Рисунок 3 – Экспериментальная кривая Рисунок 4 – Спектры Ni2p3: 1) – после угловой зависимости интенсивности «обдува», без травления; 2) – после 20 мин отражения рентгеновского излучения для травления; 3) – после 34 мин травления; 4) – = 0,154 нм.

Анализ спектров ВР Ni2p показывает, что на исходной поверхности после ее очистки от адсорбированных газов методом «обдува»

металлический никель (пик Ni2p3 Есв = 852,7 эВ чистого никеля частично окислен (наплыв слева помечен на рисунке OXI). После мин положение (852,7 эВ) и форма спектра Ni2p (с плазмонным пиком P) характерны для металлического никеля. Спектры после 34 и 44 мин отличаются от предыдущих смещением максимума в область более высоких энергий (Есв = 853,1 эВ), уменьшением его интенсивности и потерей плазмонного пика. Увеличение энергии связи Ni2p свидетельствует об образовании химической связи Ni–Si. Однако обратного эффекта – уменьшения энергии связи Si2p, не наблюдается.

Спектры Si2p локализованы на Есв=99,5 эВ, что соответствует несвязанному кремнию. Полученные данные свидетельствуют о наличии смеси Si и NiSi.

Принимая во внимание данные, полученные с помощью ЭСХА, была смоделирована структура, состоящая из 4-х слоев (Табл. 1). Сумма толщин всех слоев составила ~25 нм.

Таблица 1 – Параметры структуры NiSi на Si.

Полное размытие границы пленка-подложка произошло на образце дисилицида кремния на кремниевой подложке (NiSi2 на Si) – на угловой зависимости коэффициента отражения на обеих спектральных линиях интерференционных максимумов не наблюдается.

Однако, расчет позволил выявить среднюю плотность образовавшейся неоднородной структуры NiSi2 = 3,69, а критический угол для этого образца составил с = 0,28°.

Во второй части главы приведены результаты исследования методом двухволновой рефлектометрии параметров дискретной слоистой структуры, а также предложен и обоснован алгоритм обработки данных для рассматриваемого случая.

Тест-объектом являлась пленочная структура, которая изготавливалась методом магнетронного напыления Та через маску.

Размер окон маски и среднее расстояние между ними составляли, соответственно, 2,32,3 мм2 и 3,5 мм. Технологически заданная толщина пленки Та – 16 нм. В качестве подложки использовался стандартный диск Si(100) с оптически гладкой поверхностью.

Исследуемые образцы, вырезанные из диска, имели форму прямоугольника размером 1224 мм2.

Одна из основных проблем рентгеновской рефлектометрии при малых углах скольжения – неполный перехват отражающей поверхностью образца падающего пучка. В результате экспериментально измеренное отношение Ir()/I0(), где I0() и Ir(), соответственно, интенсивности прямого и зеркально отраженного пучков, в общем случае не равно коэффициенту отражения r(). Это особенно актуально для реальных приборных структур, которые обычно имеют размеры 1 см.

Рисунок 5 – Экспериментальная схема Рисунок 6 – Угловая, градусызависимость измерения: 1, 3, 6, 7 – щелевые диафрагмы, отношения коэффициентов отражения от 2 – образец, 4 – полупрозрачный дискретной структуры Ta2O5/Si. Точки – монохроматор, 5 – объемный экспериментальные значения, сплошная монохроматор, 8, 9 – детекторы излучения. линия – результат расчета.

Для дискретной структуры отношение коэффициентов отражения на 2-х длинах волн r(, 1)/r(, 2) может быть корректно измерено c достаточной точностью при выполнении условий, сформулированных в [5]. Для расчта параметров дискретной структуры использовалось отношение:

где коэффициент q = Sf / S, Sf – площадь элемента локальной структуры, S – площадь локальной структуры, cp = P(x, y, 1)/P(x, y, 2), P(x, y, 1) и P(x, y, 2) – парциальные плотности потока за коллимационной щелью 1 (рис. 5) для спектральных линий 1, 2.

