WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

УТВЕРЖДАЮ

Проректор по учебной работе

и социальным вопросам

А. А. Хмыль «_26» 05_ 2014 г.

ПРОГРАММА

вступительного экзамена в магистратуру по специальности 1-41 80 01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника и приборы на квантовых эффектах»

Минск, Программа составлена на основании типовых учебных программ дисциплин «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем»; «Физика твердого тела»; «Наноэлектроника», «Информационные технологии в проектировании интегральных микросхем».

СОСТАВИТЕЛИ:

Борисенко В.Е. д.ф.-м.н, профессор, зав. кафедрой МНЭ; Колосницын Б.С., к.т.н., профессор, профессор каф. МНЭ; Петрович В.А. к.т.н., доцент,доцент каф.

МНЭ; Котов Д.А. к.т.н., доцент каф. МНЭ; Мигас Д.Б., д.ф.-м.н.,профессор каф.МНЭ.

РЕКОМЕНДОВАНА К УТВЕРЖДЕНИЮ

Кафедрой микро- и наноэлектроники учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (протокол № от « 26 » мая 2014 г.) Заведующий кафедрой МНЭ В.Е.Борисенко Раздел 1. Физика твердого тела Тема 1. Природа химической связи в твердых телах Структура кристаллов. Идеальные и реальные кристаллы. Дефекты в кристаллах. Свойства основных материалов микроэлектроники: Si, GaAs, Ge.

Тема 2. Зонная теория твердого тела Энергетические спектры электронов в металлах, полупроводниках, диэлектриках. Эффективная масса электрона. Собственные и примесные полупроводники. Роль донорных и акцепторных примесей.

Тема 3. Рекомбинация и генерация неосновных носителей заряда Рекомбинация «зона-зона» и рекомбинация через примеси и дефекты (рекомбинация Холла-Шокли-Рида). Диффузионная длина пробега и время жизни носителей заряда. Поверхностная рекомбинация. Типы генерации.

Тема 4. Электропроводность полупроводников Носители заряда в электрическом поле. Взаимодействие носителей заряда с фононами, примесными атомами, дефектами. Подвижность электронов и дырок.

Диффузия и дрейф носителей заряда. Соотношение Эйнштейна. Уравнение непрерывности. Лавинное умножение носителей заряда в полупроводниках.

Электрические домены и токовые шнуры. Эффект Ганна.

Тема 5. Оптические свойства полупроводников Поглощение и испускание света в полупроводниках.

Тема 6. Термоэлектрические явления в полупроводниках Термо- и гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла.

Тема 7. Гетеропереходы Уравнение Пуассона. Контакт металл-полупроводник. Омический и выпрямляющий электронно-дырочный переходы.

Раздел 2. Приборы твердотельной электроники Тема 1. Полупроводниковые диоды Основные параметры и характеристики диодов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы. Импульсные и частотные свойства диодов. Физико-топологические модели диодов. Туннельные и обращенные диоды. Лавинно-пролетные диоды. Диоды Шоттки.

Тема 2. Биполярные транзисторы.

Структура и принцип действия. Распределение потока носителей в активном нормальном режиме работы. Эффект Эрли и его следствия. Основные параметры и характеристики транзисторов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы и математические модели транзистора: Эберса Мола, Линвилла, зарядовая. Импульсные и частотные свойства транзисторов.

Работа транзистора при высоком уровне инжекции. Виды пробоя транзистора.

Мощные транзисторы. СВЧ транзисторы.

Двух- и трехэлектродные тиристоры, принцип их действия и классификация. Основные параметры и характеристики.

Тема 4. Канальные транзисторы: полевые транзисторы с управляющим p-nпереходом и затвором Шоттки Принцип действия. Модуляция глубины канала. Основные электрические параметры и характеристики транзисторов. Эквивалентные схемы. Частотные и импульсные свойства транзисторов.

Идеальная и реальная МОП-структуры. Величина порогового напряжения и пути ее регулирования. Параметры. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства. Эффекты, связанные с малыми размерами транзистора. Мощные СВЧ МОП-транзисторы. МДП транзисторы со встроенным каналом. МНОП-структуры. Физико-топологические модели МОП-транзисторов.

Классификация интегральных микросхем по конструктивнотехнологическому и функциональному признакам. Цифровые и аналоговые микросхемы. Полупроводниковые запоминающие устройства и микропроцессоры. Биполярные ТТЛ, ЭСЛ и И Л-схемы, КНИ с р- и n-каналами, КМОП-схемы.

Принцип действия, основные параметры и области применения.

Термоэлектрические и гальваномагнитные полупроводниковые приборы.

