[ 2
Программа составлена на основании учебных планов специальности
1-41 01 02: регистрационный № 09.04.03/840 (дн) от 14.04.2010г. и
регистрационный № 08.00.03/779 (зо) от 22.06.2010г., и типовых учебных
программ дисциплин: «Технология изготовления интегральных микросхем»,
регистрационный № I.234, утвержденной 20.10.2009 г., «Наноэлектроника»,
регистрационный № ТД-I. 485/тип, утвержденной 11.11.2010г.,
«Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», регистрационный № ТД-1.228/тип., утвержденной 20.10.2009г..
Составители:
Борисенко В.Е.., заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», д.ф.-м.н., профессор;
Колосницын Б.С., профессор кафедры микро- наноэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», к.т.н. профессор;
Черных А.Г., доцент кафедры микро- и наноэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», к.т.н. доцент;
Программа рассмотрена и рекомендована к утверждению кафедрой микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Заведующий кафедрой В.Е. Борисенко Одобрена и рекомендована к утверждению Советом факультета радиотехники и электроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Председатель А.В. Короткевич
СОГЛАСОВАНО
Начальник ОМОУП Д.А. Фецкович1. ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
1. Цель государственного экзамена.Целью государственного экзамена по специальности 1 - 41 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» специализация 1- 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем» является контроль уровня знаний по ряду дисциплин и проводится с целью определения теоретической и практической готовности выпускника к выполнению социально-профессиональных задач в соответствии с образовательными программами высшего образования.
Государственный экзамен является формой итоговой аттестации обучающихся, которая установлена образовательным стандартом Республики Беларусь, утвержденным Министерством образования Республики Беларусь.
2. Список дисциплин, вынесенных на государственный экзамен.
На государственный экзамен вынесены следующие дисциплины:
1. Наноэлектроника 2. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем 3. Технология изготовления интегральных микросхем 3. Список вопросов 3.1. По дисциплине «Наноэлектроника»
Раздел «Физические основы наноэлектроники»
1. Квантовое ограничение 2. Элементарные низкоразмерные структуры 3. Баллистический транспорт носителей заряда и универсальная баллистическая проводимость 4. Туннелирование носителей заряда 5. Сверхрешетки 6. Правило Андерсона для гетероструктур 7. Периодические квантовые колодцы 8. Модуляционно-легированные структуры 9. Дельта-легированные структуры 10. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем 11. Осаждение атомарных слоев 12. Молекулярно-лучевая эпитаксия 13. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии 14. Физические основы атомной силовой микроскопии 15. Атомная инженерия 16. Локальное окисление полупроводников и металлов 17. Локальное химическое осаждение материалов газовой фазы 18. Электронно-лучевая литография 19. Профилирование резистов сканирующими зондами 20. Нанопечать 21. Самосборка молекул 22. Золь-гель технология 23. Самоорганизация атомов на вицинальных поверхностях кристаллов 24. Пористый кремний 25. Графен 26. Углеродные нанотрубки 27. Интерференция электронных волн и эффект Аронова-Бома 28. Формализм Ландауэра-Бютикера в описании вольт-амперных характеристик низкоразмерных структур 29. Квантовый эффект Холла 30. Квантовый интерференционный транзистор 31. Однобарьерная одноэлектронная структура 32. Двухбарьерная одноэлектронная структура 33. Одноэлектронный транзистор 34. Приборы на одноэлектронном туннелировании 35. Резонансное туннелирование 36. Резонансно-туннельный диод и транзистор 37. Эффект гигантского магнитосопротивления 38. Эффект туннельного магнитосопротивления 39. Приборы на гигантском магнитосопротивлении 40. Ячейки памяти на туннельном магнитосопротивлении «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем»
1. Геометрия мощных МОП транзисторов. Транзисторы с V-образной и U-образной канавками: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu открытых транзисторов.
2. Геометрия мощных горизонтального (ГДМОП) и вертикального (ВДМОП) транзисторов с двойной диффузией: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu открытых транзисторов.
3. Сравнительный анализ геометрических, электрофизических характеристик мощных МОП транзисторов с двойной диффузией (ГДМОП и ВДМОП) и транзисторов с V-канавкой.
4. Особенности проектирования К МОП структур.
