На правах рукописи

Буздуган Алексей Анатольевич

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН ДЕГРАДАЦИИ И

РАЗРАБОТКА ПОДХОДОВ К ПОВЫШЕНИЮ

СТАБИЛЬНОСТИ НАНОРАЗМЕРНЫХ

МЕЖСОЕДИНЕНИЙ СБИС

05.27.06 – технология и оборудование для производства

полупроводников, материалов и приборов электронной техники

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва – 2009 г.

Работа выполнена на кафедре «Материалы и процессы твердотельной электроники» Московского государственного института электронной техники (технического университета)

Научный руководитель: Д.Г. Громов доктор технических наук,

Официальные оппоненты:

доктор химических наук, В.С. Минаев кандидат технических наук, В.А. Галперин

Ведущая организация – НИИ физических проблем имени Ф.В. Лукина

Защита состоится “ ” 2009 г.

на заседании диссертационного Совета Д.212.134.03 при Московском государственном институте электронной техники (техническом университете) по адресу: 124498, Москва, г. Зеленоград, проезд № 4806, д.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института

Автореферат разослан “ ” 2009 г.

Соискатель: _ Буздуган А.А.

Ученый секретарь диссертационного Совета, д.ф.-м.н., профессор _ В.Б. Яковлев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность Проблема влияния размеров и формы систем пониженной размерности на их физические и химические свойства в последнее время приобрела ключевой характер в связи с мировой тенденцией технологического освоения нанометрового диапазона размеров при создании новых материалов, структур и приборов.

Очевидно, что современный научно-технический прогресс определяется развитием электроники, основой которой являются достижения в различных областях фундаментальных наук, главным образом физики твердого тела, физики полупроводников, твердотельной технологии.

Главная задача технологии интегральных схем - повышение их быстродействия решается путем уменьшения размеров элементов. В настоящее время размеры достигли нанометровой области, например корпорация Intel разрабатывает технологию с проектной нормой 22 нм.

Таким образом, уменьшение размеров элементов приводит с одной стороны к значительному увеличению выделения тепла с единицы площади ИС, а с другой к снижению термической стабильности элементов ИС из-за увеличения вклада поверхности.

В этой связи проблема термической стабильности выходит на первый план и актуальной задачей является исследование изменений термодинамических свойств малоразмерных систем и поиск путей повышения их термической стабильности в процессе эксплуатации.

Целью диссертационной работы является исследование закономерностей поведения тонкопленочных систем нанометрового диапазона размеров при воздействии на них термического нагрева и/или электрической мощности и выявление путей повышения термической стабильности этих систем.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи:

термической стабильности с уменьшением размеров исследование кинетики процесса низкотемпературного исследование особенностей воздействия электрической металлические пленки нанометровой толщины;

поиск путей по увеличению термической стабильности Научная новизна Установлено, что основной причиной деградации медного наноразмерного проводника, под токовой нагрузкой, является его распад на капли, вызванный нагревом проводника, вследствие рассеиваемой на нем электрической мощности.

Выявлены кинетические особенности процесса распада тонких пленок никеля на капли. Установлено, что процесс распада на капли происходит в некотором температурно – временном интервале. Обоснован механизм этого явления с учетом гетерогенного плавления.

Выявлено, что размер зерна поликристаллических тонких пленок практически не влияет на температуру распада тонких пленок на капли.

Показано, что температура распада тонких пленок аморфного кремния на капли не имеет отношения к температуре фазового перехода, а представляет собой температуру, при которой тонкие пленки кремния приобретают заметную текучесть.

Экспериментально продемонстрировано, что нагрев медного проводника наноразмерной толщины, вызванный электрической энергией, рассеиваемой на температурного градиента. Этот градиент разрушает диэлектрический слой, защищающий проводник, приводя к появлению трещин в нем и последующему распаду проводника на капли в области трещин из-за его гетерогенного плавления.

Практическая значимость работы 1. Продемонстрировано, что защита наноразмерного проводника слоем диэлектрика позволяет предотвращать распад тонких пленок на капли.

2. Обоснованы пути решения проблемы распада проводника на кластеры из-за возникновения трещин в диэлектрике. Это герметизация проводника диффузионно-барьерным слоем и использование материалов с повышенной теплопроводностью, что увеличивает устойчивость проводника к процессу разрушения под воздействием электрической мощности.