Твердотельные датчики, включая микроэлектронные преобразователи информации.

Раздел 3. Наноэлектроника и приборы на квантовых эффектах Тема 1. Физические основы наноэлектроники Квантовое ограничение и основные типы низкоразмерных структур – квантовые точки, шнуры, пленки. Туннелирование носителей заряда.

Баллистический транспорт носителей заряда. Спиновые эффекты.

Элементы низкоразмерных структур – свободная поверхность и границы раздела. Сверхрешетки. Моделирование атомных конфигураций в наноструктурах.

Тема 2. Технологические методы формирования наноразмерных структур Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Электроннолучевая литография. Атомная инженерия с использованием сканирующего туннельного и атомного силового микроскопов. Методы зондовой инженерии.

Нанолитографические методы. Наноструктурированные материалы – пористый кремний, углеродные нанотрубки.

Тема 3. Особенности переноса носителей заряда в наноразмерных структурах и Баллистический и квазибаллистический транспорт. Электрическое сопротивление наноразмерного многополюсника. Квантовый эффект Холла:

целочисленный и дробный. Интерференционные транзисторы. Баллистические выпрямители и транзисторы.

Одноэлектронное туннелирование в условиях кулоновской блокады, явления в однобарьерной и двухбарьерной структурах. Электронные приборы на одноэлектронном туннелировании. Резонансное туннелирование. Диоды и транзисторы на эффекте резонансного туннелирования.

магнитосопротивления. Спин-контролируемое туннелирование носителей заряда. Приборы спинтроники.

Раздел 4. Технология изготовления интегральных микросхем Формирование эпитаксиальных слоев. Термическое окисление кремния.

Диффузионное легирование полупроводников. Ионное легирование материалов.

Формирование разделительных областей элементов интегральных микросхем.

Тема 2. Формирование пленок металлов, полупроводников и диэлектриков Нанесение пленок термическим испарением в вакууме, ионным и ионноплазменным распылением, химическим осаждением из газовой фазы. Химическое и электрохимическое осаждение материалов. Анодное окисление металлов и полупроводников.

Тема 3. Формирование топологии элементов интегральных микросхем Фотолитография. Электронно-лучевая литография и рентгенография.

Жидкостное травление металлов, полупроводников, диэлектриков.

Плазмохимические и ионно-плазменные методы обработки полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев.

Тема 4. Проектирование конструкции и технологии изготовления интегральных Физико-математическое моделирование и проектирование приборов и систем микроэлектроники. Уровни компьютерного проектирования приборов и систем микроэлектроники. Методы и средства компьютерного проектирования приборов и систем микро- и наноэлектроники. Моделирование аналоговых, цифровых и аналого–цифровых схем в среде пакетов PCAD, РSPICE, Design Center, Cadence. Сквозное проектирование технологии/прибора/схемы в среде программного комплекса компании Silvaco. Статистический анализ и оптимизация технологических параметров изготовления изделий микроэлектроники. Локальные и глобальные флуктуации технологических параметров.

ЛИТЕРАТУРА

К разделу 1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1986.

2. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела: в 2 т. – М.: Мир, 1979.

3. Панков Н. Оптические процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1983.

4. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. Радио, 1991.

5. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Поденок С.Л. Статистическая физика полупроводников. Курс лекций. М., КомКнига, 2005, -258 с.

Павлов В.П., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 1985. – 384 с.; Нижний Новгород, НТУ им.Н.И. Лобачевского, 1993.-490с.

1. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Радио, 1977.

2. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. – Мн.: Наука и техника, 1975.

3. Волчёк С.А., Петрович В.А. Оптические свойства твердых тел.

Лабораторный практикум по курсу «Физика твердого тела», Минск.: БГУИР, 2006.

К разделу 1. Алексеенко А.Т. Основы микросхемотехники.-М.: Лаборатория базовых знаний, 2. Колосницын Б.С. Элементы интегральных схем. Физические основы. – Мн.:

БГУИР, 2001. – 138 с.

3. Колосницын Б.С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы – Мн:

БГУИР, 2008. -150 с.

4. Абрамов И.И. Лекции по моделированию интегральных схем. Москва – Ижевск: НИЦ РХД, 2005. – 152 с.

5. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ. – М.:

Мир, 1991. – 632 с.

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. –М.: Лаборатория базовых знаний, 2004.

2. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991.

3. Абрамов И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем. – Мн.: БГУ, 1999. – 189 с.

4. Колосницын Б.С. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. – Мн.: БГУИР, 2006 г. – 102 с.