Отношение (1) не содержит неопределенных геометрических параметров и поэтому может быть непосредственно использовано для математической обработки. Альтернативная возможность измерения cp определение отношения интенсивностей зеркального отражения при cp IR(, 1)/IR(, 2). Формально величина q задана технологически, например, геометрическими размерами маски. Однако, в силу конечной ширины пучка и размера образца плотность потока и отношение Sf / S для краевых зон может резко меняться. Поэтому, при компьютерной обработке данных также варьировалась величина q.

На рисунке 6 представлена нормированная угловая зависимость отношения и результаты ее математической обработки с использованием выражения (1). Первый и второй пики на зависимости обусловлены резким падением коэффициента отражения вблизи критических углов ПВО и позволяют идентифицировать материалы отражающей структуры: соответственно, кремний и окисел Ta.

Согласно данным обработки в полном угловом диапазоне, пленочные островки состоят из Ta2O5 с плотностью 8,44 г/см3. Толщина пленки равна 15,8 нм, шероховатость внешней и внутренней границ раздела, характеризуемые параметром равны ~ 0,5 нм. Таким образом, пленка Ta почти полностью окислена, а ее плотность близка к табличным данным для объемного Ta2O5 (8,2 г/см3) [6]. В результате использования двухволновой измерительной схемы и описанного алгоритма удалось установить, что площадь окон Ta2O5 в отношении к площади образца составила 13-14 %.

В третьей части главы рассмотрена возможность применения метода двухволновой рентгеновской рефлектометрии для анализа структур со слоями, сформированными с помощью ионной имплантации, на примере нарушенных слов кремния после имплантации ионов F+. В ряде случаев, такие структуры представляют особый интерес для микроэлектронной технологии. В последнее время именно на таких объектах обнаружены ранее неизвестные явления: ускоренное образование стабильных радиационных дефектов [7] и спонтанное образование окисла при хранении имплантированных образцов при комнатной температуре [8].

Были исследованы два типа образцов: полученные имплантацией F+ напрямую в матрицу кремния и имплантацией через слой диоксида кремния толщиной ~42,5 нм (после имплантации SiO2 удалялся травлением). Энергия пучка ионов при имплантации для всех образцов составила E = 40 КэВ. Доза варьировалась: Образец #1 – 1,25·1015 (через оксид); образец #2 – 1,25·1015 (естественный окисел); образец #3 – 9,25·1015 (через оксид); образец #4 – 9,25·1015 (естественный окисел).

Рисунок 7 – Экспериментальные кривые угловой Рисунок 8 – Схема распределения зависимости коэффициентов отражения для ионов F+.

образцов, имплантированных F+.

Эксперименты с применением двухволнового рефлектометра (рис. 7) выявили на образцах имплантированных ионами F+ следующие особенности (см. табл. 2):

Таблица 2 – Результаты анализа серии образцов после имплантации F+.

Si (Подложка) Таким образом, толщина нарушенного слоя определяется условиями имплантации, т.е. при облучении через плнку оксида толщина нарушенного слоя уменьшается на толщину оксида, что напрямую связано с профилем распределения потерь энергий налетающих ионов на упругие соударения и, соответственно, с профилем распределения вторичных радиационных дефектов (рис. 8).

Нарастание окисла напрямую связано с дозой имплантации ионов фтора – толщина оксида, образовавшегося при комнатной температуре (время формирования более 10 дней после облучения), существенно превышает толщину оксида, образовавшегося при меньшей дозе облучения.

Анализ результатов, приведенных в таблице 2, позволяет обратить внимание и на другие особенности, которые, однако, подлежат дальнейшей тщательной проверке:

– Плотность нарушенного слоя отличается от плотности монокристаллического (ненарушенного) кремния (~2-3%). Это обстоятельство согласуется с моделью накопления дефектов вакансионного типа в максимуме потерь энергии на упругие соударения [9], которая основана на пространственном разделении вакансий и междоузельных атомов.