5. Зависимость параметров МОП транзисторов от температуры.
6. Расчет величин пороговых значений Uпор МОП транзистора с алюминиевым затвором.
7. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с n–поликремниевым затвором.
8. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с p- поликремниевым затвором.
9. Энергетическая зонная диаграмма идеализированной МДП структуры.
Условия идеализации. Напряжение плоских зон.
10. Зарядовые состояния на границе Si-SiO2.
11. Полевые транзисторы с затором Шоттки (ПТШ). Принцип действия, пороговое напряжение, статические вольтамперные характеристики.
12. Сравнительный анализ электрических характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и с затвором Шоттки.
13. Особенности расчета пороговых напряжений Uпор МОП транзисторов с коротким и узким каналами.
14. Эффекты короткого канала в МОП транзисторе. Критерии короткоканальности.
15. Величина порогового напряжения Uпор МОП -транзистора и пути его регулирования.
16. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства МОП транзистора.
17. Статические вольтамперные характеристики и дифференциальные параметры МОП - транзистора.
18. Пробой МОП транзистора: сквозное обеднение, лавинный пробой электронно-дырочного перехода сток-подложка.
19. Туннельный и обращенный диоды: принцип действия, вольтамперные характеристики.
20. Варикап (варактор): принцип действия, основные параметры, частотные свойства.
21. Диод Шоттки: принцип действия, вольтамперные хаакеристики.
22. Полевые транзисторы, общие сведения: канальные и МДП транзисторы, нормально открытые и нормально закрытые, работающие в режиме обеднения и обогащения, реализация транзисторного эффекта в канальных и МОП транзисторах.
23. Диод Шоттки: частотные свойства, области применения.
24. Тиристоры. Двухэлектродный тиристор (динистор): структура, принцип действия, вольтамперная характеристики. Тиристоры.
25. Структуры мощных биполярных транзисторов (n+-p -n+ и n+ -p -n- -n+ ).
Сравнительный анализ их электрических характеристик.
26. Влияние высокого уровня легирования эмиттера на коэффициент усиления по току.
27. Расширение базы мощного биполярного транзистора при высоких плотностях эмиттерного тока (эффект Кирка).
28. Методы увеличения коэффициента усиления по току в мощных биполярных транзисторах (гетеропереход эмиттер-база, схема Дарлингтона) 29. Образование электронно-дырочного перехода. Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов. Зависимость их величин от температуры, концентрации легирующих примесей и ширины запрещенной зоны.
30. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода.
31. Электронно-дырочный переход при нарушение теплового равновесия.
Прямое и обратное смещения перехода.
32. Диффузионная емкость электронно-дырочного перехода с тонкой базой.
33. Эффекты высокого уровня инжекции в электронно-дырочном переходе:
появление электрического поля в базе, модуляция сопротивления базы, учет падения напряжения на сопротивлении базы.
34. Генерация и рекомбинация носителей в электронно-дырочном переходе.
35. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе при большом уровне инжекции в режиме генератора напряжения. Время восстановления обратного сопротивления (тока) p-n перехода восст.
36. Биполярные транзисторы. Общие сведения: схемы включения, режимы работы.
37. Биполярные транзисторы. Модель Эберса-Молла.
38. Распределение потоков носителей (токи) в биполярном транзисторе в активном нормальном режиме работы. Величина тока базы.
39. Частотные свойства биполярного транзистора.
40. Пробой биполярного транзистора: смыкание эмиттерного и коллекторного p-n переходов, лавинный пробой коллекторного p-n переход.
«Технология изготовления интегральных микросхем»
1. Технологические операции механической обработки кремниевых пластин.
2. Структура нарушенного слоя после механической обработки.
Геттерирование.
3. Источники загрязнения поверхности и методы химподготовки пластин.
4. Контроль качества химподготовки. Основные виды контроля.
5. Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
6. Основные дефекты эпитаксиальных пленок и пути их снижения.
7. Молекулярно- лучевая эпитаксия.
8. Способ формирования монокристаллического кремния на аморфной подложке.
9. Механизм роста и кинетика окисления кремния. Качество пленок.
10. Окисление кремния в сухом кислороде Пирогенное окисление.
11. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы термодиффузии в кремнии.