3. Результаты работы используются при чтении курса лекций ”Физико-химические основы технологии микроэлектроники”, ”Материалы и процессы формирования металлизации кремниевых СБИС” На защиту выносятся следующие положения плавления тонких пленок;

механизм распада тонких пленок на капли;

нанометровых проводников, разработанные на основе проводников в условиях токовой нагрузки.

Апробация работы Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: 10-я Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, Россия, 2006; 3-я Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология», Санкт – Петербург – Хилово, Россия, 2006 г.;

IV Международная научно-техническая школа-конференция «Молодые ученые – науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике», «МОЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ – 2006 » 2006 г., Москва;

Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов “Индустрия наносистем и материалы”, Зеленоград, 2006 г; II Всероссийская конференция по наноматериалам IV Международный семинар “Наноструктурные материалы- 2007 Беларусь-Россия”; 2-ой Международный научно-технический симпозиум “Наноструктурные функциональные покрытия и материалы для промышленности”. – Харьков: ННЦ “ХФТИ”, ИПП “Контраст”, 2007 г.; 9-ой международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ И МИКРОСИСТЕМЫ, Ульяновск, 2007 г.; Международная конференция “Микро- и нанотехнологий -2007” ICMNE-2007, Москва – Звенигород, Россия; Всероссийская молодежная конференция “Электроника-2007”, Зеленоград, 2007 г.; 3-й Международный научно-технический семинар “Ионно-плазменные нанотехнологии”. – Харьков: ННЦ “ХФТИ”, ИПП “Контраст”, 2008 г.; 15-я Всероссийская межвузовская научнотехническая конференция студентов и аспирантов, Москва, 2008 г.

По теме диссертации опубликовано 24 печатных работ, в том числе 1 статья в журнале “Известия вузов. Электроника”, в Сборнике научных трудов ”Технологии микроэлектроники, оптоэлектроники и волоконной оптики” 2006 г. “Материалы, процессы, оборудование в нано-, микро-, и оптоэлектронике” 2008 г., а также в материалах (статьи и тезисы докладов) российских и международных конференций.

Структура диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных машинописного текста, включая 3 таблицы, 62 рисунка и список литературы в количестве 135 наименований.

Содержание диссертации Во введении показана актуальность проведенных исследований, сформулирована цель работы, показана научная новизна, основные положения, выносимые на защиту, практическая ценность работы.

возникающие в малоразмерных элементах ИС при увеличении плотности компонентов на единицу площади.

пониженной размерности на их физические и химические свойства.

уменьшением размеров элементов ИС и, соответственно, увеличения степени интеграции. Это приводит к значительному увеличению тепла с единицы площади ИС, что повышает требования к термической стабильности элементов ИС. Сформулирована одна из главных задач – исследование физико – химических и термодинамических свойств малоразмерных проводниковых систем, понимание которых должно явиться ключом к разработке способов повышения их термической стабильности.

термической стабильности с уменьшением размеров элементов ИС может быть понижение температуры плавления такого рода объектов.

На примере тонких пленок меди было показано, что наблюдаемые отклонения ряд авторов предлагают описывать следующим уравнением:

где Tmelt(r) – температура плавления тонкой пленки, H(Tmelt) – изменение теплоты плавления при плавлении тонкой пленки, H0 – изменение энтальпии в результате фазового перехода при температуре Tmelt, S – поверхностная энергия пленки в твердом состоянии, L – поверхностная энергия пленки в жидком состоянии, AS – площадь поверхности твердой плоской пленки, AL – площадь поверхности диспергированной пленки, V – объем.

На основании проведенного анализа сделан вывод о том, что для повышения термической стабильности малоразмерных проводниковых систем необходимо основные усилия направить на исследования закономерностей поведения тонкопленочных систем при воздействии на них термического нагрева и/или электрической мощности.

Во второй главе, являющейся методической, приведены сведения об используемых в работе известных измерительных устройствах и представлено описание оригинальной методики проведения экспериментов по определению температуры плавления – диспергирования тонких пленок.