– Плотность естественного окисла с увеличением дозы уменьшается, причм наблюдается разница по плотности при облучении через плнку диоксида и без не таким образом, что плотность плнки при одинаковой дозе облучения больше на образцах, облученных через пленку предварительно нанесенного диоксида. Обе эти зависимости согласуются с предположением, что количество внедренного фтора определяет плотность нарастающего при хранении естественного окисла. Эти наблюдения могут быть сопоставлены с известным фактом [10], что скорость травления пленки диоксида, выращенной на поверхности кремния облученного ионами F+ увеличивается.

Таким образом, в главе показано, что использование отношения двух длин волн при расчте параметров структуры с помощью генетического алгоритма позволяет существенно снизить вероятность попадания в один из локальных минимумов выбранного функционала невязки. Для каждой из рассматриваемых длин волн может быть рассчитан свой функционал невязки, положение локальных минимумов в любом из них для различных длин волн в координатном поле могут совпадать, не совпадать и пересекаться. При совпадении локальных минимумов они сохраняются в функционале невязки для отношения, при пересечении и несовпадении они либо изменяют свою глубину, либо совсем исчезают.

Использование отношения при расчте параметров позволяет существенно увеличить вероятность нахождения глобального минимума функционала невязки. Этот факт позволяет более эффективно использовать возможности, заложенные в основу оптимизации поиска с помощью генетического алгоритма.

Также показано, что применение взаимодополняющих методов (ЭСХА и двухволновая рефлектометрия) позволяет однозначно интерпретировать результаты измерений неоднородных структур, подвергшихся технологическим обработкам (например, силицидов металлов).

Показано, что метод рентгеновской рефлектометрии в комбинации с предложенным алгоритмом расчта может быть успешно использован для точного определения параметров дискретных структур наноразмерной толщины, полученных напылением через маску или с помощью литографии. Одним, из таких параметров является процент заполнения плнкой исследуемого образца.

Показано, что использование двухволной рентгеновской рефлектометрии позволило подойти к решению проблем определения параметров имплантированных слоев без разрушения образца, а также к выявлению ранее неизвестных эффектов.

В главе 3 представлены результаты исследования параметров многослойных пространственно упорядоченных структур (рентгеновских зеркал), созданных на основе различных материалов методом одно- и двухволновой рентгеновской рефлектометрии.

Методика исследования таких структур двухволновым методом, в нашем случае, совпадает с методикой исследования пленок силицидов металлов, описанной в главе 2. Основным отличием является использование модифицированного ПО для компьютерного моделирования отражения от многослойной упорядоченной структуры.

Исследования одноволновым методом проводились на установке D Discover (Bruker AXS). Мощность источника рентгеновского излучения составила 2,0 кВт, рабочий ток 40 мА, напряжение на трубке 40 кВ. Для исследований использовалась -линия характеристического излучения трубки с медным анодом. Параллельный монохроматический пучок получали с помощью фокусирующего зеркала Гебеля, после которого был установлен щелевой монохроматор (типа монохроматора Бартеля) с четырьмя отражениями типа Ge(022). Время измерения в угловой точке (экспозиция) составила 5 секунд. Перед детектором ставили щель шириной 0,1 мм.

На первом этапе проводилась съемка экспериментальных зависимостей коэффициента отражения от угла скольжения, на втором определялись основные структурные параметры МС: период структуры – d, доля сильно поглощающего вещества в периоде – и глубина переходной области –, плотность сильно поглощающего материала – Образец многослойного рентгеновского зеркала на основе пары Mo/Si был получен технологами Института прикладной оптики им.

Фраунгофера (Ена, Германия) с помощью последовательного магнетронного напыления слоев Mo и Si на стандартный кремниевый диск (100). Подложка специально не подогревалась. Исследуемые образцы имели площадь ~1020 мм2. Пара материалов Mo/Si довольно часто используется для создания на их основе рентгеновских зеркал (в том числе, нормального падения). Однако, с помощью двухволновой методики такая структура исследовалась впервые.