12. Технологические методы проведения диффузии.
13. Эффект каналирования при ионном легировании.
14. Структурная схема и принцип работы установки ионного легирования.
15. Дефекты в имплантированных слоях и пути их устранения.
16. Методы осаждения поликристаллических пленок кремния.
17. Методы оптической литографии.
18. Схема техпроцесса фотолитографии.
19. Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы.
20. Химическое травления диоксида и нитрида кремния.
21. Взрывная фотолитография.
22. Контактная фотолитография на микрозазоре.
23. Проекционная фотолитография. Используемые варианты.
24. Техпроцесс изготовления фотошаблонов.
25. Электронно- лучевая литография. Электронные резисты.
26. Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.
27. Технологический процесс изготовления скрытого слоя для биполярных элементов микросхем.
28. Особенности технологического процесса изготовления биполярных микросхем с диодом Шоттки.
29. Технологический блок изоляции элементов микросхем. Особенности LOCOS-процесса.
30. Методы формирования КНИ-структур. Изготовление КНИ структуры методом Smart Cut 31. Методы формирования КНИ-структур. Реактивная ионная имплантация.
32. Технологический маршрут изготовления разноименных областей в КМОП-элементах с применением одной фотолитографии.
33. Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОПэлементов с одним и двумя карманами.
34. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование электрода затвора 35. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование истока, стока 36. Технологический блок изготовления металлизации на основе пленок алюминия. Недостатки алюминиевой металлизации.
37. Методы и особенности планаризации поверхности при формировании металлизации микросхем.
38. Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений микросхем на основе пленок меди. Методы двойной гравировки 39. Транзисторы с high-k – подзатворным диэлектриком и металлическим затвором.
40. Технологический маршрут изготовления исток-стоковых областей с двойным легированием в КМОП-элементах.
В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, Е. А. Уткина, Наноэлектроника (Бином, Москва, 2009), 223 с.
2. V. E. Borisenko, S. Ossicini, What is What in the Nanoworld. Second, Completely Revised and Enlarged Edition (Wiley-VCH, Weinheim, 2008), 522 p.
3. В. М. Анищик, В. Е. Борисенко, С. А. Жданок, Н. К. Толочко, В. М. Федосюк, Наноматериалы и нанотехнологии (Издательский центр БГУ, Минск, 2008), 375 стр.
4. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. Пер. с англ., М.: Мир, 1989г.
5. Колосницын Б.С. Элементы интегральных схем. Физические основы. Мн.: БГУИР, 2011г.
6. Колосницын Б.С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы. Мн., БГУИР, 2008 г.
7. Колосницын Б.С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Ч 1, Расчет и проектирование биполярных транзисторов. Мн., БГУИР, 2011 г.
8. Шур М. Физика полупроводниковых приборов в 2-х томах. Пер. с англ., М., Мир, 1982г.
9. Зи С. Технология СБИС: В 2 т. —M.: Мир, 1986. Т. 1-2.
10. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники.— М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. -488 с.
11. Clein D. CMOS IC layout : concepts, methodologies, and tools. —Boston:
Butterworth–Heinemann, 2000. – 261 p.
12. Рындин Е.А., Коноплев Б.Г. Субмикронные интегральные схемы:
элементная база и проектирование. — Таганрог, 2001. – 146 с.
13. Kuo J., Lin Sh. Low- voltage SOI CMOS VLSI devices and circuits. — New York: John Wiley & Sons, Inc., 2001. – 407 p.
14. Razavi B. Design of analog CMOS integrated circuits. — New York:
McGraw-Hill, 2001.- 684 p.
15. Campbell S. A. The science and engineering of microelectronic fabrication.
—New York: Oxford university press, 2001. -603 p.
16. Haraszti T. P. CMOS memory circuits. — New York: Kluwer Academic Publishers, 2002. – 551 p.
17. Rabaey J., Chandrakasan A., Nikolic B. Digital Integrated Circuits: A Design Perspective, second edition. — New York: Prentice Hall, 2003. – 747 p.
18. Goddard W. A., Brenner D. W., Lyshevski S. E., Iafrate G. J. Handbook of nanoscience, engineering, and technology. — New York: CRC Press, 2003. – 709 p.
