WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

УТВЕРЖДАЮ

Проректор по учебной работе

и социальным вопросам

А.А.Хмыль «12» _июня_ 2013 г.

ПРОГРАММА

вступительного экзамена в магистратуру по специальности 1-41 80 01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника и приборы на квантовых эффектах»

Минск, Программа составлена на основании типовых учебных программ дисциплин «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем»; «Физика твердого тела»; «Наноэлектроника», «Информационные технологии в проектировании интегральных микросхем».

СОСТАВИТЕЛИ:

Борисенко В.Е. д.ф.-м.н, профессор, зав. кафедрой МНЭ; Колосницын Б.С., к.т.н., профессор, профессор каф. МНЭ; Нелаев В.В., д.ф.-м.н., профессор, профессор каф. МНЭ; Петрович В.А. к.т.н., доцент,доцент каф. МНЭ; Котов Д.А.

к.т.н., доцент каф. МНЭ.

РЕКОМЕНДОВАНА К УТВЕРЖДЕНИЮ

Кафедрой микро- и наноэлектроники учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (протокол № от « 20 » мая 2013 г.) Заведующий кафедрой МНЭ В.Е.Борисенко Раздел 1. Физика твердого тела Тема 1. Природа химической связи в твердых телах.

Структура кристаллов. Идеальные и реальные кристаллы. Дефекты в кристаллах. Свойства основных материалов микроэлектроники: Si, GaAs, Ge.

Тема 2. Зонная теория твердого тела.

Энергетические спектры электронов в металлах, полупроводниках, диэлектриках. Эффективная масса электрона. Собственные и примесные полупроводники. Роль донорных и акцепторных примесей.

Тема 3. Рекомбинация и генерация неосновных носителей заряда.

Рекомбинация «зона-зона» и рекомбинация через примеси и дефекты (рекомбинация Холла-Шокли-Рида). Диффузионная длина пробега и время жизни носителей заряда. Поверхностная рекомбинация. Типы генерации.

Тема 4. Электропроводность полупроводников.

Носители заряда в электрическом поле. Взаимодействие носителей заряда с фононами, примесными атомами, дефектами. Подвижность электронов и дырок.

Диффузия и дрейф носителей заряда. Соотношение Эйнштейна. Уравнение непрерывности. Лавинное умножение носителей заряда в полупроводниках.

Электрические домены и токовые шнуры. Эффект Ганна.

Тема 5. Оптические свойства полупроводников.

Поглощение и испускание света в полупроводниках.

Тема 6. Термоэлектрические явления в полупроводниках.

Термо- и гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла.

Тема 7. Гетеропереходы.

Уравнение Пуассона. Контакт металл-полупроводник. Омический и выпрямляющий электронно-дырочный переходы.

Раздел 2. Приборы твердотельной электроники и микроэлектроники Тема 1. Полупроводниковые диоды.

Основные параметры и характеристики диодов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы. Импульсные и частотные свойства диодов. Физико-топологические модели диодов.

Тема 2. СВЧ полупроводниковые диоды.Варикапы.

Туннельные и обращенные диоды. Лавинно-пролетные диоды.

Диоды Шоттки.

Тема 3. Биполярные транзисторы.

Структура и принцип действия. Распределение потока носителей в активном нормальном режиме работы. Эффект Эрли и его следствия. Основные параметры и характеристики транзисторов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы и математические модели транзистора: Эберса Мола, Линвилла, зарядовая. Импульсные и частотные свойства транзисторов.

Работа транзистора при высоком уровне инжекции. Виды пробоя транзистора.

Мощные транзисторы. СВЧ транзисторы.

Двух- и трехэлектродные тиристоры, принцип их действия и классификация. Основные параметры и характеристики.

Тема 5. Канальные транзисторы: полевые транзисторы с управляющим p-nпереходом и затвором Шоттки.

Принцип действия. Модуляция глубины канала. Основные электрические параметры и характеристики транзисторов. Эквивалентные схемы. Частотные и импульсные свойства транзисторов.