Представлены маршруты изготовления тестовых структур для проведения экспериментов по определению температуры плавления – диспергирования тонких.

Отмечено, что наряду со стандартными методиками для измерения пленок толщиной менее 100 нм, использовали атомносиловую микроскопию.

Представлены данные о разработанной «in-situ» методике определения температуры плавления – диспергирования. В основу методики положен контроль проводимости тонких пленок, которая уменьшается при диспергировании. Для измерения проводимости непосредственно в процессе отжига был собран измерительный комплекс (рис. 1). Устройство позволяет измерять сопротивление или проводимость исследуемого образца в процессе нагрева в вакууме, производить оцифровку полученных данных.

Рис. 1 Схема установки для «in-situ» контроля температуры плавления тонких пленок металлов на диэлектрических подложках Для исследования изменения морфологии тонких пленок использовали метод сканирующей или растровой микроскопии.

Третья глава посвящена детальному исследованию процесса низкотемпературного плавления тонких пленок (никеля, кремния и меди).

Экспериментальные результаты показали, что пленки меди и никеля достаточно большой толщины (50 – 100 нм) плавятся и диспергируют на капли при температурах на (200 – 250) К и (650-700) К ниже, чем температура плавления объемной меди и никеля соответственно.

Выяснилось, что строго определенной температуры этого процесса нет.

Он происходит в некотором временном и температурном интервале, стартует в каком-либо месте и далее распространяется фронтом.

Было предположение, что это все обусловлено кинетическими особенностями процесса плавления, а значит, влияние размера зерна будет определять температур процесса плавления. Однако, проведенный эксперимент показал, что при разнице размера зерна в три раза отличие температуры плавления составило 10 С, что является не существенным.

Такое поведение тонких пленок, а именно существование температурного диапазона их распада на капли объясняется явлением гетерогенного плавления. Любая реальная система всегда имеет поверхность. Поверхность – это оборванные связи, и атомы, располагающиеся на ней, имеют одну степень свободы по сравнению с атомами внутри кристалла. Установленным фактом является более высокая частота и амплитуда колебания атомов на поверхности по сравнению с объемом. Как следствие другим фактом является более низкая температура Дебая этих слоев, а, следовательно, и температура плавления, а также экспериментальный факт – это то, что плавление даже массивного образца всегда начинается с поверхности и идет к центру.

И равновесная термодинамика и прямые экспериментальные измерения с учетом поверхности показывают, что в любой реальной системе, всегда обладающей поверхностью, процесс плавления имеет вид, представленный на рис. 2. Из рисунка 2 следует что: первое – при наличии поверхности полное расплавление происходит при равновесное температуре; второе – при некоторой температуре ниже температуры плавления (область ) на поверхности кристаллической фазы в равновесии с ней существует жидкая фаза определенной толщины.

Рис. 2. Расчетная зависимость толщины расплавленного поверхностного слоя от температуры свинца Учитывая явление гетерогенного плавления, предложен механизм диспергирования тонких пленок на инертных поверхностях (рис. 3). На верхней и нижней поверхностях тонкой пленки образуется родная жидкая фаза, которая хорошо смачивает и частично растворяет (не обязательно полностью) кристаллические зерна тонкой пленки по границам (рис. 3 (a)). Хорошее смачивание и наличие границ зерен приводят с течением времени нагрева к тому, что в локальной области жидкая фаза промачивает всю толщину пленки (рис. 3 (b)).

Распространение смачивания определяет кинетическую составляющую процесса диспергирования тонкой пленки на капли: при более высоких температурах вязкость жидкости ниже, и процесс диспергирования стартует быстро; при более низких температурах вязкость выше, смачивание происходит медленнее, и диспергирование начинается только через некоторый промежуток времени и происходит медленнее.

совершает работу по сокращению площади поверхности тонкой пленки, расходуя избыточную поверхностную энергию тонкой пленки: жидкая фаза затекает на родную твердую фазу, увлекая за собой плавающие в ней кристаллиты, в результате чего в тонкой пленке начинает возникать разрыв (рис. 3 (c)). Снижение поверхностной энергии за счет сокращения площади поверхности делает невозможным существование такого количества жидкой фазы при данной температуре при наличии в ней кристаллической фазы. Поэтому при этой же температуре легко (поскольку не требуется затрат энергии на создание поверхности раздела) начинается процесс кристаллизации жидкости. Кристаллизация жидкости сопровождается локальным выделением тепла, которое вызывает эффект подплавления оставшейся в твердом состоянии возникновение движущегося фронта, где происходит процесс плавления-диспергирования.