19. Bhushan B. Handbook of nanotechnology. — Berlin: Springer-Verlag, 2004.p.
УТВЕРЖДАЮ
БИЛЕТЫ
по специальности 1 - 41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Квантовое ограничение.
2. Геометрия мощных МОП транзисторов. Транзисторы с V-образной и U-образной канавками: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu открытых транзисторов.
3. Технологические операции механической обработки кремниевых пластин.
1. Элементарные низкоразмерные структуры.
2. Геометрия мощных горизонтального (ГДМОП) и вертикального (ВДМОП) транзисторов с двойной диффузией: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu открытых транзисторов.
3. Структура нарушенного слоя после механической обработки.
Геттерирование.
1. Баллистический транспорт носителей заряда и универсальная баллистическая проводимость.
2. Сравнительный анализ геометрических, электрофизических характеристик мощных МОП транзисторов с двойной диффузией (ГДМОП и ВДМОП) и транзисторов с V-канавкой.
3. Источники загрязнения поверхности и методы химподготовки пластин 1. Туннелирование носителей заряда.
2. Особенности проектирования К МОП структур.
3. Контроль качества химподготовки. Основные виды контроля/ 1. Сверхрешетки.
2. Зависимость параметров МОП транзисторов от температуры 3. Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
1. Правило Андерсона для гетероструктур.
2. Расчет величин пороговых значений Uпор МОП транзистора с алюминиевым затвором.
3. Основные дефекты эпитаксиальных пленок и пути их снижения.
1. Периодические квантовые колодцы.
2. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с n–поликремниевым затвором.
3. Молекулярно- лучевая эпитаксия.
1. Модуляционно-легированные структуры.
2. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с p-поликремниевым затвором.
3. Способ формирования монокристаллического кремния на аморфной подложке.
1. Дельта-легированные структуры.
2. Энергетическая зонная диаграмма идеализированной МДП структуры.
Условия идеализации. Напряжение плоских зон.
3. Механизм роста и кинетика окисления кремния. Качество пленок.
1. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем.
2. Зарядовые состояния на границе Si-SiO2.
3. Окисление кремния в сухом кислороде Пирогенное окисление 1. Осаждение атомарных слоев.
2. Полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ). Принцип действия, пороговое напряжение, статические вольтамперные характеристики.
3. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы термодиффузии в кремнии.
1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
2. Сравнительный анализ электрических характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и с затвором Шоттки 3. Технологические методы проведения диффузии.
1. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии.
2. Особенности расчета пороговых напряжений Uпор МОП транзисторов с коротким и узким каналами.
3. Эффект каналирования при ионном легировании.
1. Физические основы атомной силовой микроскопии.
2. Эффекты короткого канала в МОП транзисторе. Критерии короткоканальности.
3. Структурная схема и принцип работы установки ионного легирования.
1. Атомная инженерия.
2. Величина порогового напряжения Uпор МОП-транзистора и пути его регулирования.
3. Дефекты в имплантированных слоях и пути их устранения.
1. Локальное окисление полупроводников и металлов.
2. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства МОП-транзистора.
3. Методы осаждения поликристаллических пленок кремния.
Локальное химическое осаждение материалов газовой фазы 2. Статические вольтамперные характеристики и дифференциальные параметры МОП - транзистора.
Методы оптической литографии.
1. Электронно-лучевая литография.
2. Пробой МОП транзистора: сквозное обеднение, лавинный пробой электронно-дырочного перехода сток-подложка.
3. Схема техпроцесса фотолитографии 1. Профилирование резистов сканирующими зондами 2. Туннельный и обращенный диоды: принцип действия, вольтамперные характеристики.
3. Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы 1. Нанопечать.
2. Варикап (варактор): принцип действия, основные параметры, частотные свойства.
3. Химическое травления диоксида и нитрида кремния 1. Самосборка молекул.
2. Диод Шоттки: принцип действия, вольтамперные хаакеристики.
3. Взрывная фотолитография 1. Золь-гель технология.
2. Полевые транзисторы, общие сведения: канальные и МДП транзисторы, нормально открытые и нормально закрытые, работающие в режиме обеднения и обогащения, реализация транзисторного эффекта в канальных и МОП транзисторах.
3. Контактная фотолитография на микрозазоре.
