Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ

ДЛЯ ПОДГОТОВКИ КАДРОВ ПО ПРОГРАММАМ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО

ОБРАЗОВАНИЯ

ДЛЯ ТЕМАТИЧЕСКОГО НАПРАВЛЕНИЯ ННС

«НАНОЭЛЕКТРОНИКА»,

Комплект 2 Методические рекомендации по организации и проведению итоговой государственной аттестации бакалавров Разработчик: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)»

Москва Содержание Общие положения

Определение содержания государственных испытаний

Примерные требования к структуре, содержанию и объему выпускной квалификационной работы бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Примерные программы государственных экзаменов бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»........ Методические рекомендации по организации и проведению государственных экзаменов бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология»

с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Примерная тематика выпускных квалификационных работ и курсовых работ бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Методические рекомендации по организации и проведению защиты выпускной квалификационной работы бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Общие положения В соответствии с Положением об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений Российской федерации, утвержденным Приказом № 155 от 25.03.2003 г. Министерства образования Российской Федерации целью итоговой государственной аттестации является установление уровня подготовки выпускника высшего учебного заведения к выполнению профессиональных задач и соответствия его подготовки требованиям государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования.

К итоговым аттестационным испытаниям, входящим в состав итоговой государственной аттестации, допускается лицо, успешно завершившее в полном объеме освоение основной образовательной программы по направлению подготовки высшего профессионального образования, разработанной высшим учебным заведением в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования.

К видам итоговых аттестационных испытаний итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений относятся:

защита выпускной квалификационной работы;

государственный экзамен.

Определение содержания государственных испытаний Содержание государственных испытаний определяется квалификационными требованиями, необходимыми для выполнения перечисленных ниже профессиональных задач бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника». В основе квалификационных требований лежит разработанная компетентностная модель выпускника, которая определяет набор компетенций, которыми должен обладать выпускник вуза – бакалавр, совокупность видов деятельности и обобщенных задач, для выполнения которых он подготовлен; степень подготовленности к решению комплекса обобщенных задач применительно к широкому спектру объектов деятельности. Задачи профессиональной деятельности бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника» включают следующий перечень, в соответствии с видами деятельности выпускников.

В области проектно-конструкторской деятельности.

Сбор и анализ исходных информационных данных для проектирования.

Расчет и проектирование наноэлектронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием стандартных средств автоматизации проектирования.

Разработка проектной и конструкторско-технологической документации, оформление законченных проектно-конструкторских работ с использованием типовых САПР.

Контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам.

Проведение предварительного технико-экономического обоснования задач расчета и проектирования наноэлектронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения.

В области производственно-технологической деятельности.

наноэлектроники.

Контроль за соблюдением технологической дисциплины.

Обслуживание технологического оборудования.

Организация метрологического обеспечения технологических процессов, использование типовых методов контроля качества выпускаемой продукции.

Участие в работах по доводке и освоению технологических процессов в ходе подготовки производства новой продукции.

Оценка инновационного потенциала новой продукции.

процессов на производственных участках.

Контроль за соблюдением экологической безопасности.

В области научно-исследовательской деятельности.

Изучение научно-технической информации, отечественного и зарубежного опыта по тематике исследования.

Математическое моделирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения на базе стандартных пакетов автоматизированного проектирования.

Проведение экспериментов по заданной методике, составление описания проводимых исследований и анализ результатов.

Подготовка данных для составления обзоров, отчетов и научных публикаций.

Составление отчета по выполненному заданию, участие во внедрении результатов исследований и разработок.

Освоение методов защиты объектов интеллектуальной собственности и результатов исследований и разработок как коммерческой тайны предприятия.

В области организационно-управленческой деятельности.

организации и сопровождения работ (инструкций, планов, смет, заявок на материалы, оборудование и т.п.), а также установленной отчетности по утвержденным формам.

Выполнение работ по стандартизации и подготовке к сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов.

Владение навыками работы в малых коллективах исполнителей.

Планирование работы персонала и фондов оплаты труда.

Подготовка исходных данных для выбора и обоснования научно-технических и организационных решений на основе экономического анализа.

Подготовка документации для создания системы менеджмента качества предприятия.

Проведение организационно-плановых расчетов по созданию (реорганизации) производственных участков.

подразделений.

Проведение анализа затрат и результатов деятельности производственных подразделений.

В области сервисно-эксплуатационной деятельности.

Эксплуатация и разрешенное изготовителем сервисное обслуживание технологического оборудования.