Многослойная периодическая структура Ti-ZnTe подготавливалась методом магнетронного распыления в атмосфере аргона из двух источников. Скорость напыления составляла 0,05 нм/с. В качестве подложки использовался стандартный диск Si(100). Во время напыления подложка нагревалась до 400°C и прогревалась в течение 5 мин. Размер образца по диагонали составлял ~20 мм.

Образец многослойного углеродного рентгеновского зеркала (Сsp2/C-sp3) подготавливался с помощью осаждения плазмы в атмосфере Ar + C6H12 и магнетронного распыления источника графита. В качестве подложки использовались пластины плавленого кварца диаметром 30 мм со среднеквадратичной шероховатостью поверхности ~ 0,8 nm.

Для улучшения адгезии перед осаждением пластины были очищены плазмой. Исследуемые образцы имели площадь ~3050 мм2.

Из данных расчета удалось установить, что соответствие периодов для образца Mo-Si сохраняется вплоть до больших глубин, поскольку даже на достаточно больших углах скольжения полуширина пиков Брэгга остается небольшой и удовлетворительно согласуется с данными компьютерного расчета. По данным расчета однозначно удалось выявить количество периодов слоев Mo и Si – 20 периодов. Результаты компьютерного моделирования представлены в таблице 3. Доля сильно поглощающего вещества в периоде составила = 39%. Также удалось зафиксировать наличие оксида на подложке, однако из данных расчета точные значения параметров слоя выявить не представлялось возможным ввиду большой толщины сильнопоглощающего вещества, расположенного над окисной пленкой.

Таблица 3 – Параметры модельной многослойной структуры Mo/Si.

№ Материал Толщина слоя, нм Шероховатость, нм Плотность, г/см Результаты, полученные с помощью одноволнового метода, для этого образца удовлетворительно совпали с данными двухволнового метода.

Параметры образеца рентгеновского зеркала С-sp2/C-sp3 (С-С), полученные двумя методами, представлены в сводной таблице 4.

Таблица 4 – Сравнительные результаты анализа образца C-C № Исследуемый параметр Количество бислоев материала Шероховатость компонентов бислоя Как видно из таблицы 4, данные, полученные различными методами, сильно не согласованы, однако экспериментальная кривая, полученная с помощью «X-Ray Minilab», более детализирована. Это связано с тем, что в приборе «D8» используется практически на порядок более мощный источник рентгеновского излучения, что в результате является причиной сильной зашумленности экспериментальной кривой. Этот вывод позволяет нам опираться на данные двухволновой рентгеновской рефлектометрии, как на более точные. Соответствие периодов для данного образца сохраняется только вблизи поверхности, что было зафиксировано экспериментально.

Образец рентгеновского зеркала Ti/ZnTe также одно- и двухволнового метода. Для сравнения на рисунке 9 представлена I угловая зависимость, снятая для длины волны CuK с и «D8 Discover». Можно осцилляций Киссиха на либо отсутствует, либо Рисунок 9 – Сравнение экспериментальных сильно зашумлена – на рисунке отмечены установке «X-Ray Minilab» (верхняя кривая).

штрихом. Такое Штрихом отмечены пики, которые D8 не видит рассогласование в или не разрешает.

экспериментальных данных, влечет за собой увеличение погрешности при компьютерных расчетах, а возможно, и к ошибкам интерпретации данных.

При рефлектометрии решающим фактором для получения высокого углового разрешения является яркость рентгеновского источника и светосила измерительной схемы. По обоим параметрам «D8»обладает меньшими значениями. У прибора «MiniLab» размер проекции фокуса 0,028 мм2, для «D8» этот же параметр – 0,11 мм2, т.е. при равной мощности яркость источника «D8» в 6 раз меньше.

Таблица 5 – Сравнительные результаты анализа образца Ti/ZnTe № Исследуемый параметр Количество бислоев материала При последовательной монохроматизации с помощью зеркала Гбеля и монохроматора по Бартелю эффективный коэффициент отражения при угловом растворе ~1 мин. составляет ~10%. «Minilab»

обеспечивает ~30%, т.е. в 3 раза больше. Итого «Minilab» обладает преимуществом не менее чем на порядок, что подтверждают сравнительные измерения. Оптическая схема «D8» эффективна при работе с кристаллами на больших углах, когда перехватывается весь пучок после зеркала Гбеля с шириной сечения ~ 1 мм.