Самоорганизация атомов на вицинальных поверхностях кристаллов.
Диод Шоттки: частотные свойства, области применения Проекционная фотолитография. Используемые варианты 1. Пористый кремний.
2. Тиристоры. Двухэлектродный тиристор (динистор): структура, принцип действия, вольтамперная характеристики. Тиристоры.
3. Техпроцесс изготовления фотошаблонов 1. Графен.
2. Структуры мощных биполярных транзисторов (n+-p -n+ n+ -p -n- -n+ ).
Сравнительный анализ их электрических характеристик.
3. Электронно- лучевая литография. Электронные резисты 1. Углеродные нанотрубки.
2. Влияние высокого уровня легирования эмиттера на коэффициент усиления 3. Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.
1. Интерференция электронных волн и эффект Аронова-Бома.
2. Расширение базы мощного биполярного транзистора при высоких плотностях эмиттерного тока (эффект Кирка).
3. Технологический процесс изготовления скрытого слоя для биполярных элементов микросхем.
1. Формализм Ландауэра-Бютикера в описании вольт-амперных характеристик низкоразмерных структур.
2. Методы увеличения коэффициента усиления по току в мощных биполярных транзисторах (гетеропереход эмиттер-база, схема Дарлингтона) 3. Особенности технологического процесса изготовления биполярных микросхем с диодом Шоттки.
1. Квантовый эффект Холла 2. Образование электронно-дырочного перехода. Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов. Зависимость их величин от температуры, концентрации легирующих примесей и ширины запрещенной зоны.
3. Технологический блок изоляции элементов микросхем. Особенности LOCOS-процесса.
1. Квантовый интерференционный транзистор.
2. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода 3. Методы формирования КНИ-структур. Изготовление КНИ структуры методом Smart Cut 1. Однобарьерная одноэлектронная структура.
2. Электронно-дырочный переход при нарушение теплового равновесия.
Прямое и обратное смещения перехода.
3. Методы формирования КНИ-структур. Реактивная ионная имплантация 1. Двухбарьерная одноэлектронная структура.
2. Диффузионная емкость электронно-дырочного перехода с тонкой базой.
3. Технологический маршрут изготовления разноименных областей в КМОП-элементах с применением одной фотолитографии.
1. Одноэлектронный транзистор.
2. Эффекты высокого уровня инжекции в электронно-дырочном переходе:
появление электрического поля в базе, модуляция сопротивления базы, учет падения напряжения на сопротивлении базы.
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОП-элементов с одним и двумя карманами.
1. Приборы на одноэлектронном туннелировании.
2. Генерация и рекомбинация носителей в электронно-дырочном переходе 3. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование электрода затвора/ 1. Резонансное туннелирование.
2. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе при большом уровне инжекции в режиме генератора напряжения. Время восстановления обратного сопротивления (тока) p-n перехода восст.
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование истока, стока 1. Резонансно-туннельный диод и транзистор.
2. Биполярные транзисторы. Общие сведения: схемы включения, режимы работы.
3. Технологический блок изготовления металлизации на основе пленок алюминия. Недостатки алюминиевой металлизации.
1. Эффект гигантского магнитосопротивления.
2. Биполярные транзисторы. Модель Эберса-Молла 3. Методы и особенности планаризации поверхности при формировании металлизации микросхем.
1. Эффект туннельного магнитосопротивления.
2. Распределение потоков носителей (токи) в биполярном транзисторе в активном нормальном режиме работы. Величина тока базы 3. Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений микросхем на основе пленок меди. Методы двойной гравировки 1. Приборы на гигантском магнитосопротивлении.
2. Частотные свойства биполярного транзистора.
3. Транзисторы с high-k – подзатворным диэлектриком и металлическим затвором.
1. Ячейки памяти на туннельном магнитосопротивлении.
2. Пробой биполярного транзистора: смыкание эмиттерного и коллекторного p-n переходов, лавинный пробой коллекторного p-n перехода.
3. Технологический маршрут изготовления исток-стоковых областей с двойным легированием в КМОП-элементах.
Рассмотрены и рекомендованы к утверждению на заседании кафедры микрои наноэлектроники Протокол № 4 от «18» ноября 2013 г.