К разделу 1. Борисенко В. Е., Воробьева А. И., Данилюк А. Л. Уткина Е.А.

Наноэлектроника. Теория и практика – М., Бином, 2013, 366 с.

2. Borisenko V.E., Ossicini S. What is What in the Nanoworld.- Wiley-VCH, Weinheim, 2012.-601 с.

3. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. – М.: Мир, 1989. – 240 с.

4. Davies J.H. The Physics of Low-Dimensional Semiconductors: An Introduction.

Cambridge University Press, Cambridge, 1998.

1. Хакен Х. Квантовополевая теория твердого тела. – М.: Наука, 1980.-240 с.

2. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов. – Мн.: Бестпринт, 2000. – 164 с.

3. Ferry D.K., Goodnick S.M. Transport in Nanostructures.-Cambridge University Press. – Cambridge, 1997.

4. Валиев К.А., Кокина А.А. Квантовые компьютеры: надежды и реальности. – Ижевск: НИЦ РХД, 2001. – 352 с.

К разделу 1. Моро У. Микролитография. В 2 т. – М.: Мир, 1990.

2. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля/Д. Брандон, У. Каплан – Москва: Техносфера, 2006.-378 с.

3. Рындин Е.А. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование./Е.А. Рындин, Б.Г.Коноплев. - Таганрог, 2001.-146 с.

4. Нанотехнологии/ С. Пул, Ф.Оуэнс – Москва: Техносфера, 2005-286с.

5. Campbell, S. The science and engineering of microelectronic fabrication./ S.

Campbell-New York: Oxford university press, 2001.- 603 р.

6. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат DESIGN CENTER. – М.: Радио и связь, 1996, 268 с.

7. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике.

Моделирование технологии и прибора. – Мн.: БГУИР, 2008, 220 с.

8. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Проектирование технологии интегральных схем. Программа SSUPREM IV. Учебное пособие. – Мн.: БГУИР, 2004, 102 с.

9. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Статистический анализ и оптимизация технологических параметров изготовления интегральных микросхем.

Учебно-методическое пособие. – Мн.: БГУИР, 2002, 39 с.

1. Химическая обработка и технологии интегральных микросхем / В.П.

Василевич, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович, Ю.А. Родионов. – Полоцк: ПГУ, 2001. – 260 с.

2. Rabaey. J. Digital Integrated Circuits: A Design Perspective, second edition/ J.Rabaey, A.Chandrakasan, B.Nikolic. – New York: Prentice Hall, 2003. – 747 p.

3. Goddard, W.Handbook of nanoscience, engineering, and technology/W.A.

Goddard,D.W.Brenner, S.E.Lyshevski, G.J.Iafrate. – New Jork: CRC Press, 2003. – 709 p.

4. Bhushan, B.Handbook of nanotechnology. B. Bhushan. – Berlin: SpringerVerlag, 2004. – 1222 p.

5. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия для материаловедения/Д.Синдо, Т.Оикава – Москва: Техносфера, 2005. – 260 с.




Похожие работы:

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН ПРОГРАММА вступительного экзамена в магистратуру по специальности 6М120200 – Ветеринарная санитария Направление: научное и педагогическое Костанай, 2014 1 Содержание Введение...4 1 Основная часть..5 1.1 Ветеринарно-санитарная экспертиза продуктов животноводства и птицеводства.5 1.2 Ветеринарно-санитарная экспертиза продуктов растениеводства, рыбоводства и пчеловодства...6 1.3 Технология, санитария, ветеринарно-санитарная экспертиза мясо -...»

«ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ТЕХНИЧЕСКАЯ ГРАФИКА 2011 г. Программа учебной дисциплины разработана на основе Федерального государственного образовательного стандарта по профессии начального профессионального образования 151902.04 токарь-универсал Организация-разработчик: ТОГАОУ Промышленно-технологический колледж Разработчик: Носова И.Б., преподаватель математики и специальных дисциплин первой категории ТОГАОУ Промышленно-технологический колледж 2 СОДЕРЖАНИЕ стр. 1. ПАСПОРТ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ...»

«Общие положения Программа кандидатского экзамена по специальности 05.18.12 – Процессы и аппараты пищевых производств составлена в соответствии с федеральными государственными требованиями к структуре основной профессиональной образовательной программы послевузовского профессионального образования (аспирантура), утвержденными приказом Минобрнауки России 16 марта 2011 г. № 1365, на основании паспорта и программы–минимум кандидатского экзамена по специальности 05.18.12 – Процессы и аппараты...»