Идеальная и реальная МОП-структуры. Величина порогового напряжения и пути ее регулирования. Параметры. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства. Эффекты, связанные с малыми размерами транзистора. Мощные СВЧ МОП-транзисторы. МДП транзисторы со встроенным каналом. МНОП-структуры. Физико-топологические модели МОП-транзисторов.

Классификация интегральных микросхем по конструктивнотехнологическому и функциональному признакам. Цифровые и аналоговые микросхемы. Полупроводниковые запоминающие устройства и микропроцессоры. Биполярные ТТЛ, ЭСЛ и И Л-схемы, КНИ с р- и n-каналами, КМОП-схемы.

Принцип действия, основные параметры и области применения.

Термоэлектрические и гальваномагнитные полупроводниковые приборы. Твердотельные датчики, включая микроэлектронные преобразователи информации.

Раздел 3. Наноэлектроника и приборы на квантовых эффектах Квантовое ограничение и основные типы низкоразмерных структур – квантовые точки, шнуры, пленки. Туннелирование. Баллистический транспорт.

Спиновые эффекты.

Элементы низкоразмерных структур – свободная поверхность и границы раздела. Сверхрешетки. Моделирование атомных конфигураций в наноструктурах.



Тема 2. Технологические методы формирования наноразмерных структур.

металлоорганических соединений. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Электроннолучевая литография. Атомная инженерия с использованием сканирующего туннельного и атомного силового микроскопов. Методы зондовой инженерии.

Нанолитографические методы. Наноструктурированные материалы – пористый кремний, углеродные нанотрубки.

Тема 3. Особенности переноса носителей заряда в наноразмерных Баллистический и квазибаллистический транспорт. Электрическое сопротивление наноразмерного многополюсника. Квантовый эффект Холла:

целочисленный и дробный. Интерференционные транзисторы.

Одноэлектронное туннелирование в условиях кулоновской блокады, явления в однобарьерной и двухбарьерной структурах. Электронные приборы на одноэлектронном туннелировании. Резонансное туннелирование. Диоды и транзисторы на эффекте резонансного туннелирования.

магнитосопротивления. Спин-контролируемое туннелирование носителей заряда. Приборы спинтроники.

Раздел 4. Технологии изготовления интегральных микросхем Тема 1. Планарная технология.

Тема 2. Физические основы процесса диффузии.

Тема 3. Ионное легирование.

Тема 4. Плазмохимические и ионно-плазменные методы обработки полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев.

Тема 5. Формирование эпитаксиальных слоев.

Тема 6. Термическое окисление кремния.

Тема 7. Анодное окисление металлов и полупроводников.

Тема 8. Получение тонких пленок: термическим испарением в вакууме, ионным и ионно-плазменным распылением, химическим осаждением из газовой фазы.

Тема 9. Фотолитография.

Тема 10. Электронно-лучевая литография и рентгенография.

Тема 11. Травление металлов, полупроводников, диэлектриков.

Тема 12. Основы конструирования полупроводниковых интегральных микросхем.

Тема 13. Методы изоляции элементов Тема 14. Сборка и монтаж полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Раздел 5. Автоматизированное проектирование интегральных микросхем и Тема 1. Физико-математическое моделирование и компьютерное проектирование приборов и систем микроэлектроники. Уровни компьютерного проектирования приборов и систем микроэлектроники.

Тема 2. Характеристики основных программных пакетов схемотехнического проектирования.

Тема 3. Методы и средства компьютерного проектирования приборов и систем микроэлектроники.

Тема 4. Встроенные математические модели аналоговых компонентов, Spice параметры. Виды схемотехнического анализа интегральных микросхем.

Тема 5. Моделирование аналоговых, цифровых и аналого–цифровых схем в среде пакетов PCAD, РSPICE, Design Center, Cadence.

Тема 6. Сквозное проектирование технологии/прибора/схемы в среде программного комплекса компании Silvaco.

Тема 7. Назначение, возможности и организация работы в средах модулей ATHENA и ATLAS. Директивы для моделирования в модулях ATHENA и ATLAS.

Тема 8. Статистический анализ и оптимизация технологических параметров изготовления изделий микроэлектроники. Локальные и глобальные флуктуации технологических параметров.

