая модель, кинетическое уравнение, метод молекулярной динамики, уравнения квантовой динамики, численные методы квантовой химии; метод функционала плотности; математические модели роста наноструктур; методы численного анализа задач наноэлектроники и нанотехнологии; моделирование магнитной наноструктуры и спинзависящего туннелирования; моделирование характеристик одноэлектронных транзисторов;

компьютерная реализация моделирования наносистем; использование профессиональных программных пакетов в микро- и наноэлектроники; графические библиотеки; алгоритмы параллельных вычислений при работе на много процессорных суперкомпьютерах; архитектура параллельных процессов, их аппаратная и программная реализация.

Обеспечение надежной работы микро- и наносистем. Надежность микро- и наносистем.

Вероятность безотказной работы. Интенсивность отказов компонентов, электрических соединений. Расчет надежности по случайным отказам.

Интеграция элементной базы микро- и наноэлектромеханики, микро- и нанооптики и микро- и наноэлектроники при проектировании микро- и наносистем.

Технологические процессы микро- и наноэлектроники Избирательное легирование кремния и других полупроводниковых материалов в технологии микро и наноэлектроники. Методы формирования диэлектрических пленок.

Сухое, влажное и смешанное окисление кремния и оборудование для проведения процесса.

Осаждение диэлектрических пленок. Использование оксида гафния в качестве подзатворного диэлектрика. Вакуумное осаждение тонких пленок в технологии микроэлектроники.

Литография в технологии микро и наноэлектроники. Фотолитография в наноэлектронике. Переход к фотолитографии в ультрафиолетовом диапазоне волн и основы проекционной оптики. Эксимерные лазеры – как источники излучения в ультрафиолетовом диапазоне. Фоторезисты и их свойства. Химическое усиление изображения. Фотолитография в экстремальном ультрафиолете. Переход от проекционной линзовой к зеркальной отражающей оптике. Методы генерации изображения топологии ИС.

Эпитаксиальное наращивание полупроводников в технологии микро и наноэлектроники. Молекулярно-лучевая эпитаксия – как технологический метод формировния наноструктур. Роль кинетики и структуры поверхности при МЛЭ.

Технологическое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии. Методы создания молекулярных пучков. Молекулярная эффузия. Взаимодействие молекулярных пучков с поверхностью. Гетеропереходы. Атомно-молекулярная сборка – как разновидность эпитаксии. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений и ее применение при создании приборов и структур наноэлектроники. Технология создания запоминающих устройств с элементами памяти нанометровых размеров. Алмазоподобные пленки и системы памяти на их основе.

Принципы конструирования полупроводниковых приборов и ИМС. Основы конструирования биполярных ИМС. Основы конструирования МДП и КМДП ИМС. МДПтранзисторы с нанометровыми проектными нормами. Принципы конструирования гибридных интегральных микросхем. Принципы конструирования специализированных изделий микроэлектроники и специализированных ИМС.

наноформообразование, самоорганизация при эпитаксиальном росте, методы синтеза нанокристаллов осаждением в наноструктурированные матрицы; пучковые методы нанолитографии: электронная, ионная, рентгеновская; радиационные методы формирования наноструктур: образование наноструктур при кристаллизации аморфизированных слоев, формирование квантовых точек и проволок при ионном синтезе.

1 Анкета-таблица Вопрос анкеты 1. Основное направление развития методов литографии, обеспечивающее повышение разрешающей способности - применение свободно распространяющихся в пространстве частиц с меньшей длиной волны 2. Методы оптической литографии пока ограничены техническими 2 Анкета с 1. Перспективные направления развития литографии в наноинженерии:

списком (меню) – 2. проекционная литография, одним или более 3. рентгенолитография, вариантом ответа 4. электроннолучевая литография, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

УТВЕРЖДАЮ

ЗАДАНИЕ

на выполнение квалификационной работы бакалавра Студент _ _ _ _ _ Источник тематики (НИР кафедры, заказ организаций и т.п.)_ _ _ _ Тема квалификационной работы утверждена распоряжением по факультету № от « _ » _ 20 г.

1. Научно-исследовательская часть _ _ _ _ _ _ 2. Проектно-конструкторская часть _ _ _ _ _ 3. Технологическая часть _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 4. Оформление квалификационной работы 4.1. Расчетно-пояснительная записка на _ листах формата А4.

4.2. Перечень графического материала (плакаты, схемы, чертежи и т.п.) _ _ _ _ _ _ _ _ _ Дата выдачи задания « _ » 20 г.

В соответствии с учебным планом квалификационную работу выполнить в полном объеме в срок до « _ » 20 г.

Руководитель квалификационной работы Примечание:

1. Задание оформляется в двух экземплярах; один выдатся студенту, второй хранится на кафедре.

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

УТВЕРЖДАЮ

КАЛЕНДАРНЫЙ ПЛАН

выполнения квалификационной работы бакалавра Студент Руководитель квалификационной работы Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА _

РАСЧЁТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Студент _ Руководитель квалификационной работы Предметом КРБ конструкторского направления в области микро- и наносистемной техники является схемотехническо-конструкторская разработка функционально законченных сложных многоуровневых приборов, устройств и систем, использующих элементы и блоки, созданные с использованием нанотехнологий.

Результат: комплект конструкторско-технологической документации на разрабатываемое изделие по направлению наноинженерии, состоящий из расширенного технического задания, расчетно-пояснительной записки и графического материала.

Техническое задание.

Аннотация Введение 1. Общетехническое обоснование разработки o 1.1. Анализ задания на проектирование и составление расширенного задания o 1.2 Анализ элементов и блоков, созданных с использованием o 1.3. Анализ существующих схемных и конструкторских решений. Выбор o 1.4. Технико-экономическое обоснование целесообразности разработки 2. Схемотехнический анализ средства o 2.1. Анализ электрической функциональной или структурной схемы.

o 2.2. Выбор и обоснование элементной базы o 2.3. Анализ характеристик и выбор элементов и блоков, созданных с использованием нанотехнологий o 2.4. Расчет отдельных фрагментов электрической принципиальной схемы.

o 2.5. Описание принципа работы и выдача рекомендаций к разработке 3. Конструкторская часть o 3.1. Разработка конструкции o 3.1.1. Предварительная компоновка o 3.1.2 Выбор и обоснование конструкции элементов и блоков, созданных с использованием нанотехнологий.

o 3.1.3. Выбор и обоснование конструкционных материалов и покрытий o 3.1.4. Выбор и обоснование электрических соединений и разъемов o 3.1.5. Обеспечение нормального теплового режима o 3.1.6. Обеспечение защиты от механических воздействий o 3.1.7. Обеспечение электромагнитной совместимости o 3.1.8. Окончательная компоновка o 3.2. Конструкторские расчеты o 3.2.1. Расчет размерных цепей o 3.2.2. Расчет теплового режима o 3.2.3. Расчет электромагнитной совместимости o 3.2.4. Расчет на механические воздействия o 3.2.5. Расчет показателей качества o 3.3. Разработка конструкторской документации o 3.4. Применение ВТ и САПР (описание ПАО разработанного для выполнения 4. Исследовательская часть o 4.1 Исследование характеристик разрабатываемого изделия 5.2 Исследование характеристик элементов и блоков, созданных с 5. Организационно-экономическая часть o Техническо-экономический анализ разрабатываемого изделия 6. Охрана труда, техника безопасности и охрана окружающей среды Список использованных источников Предметом КРБ технологического направления в области микро- и наносистемной техники является разработка технологии изготовления функционально законченных сложных многоуровневых приборов, устройств и систем, использующих элементы и блоки, созданные с использованием нанотехнологий.