Настройка и обслуживание аппаратно-программных средств.

Проверка технического состояния и остаточного ресурса оборудования, организация профилактических осмотров и текущего ремонта.

Приемка и освоение вводимого в эксплуатацию оборудования.

Составление заявок на оборудование и запасные части, подготовка технической документации на ремонт.

Составление инструкций по эксплуатации оборудования и программ испытаний.

Наладка, настройка, регулировка и опытная проверка измерительного, диагностического, технологического оборудования и программных средств, используемых для решения различных научно-технических, технологических и производственных задач в области электроники и наноэлектроники.

Проведение испытаний и сдача в эксплуатацию опытных образцов изделий наноэлектроники.

Примерные требования к структуре, содержанию и объему выпускной квалификационной работы бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Выпускная работа бакалавра должна представлять собой теоретическое или экспериментальное исследование, связанное с решением отдельных, частных задач, определяемых особенностями подготовки по направлению «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника». Выпускная квалификационная работа должна быть оформлена в виде рукописи. Время, отводимое на подготовку квалификационной работы, должно составлять не менее 6 недель.

В качестве выпускной работы бакалавра могут выступать:

специально выполняемая работа по индивидуальному заданию;

обобщенная выпускная работа, состоящая из 2-3 курсовых проектов.

Тематика выпускных работ должна быть направлена на решение следующих профессиональных задач:

– проведение экспериментальных исследований объектов наноэлектроники в заданной программе, составление описания экспериментов, подготовка данных для составления отчетов;

– математическое моделирование и проектирование объектов и процессов наноэлектроники по типовым методикам.

Выпускная квалификационная работа состоит из расчетно-пояснительной записки и, при необходимости, графических материалов, отражающих решение технических задач, устанавливаемым заданием на проектирование.

Выпускная квалификационная работа бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника» должна иметь следующую структуру:

титульный лист;

задание на выпускную работу;

аннотация;

оглавление;

две-четыре главы с изложением результатов работы;

заключение;

список использованных источников;

приложения.

Работа оформляется в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Отчет о научноисследовательской работе. Структура и правила оформления», ГОСТ 7.1- «Библиографическое описание документа». Допускается машинописный или рукописный варианты исполнения. Объем расчетно-пояснительной записки должен составлять от 40 до 60 страниц. Выпускная квалификационная работа может включать графический материал в виде чертежей, если это предусмотрено заданием.

Графическая часть должна быть оформлена в соответствии с действующими стандартами единой системы конструкторской и технологической документации и представлена на листах формата А1 (594 х 841). В качестве иллюстративного материала могут быть использованы компьютерные распечатки, фотографии, помещенные на стандартных листах, слайды, файлы, выведенные на экраны компьютера. Иллюстративный материал может включать:

– описание цели и задач выпускной квалификационной работы;

– структура или блок-схема устройства или алгоритма, разрабатываемого в данной работе;

– варианты схемотехнического решения фрагментов разрабатываемых блоков, программные модули;

– алгоритмы решения задач, расчетные формулы, математические модели;

– диаграммы, графики, как результаты анализа и расчетов;

– чертежи разрабатываемых конструкций или их частей;

– результаты решения задач, в том числе, экономического характера.

Каждая выпускная работа должна содержать следующие необходимые элементы:

– титульный лист и задание установленного образца, подписанные выпускником, консультантами по отдельным разделам, руководителем выпускной работы и заведующим соответствующей кафедрой;

– аннотация, которая должна кратко и полно отражать содержание и объем выпускной квалификационной работы;

– отзыв руководителя с краткой оценкой выполненного проекта и работы выпускника над ним, с оценкой оригинальности разработок, расчетов и возможностей практического использования материалов проекта;

Рекомендуется следующее содержание расчетно-пояснительной записки:

– оглавление;

– введение, в котором дается краткое описание проблем и задач, связанных с вопросами проектирования или разработки, излагается постановка задачи и ее актуальность:

– обзорный анализ существующих технических решений и разработок с привлечением отечественной и зарубежной технической литературы, периодических изданий, патентной информации, каталогов и проспектов:

– необходимые расчеты, выполненные при помощи стандартных или модифицированных программ логического, схемотехнического, топологического или технологического моделирования, результаты моделирования;

– описание новизны принятых решений, конструкторских разработок, применяемого программного и информационного обеспечения;

– заключение по работе, содержащее основные результаты и выводы;

– список использованной литературы и другой нормативно-технической документации;

– приложения, включающие графические материалы, распечатки программ и результаты работы на ЭВМ.