Тема 9. Основные методы решения задачи статистического анализа и оптимизации технологии изготовления ИМС. Методы аппроксимации результатов компьютерных и натурных экспериментов. Планирование эксперимента.

ЛИТЕРАТУРА

1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1986.

2. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела: в 2 т. – М.: Мир, 1979.

3. Панков Н. Оптические процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1983.

4. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. Радио, 1991.

5. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Поденок С.Л. Статистическая физика полупроводников. Курс лекций. М., КомКнига, 2005, -258 с.

1. Павлов В.П., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 1985.

– 384 с.; Нижний Новгород, НТУ им.Н.И. Лобачевского, 1993.-490с.

2. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Радио, 1977.

3. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. – Мн.: Наука и техника, 1975.

4. Волчёк С.А., Петрович В.А. Оптические свойства твердых тел.

Лабораторный практикум по курсу «Физика твердого тела», Минск.: БГУИР, 2006.

1. Алексеенко А.Т. Основы микросхемотехники.-М.: Лаборатория базовых знаний, 2. Колосницын Б.С. Элементы интегральных схем. Физические основы. – Мн.:

БГУИР, 2001. – 138 с.

3. Колосницын Б.С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы – Мн:

БГУИР, 2008. -150 с.

4. Абрамов И.И. Лекции по моделированию интегральных схем. Москва – Ижевск: НИЦ РХД, 2005. – 152 с.

5. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ. – М.:

Мир, 1991. – 632 с.

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. –М.: Лаборатория базовых знаний, 2004.

2. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991.

3. Абрамов И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем. – Мн.: БГУ, 1999. – 189 с.

4. Колосницын Б.С. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. – Мн.: БГУИР, 2006 г. – 102 с.

К разделу 1. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. Наноэлектроника – М., Бином, 2009, 243 с.

2. Borisenko V.E., Ossicini S. What is What in the Nanoworld.- Wiley-VCH, Weinheim, 2008.-620 с.

3. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. – М.: Мир, 1989. – 240 с.

4. Davies J.H. The Physics of Low-Dimensional Semiconductors: An Introduction.

Cambridge University Press, Cambridge, 1998.

1. Хакен Х. Квантовополевая теория твердого тела. – М.: Наука, 1980.-240 с.

2. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов. – Мн.: Бестпринт, 2000. – 164 с.

3. Ferry D.K., Goodnick S.M. Transport in Nanostructures.-Cambridge University Press. – Cambridge, 1997.

4. Валиев К.А., Кокина А.А. Квантовые компьютеры: надежды и реальности. – Ижевск: НИЦ РХД, 2001. – 352 с.

1. Моро У. Микролитография. В 2 т. – М.: Мир, 1990.

2. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля/ Д. Брандон, У. Каплан – Москва: Техносфера, 2006.-378 с.

3. Рындин Е.А. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование./Е.А. Рындин, Б.Г.Коноплев. - Таганрог, 2001.-146 с.

4. Нанотехнологии/ С. Пул, Ф.Оуэнс – Москва: Техносфера, 2005-286с.

5. Campbell, S. The science and engineering of microelectronic fabrication./ S.

Campbell-New York: Oxford university press, 2001.- 603 р.

1. Химическая обработка и технологии интегральных микросхем / В.П.

Василевич, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович, Ю.А. Родионов. – Полоцк: ПГУ, 2001. – 260 с.

2. Rabaey. J. Digital Integrated Circuits: A Design Perspective, second edition/ J.Rabaey, A.Chandrakasan, B.Nikolic. – New York: Prentice Hall, 2003. – 747 p.

3. Goddard, W.Handbook of nanoscience, engineering, and technology/W.A.

Goddard,D.W.Brenner, S.E.Lyshevski, G.J.Iafrate. – New Jork: CRC Press, 2003. – 4. Bhushan, B.Handbook of nanotechnology. B. Bhushan. – Berlin: SpringerVerlag, 2004. – 1222 p.

5. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия для материаловедения/Д.Синдо, Т.Оикава – Москва: Техносфера, 2005. – 260 с.