Результат: комплект технологической документации на разрабатываемое изделие по направлению наноинженерии, состоящий из расширенного технического задания, расчетнопояснительной записки и графического материала.

Техническое задание Аннотация Введение 1. Общетехническое обоснование разработки технологического процесса o 1.1. Анализ задания на проектирование и составление расширенного задания на проектирование технологического процесса.

o 1.2 Анализ конструкторско-технологических особенностей изделия o 1.3. Анализ существующих технологических процессов.

1.4. Технико-экономическое обоснование целесообразности 2. Технологическая часть.

o 2.1. Конструкторско-технологический анализ o 2.1.1. Определение типа производства o 2.1.2. Анализ технологичности изделия наноинженерии с учетом типа o 2.1.3. Рекомендации к разработке технологического процесса производства o 2.2. Разработка технологического процесса o 2.2.1. Анализ существующих технологических процессов o 2.2.2. Разработка технологического процесса сборки o 2.2.3. Технологические расчеты по обоснованию разрабатываемого o 2.3. Разработка технологической оснастки o 2.3.1. Анализ существующей технологической оснастки и рекомендации по применению стандартного технологического оснащения o 2.3.2. Разработка недостающего технологического оснащения o 2.3.3. Конструкторско-технологический расчет технологического оснащения o 2.4. Разработка средств контроля (настройки, испытаний) o 2.4.1. Анализ существующих средств контроля (настройки, испытаний) o 2.4.2. Разработка электрической схемы средства контроля (настройки) o 2.4.3. Разработка конструкции средства контроля (настройки, испытания) o 2.5. Разработка технологической документации 3. Исследовательская часть o 3.1 Исследование технологии 3.2 Исследование технологии изготовления элементов и блоков, созданных с использованием нанотехнологий 4. Организационно-экономическая часть o Техническо-экономический анализ разрабатываемого изделия 5. Охрана труда, техника безопасности и охрана окружающей среды Список использованных источников Предметом КРБ в области ИКТ и САПР наносистем является разработка программнотехнических комплексов и САПР объектов наноинженерии. Создание информационных, экспертных, имитационных программных систем с использованием баз знаний и данных.

Результаты работы: опытный образец разработанного программно-технического комплекса, комплект документации на него (иллюстративный материал, инструкция разработчика, инструкция пользователя и дополнительные справочные материалы).

Техническое задание.

Аннотация Список условных обозначений, сокращений и терминов Введение 1. Исследование предметной области o 1.1. Постановка задачи, актуальность, области применения o 1.2. Обзор литературных источников, результаты патентных исследований o 1.3. Классификация и систематизация знаний по данной предметной области o 1.3.1. Формализация знаний по предметной области с использованием методов моделирования сложных систем, объектно-ориентированных методов и т.п.

o 1.4. Выявленные проблемы предметной области и пути их решения 2. Математические методы и модели 3. Структурно-функциональное построение программно-технического комплекса o 3.1 Лингвистическое обеспечение o 3.2 Алгоритмическое обеспечение o 3.3 Информационное обеспечение o 3.4 Программное обеспечение Исследование и обоснование выбора общесистемного ПО Лингвистическое обеспечение (обоснование выбора среды и средств o 3.5 Аппаратное обеспечение o 3.6 Методическое обеспечение o 3.7 Юридическое обеспечение (патентная защита и т.п.).

4. Техника безопасности o Оценка соответствия разработанного комплекса требованиям СНИП и ГОСТов по охране труда. Разработка средств защиты обслуживающего персонала от акустических, вибрационных, электромагнитных и т.п. воздействий, превышающих нормативные уровни.

o Эргономика информационных систем и САПРа 5. Экономическая часть o Пример техническо-экономического анализа созданной САПР Выводы.

Приложение (Листинги, диаграммы, установочная версия разработанной системы и Предметом КРБ исследовательского направления в области микро- и наносистемной техники является теоретические и экспериментальные исследования объектов наноинженерии, а также функционально законченных сложных многоуровневых приборов, устройств и систем, использующих элементы и блоки, созданные с использованием нанотехнологий.

Результат: комплект технологической документации на разрабатываемое изделие по направлению наноинженерии, состоящий из расширенного технического задания, расчетнопояснительной записки и графического материала.

Техническое задание.

Аннотация Введение 1. Общетехническое обоснование необходимости проведения исследований o 1.1. Анализ задания на проведение исследований и составление расширенного задания на проведение исследований o 1.2 Анализ состояния научных исследований по теме работы o 1.3. Обоснование актуальности, цели и задач исследований o 1.4. Технико-экономическое обоснование целесообразности проведения 2. Исследовательская часть o 2.1. Обоснование и выбор методов и средств исследований o 2.1.1. Описание экспериментальной базы для проведения исследований o 2.1.2. Методы сбора и обработки экспериментальной информации o 2.1.3. Экспериментальные образцы и методы их приготовления o 2.1.4 План проведения экспериментальных работ o 2.2. Проведение исследований o 2.2.1. Проведение экспериментальных работ o 2.2.2. Получение экспериментальных зависимостей, массивов данных и т.п.

o 2.2.3. Протоколы проведения исследований o 2.2.4. Обработка экспериментальных данных o 2.3. Анализ и осуждение экспериментальных результатов o 2.3.1. Сопоставление полученных данных с уже известными o 2.3.2. Теоретический анализ полученных результатов o 2.3.3. Развитие теории и модельных представлений об исследуемом объекте o 2.4. Моделирование характеристик объекта исследования o 2.4.1. Выбор моделей и методов их математического описания o 2.4.2. Разработка ПО для моделирования o 2.4.3. Сравнительный анализ результатов моделирования и o 2.5. Формулирование и обоснование основных полученных выводов и 3. Организационно-экономическая часть o Техническо-экономический анализ проведенных исследований 4. Охрана труда, техника безопасности и охрана окружающей среды Заключение Список использованных источников Приложения Структура и содержание КРБ могут изменяться в зависимости от конкретной тематики, требований технического задания, особенностей проектируемого или исследуемого объекта наноинженерии и специфики предприятия и организации, на которых выполняется КРБ.

Пример оформления графического материала квалификационной работы бакалавра по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки

ПРИЛОЖЕНИЕ Б.

МАТЕРИАЛЫ ПО ОРГАНИЗАЦИИ И ПРОВЕДЕНИЮ ИТОГОВОЙ

ГОСУДАРСТВЕННОЙ АТТЕСТАЦИИ МАГИСТРА

Примерная программа государственного экзамена по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия» для магистров Моделирование, испытания, надежность приборов твердотельной электроники, радиоэлектроники и изделий микро- и наноэлектроники Моделирование как основа проектирования приборов твердотельной, микро- и наноэлектроники. Методики построения физических и математических моделей. Двух- и трехмерное моделирование. Примеры моделей транзисторов, элементов микросхем.

Системы моделирования и автоматизированного проектирования (общее представление).

Испытание изделий на устойчивость к воздействию внешних факторов: механических, климатических, радиационных, Виды испытаний: приемосдаточные, периодические, квалификационные. Особенности поведения полупроводниковых приборов и микросхем при различных видах радиационных и космических воздействий. Методы повышения радиационной стойкости приборов.

Основные положения, понятия и определения современной теории надежности.

Статистические методы оценки и прогнозирования показателей надежности и долговечности. Физика причин отказов полупроводниковых приборов и микросхем.

Катастрофические (внезапные) и деградационные (постепенные) отказы. Методы выявления потенциально ненадежных приборов и микросхем. Ускоренные испытания и имитационные методы испытаний.

