[ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Г ОУ ВПО Р О С С ИЙ С К О-А Р МЯ Н С К ИЙ (С Л А ВЯ НС КИ Й)
УН ИВ Е РСИТ Е Т
Составлена в соответствии с федеральными государственными
требованиями к структуре основной профессиональной
образовательной программы послевузовского
профессионального образования (аспирантура)
УТВЕРЖДАЮ:
Проректор по научной работе _ П.С. Аветисян «» 2011г.
Факультет: Физико-технический Кафедра: Общей и теоретической Учебная программа подготовки аспиранта ДИСЦИПЛИНА: ОД.А. Основные вехи развития электроники _ наименование дисциплины по учебному плану подготовки аспиранта Физика полупроводников 01.04. Шифр наименование научной специальности Программа одобрена на заседании кафедры протокол № 27 от 27.09.2011г Утверждена Ученым Советом РАУ протокол № 6 от 04. 112011г.
Заведующий кафедрой д.ф.м.н., профессор Казарян Э.М.
руководитель Подпись И.О.Ф, ученая степень, звание Разработчик программы д.ф.м.н., профессор Казарян Э.М.
Подпись И.О.Ф, ученая степень, звание Ереван 1. Аннотация. Настоящая рабочая программа обязательной дисциплины “Основные вехи развития электроники” послевузовского проффесионального образования ориентирована на аспирантов физико-технического факультета РАУ по специальности 01.04.10. физика полупроводников.
В курсе излагается развитие электроники начиная с раннего этапа до современности в исторической последовательности их возникновения. Рассмотриваются методологические вопросы истории науки и обсуждается влияние различных сторон общественной жизни на развитие электроники. Специальное место отведено также современным тенденциям развития наноэлектроники.
Цель преподавания дисциплины: ознакомление аспирантов с историческими основами и нормами, с научным анализом условий, определяющих ход ее развития на отдельных исторических этапах (радиоэлектроника, микроэлектроника, наноэлектроника).
Учебная задача: Подготовка молодого ученого, умеющего в современную эпоху экспоненциального развития электроники, правильно соорентироваться в огромном количестве истинно научных представлений.
Основные методы проведения занятий: лекции, реферативные работы.
Список литературы: содержит 9 наименований книг и монографий, обеспечивающих систематичность и целостность обучения.
2. Требования к исходным уровням знаний и умений аспирантов.
“Квантовая теория твердого тела”, “Физические основы наноэлектроники”, “Твердотеланая электроника” 3. Требования к уровню освоения содержания дисциплины.
После изучения дисциплины аспирант должен:
знать основные этапы развития и современные достижения электроники, иметь представление об основных особенностях развития современной физики.
4. Трудоемкости дисциплины и видов учебной работы по учебному плану.
Вид учебной работы Кол-во зачетных Единиц*/уч. часов Аудиторные занятия 1/ Лекции (минимальный объем теоретических знаний) 1/ Семинар Практические занятия Другие виды учебной работы (авторский курс, учитывающий результаты исследований научных школ Университета, в т.ч.
региональных) 5. Содержание дисциплины Глава 1 Радиоэлектроника 1 Заявка исследователя Ли де Фореста на изобретенную им конструкцию электронной лампы-вакуумного триода (1906г., 1ч.
Первая королева) 2 Физические ограничения применения электронных ламп в радиоэлектронике Глава 2. Полупроводниковая электроника-микроэлектроника 1 Создание твердотельного полупроводникового усилителя электрических сигналов (1947г., У. Шокли, Дж. Бардин, У. 2ч.
2 Транзистор-элементная база полупроводниковой электроники.
Главные особенности транзистора 4 Биполярные транзисторы. Принцип работы биполярного транзистора. Быстродействие транзистора 5 Полевой транзистор. Принцип работы, основные параметры:
крутизна, быстродействие 6 Пути совершенствования биполярных и полевых транзисторов 1ч.
Введение – определение нанонауки и нанотехнологии (“Внизу много места” Р. Фейман, 1959) Элементная база наноэлектроники – “гетеропереход”, типы гетеропереходов, примеры Классификация низкоразмерных структур и наноматериалов:
3 квантовых ям, проволок, точек, сверхрешеток. Энергетический 3ч.
спектр носителей заряда, плотность состояний Интерференционные эффекты в наноструктурах. Эффект Технология создания наностроктур (эпитаксиальные методы, методы зондового сканирования, нанолитография) 6. Образовательные технологии В процессе обучения применяются следующие образовательные технологии:
1. Сопровождение лекций показом визуального материала.
2. Проведение лекций с использованием интерактивных методов обучения.
7. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины Учебно-методические и библиотечно-информационные ресурсы обеспечивают учебный процесс и гарантируют качественное освоение аспирантом образовательной программы. Университет располагает обширной библиотекой, включающей научноэкономическую литературу, научные журналы и труды научно-практических конференций по основополагающим проблемам науки и практики управления.
1. Электроника: прошлое, настоящее, будущее, Сб. ст. перевод с англ., М., 1979.
2. Левиншейн М.Е., Симин Г.С. “Знакомство с полупроводниками”, библиотека “Квант”, вып.33, М., Наука, 1984.
3. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. “Барьеры”, библиотека “Квант”, вып. 65, М., 5. Федотов А.Я. ”Основы физики полупроводниковых приборов”, 2 изд., М., 1969.
6. Мейндл Дж. “Элементы микроэлектронных схем”, УФН,, т.127, в. 2, 1979.
7. Интегральные схемы, перевод с англ., М., 1970.
8. Алферов Ж.И. “Гетеропереходы в полупроводниковой электронике”, в кн.
“Физика сегодня и завтра” под ред. Тучкевича В.Н., Л., 1973.
9. Шишкин Г.Г., Агеев И.М. “Наноэлектроника. Элементы, приборы устройства”, М., Изд. Бином, 2011.
7. 2. Интернет-ресурсы 1. http://www.scholar.google.com 2. http://adsabs.harvard.edu
«