«ПРОГРАММА СЕМИНАРОВ И МАСТЕР-КЛАССОВ 26-28 СЕНТЯБРЯ 2013, МОСКВА, СОКОЛЬНИКИ-ЭКСПО www.bagetforum.ru СПЕЦИАЛЬНОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ: По многочисленным просьбам гостей Форума: С 1 сентября открыта продажа билетов на отдельные Семинары из Программы Конференции ММБФ! Вы сможете выбрать и посетить один или несколько Семинаров по Вашему выбору! Вся информация о расписании и стоимости посещения семинаров и мастер-классов в тексте данной брошюры и на сайте www.bagetforum.ru. ВНИМАНИЕ: До 16.09.13 трёхдневное...»

«ПРОГРАММА-МИНИМУМ кандидатского экзамена по специальности 05.12.04 Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения по техническим и физико-математическим наукам Введение Настоящая программа базируется на вузовских дисциплинах, соответствующих государственному образовательному стандарту (ГОС) по направлению Радиотехника. Основной материал содержится в дисциплинах: радиотехнические цепи и сигналы; электродинамика и распространение радиоволн; схемотехника аналоговых электронных...»

«НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ РАБОТА В ТУЛЬСКОМ ГОСУДАРСТВЕННОМ УНИВЕРСИТЕТЕ В 2011 ГОДУ 2 СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. ФИНАНСОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ..7 2. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ВЫСШЕЙ КВАЛИФИКАЦИИ 2.1. Магистратура 2.2. Интернатура 2.3. Аспирантура 2.4. Докторантура 2.5. Ординатура 2.6. Совет молодых ученых ТулГУ 2.7. Студенческое и аспирантское научное общество 3. ДИССЕРТАЦИОННЫЕ СОВЕТЫ 4. СОТРУДНИЧЕСТВО ТУЛГУ С ИНСТИТУТАМИ И ЦЕНТРАМИ РАН. 5. МЕЖДУНАРОДНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Кафедра основ архитектурного проектирования истории архитектуры и градостроительства УТВЕРЖДАЮ председатель научного Совета НГАХА Проректор по научной работе Е.Н. Лихачев РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ (модуля) ТЕОРИЯ И ПРАКТИКА ИЗУЧЕНИЯ АРХИТЕКТУРЫ СИБИРСКИХ ГОРОДОВ ВТОРОЙ ПОЛОВИНЫ ХIХ –ХХ вв. по специальности 05.23.20 Теория и история архитектуры, реставрация и реконструкция историко-архитектурного наследия Присуждаемая степень – кандидат...»

«Положение о курсовой работе (проекте), выполняемой студентами Сибирского института управления – филиала РАНХиГС утверждено приказом от 18.03.2014 № 118(осн.) Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАРОДНОГО ХОЗЯЙСТВА И ГОСУДАРСТВЕННОЙ СЛУЖБЫ при ПРЕЗИДЕНТЕ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ СИБИРСКИЙ ИНСТИТУТ УПРАВЛЕНИЯ – ФИЛИАЛ РАНХиГС ПОЛОЖЕНИЕ о курсовой работе (проекте), выполняемой студентами Сибирского института...»

«ТРЕТЬЕ ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНОЕ СООБЩЕНИЕ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НАУЧНЫЙ СОВЕТ РАН ПО ПРОБЛЕМАМ МАШИНОВЕДЕНИЯ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАШИНОВЕДЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИПМАШ РАН) САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ (СПб НИУ ИТМО) Одиннадцатая сессия международной научной школы, посвященная памяти В.П. Булатова ВПБ-...»

«ПОЛОЖЕНИЕ Правила приема обучающихся в Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение Хотмыжская средняя общеобразовательная школа 1. Правила приема обучающихся в МБОУ Хотмыжская СОШ осуществляются в соответствии с требованиями ФЗ-273 Об образовании в РФ (статьи 55, 67, 78 (п.1, п.2), 66 (ч.5)); Порядка организации и осуществления образовательной деятельности по основным общеобразовательным программам - образовательным программам начального общего, основного общего и среднего общего...»

«Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова МОСКОВСКАЯ ШКОЛА ЭКОНОМИКИ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Прикладные задачи исследования операций Направление 080100 Экономика для подготовки студентов — бакалавров очного отделения Автор — составитель программы: Афанасьев Михаил Юрьевич, профессор, доктор экономических наук Рабочая программа утверждена решением Ученого совета МШЭ МГУ Протокол № от _ 2011 г. Москва 2011 Введение Дисциплина Количественные методы в прикладной экономике...»