Таким образом, очевидно, что процесс диспергирования не является буквально плавлением. Однако совершенно очевидно, что гетерогенное плавление является основной составной частью процесса диспергирования и определяет его температуру.

Рис. 3. Схематическое изображение процесса диспергирования Показано, что температура, при которой аморфный кремний толщиной 60 нм распадается на капли хоть и ниже объемной температуры плавления материала на 640 К, однако не является температурой плавления, а представляет собой температуру, при которой тонкие пленки кремния приобретают типичные свойства жидкости, в силу уменьшения вязкости и увеличения текучести.

Четвертая глава посвящена изучению влияния электрической мощности и/или термического нагрева на тонкопленочные медные проводники. Исследование поверхности образца посредством РЭМ показало, что при нагреве наноразмерный проводник деградирует вследствие распада на капли (рис. 4).

Рис. 4. РЭМ - изображения поверхности деградировавшего проводника толщиной 20 нм в результате нагрева до 840 K и одновременного воздействия плотности тока (1106 A/cm2) предотвращает процесс распада проводника на капли даже при нагреве проводника до температуры значительно превышающей температуру, при которой происходит распад незащищенной пленки.

Однако если увеличить плотность тока, пропускаемого через проводник, до определенной критической величины, то происходит растрескивание слоя диэлектрика (рис. 5) и в области трещин проводник распадается на капли.

Рис. 5. РЭМ - изображения поверхности проводника толщиной 20 нм, покрытого слоем диэлектрика 100 нм, деградировавшего в результате нагрева до 840 K при одновременном воздействии плотности тока ( Очевидным было предположение, что плотность тока играет определяющую роль в процессе деградации проводника (рис. 6 (а)) К тому же рис. 6 (а) показывает, что, начиная с некоторой длины разрушение проводника определенного сечения, наступает при одной и той же плотности тока. Однако узаконить это предположение не позволяют два момента. Во-первых, то, что проводник распадается на капли, по форме похожие на капли жидкости. Во-вторых, при переходе в область малых длин проводника плотность тока, при которой он разрушается, резко увеличивается, чему нет разумного объяснения с точки зрения массопереноса благодаря электромиграции.

Рис. 6. Зависимость плотности тока и мощности, при которой наступает В тоже время характер зависимости электрической мощности, при которой наступает разрушение проводника, полностью указывает на то, что основной причиной его разрушения является его нагрев и последующее гетерогенное плавление. Начиная с некоторой длины, электрическая мощность разрушения возрастает прямо пропорционально увеличению его длины (рис. 6 (б)). Это вполне объяснимо необходимостью увеличения энергии для того, чтобы нагреть более длинный образец до той же самой температуры, при которой имеет место гетерогенное плавление. Значительное увеличение электрической мощности, необходимой для разрушения проводника в области малых размеров (рис. 6 (б)) также имеет объяснение. Это связано с существенной теплоотдачей через контактные площадки проводника, что является известным фактом, поэтому требуется дополнительная электрическая мощность для нагрева проводника до температуры разрушения.

Таким образом, ясно, что процесса деградации можно было избежать, если предотвратить образование трещин в диэлектрическом материале. Эксперименты показали, для этого можно использовать два пути:

1. упрочнение диэлектрического слоя введением между ним и диэлектрическим материалом тонкого диффузионнобарьерного слоя (ДБС), что повышает стойкость проводника в пять раз по отношению к проводнику без ДБС;

2. снижение градиента температуры за счет использования нанотрубок, что повышает стабильность проводника, отметим что проводник, дополнительно покрытый слоем углеродных мощность и деградировал через пятикратно большее время по отношению к проводнику защищенным только слоем ДБС и

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Установлено, что основной причиной деградации медного проводника нанометровой размерности в условиях токовой нагрузки является его распад на капли вследствие разогрева рассеиваемой им электрической мощностью.

