Министерство образования Республики Беларусь

Белорусский государственный университет

Факультет радиофизики и компьютерных технологий

УТВЕРЖДАЮ

Проректор по учебной работе

_А.Л.Толстик

Рег. № _

Программа основного вступительного испытания для поступающих в магистратуру по специальности 1-31 80 08 «Физическая электроника»

Минск 2013 Авторы: Гайдук Петр Иванович, д.ф.-м.н., профессор, Бурмаков Александр Пантелеевич, к.ф.-м.н., доцент, Садов Василий Сергеевич, доцент, к.т.н., Демидчик Валерий Иосифович, доцент, к.ф.-м.н., Семенчик Владимир Григорьевич, к.ф.-м.н., доцент, Кольчевский Николай Николаевич, к.ф.-м.н., доцент, Карих Евгений Дмитриевич, к.ф.-м.н., доцент, Леонтьев Александр Викторович, к.ф.-м.н., доцент, Микулович Владимир Иванович, к.ф.-м.н., доцент, Хейдоров Игорь Эдуардович, к.ф.-м.н., доцент Утверждена Советом факультета радиофизики и компьютерных технологий (протокол №9 от 23 апреля 2013 г.) Ответственный за редакцию: Людчик О.Р.

1. Интегральная электроника 1. Структура и элементная база цифровых систем.

2. Классификация и основные параметры микросхем памяти. Статические и динамические ОЗУ. Микросхемы ПЗУ и РПЗУ.

3. Микросхемотехника операционных усилителей. Особенности применения операционных усилителей в электронных приборах.

4. Интегральные аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

Литература 1. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1990.

2. Коломбет Е.А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. М.: Радио и связь, 1991.

3. Миловзоров В.П. Элементы информационных систем. М.: Высш. шк., 1989.

2. Физика твердого тела 5. Обратная решетка, векторы обратной решетки. Дифракция в кристаллах. Зоны Бриллюэна.

6. Типы связей в кристаллах. Силы Ван-дер-Ваальса-Лондона. Ионные, ковалентные, металлические кристаллы, кристаллы с водородными связями.

7. Дефекты в твердых телах: классификация; точечные и радиационные дефекты, дислокации.

8. Фононы и колебания решетки.

9. Ангармонические взаимодействия в кристаллах. Тепловое расширение.

Теплопроводность.

Литература 1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.

2. Ашкрофт М., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979.

3. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988.

4. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977.

3. Химия твердого тела 10. Правило фаз. Фазовые диаграммы 1-го и 2-го рода.

11. Классификация фазовых переходов по Эренфесту и Бюргеру.

Литература 1. Хенней Н. Химия твердого тела. М. Мир, 1971.

2. Гилевич М.П., Покровский И.И. Химия твердого тела. Мн.: Университетское, 1985.

3. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложение: В 2 ч. М.: Мир, 1988.

4. Физика полупроводников 12. Уравнения Шредингера для кристаллов. Эффективная масса носителей заряда.

13. Функции распределения Ферми-Дирака. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси и температуры.

14. Удельная проводимость вырожденного и невырожденного полупроводника.

Эффект Холла.

15. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках.

Литература 1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.

2. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш.шк., 1984.

3. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.

5. Физика полупроводниковых приборов 16. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика электроннодырочного перехода. Барьерная емкость.

17. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шотки. Гетеропереходы.

18. Биполярный транзистор. Параметры и характеристики транзисторов. Статические характеристики транзисторов. Эквивалентные схемы транзисторов.

19. Переходные процессы в диодах. Обращенные диоды. Туннельные диоды.

20. Пробой выпрямляющего перехода. Стабилитроны. Тиристоры.

21. Полевые транзисторы. Приборы с зарядовой связью.

1. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1987.

2. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1980.

6. Взаимодействие частиц и излучения с веществом 22. Эмиссия первичных, вторичных и Оже-электронов при облучении поверхности электронным потоком.

23. Пробеги ионов в твердом теле, каналирование ионов.

24. Физическое распыление поверхности ионным потоком. Модель процесса, зависимость коэффициента распыления от энергии и угла падения ионов.

25. Химическое травление поверхности потоками ионов и нейтральных атомных 1. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М.:

Высш. шк., 1988.

2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987.

3. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.

7. Материалы электронной техники 26. Классификация, свойства и области применения проводящих материалов.

1. Пасынков В.В. и др. Материалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1987.

2. Гайдук П.И., Комаров Ф.Ф., Людчик О.Р., Леонтьев А.В. Материалы микро- и наноэлектроники. Мн.: Изд-во БГУ, 8. Квантовая радиофизика и оптоэлектроника 27. Методы приема оптического излучения: прямое фотодетектирование;

когерентный прием излучения.

28. Фотодетектирование в структурах с внутренними потенциальными барьерами.