Одобрены и рекомендованы к утверждению Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от «25» ноября 2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1 - 41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Квантовое ограничение.
2. Геометрия мощных МОП транзисторов. Транзисторы с V-образной и U-образной канавками: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu открытых транзисторов.
3. Технологические операции механической обработки кремниевых пластин.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Элементарные низкоразмерные структуры.
2. Геометрия мощных горизонтального (ГДМОП) и вертикального (ВДМОП) транзисторов с двойной диффузией: принцип действия, сопротивление стокисток Rcu открытых транзисторов.
3. Структура нарушенного слоя после механической обработки.
Геттерирование.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Баллистический транспорт носителей заряда и универсальная баллистическая проводимость.
2. Сравнительный анализ геометрических, электрофизических характеристик мощных МОП транзисторов с двойной диффузией (ГДМОП и ВДМОП) и транзисторов с V-канавкой.
3. Источники загрязнения поверхности и методы химподготовки пластин Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Туннелирование носителей заряда.
2. Особенности проектирования К МОП структур.
3. Контроль качества химподготовки. Основные виды контроля Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Сверхрешетки.
2. Зависимость параметров МОП транзисторов от температуры 3. Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Правило Андерсона для гетероструктур.
2. Расчет величин пороговых значений Uпор МОП транзистора с алюминиевым затвором.
3. Основные дефекты эпитаксиальных пленок и пути их снижения.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1.Периодические квантовые колодцы.
2. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с n–поликремниевым затвором.
3. Молекулярно- лучевая эпитаксия.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Модуляционно-легированные структуры.
2. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с pполикремниевым затвором.
3. Способ формирования монокристаллического кремния на аморфной подложке.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Дельта-легированные структуры.
2. Энергетическая зонная диаграмма идеализированной МДП структуры.
Условия идеализации. Напряжение плоских зон.
3. Механизм роста и кинетика окисления кремния. Качество пленок.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем.
2. Зарядовые состояния на границе Si-SiO2.
3. Окисление кремния в сухом кислороде. Пирогенное окисление Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1.Осаждение атомарных слоев.
2. Полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ). Принцип действия, пороговое напряжение, статические вольтамперные характеристики.
3. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы термодиффузии в кремнии.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
2. Сравнительный анализ электрических характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и с затвором Шоттки 3. Технологические методы проведения диффузии.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии.
2. Особенности расчета пороговых напряжений Uпор МОП транзисторов с коротким и узким каналами.
3. Эффект каналирования при ионном легировании.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Физические основы атомной силовой микроскопии.
2. Эффекты короткого канала в МОП транзисторе. Критерии короткоканальности.
3. Структурная схема и принцип работы установки ионного легирования.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Атомная инженерия.
2. Величина порогового напряжения Uпор МОП-транзистора и пути его регулирования.
3. Дефекты в имплантированных слоях и пути их устранения.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Локальное окисление полупроводников и металлов.
2. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства МОП-транзистора.
3. Методы осаждения поликристаллических пленок кремния.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Локальное химическое осаждение материалов газовой фазы 2. Статические вольтамперные характеристики и дифференциальные параметры МОП-транзистора.
3. Методы оптической литографии.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Электронно-лучевая литография.
2. Пробой МОП транзистора: сквозное обеднение, лавинный пробой электронно-дырочного перехода сток-подложка.
3. Схема техпроцесса фотолитографии Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Профилирование резистов сканирующими зондами 2. Туннельный и обращенный диоды: принцип действия, вольтамперные характеристики.
3. Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Нанопечать.
2. Варикап (варактор): принцип действия, основные параметры, частотные свойства.
3. Химическое травления диоксида и нитрида кремния Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Самосборка молекул.
2. Диод Шоттки: принцип действия, вольтамперные хаакеристики.
3. Взрывная фотолитография Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Золь-гель технология.
2. Полевые транзисторы, общие сведения: канальные и МДП транзисторы, нормально открытые и нормально закрытые, работающие в режиме обеднения и обогащения, реализация транзисторного эффекта в канальных и МОП транзисторах.
3. Контактная фотолитография на микрозазоре.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Самоорганизация атомов на вицинальных поверхностях кристаллов.
2. Диод Шоттки: частотные свойства, области применения 3. Проекционная фотолитография. Используемые варианты Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Пористый кремний.