Примерные программы государственных экзаменов бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки Содержание примерной программы государственного экзамена включает наиболее важные разделы курсов, входящих в учебный план подготовки бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника». На государственный экзамен выносятся теоретические разделы дисциплин, включающие наиболее важную тематику с точки зрения формирования основных компетенций бакалавра в области наноэлектроники, обеспечивающие необходимый уровень подготовки для выполнения работ, связанных с проектированием и созданием устройств наноэлектроники.

Примерная программа государственного экзамена бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника» включает вопросы, позволяющие оценить уровень знаний выпускника по таким направлениям как овладение основными методами решения различных научных и прикладных задач физики твердого тела и физики полупроводников; расширение научного кругозора и эрудиции студентов на базе изучения фундаментальных результатов физики твердого тела и способов практического использования свойств твердых тел, развитие понимания взаимосвязи структуры и состава твердых тел, в первую очередь - полупроводников, и многообразия их физических свойств, практическое овладение методами теоретического описания и основными теоретическими моделями твердого тела, навыками постановки физического эксперимента по изучению свойств твердых тел и основными экспериментальными методиками, создание основы для последующего изучения вопросов физики полупроводниковых приборов, включая элементы и приборы наноэлектроники, физики низкоразмерных систем, твердотельной электроники и технологии микро- и наноэлектроники;

формирование знаний в области технологических процессов наноэлектроники и их математического моделирования, позволяющих глубже понимать сущность процессов, используемых в производстве изделий интегральной наноэлектроники, проектировать эти изделия на основе современных методов и с использованием современных компьютерных технологий; расширение научного кругозора и эрудиции студентов на базе изучения законов физики низкоразмерных полупроводниковых структур для последующего использования их при создании приборов наноэлектроники, твердотельной электроники и в технологии микро- и наноэлектроники; формирование базовых теоретических навыков, ознакомление с основными направлениями и проблемами современных физических исследований;

формирование навыков по проведению измерений, наблюдений и исследованию характеристик наноэлектронных приборов, обучение методам теоретического и экспериментального исследования объектов наноэлектроники, их технических характеристик с помощью физико-математических моделей и алгоритмов исследования, в т.ч. особенности работы наноразмерных МОП-транзисторов, принципы моделирования наноразмерных структур, эффекты квантования энергии носителей в наноразмерных элементах.

Основные разделы программы следующие:

1. Квантовая теория и статистическая физика.

Постулаты и принципы квантовой механики. Волновая функция и ее свойства.

Операторы в квантовой механике. Решение задач на собственные значения. Среднее значение измеряемой величины. Уравнение Шредингера. Принцип неопределенности. Спин. Фермионы и бозоны.

Энтропия. Распределения Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна. Распределение Больцмана.

2. Физика твердого тела и полупроводников.

Симметрия кристаллов. Решетки Бравэ. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна.

Энергетический спектр носителей заряда в периодическом потенциале.

Теорема Блоха. Заполнение зон. Классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории. Эффективная масса.

Дырки. Энергетический спектр полупроводников IV группы и соединений А3В5, sp3-гибридизация.

Энергетический спектр носителей заряда в неупорядоченном полупроводнике.

Примесные зоны и хвосты плотности состояний. Концентрация носителей заряда в электронейтральности. Функция заполнения примесного центра. Кратность вырождения примесного уровня. Зависимость уровня Ферми от температуры в донорном, акцепторном и компенсированном полупроводниках.

Теплопроводность и тепловое расширение.

Вероятность межзонных оптических переходов. Разрешенные запрещенные, прямые и непрямые переходы.

Кинетическое уравнение. Дрейфовый ток. Диффузионый ток. Соотношение Эйнштейна. Уравнение непрерывности, связь с кинетическим уравнением.

Амбиполярные кинетические коэффициенты. Время максвелловской релаксации.

Рекомбинация. Время жизни. Квазиуровни Ферми. Модель рекомбинации Шокли-Рида-Холла.

Термодинамическая работа выхода. Контактная разность потенциалов. Длина экранирования.

Электронно-дырочные переходы. Статическая вольтамперная характеристика p-n-перехода. Биполярный полупроводниковый триод. Эффект поля. Поверхностные состояния.

Пироэлектричество и сегнетоэлектричество.

Ферро- и антиферромагнетизм. Магнитные моменты и их взаимодействие в твердых тела. Магнитная проницаемость ферро и антиферромагнетиков.