В сводной таблице 5 представлены численные параметры структуры Ti/ZnTe, измеренные одно- и двухволновым методами.

Из данных расчта сделан вывод о сильном рассогласовании периода бислоя.

Таким образом, в главе показано, что метод многоволновой рентгеновской рефлектометрии может быть успешно использован для количественного анализа степени упорядоченности многослойных пространственно упорядоченных структур. Выявлены преимущества предложенной измерительной схемы, которые заключаются в использовании источника излучения малой мощности, дающего возможность снизить зашумлнность экспериментальных данных, системы коллимации, позволяющей добиться более высокого разрешения, и использовании при математической обработке отношения нескольких длин волн, которое позволяет не только обойти ограничения, накладываемые геометрическими факторами, но и повысить точность измерений.

Глава 4 посвящена исследованию степени упорядоченности структур на поверхности с привлечением различных экспериментальных методов.

Показано, что в качестве количественного диагностического параметра, характеризующего степень упорядоченности объектов на поверхности, может быть использована фрактальная размерность.

Для расчта фрактальной размерности в работе использовался метод, предложенный авторами Гомес-Родригесом и др. (ГР) [11], предложен способ определения фрактальной размерности на основе анализа трехмерных СТМ-изображений. Самоподобная поверхность с помощью компьютерного моделирования рассекается в горизонтальном направлении, образуя, тем самым, на поверхности образца «островки»

или «озера». Затем вычисляется зависимость периметра L от площади A для каждого из островков. L и A для объектов в системе связаны соотношением:

где – константа, d – фрактальная размерность береговой линии озер, – величина измерения. Величина измерения (число пикселей в нм) будет равна общей длине сканирования, разделенной на число пикселей в каждом направлении. Фрактальная размерность трехмерной поверхности d связана с d соотношением:

При изначально известном проценте порядка в системе мы можем определить фрактальную размерность, используя для этого различные методы (в нашем случае, метод Гомеса-Родригеса). Не имеет принципиального значения, какой метод выбран, так как фрактальная размерность является неизменной характеристикой системы для выбранного состояния и результаты, полученные различными способами, хорошо согласуются.

Метод Гомеса-Родригеса применим для анализа данных СЗМ.

Однако существуют и другие экспериментальные методы, позволяющие количественно определять фрактальные параметры образцов.

В работе [12] предложен способ моделирования рассеяния рентгеновского излучения шероховатой поверхностью на основании фрактального подхода в рамках динамической теории рассеяния рентгеновского излучения (приближения Борна для искаженных волн (DWBA)). Для описания поверхности в расчете используется корреляционная функция:

где h – это параметр текстуры поверхности (параметр Харста [13]), а – длина корреляции шероховатости.

Величина h описывает фрактальные свойства поверхности (текстуру) и связана с фрактальной размерностью поверхности соотношением Разработана модель анализа упорядоченности на примере двухмерных систем, состоящих из различных типов объектов.

Суть модели заключается в определении методом ГР фрактальной размерности системы идеальных двумерных объектов, расположенных с заданным процентом упорядочения, и отслеживании динамики ее изменения при варьировании геометрического местоположения объектов в системе. Элементарными объектами были выбраны окружности и квадраты. Совокупность таких элементов представлялась как горизонтальный срез трехмерной структуры. Изменяя начальные параметры в системе (процент порядка, количество элементов и т.д.), мы можем контролировать форму получаемых объектов и, соответственно, фрактальную размерность всей системы в целом. Чем сложнее форма полученных объектов, тем фрактальная размерность, как показано в работе, выше.

Моделируемая система подвергается геометрическим преобразованиям, суть которых заключается в сближении центров объектов без изменения их формы. Для каждого случая весь процесс разбивается на определенное количество шагов I, и для каждого шага подсчитывается величина фрактальной размерности D и количество объектов N. Каждый следующий шаг является приближением центров на 1% от начального расстояния между объектами.