2. Тиристоры. Двухэлектродный тиристор (динистор): структура, принцип действия, вольтамперная характеристики. Тиристоры.
3. Техпроцесс изготовления фотошаблонов Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Графен.
2. Структуры мощных биполярных транзисторов (n+-p -n+ n+ -p -n- -n+ ).
Сравнительный анализ их электрических характеристик.
3. Электронно- лучевая литография. Электронные резисты Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Углеродные нанотрубки.
2. Влияние высокого уровня легирования эмиттера на коэффициент усиления по току.
3. Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Интерференция электронных волн и эффект Аронова-Бома.
2. Расширение базы мощного биполярного транзистора при высоких плотностях эмиттерного тока (эффект Кирка).
3. Технологический процесс изготовления скрытого слоя для биполярных элементов микросхем.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
Формализм Ландауэра-Бютикера в описании вольт-амперных характеристик низкоразмерных структур.
2. Методы увеличения коэффициента усиления по току в мощных биполярных транзисторах (гетеропереход эмиттер-база, схема Дарлингтона) 3. Особенности технологического процесса изготовления биполярных микросхем с диодом Шоттки.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1.Квантовый эффект Холла 2.Образование электронно-дырочного перехода. Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов. Зависимость их величин от температуры, концентрации легирующих примесей и ширины запрещенной зоны.
3. Технологический блок изоляции элементов микросхем. Особенности LOCOS-процесса.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Квантовый интерференционный транзистор.
2. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода 3. Методы формирования КНИ-структур. Изготовление КНИ структуры методом Smart Cut Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Однобарьерная одноэлектронная структура.
2. Электронно-дырочный переход при нарушение теплового равновесия.
Прямое и обратное смещения перехода.
3. Методы формирования КНИ-структур. Реактивная ионная имплантация Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Двухбарьерная одноэлектронная структура.
2. Диффузионная емкость электронно-дырочного перехода с тонкой базой.
3. Технологический маршрут изготовления разноименных областей в КМОПэлементах с применением одной фотолитографии.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Одноэлектронный транзистор.
2. Эффекты высокого уровня инжекции в электронно-дырочном переходе:
появление электрического поля в базе, модуляция сопротивления базы, учет падения напряжения на сопротивлении базы.
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОПэлементов с одним и двумя карманами.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Приборы на одноэлектронном туннелировании.
2. Генерация и рекомбинация носителей в электронно-дырочном переходе 3. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование электрода затвора Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Резонансное туннелирование.
2. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе при большом уровне инжекции в режиме генератора напряжения. Время восстановления обратного сопротивления (тока) p-n перехода восст.
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование истока, стока Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Резонансно-туннельный диод и транзистор.
2. Биполярные транзисторы. Общие сведения: схемы включения, режимы работы.
3. Технологический блок изготовления металлизации на основе пленок алюминия. Недостатки алюминиевой металлизации.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Эффект гигантского магнитосопротивления.
2. Биполярные транзисторы. Модель Эберса-Молла 3. Методы и особенности планаризации поверхности при формировании металлизации микросхем.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Эффект туннельного магнитосопротивления.
2. Распределение потоков носителей (токи) в биполярном транзисторе в активном нормальном режиме работы. Величина тока базы 3. Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений микросхем на основе пленок меди. Методы двойной гравировки Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Приборы на гигантском магнитосопротивлении.
2. Частотные свойства биполярного транзистора.
3. Транзисторы с high-k – подзатворным диэлектриком и металлическим затвором.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»специализация 1-41 01 02 01 «Компьютерное проектирование микроэлектронных устройств и систем»
1. Ячейки памяти на туннельном магнитосопротивлении.
2. Пробой биполярного транзистора: смыкание эмиттерного и коллекторного p-n переходов, лавинный пробой коллекторного p-n перехода.
3. Технологический маршрут изготовления исток-стоковых областей с двойным легированием в КМОП-элементах.
Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники В. Е Борисенко Экзаменационный билет утвержден проректором по учебной работе и менеджменту качества 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет одобрен Советом факультета радиотехники и электроники протокол № 3 от 25.11.2013 г.
Экзаменационный билет обсужден на заседании кафедры микро- и наноэлектроники протокол № 4 от 18.11.2013 г.
«