Основные типы твердотельных фотодетекторов.

29. Распространение света в оптическом волокне. Теорема Лиувилля. Оптические потери и дисперсионные свойства волокна.

30. Распространение света в плоском оптическом волноводе. Дисперсионное уравнение. Сдвиг Гуса – Хэнхена. Оптическое туннелирование.

31. Акустооптический эффект: режимы дифракции Брегга и Рамана – Ната.

Использование акустооптического эффекта для модуляции и отклонения света.

32. Квантование энергии электромагнитного поля. Вероятности спонтанных и вынужденных оптических переходов, коэффициенты Эйнштейна. Расчет населенностей уровней вероятностным методом.

33. Физические основы работы мазеров. Пучковые мазеры.

34. Физические основы работы лазеров. Закон Бугера и его нарушения. Структурная схема лазера, фазовое и пороговое условие генерации. 2-х, 3-х и 4-х уровневые 35. Физические принципы получения инверсии в газовых средах. Газовые лазеры.

36. Лазеры на твердом теле. Перестраиваемые лазеры. Волоконные лазеры и 37. Условие и методы получения инверсии населенностей в полупроводниках.

Инжекционные лазеры на гомо- и гетеропереходах. Квантоворазмерные лазеры.

38. Генерации гигантских импульсов в режиме модуляции добротности резонатора.

Генерация коротких импульсов в режиме синхронизации мод.

39. Нелинейные эффекты при взаимодействии излучения с веществом. Генерация второй гармоники и параметрическая генерация.

1. Карих, Е. Д. Оптоэлектроника / Е. Д. Карих. Мн.: БГУ, 2000. 263 с.

2. Верещагин, И. К. Введение в оптоэлектронику / И. К. Верещагин, Л.А. Косяченко, С.М.

Кокин. М.: Высш. школа, 1991. 191 с.

3. Пихтин, А. Н. Оптическая и квантовая электроника / А. Н. Пихтин. М.: Высшая школа, 2001. 573 с.

4. Манак И. С. Квантовая радиофизика / И. С. Манак, Е. Д. Карих. Мн.: БГУ, 2009. 383 с.

5. Звелто, О. Принципы лазеров / О. Звелто. М.: Мир, 1990. 520 с.

6. Карлов Н. В. Лекции по квантовой электронике / Н. В. Карлов. М.: Наука, 1988. 336 с.

9. Теория колебаний и волн 40. Понятие о фазовой плоскости. Изображение колебательных процессов на фазовой 41. Вынужденные колебания в слабонелинейной системе с одной степенью свободы.

42. Мягкий и жесткий режим самовозбуждения автоколебательной системы осцилляторного типа.

43. Параметрическое возбуждение колебаний в контуре с нелинейным реактивным 44. Распространение модулированных волн в диспергирующей среде.

45. Эффект Фарадея при распространении электромагнитных волн в анизотропных 1. Мигулин В.В. и др. Основы теории колебаний. М.: Наука, 1988.

2. Демидчик В.И. Элементы теории колебаний. Мн: Изд-во БГУ, 3. Кравченко И.Т. Теория волновых процессов. Мн: Высшая школа, 4. Виноградова М.Б. Теория волн. М.: Наука, 1979.

10. Статистическая радиофизика и теория информации 46. Корреляционная функция и спектральная плотность мощности случайного процесса. Теорема Винера-Хинчина.

47. Марковские процессы. Уравнения Чепмена - Колмогорова.

48. Байесовский подход в радиофизике. Проверка двух простых гипотез. Критерий 49. Обнаружение полностью известного сигнала в аддитивном гауссовом шуме.

Рабочие характеристики приемника.

50. Общая модель системы связи. Количество информации и энтропии.

51. Пропускная способность канала связи. Помехоустойчивое кодирование.

1. Тихонов В.И., Харисов В.Н. Статистический анализ и синтез радиотехнических систем и устройств. М.: Радио и связь, 1991.

2. Рытов С.М. Введение в статистическую радиофизику. М.: Наука, 1976.

3. Г.Ван.Трис. Теория обнаружения, оценок и модуляции. М.: Сов.радио, 1976.

4. Колесник В.Д., Полтырев Г.И. Курс теории информации. М.: Наука, 1982.

5. Галагер Р. Теория информации и надежная связь. М.: Сов. Радио, 1974.

11. СВЧ-электроника 52. Основные уравнения электроники СВЧ и приближенные методы их решения.

53. Устройства и принцип работы отражательного клистрона. Способы перестройки частоты генерации отражательного клистрона.

54. Устройство и принцип работы усилителя на ЛБВО. Частотная характеристика и полоса пропускания усилителя на ЛБВО.

1. Федоров Н.Д. Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. М., 1979.

2. Трубецков Д.Н., Храмов А.Е. Лекции по СВЧ электронике в 2 т. М.: Физматлит, 2005.