Физические эффекты в малоразмерных твердотельных структурах, специфические приборы наноэлектроники и методы их изготовления, основные принципы создания приборов Размерное квантование в гетероструктурах. Примеры структур с размерноквантованным энергетическим спектром: квантовые ямы, квантовые нити и квантовые точки. Сверхрешетки. Туннелирование на одиночном барьере. Двухбарьерная структура.

Резонансно-туннельные диод и транзистор. Эффект Джозефсона.

Транспортные явления в малоразмерных полупроводниковых структурах.

Модулированное легирование. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT). Гетеропереходный биполярный транзистор.

Квантовый эффект Холла. Энергетический спектр носителей заряда в магнитном поле.

Квантование холловского сопротивления двумерного электронного газа в магнитном поле.

Дробный квантовый эффект Холла.

Одноэлектроника. Квантование кулоновской энергии в мезоскопических системах.

Явление кулоновской блокады при туннелировании через переходы с малой емкостью.

Одноэлектронные транзисторы и схемы на их основе.

Представления об элементной базе квантовых компьютерах – кубитах. Свойства кубита. Управление эволюцией кубита. Элементарные одно-кубитовые и двухкубитовые операции как основа квантовых вычислений. Представление о принципах квантовой связи на одиночных фотонах.

Физические основы электроники твердого тела. Особенности динамики электрона в идеальном твердом теле. Волновая функция, квазиимпульс, зоны Бриллюэна, зонный энергетический спектр, закон дисперсии. Энергетический спектр электрона в кристалле во внешних полях (электрическом и магнитном). Полуклассическая модель динамики электрона в кристалле, границы применимости. Дырки как способ описания ансамбля электронов, свойства и законы движения дырок.

Энергетический спектр электрона в ограниченном кристалле. Условия локализации.

Локализованные состояния Тамма. Поверхностные состояния Шокли.

Особенности энергетического спектра электронов в тонких пленках (квантовый размерный эффект).

Типы точечных дефектов в кристаллах. Акцепторные и донорные примеси в полупроводниках. Водородоподобная модель примесного центра.

Неупорядоченные системы – аморфные полупроводники. Понятие идеального аморфного твердого тела (идеального стекла). Случайная структура и случайное поле.

Энергетический спектр неупорядоченных систем (без случайного поля и со случайным полем). Дефекты в аморфных материалах.

Статистика носителей заряда в полупроводниках. Обоснование применения статистики Ферми—Дирака к электронам в твердом теле (идеальном). Статистика примесных состояний. Невырожденные и вырожденные полупроводники. Уровень электрохимического потенциала и концентрация свободных и связанных носителей в вырожденных полупроводниках: в собственном, с одним типом примеси, в частично компенсированном.

Явление компенсации.

Явления переноса заряда в твердом теле.

Интеграл столкновений. Механизмы рассеяния носителей заряда. Электропроводность полупроводников и металлов. Электропроводность в сильных электрических полях. Эффект Ганна. Классический и квантовый размерный эффекты в электропроводности.

Электропроводность в неупорядоченных системах. Прыжковая проводимость по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми (закон Мотта) и хвостах плотности состояний вблизи краев щели подвижности.

Неравновесные носители заряда в полупроводниках и диэлектриках. Генерация и рекомбинация. Механизмы рекомбинации.

Диффузия и дрейф неравновесных носителей, соотношение Эйнштейна. Плотность тока и градиент уровня Ферми. Уравнение непрерывности, анализ частных случаев локального возбуждения и инжекции.

Контактные явления. Различные типы контактов. Контакт твердое тело – вакуум.

Контакт металл – полупроводник. Диоды Шоттки. Диодная и диффузионная теории выпрямления.

Электронно-дырочный переход. Количественная теория инжекции и экстракции неосновных носителей. Выпрямление и усиление с помощью p-n переходов. Статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода. Туннельный эффект в p-n переходах.

Основные представления о полупроводниковых гетеропереходах, их применение.

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.

Поглощение и испускание света полупроводниками. Механизмы поглощения.

Поглощение и отражение электромагнитных волн свободными носителями заряда.

Поглощение и излучение при оптических переходах зона—зона. Прямые и непрямые переходы. Разрешенные и запрещенные переходы. Спектральные характеристики поглощения кристаллами.

Спонтанное и вынужденное излучение. Полупроводниковые лазеры. Оптические свойства аморфных полупроводников. Фотоэффект в p-n переходах. Солнечные батареи.

Преобразование электрических сигналов в световые.

Наноэлектроника. Квантовые ямы и сверхрешетки. Квантовые нити и квантовые точки.

Электронные состояния в наноструктурах. Транспортные явления в низкоразмерных системах. Оптические свойства наноструктур. Одноэлектронные явления в наноэлектронных устройствах. Нанотехнология. Приборы наноэлектроники.

Энергетическая диаграмма реальной поверхности. Поверхностные состояния. Эффект поля и поверхностная проводимость. Влияние адсорбированных частиц на поверхностную проводимость. Полевые транзисторы.

Проблема микроминиатюризации элементов микроэлектроники. Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные схемы. Фотолитография, рентгеновская и электронная литографии.

Особенности структуры пленок, связанные с характером зарождения.

Текстурированные и эпитаксиальные пленки. Структурные несовершенства.

Явления переноса в тонких металлических пленках. Дисперсные пленки. Сплошные пленки. Размерные эффекты в пленках.

Тонкие диэлектрические и полупроводниковые пленки. Диэлектрические потери.

Токопрохождение через диэлектрические слои. Туннелирование. Надбарьерная эмиссия электронов. Токи, ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ).

Пленочные активные элементы. Использование неравновесных (горячих) электронов в металлических пленках. Активные элементы, основанные на использовании характеристик с отрицательным сопротивлением. Аналоговые триоды на основе ТОПЗ в диэлектриках.

Пленочный полевой триод.

Методики определения плотности поверхностных состояний, основанные на эффекте поля (C-V метод и метод, основанный на изменении поверхностной проводимости).

Основы энергоанализа заряженных частиц. Основные типы энергоанализаторов.

Методы регистрации частиц. Вторичный электронный умножитель. Детекторы для быстрых частиц (поверхностно-барьерный детектор).

Дифракция медленных и быстрых электронов (на просвет и отражение) как методы исследования структуры поверхности.

Электронная Оже-спектроскопия. Основное уравнение. Методы количественной Ожеспектроскопии.

Фотоэлектронная спектроскопия (ФЭС и УФЭС). Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС или ЭСХА – электронная спектроскопия для химического анализа) и конструкции приборов. Химические сдвиги уровней. Количественная РФЭС.

Спектроскопия характеристических потерь энергии (СХПЭЭ). Конструкции приборов.

Одночастичные и многочастичные возбуждения электронов в твердом теле. Количественная СХПЭЭ.

Растровая электронная микроскопия. Режимы работы. Особенности формирования контраста. Рентгеновский микроанализ. Конструкции растровых электронных микроскопов и микроанализаторов.

Туннельная и атомно-силовая микроскопия. Физические основы. Конструкция микроскопов. Применения.

Методы ионной спектроскопии. Масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ).

Стигматический и растровый режим МСВИ. Ионно-нейтрализационная спектроскопия.

Обратное резерфордовское рассеяние. Спектроскопия рассеяния ионов низких и средних энергий.

Магнетоэлектроника. Цилиндричеcкие магнитные домены. Магнитные запоминающие устройства: на ферритах и на тонких пленках.

Акустоэлектроника: взаимодействие электронов с длинно-волновыми акустическими колебаниями решетки, акустоэлектрический эффект, усиление ультразвуковых волн.