6. Физические измерения в микроэлектронике /В.А.Пилипенко, В.Н.Пономарь, 7. В.А.Горушко, А.А.Солонинко – Мн.: БГУ, 2003. – 171 с.

1. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти и др. – М.: Радио и связь, 1989, 496 с.

2. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат DESIGN CENTER. – М.: Радио и связь, 1996, 268 с.

3. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике.

Моделирование технологии и прибора. – Мн.: БГУИР, 2008, 220 с.

4. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Проектирование технологии интегральных схем. Программа SSUPREM IV. Учебное пособие. – Мн.: БГУИР, 2004, 102 с.

5. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Статистический анализ и оптимизация технологических параметров изготовления интегральных микросхем. Учебнометодическое пособие. – Мн.: БГУИР, 2002, 39 с.

1. Тилл У, Лаксон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, схемы. М.:

Мир, 1985.

2. Технология СБИС / Под редакцией С. Зи, книги 1 и 2. – М.: Мир, 1986.

3. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Проектирование ИМС в среде системы Design Center. Учебное пособие. – Мн.: БГУИР, 2005, 55 с.

4. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Работа в среде пакета ATHENA для проектирования технологии интегральных микросхем. Учебное пособие. – Мн.:

БГУИР, 2005, 137 с.

5. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Работа в среде пакета ATHENA проектирования интегральных микросхем. Учебное пособие. Мн.: БГУИР, 2004, 148 с.

6. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Работа в среде пакета ATLAS проектирования приборов микроэлектроники. Учебное пособие. Мн.: БГУИР, 2005, 40 с.

7. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Физические модели, используемые в пакете ATLAS проектирования приборов микроэлектроники. Учебное пособие. Мн.:

БГУИР, 2005, 90 с.





Похожие работы:

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТУРИЗМА И СЕРВИСА Институт туризма и гостеприимства Кафедра экономики и управления в туризме и гостиничной деятельности ДИПЛОМНЫЙ ПРОЕКТ на тему: Проект мероприятий по совершенствованию стимулирования персонала ООО Стейтекс по специальности: 080507.65 Менеджмент организации Екатерина Александровна...»

«МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждениевысшего профессионального образования Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова СОГЛАСОВАНО УТВЕРЖДАЮ Заведующий кафедрой Декан факультета _ /СоловьевД.А./ /КамышоваГ.Н./ _ 2013 г. _ _2013 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ (МОДУЛЯ) Дисциплина ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 280100.62 Природообустройство и Направление подготовки водопользование Профиль...»

«СОДЕРЖАНИЕ 1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ВУЗЕ 1.1. Введение 1.2. История развития института 1.3. Организационно-правовое обеспечение образовательной деятельности 16 2. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИНСТИТУТОМ 2.1. Структура института 2.2. Организационная деятельность 3. СТРУКТУРА ПОДГОТОВКИ СПЕЦИАЛИСТОВ 3.1. Довузовская подготовка 3.2. Подготовка по основным образовательным программам высшего профессионального образования 3.3. Послевузовское образование 3.4. Дополнительное профессиональное образование 4. СОДЕРЖАНИЕ...»

«МКУ Управление образованием Междуреченского городского округа МБОУ ДОД Центр детского творчества г. Междуреченск ПРОГРАММА РАЗВИТИЯ РОДНИК творчества (Радость Общения, Доверие, Надежда И Комфорт) Муниципального бюджетного образовательного учреждения дополнительного образования детей Центр детского творчества на 2012-2015 ГОДЫ Программа развития Родник творчества на 2012 – 2015 гг. Муниципальное бюджетное образовательное учреждение дополнительного образования детей Центр детского творчества,...»