Домены в сегнетоэлектриках и ферромагнетиках.

Джозефсона.

3. Низкоразмерные квантовые структуры и физические основы наноэлектроники.

Основные элементы полупроводниковых гетероструктур (квантовые ямы, проволоки и точки) и методы их получения. Квантование зонного электронного спектра. Квантовый целочисленный и дробный эффекты Холла (дробные заряды и промежуточная статистика).

Резонансное туннелирование и туннельно-резонансные диоды. Биполярные гетеротранзисторы. Селективное легирование и полевые транзисторы на высокоподвижных электронах. Гетерострутуры на основе кремния и германия.

Гетероструктуры как элементы оптоэлектроники. Лазеры на квантовых ямах и точках. Униполярные лазеры. Сверхрешетки и блоховские осцилляции. Магнитные сверхрешетки и гигантское магнетосопротивление.

Сверхпроводящий квантовый интерферометр (СКВИД).

Одноэлектроника. Кулоновская блокада туннелирования. Одноэлектронный транзистор.

4. Технологические процессы интегральной наноэлектроники.

Химическая и плазмохимическая обработка кремния. Химическая теория травления кремния. Факторы, влияющие на скорость химического травления кремния. Достоинства плазмохимического травления. Анизотропия и селективность плазмохимического травления. Реактивно-ионное травление.

Термическое окисление кремния. Механизм образования естественного окисла на поверхности кремния. Термическое окисление. Уравнение Дилла-Гроува.

Факторы, влияющие на скорость термического окисления. Практические методы процесса термического окисления. Структура двуокиси кремния. Маскирующие и пассивирующие свойства окисла кремния. Зарядовые свойства окисла кремния.

Методы контроля параметров диэлектрических слоев.

Легирование кремния. Диффузия примесей в кремнии. Механизм диффузии основных легирующих кремний примесей. Диффузия примесей в кремний из бесконечного источника. Диффузия примесей в кремний из ограниченного источника. Особенности диффузии примесей в кремнии при термообработке в диффузионных слоев и методы их контроля. Ионное легирование кремния.

Достоинства и недостатки. Характер распределения примеси в кремнии после ионного легирования. Особенности ионного легирования монокристаллического кремния.

Фотолитография. Классификация процессов литографии. Технологическая последовательность процесса фотолитографии с позитивным фоторезистом.

Разрешающая способность фоторезистов. Обратная (взрывная фотолитография).

Металлизация. Основные элементы системы металлизации. Особенности создания омических и выпрямляющих контактов. Алюминиевые омические контакты. Силицидные омические контакты. Проблемы многоуровневой металлизации.

Литература.

1. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. 1, 2 т. – М.: Мир, 1979.

2. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.:

Наука, 1990.

3. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000.

5. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. – М.: Логос, 2000.

6. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч. 1. – М.: Техносфера, 2002.

Методические рекомендации по организации и проведению государственных экзаменов бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Государственный итоговый междисциплинарный экзамен по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника» является частью итоговой государственной аттестации бакалавра. Государственный экзамен не может быть заменен оценкой качества освоения образовательных программ путем осуществления текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации студента.

Государственный квалификационный экзамен проводится на 8-м семестре (при 4-х летнем сроке обучения). Перед проведением экзамена проводится цикл консультаций по программе экзамена, обычно в объеме 8 – 12 учебных часов.

Варианты экзаменационных тестовых заданий составляются экзаменационной комиссией, хранятся в запечатанном виде и выдаются студентам непосредственно на экзамене.

Длительность экзамена обычно составляет 4 - 6 академических часов.

Студентам выдаются индивидуальные экзаменационные задания. Задания выполняются в специальных экзаменационных тетрадях. После получения экзаменационного задания экзаменуемый знакомиться с ним и в течение 15 минут и уточняет с экзаменатором возникшие неясности. По истечении срока проведения экзамена, все экзаменационные тетради сдаются экзаменатору. Проверку экзаменационных тетрадей проводит экзаменационная комиссия. Председатель комиссии распределяет работы между членами комиссии.

Экзаменатор, определив оценку работы, проставляет ее в экзаменационной тетради и ставит свою подпись. В случае неудовлетворительной оценки или отличной председатель экзаменационной комиссии перепроверяет работу и оценка выставляется за подписью обоих экзаменаторов.

В день объявления результатов государственного экзамена может быть предусмотрена возможность проведения апелляции.