Акустоэлектрические явления на поверхностных волнах и их практические применения – малогабаритные линии задержки, усилители и генераторы электрических колебаний.

Молекулярная электроника. Основные принципы молекулярной электроники.

Электронные возбуждения, используемые для передачи и хранения информации в молекулярных системах. Перспективы одномерных и квазиодномерных систем, структурная неустойчивость одномерных проводников, переходы Пайерлса и Мотта-Хаббарда.

Электронные возбуждения в одномерных системах, солитонная проводимость.

Фотопроводимость, нелинейные оптические свойства. Молекулярные полупроводники полиацетилен и полидиацетилен: структура, свойства, легирование. Приборы молекулярной электроники.

Криоэлектроника. Электронные свойства твердых тел (металлы, диэлектрики, полупроводники) при низких температурах. Явление сверхпроводимости. Эффект Мейснера.

Особенности туннелирования в условиях сверхпроводимости.

Высокотемпературная сверхпроводимость. Свойства и параметры сверхпроводников с высокой Tk.

Макроскопические квантовые эффекты сверхпроводимости. Квантование магнитного потока. Эффект Джозефсона. Типы джозефсоновских переходов. Аналоговые устройства на эффектах Джозефсона. Стандарты напряжения, сквиды, приемные СВЧ-устройства.

Цифровые ячейки логики и памяти. Проблемы создания больших интегральных схем (БИС). Особенности электронных устройств на высокотемпературных сверхпроводниках.

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

УТВЕРЖДАЮ

ЗАДАНИЕ

Студент Источник тематики (НИР кафедры, заказ организаций и т.п.) _ Тема магистерской диссертации утверждена распоряжением по факультету № от « _ » _ 20 г.

1. Исходные данные 2. Технико-экономическое обоснование (обзор и анализ альтернативных решений; выбор вариантов для сравнения;

конкретные улучшаемые характеристики или параметры; возможный технико-экономический эффект и т.п.) 2. Научно-исследовательская часть 3. Оформление магистерской диссертации 3.1. Расчетно-пояснительная записка на листах формата А4.

3.2. Перечень графического материала (плакаты, схемы, чертежи и т.п.) _ Дата выдачи задания « _ » 20 г.

В соответствии с учебным планом квалификационную работу выполнить в полном объеме в срок до « _ » 20 г.

Руководитель магистерской диссертации Примечание:

1. Задание оформляется в двух экземплярах; один выдатся студенту, второй хранится на кафедре.

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

УТВЕРЖДАЮ

КАЛЕНДАРНЫЙ ПЛАН

Студент Руководитель магистерской диссертации _ Московский Государственный Технический Университет

НАЗВАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки Приложение Б 5. Обратная сторона титульного листа автореферата ДМ Работа выполнена в Московском Государственном Техническом Университете Научный руководитель: уч. степень, звание Фамилия И.О.

Научные консультанты: уч. степень, звание Фамилия И.О.

Ведущее предприятие: Название организации (город).

Защита квалификационной работы магистра состоится «_»_ 20 года на заседании Государственной аттестационной комиссии по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия» в Московском Государственном Техническом Университете им. Н.Э. Баумана (ауд. _).

Ваши отзывы в двух экземплярах просьба высылать по адресу: 105005, г. Москва, 2-ая Бауманская ул., д.5, кафедра _.

Ученый секретарь Государственной аттестационной комиссии по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия»

уч. степень, звание Фамилия И.О.

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА _

РАСЧЁТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Студент _ Руководитель магистерской диссертации

ВВЕДЕНИЕ

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ОТРАСЛИ В ОБЛАСТИ

МЭМС И ОПТИЧЕСКИХ АКСЕЛЕРОМЕТРОВ

1.1 Используемые емкостные МЭМС акселерометры, произведенные по технологии глубокого травления кремния 1.1.1 Технология производства МЭМС акселерометров по технологии глубокого травления кремния 1.1.2 Анализ структурной схемы МЭМС акселерометра 1.1.3 Основные характеристики МЭМС акселерометра 1.1.4 Преимущества и недостатки такого акселерометра 1.2 Аналогичный МЭМС акселерометр, произведенный по технологии глубоко травления кремния 1.2.1 Технология производства МЭМС акселерометров по технологии глубокого травления кремния 1.2.2 Анализ структурной схемы МЭМС акселерометра 1.2.3 Основные характеристики МЭМС акселерометра 1.2.4 Преимущества и недостатки такого акселерометра 1.3 Обзор зарубежных оптических акселерометров, связанных с интерферометром ФабриПеро

2. ИНТЕРФЕРОМЕТР ФАБРИ-ПЕРО И КОНСТРУКЦИИ ОПТИЧЕСКОГО

МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТРА НА ЕГО ОСНОВЕ

2.1 Интерферометр Фабри-Перо – основные параметры, свойства и характеристики 2.2 Реализация микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо 2.3 Конструкция микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо

3. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНСТРУКЦИИ

МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТРА НА ОСНОВЕ ИНТЕРЕРОМЕТРА ФАБРИ-ПЕРО

3.1 Моделирование конструкции микроакселерометра в пакете ANSYS 3.2 Теоретический расчет конструкции микроакселерометра в нагруженном состоянии

4. ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ

АКСЕЛЕРОМЕТРА НА ОСНОВЕ ИНТЕРФЕРОМЕТРА ФАБРИ-ПЕРО

4.1 Технологический процесс производства оптического микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо 4.1.1 Условия напыления полупрозрачных и зеркальных пленок на кварцевое стекло 4.1.2 Основные этапы при производстве оптического микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо 4.2 Экспериментальное исследование характеристик оптического микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо 4.2.1 Исследование чувствительности микроакселерометра 4.2.2 Исследование максимально допустимой нагрузки на микроакселерометр 4.3 Исследование возможности построения аналогичных микроакселерометров с изменениями в конструкции 4.3.1 Исследование возможности построения комбинированного опто-емкостного микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо и емкости.

4.3.2 Исследование возможности построения жидкостного микроакселерометра на основе интерферометра Фабри-Перо

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ВЫВОДЫ

ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ ИСТОЧНИКИ

Пример оформления графического материала диссертации магистра по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия»

Перечень основных монографий, учебников и учебно-методических пособий по блокам дисциплин программы магистратуры с профилем «Наноинженерия»

Основная литература по блоку дисциплин «Технологические системы формирования наноструктур»

Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 248 с.

Цветков Ю.Б. / Управление топологической точностью фотолитографии: Учебное пособие. - М.: МГТУ им.

Н.Э.Баумана. 2005. – 176 с Дополнительная литература по блоку дисциплин «Технологические системы формирования наноструктур»

Гусев А.И., Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы Лахно В.Д. Кластеры в физике, химии, биологии М.:

Издательство: Регулярная и хаотическая динамика, 2001.

Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение: Пер. с англ. / Ред. пер. Заболотная Ю.А.- М.:

Техносфера, 2004.- 525 с.

Фрайден Дж. Современные датчики: Справочник: Пер. с англ. / Пер. Заболотная Ю.А.; Ред. пер. Свинцов Е.Л.- М.:

Техносфера, 2006.- 588 с.

Введение в электронные технологии / Е.В. Булыгина, Ю.Р.

Степаньянц, Ю.Б. Цветков, Е.С. Ильин, Р.Ш. Тахаутдинов.

Под. Ред. Ю.В. Панфилова. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.

Основная литература по блоку дисциплин «Исследовательские наноизмерительные системы»

Неволин В.К. Учебное пособие "Основы туннельнозондовой нанотехнологии". М. МГИЭТ. 1996. 90с.