«Учреждение образования Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники УТВЕРЖДАЮ проректор по учебной работе и менеджменту качества Е.Н. Живицкая 20 г. Программа государственного экзамена по специальности 1-40 02 01 Вычислительные машины, системы и сети Минск БГУИР 2013 Программа составлена на основании типового учебного плана специальности 1-40 02 01 Вычислительные машины, системы и сети утвержден 23.07.2007г. №140-004/тип.; типовых учебных программ дисциплин:...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК МУЗЕЙ АНТРОПОЛОГИИ И ЭТНОГРАФИИ ИМ. ПЕТРА ВЕЛИКОГО (КУНСТКАМЕРА) ОТЧЕТ О РАБОТЕ в 2010 году Санкт-Петербург 2011 Содержание ВВЕДЕНИЕ ПУБЛИКАЦИИ РАБОТА ПО ТЕМАМ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ РАБОТ (НИР).6 РАБОТА ПО ПРОГРАММАМ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРЕЗИДИУМА РАН ПРОГРАММА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРЕЗИДИУМА РАН ИСТОРИКО-КУЛЬТУРНОЕ НАСЛЕДИЕ И ДУХОВНЫЕ ЦЕННОСТИ РОССИИ ПРОГРАММА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ОИФН РАН ГЕНЕЗИС И ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СОЦИАЛЬНЫХ, КУЛЬТУРНЫХ И...»

«Современные методы и международный опыт Сохранения генофонда дикораСтущих раСтений Современные методы (на примере диких плодовых) и международный опыт Сохранения генофонда дикораСтущих раСтений (на примере диких плодовых) Программа развития ООН в Казахстане г. Астана, 010000, ул. Бокей хана, Тел: +7 (7172) www.undp.kz Современные методы и международный опыт Сохранения генофонда дикораСтущих раСтений (на примере диких плодовых) алматы УДК ББК 41. С Современные методы и международный опыт...»

«1 СОДЕРЖАНИЕ Стр. 1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ 4 Нормативные документы для разработки ООП по направлению 1.1. 4 подготовки Общая характеристика ООП 1.2. 6 Миссия, цели и задачи ООП ВПО 1.3. 7 Требования к абитуриенту 1.4. 8 ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ 2. 8 ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ВЫПУСКНИКА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ 2.1. Область профессиональной деятельности выпускника Объекты профессиональной деятельности выпускника 2.2. Виды профессиональной деятельности выпускника 2.3. Задачи профессиональной деятельности...»

«ХИТРОВ АРСЕНИЙ ВЯЧЕСЛАВОВИЧ Адрес: 109028, Москва, Малый Трехсвятительский переулок, д. 8/2, каб. 312 Телефон: +7 495 772 95 90 * 22703 Факс: +7 495 772 95 90 * 22791 E-mail: [email protected], [email protected] ОБРАЗОВАНИЕ 10.2009 – Двухлетняя магистерская программа Erasmus Mundus Crossways in Cultural 06.2011 Narratives (University of Sheffield, UK - University of Tbingen, Germany - University of Perpignan, France). 2005 – 2008 Аспирантура в Московском государственном университете им....»

«Премия Интеллект Харькова [Подготовила П. Николенко] #18-19 от 15.10.2008 1985. (, ). (,, 2008.). 15 сентября в стенах галереи АВЭК в третий раз состоялось ежегодное вручение премий харьковским ученым в рамках проекта Интеллект Харькова Международного благотворительного фонда Александра Фельдмана. Программа Фонда Интеллект Харькова действует уже три года и предусматривает поддержку молодых и состоявшихся ученых. Фонд, работа которого направлена на то, чтобы ученые не уезжали из Харькова,...»

«МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА дисциплины: Менеджмент для специальности 080801.65 Прикладная информатика по областям факультета Прикладная информатика Ведущая кафедра – Управления и маркетинга Дневная форма обучения Вид учебной работы Курс, Всего часов семестр Лекции 2 курс, 4 семестр Практич.занятия 2 курс, 4...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации ФГБОУ ВПО Тверской государственный университет Кафедра филологических основ издательского дела и литературного творчества Филологический факультет (наименование кафедры, факультета) Утверждаю: Декан ф-та доц. Логунов М.Л. _2409 2013 г. Рабочая программа дисциплины Литературоведческие основы книговедения, 1 курс, 1 семестр (наименование дисциплины, курс) 035000 – Издательское дело направление подготовки Книгоиздательское дело профиль...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ХУДОЖЕСТВЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ ОБРАЗОВАНИЯ Лаборатория интеграции искусств с проблемной группой театра и экранных искусств УТВЕРЖДАЮ Директор ФГНУ ИХО РАО _Л.В. Школяр 20 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ПО ДИСЦИПЛИНЕ Теория эстетического воспитания для аспирантов очной и заочной форм обучения, обучающихся по специальности 13.00.01 – общая педагогика: история педагогики и образования ОД.А. Москва Составитель: Доктор педагогических...»