Примерная тематика выпускных квалификационных работ и курсовых работ бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника»

Тематика выпускных квалификационных работ и курсовых работ бакалавров определяется областью профессиональной деятельности бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника» и включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование и технологию производства приборов и устройств наноэлектроники различного функционального назначения, применение специализированных материалов, а также эксплуатацию технологического оборудования, включая установки вакуумной, плазменной, микроволновой, термической и оптической обработки материалов в процессе формирования объектов наноэлектроники.

Объектами исследований и разработок, осуществляемых в рамках выпускной квалификационной работы, являются объекты профессиональной деятельности бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника», а именно, компоненты, электронные приборы, устройства и изделия наноэлектроники, методы их исследования, проектирования и конструирования, технологическое и диагностическое оборудование, технологические процессы и материалы для производства изделий наноэлектроники, математические модели, алгоритмы решения типовых задач, современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий наноэлектроники.

Примерная тематика выпускных квалификационных работ бакалавров по «Наноэлектроника» включает следующие темы:

1. Формирование ПТШ на основе GaAs с затвором 0,1 мкм.

2. Особенности электрофизических характеристик детекторов частиц высоких энергий на основе: 1) эпитаксиальных структур GaAs; 2) полуизолирующих материалов (GaAs).

3. Генераторы формирования малых импульсов на GaAs.

4. Разработка генератора формирователя стробимпульсов на основе GaAs.

5. Эмиссионная способность нанотрубок для нанокатодов.

6. Исследования свойств адсорбированного вещества.

7. Формирование запоминающих сред для террагерцевой памяти на основе наномерных пленок углерод-металл.

8. Моделирование процесса перемагничивания наночастиц.

9. Электронная структура и атомное разрешение углеродных нанотрубок.

10. Автоэмиттеры на основе углеродных нанотрубок.

11. Изменение проводимости структур на основе однослойных углеродных нанотрубок в газообразных средах.

квантовой структуре.

13. Исследование трансформации собственных междоузельных дефектов в кремнии с образованием наноразмерных кластеров.

14. Диагностика результатов зондовой литографии объектов на основе углеродных и нанокарбидных пленок.

15. Обработка режимов локального окисления и карбидизации углеродных и металлосодержащих пленок наноразмерной толщины.

16. Исследование характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs.

17. Использование дифракционной микроскопии для исследования наноструктур в системе Si-Ge.

18. Исследование фазового состава пористого анодного оксида алюминия.

19. Исследование электрофизических свойств углеродных нанотрубок в сканирующем туннельном микроскопе.

20. Влияние электронного облучения на зарядовые характеристики МДПструктур.

21. Исследование предельных возможностей атомной силовой микроскопии.

22. Влияние химических обработок на свойства поверхности арсенида галлия.

23. Применение атомно-силовой зондовой микроскопии для исследования неупорядоченных полупроводников.

24. Исследование процесса изготовления иглы кантилевера.

25. Моделирование SiGe гетеробиполярных транзисторных структур.

26. Моделирование технологических маршрутов изготовления МДП-структур с механически напряженным кремнием.

27. Методы повышения упорядоченности наноразмерных структур на основе пористого оксида алюминия.

28. Исследование механизмов формирования углеродных нанотрубок.

29. Влияние конструктивных параметров кантилеверов на эффективность метода сканирующей зондовой микроскопии.

30. Технологические особенности получения наноструктурированного углерода методом химического осаждения из газовой фазы.

31. Исследование туннельно-резонансного диода на основе арсенида галлия.

32. Разработка структур на основе углеродных нанотрубок для зондовой микроскопии.

33. Устройства выборки и хранения на основе гетероструктур.

34. Детекторные устройства на основе наноструктурированных алмазных пленок.

35. Элементы на основе автоэмиссии из углеродных нанотрубок.

36. Исследование степени упорядоченности элементарных ячеек в наноразмерных материалах.

37. Исследование анодного наноструктурированного оксида титана.

Примерная тематика курсовых работ бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноэлектроника» включает:

1. Методы масштабирования наноразмерных МДП-транзисторов.

технологическому разбросу в среде TCAD Synopsys.

3. Контактные явления в кремнии.

4. Многоуровневая металлизация СБИС.

5. Разработка маршрута изготовления КМОП ячейки в технологическом базисе AMS0.8mkm-2Metal.

6. Разработка маршрута изготовления КМОП ячейки в технологическом базисе AMS1.2mkm CMOS.

7. Разработка маршрута изготовления КМОП ячейки в технологическом базисе CMOS0.25mkm-5Metal.