полупроводниковых материалов и наноструктур. СПБ, Дополнительная литература по блоку дисциплин «Исследовательские наноизмерительные системы»

Эггинс Б. Химические и биологические сенсоры: Пер. с англ. / Пер. Слинкин М.А., Зимина Т.М., Лучинин В.В.- М.:

Техносфера, 2005. - 335 с.

Каттралл Р.В. Пер.с англ.О.О. Максименко под ред.

О.М.Петрухина Химические сенсоры.- М.: Научный мир, Основная литература по блоку дисциплин «Комплекс испытаний, сертификации и метрологических исследований наносистем»

Нанотехнологии в электронике. Под. Ред. Ю.А.Чаплыгина – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.

Дополнительная литература по блоку дисциплин «Комплекс испытаний, сертификации и метрологических исследований наносистем»

Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике –М.:

Техносфера, 2006. - 160 с.

Физика наноразмерных систем / А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков; Под. Ред. А.Я. Шика – СПб.:

Наука, 2001. – 160 с.

Основная литература по блоку дисциплин «Информационно-коммуникационные технологии в наноинженерии и САПР наносистем»

Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение: Пер. с англ. / Ред. пер. Заболотная Ю.А.- М.:

Техносфера, 2004. – 528 с.

проектирования: Учебник для вузов.- 3-е изд., перераб. и доп.- М.: Изд-во МГТУ им.Н.Э. Баумана, 2006. - 448 с.

Шахнов В.А., Панфилов Ю.В., Власов А.И. и др.

Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. – М.: МГТУ им.Н.Э.Баумана, 2008. – 80 с.

Дьяконов В.П. MATLAB 6. 5 SP1/7 + Simulink 5/6 в математике и моделировании. - М.: Солон-Пресс, 2005. – Чигарев А.В., Кравчук А.С., Смалюк А.Ф. ANSYS для инженеров: Справ. пособие. - М.:Машиностроение, 2004. с.

Дополнительная литература по блоку дисциплин «Информационно-коммуникационные технологии в наноинженерии и САПР наносистем»

Каплун А.Б.,Морозов Е.М.,Олферьева М.А. ANSYS в руках инженера.-М.:Едиториал УРСС, 2003. – 272 с.

Яшин К.Д., Осипович В.С., Божко Т.Г. Разработка МЭМС // Нано- и микросистемная техника.- 2008.- № 1.- С. 28-34.

Яшин К.Д., Осипович В.С., Божко Т.Г. Современные разработки МЭМС // Нано- и микросистемная техника.С. 57-64.

Яшин К. Д., Лацапнв Е. В., Осипович В. С. Системы автоматизированного проектирования МЭМС // Информационные технологии. - 2007. - №11. - с. 22-28.

Потапов Ю. Программное обеспечение Coventor // Chip «Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника». Сборник статей под редакцией П.П. Мальцева, М., Техносфера, 2006. – 120 с.

Фрайден Дж. Современные датчики: Справочник: Пер. с англ. / Пер. Заболотная Ю.А.; Ред. пер. Свинцов Е.Л.- М.:

Техносфера, 2006. - 592 с.

Дьяконов В.П. MATLAB 6. 5 SP1/7 + Simulink 5/6 в математике и моделировании.- М.: СОЛОН-Пресс, 2005.с.

Чигарев А.В., Кравчук А.С., Смалюк А.Ф. ANSYS для инженеров: Справ. пособие. - М.: Машиностроение, 2004.с.

Правила оформления пояснительной записки КРБ и ДМ Правила по оформлению текстовой части КР разработаны в соответствии с ГОСТ 7.32Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления", ГОСТ 7.1-2003 "Библиографическое описание документа" и др. нормативных документов, регламентирующих написание диссертаций и научно-технических отчетов.

КР должна быть выполнена любым печатным способом на пишущей машинке или с использованием компьютера и принтера на одной стороне листа белой бумаги формата А через полтора интервала. Цвет шрифта должен быть черным, высота букв, цифр и других знаков — не менее 1,8 мм (кегль не менее 12). При этом рекомендуется использовать шрифты типа Times New Roman размером 14 пунктов.

Устанавливаются следующие размеры полей: верхнего и нижнего - 20 мм, левого - мм, правого - 10 мм.

Разрешается использовать компьютерные возможности акцентирования внимания на определенных терминах, формулах, теоремах, применяя шрифты разной гарнитуры.

Вне зависимости от способа выполнения КР качество напечатанного текста и оформления иллюстраций, таблиц, распечаток с ПЭВМ должно удовлетворять требованию их четкого воспроизведения.

При выполнении КР необходимо соблюдать равномерную плотность, контрастность и четкость изображения по всему отчету. В отчете должны быть четкие, нерасплывшиеся линии, буквы, цифры и знаки, Опечатки, описки и графические неточности, обнаруженные в процессе подготовки КР, допускается исправлять подчисткой или закрашиванием белой краской и нанесением на том же месте исправленного текста (графики) машинописным способом или черными чернилами, пастой или тушью — рукописным способом.

Повреждения листов текстовых документов, помарки и следы неполностью удаленного прежнего текста (графики) не допускаются.

Фамилии, названия учреждений, организаций, фирм, названия изделий и другие имена собственные в КР приводят на языке оригинала. Допускается транслитерировать имена собственные и приводить названия организаций в переводе на язык отчета с добавлением (при первом упоминании) оригинального названия.

Сокращение русских слов и словосочетаний в КР — по ГОСТ 7.12.

Текст основной части КР делят на главы, разделы, подразделы, пункты.

Заголовки структурных частей КР "Оглавление", "Перечень условных обозначений", "Введение", "Общая характеристика работы", "Глава", "Заключение", "Библиографический список", "Приложения" печатают прописными буквами в середине строк, используя полужирный шрифт с размером на 1-2 пункта больше, чем шрифт в основном тексте. Так же печатают заголовки глав.

Заголовки разделов печатают строчными буквами (кроме первой прописной) с абзацного отступа полужирным шрифтом с размером на 1-2 пункта больше, чем в основном тексте.

Заголовки подразделов печатают с абзацного отступа строчными буквами (кроме первой прописной) полужирным шрифтом с размером шрифта основного текста.

Пункты, как правило, заголовков не имеют. При необходимости заголовок пункта печатают с абзацного отступа полужирным шрифтом с размером шрифта основного текста в подбор к тексту.

В конце заголовков глав, разделов и подразделов точку не ставят. Если заголовок состоит из двух или более предложений, их разделяют точкой (точками). В конце заголовка пункта ставят точку.

Расстояние между заголовком (за исключением заголовка пункта) и текстом должно составлять 2-3 межстрочных интервала. Если между двумя заголовками текст отсутствует, то расстояние между ними устанавливается в 1,5-2 межстрочных интервала. Расстояние между заголовком и текстом, после которого заголовок следует, может быть больше, чем расстояние между заголовком и текстом, к которому он относится.

Каждую структурную часть КР следует начинать с нового листа.

Нумерация страниц дается арабскими цифрами. Первой страницей КР является титульный лист, который включают в общую нумерацию страниц КР. На титульном листе номер страницы не ставят, на последующих листах номер проставляют в центре нижней части листа без точки в конце.

Нумерация глав, разделов, подразделов, пунктов, рисунков, таблиц, формул, уравнений дается арабскими цифрами без знака "№".

Номер главы ставят после слова "Глава". Разделы "Оглавление", "Перечень условных обозначений", "Введение", "Общая характеристика работы", "Заключение", "Библиографический список", "Приложения" не имеют номеров. Не нумеруют и подразделы раздела "Общая характеристика работы".