Выявлено, что распад проводника на капли провоцируется явлением плавления, вызванным поверхностью (гетерогенное плавление), суть которого состоит в том, что при температуре ниже равновесной температуры плавления на поверхности кристаллической системы существует слой жидкой фазы определенной толщины, который находиться в равновесии с кристаллической фазой.

Изучена кинетика распада тонких пленок Ni. Показано, что тонких пленок Ni на капли. Выдвинуто предположение, что распространение смачивания определяет кинетическую составляющую процесса диспергирования тонкой пленки Ni на капли, что объясняет, почему данный процесс имеет место в некотором температурном диапазоне и временном интервале.

Заключение медного проводника нанометровой размерности между диэлектрическими слоями позволяет предотвратить его возникновение градиента температуры вследствие разогрева электрической мощностью может приводить к разрушению диэлектрического слоя, что вызывает локальный распад проводника на капли.

Показано, что процесса деградации можно избежать двумя способами: во-первых, упрочнением диэлектрического слоя путем введения между ним и диэлектрическим материалом тонкого диффузионно-барьерного слоя (ДБС), что повышает стойкость проводника в пять раз по отношению к проводнику без ДБС; во-вторых, снижением градиента температуры за счет углеродных нанотрубок. Экспериментально показано, что проводник, дополнительно покрытый слоем углеродных мощность и его стабильность увеличилась в пять раз по сравнению с проводником, защищенным только слоем ДБС и диэлектриком.

Основные результаты, полученные в диссертации, изложены в следующих публикациях:

1. А.А. Буздуган, А.Е. Тюрин, А.В. Никитин Изучение процесса низкотемпературного плавления тонких пленок кремния на инертной поверхности. Сб. тез. докл. 13-й всероссийской межвузовской научно-технической конф. студентов и аспирантов Москва, МИЭТ. 2006. с. 94.

2. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М.

Аммосов, А.И.Мочалов Исследование температуры процесса зависимости от толщины, на инертной поверхности оксида алюминия. Труды 10-й международной НТК «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, Россия, 2006, с. 158-160.

3. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, С.С.Белоусов, И.С. Чулков Кинетика процесса плавлениядиспергирования некоторых тонких пленок. Сб. тез. докл. 3-я Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология», Санкт – Петербург – Хилово, Псковская обл., Россия, 24 сентября – 1 октября 2006, с. 76.

4. А.А. Буздуган, С.С. Белоусов, И.С. Чулков Исследование процесса плавления – диспергирования некоторых тонких пленок и роли влияния подложки на данный процесс. IV Международная научно-техническая школа-конференция «Молодые ученые – науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике», « МОЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ – 2006 » 14 - 18 ноября 2006 г., Москва 5. А.А. Буздуган, Ю. А. Семенюк Получение нанокластерных структур кремния на инертных поверхностях Al2O3 из тонких пленок Si толщиной 8-60 нм. Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов “Индустрия наносистем и материалы”, Зеленоград, 26-29 сентября 2006 г.

6. А.А. Буздуган, Е.Н. Редичев, И.С. Чулков А.В. Никитин, Д.Г.

межсоединений на основе меди для кремниевых интегральных схем. Сборник научных трудов “Технологии микроэлектроники, оптоэлектроники и волоконной оптики” 7. А.А. Буздуган, И.С. Чулков А.В. Никитин, А.Е. Тюрин, Д.Г.

Громов Плавление-диспергирование тонких пленок кремния на инертной поверхности Al2O3. Сборник научных трудов “Технологии микроэлектроники, оптоэлектроники и волоконной оптики” 8. А.А. Буздуган, Е.Н. Редичев, И.С. Чулков А.В. Никитин, А.Е.