8. Разработка маршрута изготовления КМОП ячейки в технологическом базисе CMOS0.35mkm-5Metal.

9. Проектирование одноразрядного сумматора на элементах И – НЕ и «Равнозначность» в технологическом базисе CMOS0.35mkm-5Metal.

10. Разработка одноразрядного сумматора на элементах «Исключающее ИЛИ»

в технологическом базисе CMOS0.35mkm-5Metal.

11. Разработка дешифратора из двоичного кода в семисегментный в технологическом базисе CMOS0.25mkm-5Metal.

12. Проектирование шифратора десятичных чисел в технологическом базисе CMOS0.25mkm-5Metal.

13. Особенности медной многоуровневой металлизации СБИС.

14. Современные плазменные технологии в формировании микро- и наноструктур.

15. Формирование биполярного транзистора n-p-n типа с уменьшенной шириной базы.

16. Разработка маршрута создания биполярного транзистора с повышенным коэффициентом усиления.

17. Конструктивно-технологические методы предотвращения явления смыкания в КМДП СБИС с субмикронными размерами.

18. Формирование мелкозалегающих областей истока и стока в МДПтранзисторе.

19. Разработка структуры магнитодиода с повышенной чувствительности к магнитному полю.

20. Моделирование структуры магниточувствительного транзистора с высокой чувствительностью.

21. Схемотехническое моделирование дешифратора в КМОП технологическом базисе с топологическими нормами 90 нм в САПР Cadence.

22. Схемотехническое моделирование мультиплексора в КМОП технологическом базисе с топологическими нормами 180 нм в САПР Cadence.

23. Схемотехническое моделирование восьмиразрядного кольцевого счетчика в КМОП технологическом базисе с топологическими нормами 45 нм в САПР Cadence.

24. Моделирование технологического маршрута создания тонкопленочных МДП-транзисторов КНИ-типа с топологическими проектными нормами 180 – 90 нм.

25. Сравнительный анализ наноразмерных МДП-транзисторов КНИ-типа с различными типами формирования контакта к подзатворной области.

26. Моделирование средствами TCAD Synopsys структуры наноразмерного nканального МДП-транзистора с механически напряженным кремнием.

27. Моделирование средствами TCAD Synopsys структуры наноразмерного pканального МДП-транзистора с SiGe исток/стоковыми областями.

28. Наноразмерные электроды на основе углеродных нанотрубок.

29. Процесс локального зондового окисления сверхтонких металлических пленок.

30. Исследование упругих напряжений в ионно-имплантированных структурах кремний-германий.

Методические рекомендации по организации и проведению защиты выпускной квалификационной работы бакалавра по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки Защита выпускных квалификационных работ проводится в сроки, оговоренные графиком учебного процесса высшего учебного заведения. Защита выпускных квалификационных работ проводится на открытых заседаниях Государственных аттестационных комиссий с участием не менее половины ее членов. Персональный состав ГАК утверждается приказом Ректора высшего учебного заведения.

В начале процедуры защиты выпускной квалификационной работы секретарь ГАК представляет студента и объявляет тему работы, передает председателю ГАК расчетно-пояснительную записку и все необходимые документы, после чего выпускник получает слово для доклада. На доклад отводится не более 10 минут. По завершению доклада члены ГАК имеют возможность задать вопросы автору работы.

Вопросы членов ГАК и ответы выпускника записываются секретарем в протокол.

Далее секретарь зачитывает отзыв руководителя выпускной работы и рецензию на выпускную квалификационную работу.

Выпускнику предоставляется возможность ответить на замечания руководителя и рецензента.

Члены ГАК в процессе защиты на основании представленных материалов и устного сообщения автора дают предварительную оценку выпускной квалификационной работы и подтверждают соответствие полученного автором выпускной работы образования требованиям ГОС.

Замечания членов ГАК по каждой выпускной квалификационной работе оформляются в виде документа с внесенными в них критериями соответствия, которые оцениваются членами ГАК по системе: «соответствует» – «не соответствует», а также выставляется рекомендуемая оценка по 4-х бальной системе, принятой в высшей школе.

ГАК на закрытом заседании обсуждает защиту выпускной квалификационной работы и суммирует результаты всех оценочных средств:

– государственного квалификационного экзамена;

– заключение членов ГАК на соответствие;

– оценку выпускной работы, выставленную членами ГАК.

ГАК оценивает выпускную квалификационную работу и принимает общее решение о присвоении студенту соответствующей квалификации и выдаче ему диплома.