Разделы нумеруют в пределах каждой главы. Номер раздела состоит из номера главы и порядкового номера раздела, разделенных точкой, например: "2.3" (третий раздел второй главы).

Подразделы нумеруют в пределах каждого раздела. Номер подраздела состоит из порядковых номеров главы, раздела, подраздела, разделенных точками, например: "1.3.2" (второй подраздел третьего раздела первой главы).

Пункты нумеруют арабскими цифрами в пределах каждого подраздела. Номер пункта состоит из порядковых номеров главы, раздела, подраздела, пункта, разделенных точками, например: "4.1.3.2" (второй пункт третьего подраздела первого раздела четвертой главы).

Номера пунктов выделяют полужирным шрифтом.

Заголовок главы печатают с новой строки, следующей за номером главы. Заголовки разделов, подразделов, пунктов приводят после их номеров через пробел. Пункт может не иметь заголовка.

В конце нумерации глав, разделов, подразделов, пунктов, а также их заголовков точку не ставят.

Нумерация страниц КР и приложений, входящих в состав КР, должна быть сквозная.

Иллюстрации Иллюстрации (чертежи, графики, схемы, компьютерные распечатки, диаграммы, фотоснимки) следует располагать в КР непосредственно после текста, в котором они упоминаются впервые, или на следующей странице.

Иллюстрации могут быть в компьютерном исполнении, в том числе и цветные.

На все иллюстрации должны быть даны ссылки в КР.

Чертежи, графики, диаграммы, схемы, иллюстрации, помещаемые в КР, должны соответствовать требованиям государственных стандартов Единой системы конструкторской документации (ЕСКД).

Допускается выполнение чертежей, графиков, диаграмм, схем посредством использования компьютерной печати.

Фотоснимки размером меньше формата А4 должны быть наклеены на стандартные листы белой бумаги.

Иллюстрации, за исключением иллюстрации приложений, следует нумеровать арабскими цифрами сквозной нумерацией.

Если рисунок один, то он обозначается «Рисунок I». Слово «рисунок» и его наименование располагают посередине строки.

Допускается нумеровать иллюстрации в пределах раздела. В этом случае номер иллюстрации состоит из номера раздела и порядкового номера иллюстрации, разделенных точкой. Например, Рисунок 1.1.

Иллюстрации, при необходимости, могут иметь наименование и пояснительные данные (подрисуночный текст). Слово «Рисунок» и наименование помещают после пояснительных данных и располагают следующим образом: Рисунок 1 — Детали прибора. Например.

Рисунок 1 – Развитие литографического оборудования Иллюстрации каждого приложения обозначают отдельной нумерацией арабскими цифрами с добавлением перед цифрой обозначения приложения. Например, Рисунок А.З.

При ссылках на иллюстрации следует писать «... в соответствии с рисунком 2» при сквозной нумерации и «... в соответствии с рисунком 1.2» при нумерации в пределах раздела.

Таблицы применяют для лучшей наглядности и удобства сравнения показателей.

Название таблицы, при его наличии, должно отражать ее содержание, быть точным, кратким.

Название таблицы следует помещать над таблицей слева, без абзацного отступа в одну строку с ее номером через тире.

При переносе части таблицы название помещают только над первой частью таблицы, нижнюю горизонтальную черту, ограничивающую таблицу, не проводят.

Таблицу следует располагать в КР непосредственно после текста, в котором она упоминается впервые, или на следующей странице.

На все таблицы должны быть ссылки в КР. При ссылке следует писать слово «таблица» с указанием ее номера.

Таблицу с большим количеством строк допускается переносить на другой лист (страницу). При переносе части таблицы на другой лист (страницу) слово «Таблица» и номер ее указывают один раз справа над первой частью таблицы, над другими частями пишут слово «Продолжение» и указывают номер таблицы, например: «Продолжение таблицы I». При переносе таблицы на другой лист (страницу) заголовок помещают только над ее первой частью.

Таблицу с большим количеством граф допускается делить на части и помещать одну часть под другой в пределах одной страницы. Если строки и графы таблицы выходят за формат страницы, то в первом случае в каждой части таблицы повторяется головка, во втором случае — боковик.

Если повторяющийся в разных строках графы таблицы текст состоит из одного слова, то его после первого написания допускается заменять кавычками; если из двух и более слов, то при первом повторении его заменяют словами «То же», а далее — кавычками.

Ставить кавычки вместо повторяющихся цифр, марок, знаков, математических и химических символов не допускается. Если цифровые или иные данные в какой-либо строке таблицы не приводят, то в ней ставят прочерк.

Цифровой материал, как правило, оформляют в виде таблиц. Пример оформления таблицы приведен на рисунке 1.

Таблицы, за исключением таблиц приложений, следует нумеровать арабскими цифрами сквозной нумерацией.

Допускается нумеровать таблицы в пределах раздела. В этом случае номер таблицы состоит из номера раздела и порядкового номера таблицы, разделенных точкой.

Таблицы каждого приложения обозначают отдельной нумерацией арабскими цифрами с добавлением перед цифрой обозначения приложения.

Если в документе одна таблица, то она должна быть обозначена «Таблица I» или «Таблица В.1», если она приведена в приложении В.

Заголовки граф и строк таблицы следует писать с прописной буквы в единственном числе, а подзаголовки граф — со строчной буквы, если они составляют одно предложение с заголовком, или с прописной буквы, если они имеют самостоятельное значение. В конце заголовков и подзаголовков таблиц точки не ставят.

Таблицы слева, справа и снизу, как правило, ограничивают линиями. Допускается применять размер шрифта в таблице меньший, чем в тексте.

Разделять заголовки и подзаголовки боковика и граф диагональными линиями не допускается.

Горизонтальные и вертикальные линии, разграничивающие строки таблицы, допускается не проводить, если их отсутствие не затрудняет пользование таблицей.

Заголовки граф, как правило, записывают параллельно строкам таблицы. При необходимости допускается перпендикулярное расположение заголовков граф.

Головка таблицы должна быть отделена линией от остальной части таблицы.

Слово «Примечание» следует печатать с прописной буквы с абзаца и не подчеркивать.

Примечания приводят в документах, если необходимы пояснения или справочные данные к содержанию текста, таблиц или графического материала. Примечания не должны содержать требований.

Примечания следует помещать непосредственно после текстового, графического материала или в таблице, к которым относятся эти примечания. Если примечание одно, то после слова «Примечание» ставится тире и примечание печатается с прописной буквы. Одно примечание не нумеруют. Несколько примечаний нумеруют по порядку арабскими цифрами без проставления точки. Примечание к таблице помещают в конце таблицы над линией, обозначающей окончание таблицы.

Формулы и уравнения Уравнения и формулы следует выделять из текста в отдельную строку. Выше и ниже каждой формулы или уравнения должно быть оставлено не менее одной свободной строки.

Если уравнение не умещается в одну строку, то оно должно быть перенесено после знака равенства (=) или после знаков плюс (+), минус (-), умножения (х), деления (:) или других математических знаков, причем знак в начале следующей строки повторяют. При переносе формулы на знаке, символизирующем операцию умножения, применяют знак «X».

Пояснение значений символов и числовых коэффициентов следует приводить непосредственно под формулой в той же последовательности, в которой они даны в формуле.

Формулы в отчете следует нумеровать порядковой нумерацией в пределах всего отчета арабскими цифрами в круглых скобках в крайнем правом положении на строке.

Одну формулу обозначают — (1).

Формулы, помещаемые в приложениях, должны нумероваться отдельной нумерацией арабскими цифрами в пределах каждого приложения с добавлением перед каждой цифрой обозначения приложения, например формула (В.1).