«МЕЖДУНАРОДНОЕ БЮРО ТРУДА Административный совет 320-я сессия, Женева, 13-27 марта 2014 г. GB.320/PFA/1 PFA Секция по программе, финансовым и административным вопросам Дата: 31 января 2014 г. Оригинал: английский ПЕРВЫЙ ПУНКТ ПОВЕСТКИ ДНЯ Выполнение программы МОТ в 2012-13 годах Цель документа Документ вносится для обсуждения и формулировки рекомендации. Соответствующая стратегическая задача: Все четыре стратегические задачи. Последствия для политики: См. рубрику Требуемые дальнейшие действия....»

«других товаров медицинского назначения в сотрудничестве со Всемирной организацией здравоохранения DELIVER DELIVER, 5 летний проект международной технической помощи, который финанси руется Агентством США по международному развитию, Бюро глобального здоровья, Департамент населения и репродуктивного здоровья, отдел безопасности предметов потребления и материальнотехнического обеспечения (CSL). Осуществлен компанией Джон Сноу (JSI), (номер контракта. HRNC00000001000), и субподрядчиками (группа...»

«СОДЕРЖАНИЕ Стр. 1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ 5 1.1. Нормативные документы для разработки ООП по направлению 5 подготовки 1.2. Общая характеристика ООП 7 1.3. Миссия, цели и задачи ООП ВПО 8 1.4. Требования к абитуриенту 8 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ 8 ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ВЫПУСКНИКА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ 2.1. Область профессиональной деятельности выпускника 8 2.2. Объекты профессиональной деятельности выпускника 2.3. Виды профессиональной деятельности выпускника 2.4. Задачи профессиональной...»

«НОЦ МГУ по нанотехнологиям А.Р.Хохлов Проректор МГУ Директор НОЦ по нанотехнологиям МГУ Основные проблемы подготовки кадров в области нанотехнологий: Сложившаяся ранее структура образования основана на углублении 1. специализации, что приводит к возникновению междисциплинарных барьеров и затрудняет возникновение и развитие новых точек роста которые часто находятся на стыках дисциплин. Современные потребности требуют от выпускников МГУ не только 2. глубоких знаний в выбранной ими области науки,...»

«Утверждена Принята на заседании педагогического совета. на заседании Совета школы. Протокол № 2п.4 от 08.11. 2006 г. Протокол № 3 от 05.11.2006 г. Директор Председатель Совета школы В.В.Русова_ _В.И.Шемелов Программа развития муниципального общеобразовательного учреждения средней общеобразовательной школы № 1 г. Луза Кировской области на 2006-2009 годы Луза 2006 Авторы программы. Программа разработана администрацией МОУ СОШ № 1 г.Лузы в составе: Русовой В.В., директор школы, Михеевой В.М.,...»

«Содержание вступительного экзамена по специальности 50.06.01 Искусствоведение 1. Собеседование по теме реферата 2. Ответ на вопросы по истории и теории музыки Требования к научному реферату Вступительный реферат по специальности должен носить исследовательский характер, тема и проблематика реферата — соответствовать избранной научной специальности, содержание — теме предполагаемой диссертационной работы. Правила оформления реферата: объем 25–30 страниц текста, редактор Word, шрифт Times New...»

«Введение Экзамен кандидатского минимума по специальности 13.00.02 –Теория и методика обучения и воспитания (русский язык) является традиционной формой аттестации специальной и методической подготовки аспирантов и соискателей вуза, их научно-исследовательской деятельности в области частной методики. Цель кандидатского экзамена заключается в определении уровня общей личностной культуры, профессиональной компетентности и готовности аспиранта (соискателя) к научно-исследовательской деятельности в...»

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УТВЕРЖДАЮ Ректор Белорусского государственного университета С.В. Абламейко __2014 г. Рег. № _ ПРОГРАММА вступительного экзамена (основного) по дисциплине Страноведение Востока в магистратуру по специальности 1-23 81 07 Востоковедение 2014/2015 учебный год МИНСК 2014 Программа рекомендована к утверждению: Советом факультета международных отношений БГУ (протокол № 8 от 25.03.2014 г.) Председатель Совета, профессор В.Г. Шадурский кафедрой языкознания и...»

«МИНОБРНАУКИ РОССИИ Филиал государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Вятского государственного гуманитарного университета в г. Кирово-Чепецке Кафедра бухгалтерского учета и информационных технологий УТВЕРЖДАЮ Зав. кафедрой _ Е.В. Шубникова 28 сентября 2010 г. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ИСТОРИЯ ВЯТСКОГО КРАЯ для специальности 080109.65 Бухгалтерский учет, анализ и аудит Кирово-Чепецк Учебно-методический комплекс составлен в...»












 
2014 www.av.disus.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.