Тюрин, Д.Г. Громов Процесс плавления-диспергирования тонких пленок никеля. Сборник научных трудов “Технологии микроэлектроники, оптоэлектроники и волоконной оптики” 9. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов Обоснование последовательности формирования соединений при взаимодействии контактирующих фаз металла и кремния. Сборник научных трудов “Технологии микроэлектроники, оптоэлектроники и волоконной оптики” 10. А.А. Буздуган, И.С. Чулков, С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов уменьшением размера объекта. II Всероссийская конференция по наноматериалам IV Международный семинар “Наноструктурные материалы- 2007 Беларусь-Россия” 11. А.А. Буздуган, И.С. Чулков, С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов Кинетические особенности процесса плавления тонких пленок наноразмерных толщин. II Всероссийская конференция по наноматериалам IV Международный семинар “Наноструктурные материалы- 2007 Беларусь-Россия” 12. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, А.Р. Давликанов, Е.Н. Редичев, И.В. Сагунова, И.С. Чулков Исследование влияние размера зерен на кинетику плавления-диспергирования тонких нанотехнологическая ассамблея 2007. Сборник докладов 2-го Международного научно-технического симпозиума “Наноструктурные функциональные покрытия и материалы для промышленности”. – Харьков: ННЦ “ХФТИ”, ИПП “Контраст”, 13. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Д.А.. Аридов, Е.Н. Редичев, А.Е. Тюрин, И.С. Чулков Поведение тонких пленок термической обработке. Харьковская нанотехнологическая ассамблея 2007. Сборник докладов 2-го Международного научнотехнического симпозиума “Наноструктурные функциональные покрытия и материалы для промышленности”. – Харьков: ННЦ “ХФТИ”, ИПП “Контраст”, 14. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, диспергирования на капли тонких пленок кремния толщиной 8 нм на инертной поверхности Al2O3. Журнал Известия вузов.

Электроника № 15. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, И.С. Чулков Гетерогенное плавление и его проявление в малоразмерных

НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ И

МИКРОСИСТЕМЫ, Ульяновск, 16. A.A. Buzdugan, S.A. Gavrilov, D.G. Gromov, E.N. Redichev, I.S. Chulkov Heterogeneous melting and participation of it in different micro- and nanotechnology processes. International Conference “Micro- and nanoelectronics -2007” ICMNE-2007, Moscow – Zvenigorod, Russia 17. A.A. Buzdugan, D.G. Gromov, E.N. Redichev, A.A. Golishnikov, I.S. Chulkov, R.M. Ammosov The approach to formation of interconnections with the low dimension for damascene technology.

International Conference ICMNE-2007, Moscow – Zvenigorod, Russia 18. А.А. Буздуган, И.С. Чулков, Д.А. Аридов, А.Р. Давликанов Разработка нанокластерных структур преобразователей солнечной энергии на основе контакта с барьером Шотки.

Всероссийская молодежная конференция “Электроника-2007”, Зеленоград, 5-7 сентября 2007 г.

19. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.В. Дубков, И.С. Чулков Влияние поверхностной активности компонентов на взаимодействие между кремниевой подложкой и пленками некоторых сплавов тугоплавких металлов. Сборник научных трудов ”Материалы, процессы, оборудование в нано-, микро-, и оптоэлектронике”, Москва 2008 г.

20. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, И.С. Чулков Гетерогенное плавление и диспергирование тонких пленок на оборудование в нано-, микро-, и оптоэлектронике”, Москва 21. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, И.С. Чулков, М.Ю. Анисимов, А.Е. Тюрин, Е.Н. Редичев Исследование влияние структуры пленки на процесс гетерогенного плавления. Сборник научных трудов ”Материалы, процессы, оборудование в нано-, микро-, и оптоэлектронике”, Москва 2008 г.

22. А.А. Буздуган, Д.Г. Громов, И.С. Чулков, Е.Н. Редичев Исследование причин деградации медных наноразмерных проводников и возможностей повышения их стабильности.

Харьковская нанотехнологическая ассамблея 2008. Сборник докладов 3-го Международного научно-технического семинара “Ионно-плазменные нанотехнологии”. – Харьков: ННЦ “ХФТИ”, ИПП “Контраст”, 2008 г.

23. А.А. Буздуган, А.Р. Давликанов, И.С. Чулков Роль гетерогенного плавления в процессе деградации медных наноразмерных проводников. 15-я Всероссийская межвузовская научнотехническая конференция студентов и аспирантов, Москва, Подписано в печать:

Заказ № Тираж экз. Уч.-изд.л. Формат 6084/16.

Отпечатано в типографии МИЭТ(ТУ) 124498, Москва, МИЭТ(ТУ)