Ссылки в тексте на порядковые номера формул дают в скобках. Пример—... в формуле (1).

Допускается нумерация формул в пределах раздела. В этом случае номер формулы состоит из номера раздела и порядкового номера формулы, разделенных точкой, например (3.1).

Порядок изложения в отчете математических уравнений такой же, как и формул.

В КР допускается выполнение формул и уравнений рукописным способом черными чернилами.

В КР допускаются ссылки на данный документ, стандарты, технические условия и другие документы при условии, что они полностью и однозначно определяют соответствующие требования и не вызывают затруднений в пользовании документом.

Ссылаться следует на документ в целом или его разделы и приложения. Ссылки на подразделы, пункты, таблицы и иллюстрации не допускаются, за исключением подразделов, пунктов, таблиц и иллюстраций данного документа.

При ссылках на стандарты и технические условия указывают только их обозначение, при этом допускается не указывать год их утверждения при условии полного описания стандарта в списке использованных источников в соответствии с ГОСТ 7.1.

Ссылки на использованные источники следует приводить в квадратных скобках.

Перечень обозначений и сокращений, условных обозначений, символов, единиц физических величин и терминов.

Перечень должен располагаться столбцом. Слева в алфавитном порядке приводят сокращения, условные обозначения, символы, единицы физических величин и термины, справа — их детальную расшифровку.

Список использованных источников Сведения об источниках следует располагать в порядке появления ссылок на источники в тексте отчета и нумеровать арабскими цифрами без точки. Печатать с абзацного отступа.Номера в списке литературы назначаются в порядке ссылок на нее по тексту.

Библиографический список выполняется по ГОСТ 7.1-2003.

Приложение оформляют как продолжение данного документа на последующих его листах или выпускают в виде самостоятельного документа.

В тексте документа на все приложения должны быть даны ссылки. Приложения располагают в порядке ссылок на них в тексте документа, за исключением справочного приложения «Библиография», которое располагают последним.

Каждое приложение следует начинать с новой страницы с указанием наверху посередине страницы слова «Приложение», его обозначения и степени.

Приложение должно иметь заголовок, который записывают симметрично относительно текста с прописной буквы отдельной строкой.

Приложения обозначают заглавными буквами русского алфавита, начиная с А, за исключением букв Ё, 3, И. О, Ч, Ь, Ы, Ъ. После слова «Приложение» следует буква, обозначающая его последовательность.

Допускается обозначение приложений буквами латинского алфавита, за исключением букв I и О.

В случае полного использования букв русского и латинского алфавитов допускается обозначать приложения арабскими цифрами.

Если в документе одно приложение, оно обозначается «Приложение А», Текст каждого приложения, при необходимости, может быть разделен на разделы, подразделы, пункты, подпункты, которые нумеруют в пределах каждого приложения. Перед номером ставится обозначение этого приложения.

Приложения должны иметь общую с остальной частью документа сквозную нумерацию страниц.

При необходимости такое приложение может иметь «Содержание».

Приложениям или частям, выпущенным в виде самостоятельного документа, обозначение присваивают как части документа с указанием в коде документа ее порядкового номера.

ПРИЛОЖЕНИЕ А (обязательное)

УТВЕРЖДАЮ

ПОЛОЖЕНИЕ

бакалавров и магистров по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с 1.1. Настоящее положение разработано в соответствии с законами РФ «Об образовании», «О высшем и послевузовском образовании», «Положением об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений РФ», утвержденным приказом Минобразования РФ № 1155 от 25.03.03 г., письмом начальника управления Лицензирования, аккредитации и надзора в образовании Рособразования РФ № 05-58-74/кк от 03.04.07 г., Уставом ГОУ ВПО «МГТУ им. Н.Э. Баумана».

1.2. В соответствии с законом Российской Федерации «Об образовании» итоговая государственная аттестация выпускников университета, завершивших освоение образовательных программ высшего профессионального образования, является обязательной.

1.3. Итоговая государственная аттестация выпускников проводится по всем основным образовательным программам высшего профессионального образования, имеющим государственную аккредитацию.

1.4. Целью итоговой государственной аттестации является установление уровня подготовки выпускника к выполнению профессиональных задач и соответствия его подготовки требованиям государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования.

1.5. Итоговая государственная аттестация осуществляется государственными аттестационными комиссиями (ГАК).

1.6. К итоговым аттестационным испытаниям, входящим в состав итоговой государственной аттестации, допускается лицо, успешно завершившее в полном объеме освоение основной образовательной программы по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с профилем подготовки «НАНОИНЖЕНЕРИЯ» высшего профессионального образования, в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования.

1.7. При условии успешного прохождения всех установленных видов итоговых аттестационных испытаний, входящих в итоговую государственную аттестацию, выпускнику присваивается соответствующая квалификация (степень) и выдается диплом государственного образца о высшем профессиональном образовании.

2.1. К видам итоговых аттестационных испытаний итоговой государственной аттестации выпускников относятся:

защита выпускной квалификационной работы;

государственный экзамен.

Защита выпускной квалификационной работы обязательно включается в состав итоговой государственной аттестации.

Конкретный перечень обязательных итоговых аттестационных испытаний устанавливается государственным образовательным стандартом и утверждается Минобразованием РФ.

2.2. Итоговые аттестационные испытания не могут быть заменены оценкой качества освоения образовательных программ путем осуществления текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации студента.

2.3. Государственный экзамен, проводимый в форме междисциплинарного экзамена по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с профилем подготовки «НАНОИНЖЕНЕРИЯ», должен наряду с требованиями к содержанию отдельных дисциплин учитывать также общие требования к выпускнику, предусмотренные государственным образовательным стандартом по данному направлению подготовки.

2.4. Выпускные квалификационные работы выполняются в формах, соответствующих определенным уровням высшего профессионального образования: для степени бакалавр – в форме бакалаврской работы; для степени магистр – в форме магистерской диссертации.

Выпускные квалификационные работы бакалавров представляют собой самостоятельное исследование или могут основываться на обобщении выполненных выпускником курсовых работ и подготавливаться к защите в завершающий период теоретического обучения.

Магистерская диссертация представляет собой выпускную квалификационную работу, которая является самостоятельным научным исследованием или проектом, выполняемым под руководством научного руководителя с привлечением одного или двух научных консультантов.

Содержание магистерской диссертации могут составлять результаты теоретических и экспериментальных исследований, направленных на решение актуальных задач в различных областях наноинженерии.

2.5. Темы выпускных квалификационных работ разрабатываются выпускающими кафедрами университета с указанием предполагаемых научных руководителей по каждой теме. Студенту может быть представлено право выбора темы выпускной квалификационной работы вплоть до предложения своей тематики с необходимым обоснованием целесообразности ее разработки. При подготовке квалификационной работы каждому студенту назначается руководитель и, при необходимости, консультанты.

Выпускные квалификационные работы, выполненные по завершении профессиональных образовательных программ подготовки магистров, подлежат обязательному рецензированию.

2.6. Конкретный перечень итоговых аттестационных испытаний, входящих в состав итоговой государственной аттестации студентов, порядок и сроки выполнения выпускных квалификационных работ устанавливаются ученым советом университета на основании соответствующих государственных стандартов и рекомендаций учебно-методических объединений вузов.

2.7. Программы государственных экзаменов по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с профилем подготовки «НАНОИНЖЕНЕРИЯ» и критерии оценки квалификационных работ обсуждаются с участием председателей государственных аттестационных комиссий и утверждаются ученым советом университета (филиала).