Рисунок 10 – Изменение фрактальной размерности в системе при морфологических преобразованиях в случае 50% упорядочения (слева) и в случае 100% упорядочения (справа).

Как видно из графиков, при соприкосновении (слиянии) объектов фрактальная размерность резко возрастает, что обусловлено усложнением формы получаемого объекта. В результате многочисленных экспериментов нами было замечено, что при одновременном соприкосновении большого числа объектов изменение фрактальной размерности больше, чем при соприкосновении малого числа элементов. И это позволяет сделать заключение об упорядоченности или не упорядоченности системы в целом.

Это согласуется с результатами, полученными при изучении с поверхности образцов кремния, облученных ионами кобальта [14].

Сравнивая результаты, полученные на основе нашей модели, и результаты исследования изображений поверхности образцов CoSi2, можно сказать, что фрактальная размерность является критерием оценки порядка, а сама модель может служить инструментом для выявления степени упорядочения в системе.

Заключение Целью работы являлась разработка метода двухволновой рентгеновской рефлектометрии для экспресс-анализа одно- и многослойных структур. Основным отличием от одноволнового метода является увеличенный набор экспериментальных данных, которые благодаря уникальной измерительной схеме удается получать за одно измерение, что позволяет не только сократить количество итераций при последующей компьютерной обработке, но увеличить точность измерений и обойти некоторые ограничения одноволнового метода. Для компьютерного анализа экспериментальных данных в работе был использован генетический алгоритм оптимизации. Хотя такого рода алгоритмы уже применялись для расчета данных рентгеновской рефлектометрии, применительно к двухволновому методу он был использован впервые. Для исследования выбирались структуры, используемые в реальном микроэлектронном производстве, поскольку они представляют большой интерес для технологов и исследователей, а так же с целью демонстрации принципиальных возможностей и преимуществ двухволновой рентгеновской рефлектометрии. В работе с помощью указанного метода были исследованы образцы одно- и многослойных структур различных материалов. В результате исследований были сформулированы следующие выводы.

В отличие от одноволновой рентгеновской рефлектометрии, двухволновая измерительная схема, подразумевающая использование при расчете отношения интенсивностей, позволяет прецизионно определять толщины и плотности сформированных дискретных структур, а так же проводить контроль качества границ раздела таких пленок. Относительная рентгеновская рефлектометрия скользящего падения может быть использована для точного определения параметров дискретных структур наноразмерной толщины, полученных напылением через маску или с помощью литографии, и благодаря своим микроэлектронном производстве.

Двухволновая рентгеновская рефлектометрия может давать информацию о структурах не только однородных по своему составу, но и неоднородных. Такая неоднородность может возникать во время технологических обработок. Использование отношения интенсивностей отраженного сигнала для расчета параметров структуры является критически важным условием точного их определения, а результаты такого расчета отлично согласуются с экспериментом, независимо от выбранной длины волны. Как выяснилось из данных, представленных в работе, вычисление параметров тонких пленок из отношения интенсивностей позволяет не только избавиться от влияния геометрических факторов, приборных эффектов и др. [15], но дает принципиальное преимущество, состоящее в том, что набор переменных в этом случае сокращается до одного фиксированного значения, которое, как наиболее точное, дает удовлетворительные результаты при выявлении расчетного значения и сравнении его с экспериментом.

Сравнительные эксперименты одноволновой и двухволновой рентгеновской рефлектометрии на образцах многослойных рентгеновских зеркал, состоящих из различных материалов, показали принципиальные преимущества двухволновой измерительной схемы.