«Справка об обеспеченности обучающихся по всем предметам учебного плана учебниками и учебными пособиями в соответствии с федеральными перечнями учебников, рекомендованных (допущенных) к использованию в 2013 – 2014 году Государственного бюджетного общеобразовательного учреждения средней общеобразовательной школы № 411 Гармония с углубленным изучением английского языка Петродворцового района Санкт-Петербурга Параллель Количество Наименование Наименования учебников, учебных пособий, используемых...»

«Министерство здравоохранения и социального развития Республики Карелия Стоматологическая Ассоциация Карелии СЛОЖНЫЙ СТОМАТОЛОГИЧЕСКИЙ ПАЦИЕНТ II Всероссийская научно-практическая конференция СЛОЖНЫЙ СТОМАТОЛОГИЧЕСКИЙ ПАЦИЕНТ Петрозаводск, Отель Онего Палас 10-12 октября 2014 г. www.stomtrade.ru ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ИЗДАТЕЛЬСТВО ЧЕЛОВЕК ОРГАНИЗАТОРЫ СПРАВОЧНИК СТОМАТОЛОГИЯ РОССИИ Регистрация участников: www.stomtrade.ru www.mirmed.ru Тел/факс: +7 (812) 325-25-64, +7 (812) 328-18- Мобильный:...»

«ФГБОУ ВПО Ульяновская ГСХА им. П.А. Столыпина УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной и воспитательной работе М.В. Постнова __20 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ ИСТОРИЯ Направление подготовки: 190109 Наземные транспортнотехнологические средства Специализация: Автомобили и тракторы Квалификация выпускника: Специалист Форма обучения: Очная Ульяновск – 2011 1. ЦЕЛИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ ИСТОРИЯ Цель дисциплины - сформировать у студентов комплексное представление о культурно-историческом своеобразии России,...»

«Пояснительная записка Рабочая программа по физике 11 класса УМК авторов Генденштейна Л.Э. и Дика Ю.И. для базового уровня составлена на основе: Примерной программы, созданной на основе федерального компонента государственного образовательного стандарт,авторской программы Генденштейна Л.Э и Дика Ю.И. Изучение физика на базовом уровне среднего (полного) общего образования направлено на достижение следующих целей: Освоение знаний о фундаментальных физических законах классической механики,...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Саратовская государственная юридическая академия УТВЕРЖДЕНО на заседании Ученого Совета ФГБОУ ВПО СГЮА протокол № 6 от 20 марта 2014 года ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА по направлению подготовки 40.06.01 Юриспруденция по профилю Земельное право; природоресурсное право; экологическое право; аграрное право Саратов Вопросы к вступительному...»

«Министерство здравоохранения и социального развития Российской Федерации Государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования Воронежская государственная медицинская академия имени Н.Н. Бурденко ОСНОВНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОСЛЕВУЗОВСКОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ АНЕСТЕЗИОЛОГИЯ - РЕАНИМАТОЛОГИЯ (ординатура) Воронеж 2012 ОДОБРЕНА Ученым Советом ГБОУ ВПО ВГМА им. Н.Н. Бурденко Минздравсоцразвития России...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ САРАТОВСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ЮРИДИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ УТВЕРЖДАЮ Первый проректор, проректор по учебной работе _С.Н. Туманов __2012 г. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ Международно-правовая охрана окружающей среды по специальности 03050165 – юриспруденция Саратов 2012 Учебно-методический комплекс дисциплины обсужден на заседании кафедры земельного и экологического права 26 апреля 2012 г....»






 
2014 www.av.disus.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.