III. Государственные аттестационные комиссии 3.1. Государственная аттестационная комиссия состоит из государственных экзаменационных комиссий по приему государственных экзаменов по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с профилем подготовки «НАНОИНЖЕНЕРИЯ» и защите выпускных квалификационных работ в соответствии с перечнем аттестационных испытаний, включенных в состав итоговой государственной аттестации по конкретной профессиональной образовательной программе.

3.2. Государственную аттестационную комиссию возглавляет председатель, который организует и контролирует деятельность всех экзаменационных комиссий, обеспечивает единство требований, предъявляемых к выпускникам.

Председатель государственной аттестационной комиссии может возглавлять одну из государственных экзаменационных комиссий и принимать участие в работе любой из них на правах ее члена.

Председателем государственной аттестационной комиссии должен быть, доктор наук, профессор ведущих вузов России и институтов РАН, а при их отсутствии - крупный специалист предприятий, организаций и учреждений, являющихся потребителями кадров данного профиля. При необходимости председатель ГАК должен отвечать требованиям, предъявляемым к специалистам, связанным с работами по закрытой тематике.

Состав председателей государственных аттестационных комиссий рассматривается на ученом совете МГТУ им. Н.Э. Баумана и затем утверждается в установленном порядке.

3.3. Государственные аттестационные комиссии руководствуются в своей деятельности настоящим Положением, соответствующими государственными образовательными стандартами высшего профессионального образования в части, касающейся требований к итоговой государственной аттестации, учебно-методической документацией и методическими рекомендациями учебно-методических объединений вузов.

3.4. Основными функциями государственной аттестационной комиссии являются:

определение соответствия подготовки выпускника требованиям государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования и уровня его подготовки;

принятие решения о присвоении квалификации (степени) по результатам итоговой государственной аттестации и выдаче выпускнику соответствующего диплома государственного образца о высшем профессиональном образовании;

разработка рекомендаций, направленных на совершенствование подготовки студентов на основании результатов работы государственной аттестационной комиссии.

3.5. Государственные экзаменационные комиссии формируются из научнопедагогического персонала МГТУ им. Н.Э. Баумана и лиц, приглашаемых из сторонних учреждений: ведущих специалистов предприятий, организаций и учреждений.

Количество членов каждой государственной экзаменационной комиссии не должно превышать 8 человек.

Состав государственных экзаменационных комиссий по отдельным видам итоговых аттестационных испытаний утверждается ректором.

Государственные аттестационные комиссии организуются ежегодно и действуют в течение календарного года в соответствии с графиком учебного процесса.

IV. Порядок проведения итоговой государственной аттестации 4.1. Работа ГАК проводится в сроки, предусмотренные учебным планом по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с профилем подготовки «НАНОИНЖЕНЕРИЯ».

Порядок проведения итоговых аттестационных испытаний определяется ученым советом университета и доводится до сведения студентов.

Студенты обеспечиваются программами государственных экзаменов, им создаются необходимые для подготовки условия, читаются обзорные лекции, проводятся консультации.

4.2. К защите выпускной квалификационной работы допускаются лица, завершившие полный курс теоретического обучения по одной из основных профессиональных образовательных программ и успешно прошедшие все предшествующие аттестационные испытания, предусмотренные учебным планом.

4.3. К государственному экзамену и защите выпускной квалификационной работы допускаются лица, завершившие полный курс теоретического обучения по одной из основных профессиональных образовательных программ и успешно прошедшие все предшествующие аттестационные испытания, предусмотренные учебным планом.

4.4. Защита выпускной квалификационной работы (за исключением работ по закрытой тематике) проводится на открытых заседаниях государственной экзаменационной комиссии с участием не менее двух третей ее состава.

4.5. Выполнение выпускной квалификационной работы производится в соответствии с заданием и графиком выполнения работы, составленными и утвержденными в установленном порядке.

При несоблюдении графиков выполнения работы студентам могут быть наложены меры дисциплинарного воздействия, вплоть до отчисления по решению выпускающей кафедры.

Выпускающие кафедры организуют и проводят предзащиты выпускных квалификационных работ. На предзащите должны быть созданы условия для выступления студентов с докладами.

По результатам предзащиты на заседании выпускающей кафедры рассматривается вопрос о допуске студента к защите в присутствии руководителя и студента. Заседание кафедры оформляется протоколом.

Кафедра представляет в деканат сведения о допуске студентов к защите выпускной квалификационной работы, на основании которых оформляется приказ.

В исключительном случае заведующий выпускающей кафедры может решить вопрос о допуске студента к защите на основании представленных материалов без предзащиты, делая об этом запись на выпускной квалификационной работе.

Не позднее, чем за неделю до защиты, на кафедру представляется законченная выпускная квалификационная работа, подписанная в установленном порядке, отзыв руководителя, рецензия.

4.6. В ГАК по защите выпускных квалификационных работ представляются отзыв руководителя, рецензия на выпускную квалификационную работу, справка о выполнении студентом учебного плана и полученных им оценках (приложение к диплому).

4.7. Результаты любого из видов итоговых аттестационных испытаний, включенных в итоговую государственную аттестацию, определяются оценками «отлично», «хорошо», «удовлетворительно», «неудовлетворительно» и объявляются в тот же день после оформления в установленном порядке протоколов заседаний государственных экзаменационных комиссий.

4.8. При положительных результатах всех видов итоговой государственной аттестации выпускников государственная аттестационная комиссия принимает решение о присвоении им квалификации по направлению подготовки «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» с профилем подготовки «НАНОИНЖЕНЕРИЯ» и выдаче диплома о высшем образовании (диплом государственного образца, диплом государственного образца с отличием).

Государственная аттестационная комиссия выносит решение о рекомендации выпускника к поступлению в аспирантуру, для представления работы на конкурс, к опубликованию, к внедрению.

Решения государственных аттестационных и экзаменационных комиссий принимаются на закрытых заседаниях простым большинством голосов членов комиссии, участвующих в заседании. При равном числе голосов голос председателя является решающим.

Решение ГАК является окончательным. Аппеляции на решение ГЭК и ГАК не принимаются.

4.9. Выпускнику, сдавшему курсовые экзамены, курсовые работы, практики с оценкой «отлично» не менее чем по 75 % всех дисциплин учебного плана, а по остальным дисциплинам - с оценкой «хорошо», защитившему выпускную квалификационную работу и сдавшему итоговые государственные экзамены на «отлично», выдается диплом с отличием.

4.10. К диплому бакалавра, магистра выдается приложение установленного образца.

4.11. Защищенные выпускные работы сдаются на выпускающую кафедру для регистрации и хранения в архиве в течение 5 лет.

4.12. Заседания ГАК протоколируются. Протокол заполняется на каждого студента отдельно, протоколу присваивается порядковый номер, ставится дата и время заседания.

В протокол вносится оценка выпускной квалификационной работы, или знаний, выявленных на государственных экзаменах, а также записываются заданные вопросы, особые мнения, общая характеристика ответа и т.п.

Протоколы подписываются председателем и членами ГАК, участвовавшими в комиссии в день работы комиссии. После оформления протокол (в последнюю очередь) визирует секретарь ГАК.

Книга протоколов хранится в деканате постоянно.

4.13. В тех случаях, когда защита выпускной квалификационной работы признается неудовлетворительной, ГАК принимает решение о возможности повторной защиты того же проекта после его доработки, либо выполнение и защиту дипломного проекта по новой теме.

Принятое решение заносится в протокол ГАК.

4.14. Студенты, не прошедшие итоговой государственной аттестации или получившие на итоговой государственной аттестации неудовлетворительную оценку, допускается к повторной сдаче экзамена через один год, но не более двух раз.

Если студент отчислен – в течение пяти лет после отчисления из университета, но не ранее, чем через год.