В комбинации с методом рентгеновского рассеяния, двухволновая рентгеновская рефлектометрия позволяет точно определять величины шероховатостей поверхности и захороненных слоев. В рамках развития метода в работе была сделана попытка связать методы исследования морфологии поверхности рентгеновскими и зондовыми методами на основе фрактального подхода к анализу поверхности. Основной целью было исследование упорядоченных структур на поверхности полупроводников. Такого рода структуры в последнее время являются объектами пристального внимания различных научных групп. В результате исследований было показано, что количественный параметр фрактальная размерность может являться критерием оценки упорядоченности, и может быть получен из данных рентгеновского рассеяния и зондовых методов.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

А2. S.A. Aprelov, G.N. Gaidukov, N.N. Gerasimenko «Fractal analysis of self-organized structures in implanted semiconductors», Abstracts of ION-2004, Poland.

А3. A.G. Touryanski, N.N. Gerasimenko, S.A. Aprelov, I.V. Pirshin, A.I.

Poprygo, V.M. Senkov «Investigation of ion - implanted layers by X-ray reflectometry method», Abstracts of II International conference on XRay and Neutron Capillary Optics, 22-26 September 2004 Zvenigorod, Russia.

А4. С.А. Апрелов, А.Г. Турьянский, Н.Н. Герасименко, А.Н. Тарасенков «Анализ результатов прецизионного изменения Международного Уральского Семинара «Радиационная физика металлов и сплавов» (Снежинск, Россия, 20 –26 февраля, 2005).

А5. S.A. Aprelov, G.N. Gaidukov, N.N. Gerasimenko «Fractal analysis of self-organized structures in implanted semiconductors», Abstracts of 17th International Conference on Ion Beam Analysis, А6. S.A. Aprelov, N.N. Gerasimenko, A.G. Touriyanski, I.V. Pirshin, E.N. Ribachek «Standard and two-wavelength X-ray reflectometry for investigation of nano-size layers», Abstracts of XVIII International conference on X-ray optics and microanalysis, Italy, 2005.

А7. S.A. Aprelov, N.N. Gerasimenko «Fractal analysis of self-organized structures in implanted semiconductors», Abstracts of 14th International conference Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB), 4-9 September, Turkey 2005.

А8. Н.Н. Герасименко, Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко, В.Ю Троицкий, С.А. Апрелов «Термооптические эффекты, связанные с поверхностными структурными нарушениями на кремнии», тезисы XVII Международной конференции «Взаимодействие Ионов с Тврдым Телом», Звенигород, Август 2005.

А9. Н.Н. Герасименко, С.А. Апрелов «Радиационные методы в нанотехнологии» тезисы XVI Международной конференции по электростатическим ускорителям и пучковым технологиям Обнинск, 06-08 июня 2006.

А10. S.A. Aprelov, N.N. Gerasimenko, I.V. Pirshin, V.M. Senkov, A.G. Touriyanski «Standard and two-wavelength X-ray reflectometry for investigation of nano-size layers» Abstracts of IC Nanostructured Materials (NANOMAT 2006) Turkey, 21-23 June 2006.

А11. S.A. Aprelov,N.N. Gerasimenko, I.V. Pirshin, V.M. Senkov, A.G. Touriyanski «Standard and two-wavelength X-ray reflectometry for investigation of nano-size layers» Abstracts of European Conference on X-Ray Spectrometry (EXRS 2006) France, 19-23 June 2006.

А12. S.A. Aprelov, N.N. Gerasimenko, N.A. Medetov «Fractal analysis of self-organized structures in implanted semiconductors» Abstracts of Ion Beam Modification of Materials, Italy 19-24 September 2006.

А13. S.A. Aprelov, N.N. Gerasimenko, N.A. Medetov «Why the F+ ion implantation can stop boron diffusion in Si?» Abstracts of Ion Beam Modification of Materials, Italy 19-24 September 2006.

А14. С.А. Апрелов, С.В. Калинин «Разработка методов рентгеновской рефлектометрии для исследования сверхтонких пленок» тезисы всероссийской конференции инновационных проектов аспирантов и студентов «Индустрия наносистем и материалов» Зеленоград, 29сентября 2006 г.

наноструктур», тезисы 7-го Международного Уральского Семинара «Радиационная физика металлов и сплавов» (Снежинск, Россия, 25 февраля, 2007).

А16. С.А. Апрелов, Г.Н. Гайдуков, Н.Н. Герасименко, Н.А. Медетов микроструктур», Изв. ВУЗов: Электроника, №2, 2004 г., с. 25-32.

А17. A.G. Touryanski, N.N. Gerasimenko, S.A. Aprelov, I.V. Pirshin, A.I. Poprygo, V.M. Senkov «Investigation of ion - implanted layers by X-ray reflectometry method», Proceedings of II International conference on X-Ray and Neutron Capillary Optics, Proceedings of SPIE, Vol.

5943, pp.143-149, 22-26 September 2004 Zvenigorod, Russia.

А18. С.А. Апрелов, В.М. Сенков, Н.Н. Герасименко, А.Г. Турьянский, Е.Н. Рыбачек «Рентгеновская двухволновая рефлектометрия пленок металлов и силицидов металлов на кремнии», Изв. ВУЗов:

Электроника №5 2006 г с. 27-34.

А19. А.Г. Турьянский, С.А. Апрелов, Н.Н. Герасименко, И.В. Пиршин, В.М. Сенков «Относительная рентгеновская рефлектометрия дискретных слоистых структур» Письма в ЖТФ 2007, т. 33, № 5, А20. Н.Н. Герасименко, С.А. Апрелов «Фрактальные методы анализа Нанотехнологии №1-2 т. 2, 2007 г, c. 136-139.

А21. A.G. Turyanskii, S.A. Aprelov, N.N. Gerasimenko et al. «Relative Xray Reflectometry of Discrete Layered Structures» Technical Physics Letters, 2007, Vol. 33, No. 3, pp. 224–227.

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Microelectronic Engineering 70 (2003) 144-157.

2 L.G. Parratt «Surface Studies of Solids by Total Reflection of X-Rays»

Phys. Rev., 95, 359-369 (1954).

3 P. Croce, L. Nevot // Revue Phys Appi., vol 11, p. 113 (1976).

4 B.L. Henke, E.M. Gullikson and J.C. Davis, «X-Ray Interactions:

Photoabsorption, Scattering, Transmission, and Reflection at E = 50eV, Z = 1-92» Atomic Data and Nuclear Data Tables Vol. (Issue 2), 181-342 (July 1993) 5 А.Г. Турьянский, А.В. Виноградов, И.В. Пиршин. // ПТЭ, 1, 6 «Lange’s Handbook of Chemistry» McGraw-Hill, Inc. 1979. 12th Edition.

Тарасенков А.Н., Ловягин И.В. «Аномальное дефектообразование в монокристаллическом кремнии при имплантации ионов фтора»

Известия ВУЗов: Электроника №4-5 2005 с. 185-187.

Герасименко Н.Н. (мл.), Герасименко Н.Н., Троицкий В.Ю., поверхности кремния» Известия ВУЗов: Материалы электронной техники, 2004, № 12, с. 20-24.

9 «Физические процессы в облученных полупроводниках» Под ред.

Смирнова Л.С.. Наука, Новосибирск (1977). 256 с.

10 Ono Y., Kimura Y., Ohta Y., and Nishida N. «Antireflection effect in ultrahigh spatial-frequency holographic relief gratings»Appl. Opt., 26, 1142 (1987).

11 J.M. Gomez-Rodriguez, A.M. Baro, R.C. Salvarezza Characterization of Gold Deposits by Scanning Tunneling Microscopy»

Journal of Vacuum Science and Technology B. - 1991. - Vol.9. - No 2. pp.495-499.

12 S.K. Sinha, // J. Phys. III 4 (1994) 1543.

13 K.N. Stoev, K. Sakurai // Spectrochimica Acta Part B 54 (1999) 41-82.

Н.Н. Герасименко, М.Н. Павлюченко, К.К. Джаманбалин «Фрактальный анализ поверхности CoSi2, полученного ионным синтезом» // Известия ВУЗов. Электроника №6, 2002 г.

15 Н.Л. Попов, Ю.А. Успенский, А.Г. Турьянский и др. «Определение Двухволновой Рентгеновской Рефлектометрии» ФТП, 2003, том 37,