Программа спецкурса

Прикладная химия твердого тела и тонких пленок

38 часов лекций, 6 часов – семинарских,

12 часов – лабораторных занятий и 8 часов КСР

Пояснительная записка

Спецкурс “Прикладная химия твердого тела и тонких пленок ” предназначен для

студентов IV курса, специализирующихся в области химии твердого тела и

полупроводников. Специалисты этого профиля подготавливаются на химическом факультете Белгосуниверситета для электронной и радиопромышленности, производства средств связи, приборостроения и родственных отраслей, а также для научных учреждений, в которых проводятся исследования материалов и процессов твердотельной электроники и смежных с нею научных и технических дисциплин.

Данная область стремительно развивается и находится на стыке ряда химических наук, а также химико-технологических дисциплин таких, как химия твердого тела, нанохимия, физическая, неорганическая, отчасти органическая и биохимия, материаловедение, химическая технология. Изучение материалов и процессов электронной техники, а также процессов осаждения пленок и покрытий требует хорошей подготовки химиков по основным фундаментальным химическим дисциплинам (неорганической, органической, физической, аналитической химии, химической технологии), и по этой причине может осуществляться лишь на IV курсе. Спецкурс наглядно демонстрирует, насколько разносторонние и глубокие знания разных разделов химии необходимы для выполнения задач, связанных с исследовательской деятельностью, с разработкой новых материалов и технологий, с обслуживанием сложных наукоемких технологических процессов.

Цель спецкурса - углубление и расширение знаний студентов в области физикохимии различных материалов - полупроводников, металлов, диэлектриков, которые находят применение в современной электронной и радиотехнике, в приборостроении, а также в области методов их получения в тонкопленочном состоянии; ознакомление с физико-химическими основами современных технологий, используемых в производстве изделий электронной и радиотехники. В спецкурсе рассматриваются вопросы получения пленок с использованием физических и химических процессов; очистки, травления и модифицирования поверхности твердых тел в растворах, парах и в плазме; легирования;

фотолитографии и фотоформинга; проблемы сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, получения печатных плат, токопроводящих рисунков и электроконтактов, вопросы контроля качества материалов и готовой продукции.

Развернутая программа спецкурса содержит семь разделов, а также перечень тем семинарских, лабораторных занятий и заданий по КСР. На семинарские занятия вынесены наиболее трудные вопросы программы, а также те вопросы, по которым особенно важно приобретение будущими специалистами умений предсказывать и оценивать свойства материалов, изыскивать способы получения материалов с заданными составом и структурой, управлять технологическими процессами и совершенствовать их.

Лабораторный практикум рассчитан на 12 часов занятий и охватывает часть программы, связанную с вопросами химического и электрохимического осаждения из растворов тонких пленок металлов, металлических покрытий и токопроводящих рисунков с использованием процессов фотохимической активации подложек. Материал этой части программы неразрывно связан с научными и прикладными исследованиями, проводимыми на кафедре неорганической химии и в ряде научных подразделений НИИ физико-химических проблем Белгосуниверситета. Такой выбор тематики лабораторных работ позволяет использовать в практикуме результаты новейших разработок, опыт работы научных сотрудников, приборную базу, материалы, оснастку научных подразделений, а самое главное – проводить практикум с применением в полной мере обучающе-исследовательского принципа. Сочетание обучения и исследования заключается в том, что, с одной стороны, студенты приобретают новые знания, умения, навыки, а с другой стороны, это приобретение происходит в ходе выполнения задания исследовательского характера. Так, студенты изучают влияние различных факторов на закономерности осаждения из растворов и свойства металлических покрытий и селективных токопроводящих тонкопленочных структур, определяют различные взаимозависимости, одновременно осваивая различные операции и измерения. Каждый студент выполняет индивидуальное задание.

Контроль самостоятельной работы студентов включает шесть самостоятельных работ с индивидуальными заданиями для каждого студента, выполняемых как на занятиях, так и во внеучебное время. Значительная часть вопросов в этих индивидуальных заданиях предполагает использование не только багажа знаний, но и творческого подхода к ответам на вопросы, умения применять полученные знания для решения различных задач.

Содержание программы 1. Материалы электронной техники. Влияние химического и фазового состава, а также микроструктуры твердотельных материалов на их свойства.

1.1. Классификация веществ, обладающих полупроводниковыми свойствами, в зависимости от типа и характеристик химической связи. Ряды изоэлектронных, изоядерных, изоструктурных аналогов и закономерности изменения в этих рядах температуры плавления, ширины запрещенной зоны и подвижности носителей.

Экспериментальные методы определения ширины запрещенной зоны, типа проводимости и подвижности носителей заряда. Свойства, получение и применение важнейших полупроводниковых материалов (элементарные полупроводники III—VI групп Периодической системы, бинарные полупроводниковые соединения состава АIIIВV, АIIВVI, АIВVII, АIII2ВVI3, АV2ВVI3, оксиды и халькогениды, тройные полупроводниковые соединения состава АIВVIIIСVI2, АIIВIVСV2, АIВIIIСVI2, АVВVIСVII) [1, 3, 6, 11, 33, 35, 37].

1.2. Пиро-, пьезо- и сегнетоэлектрики, полупроводниковые соединения с магнитными свойствами, их состав, структура, области применения [11, 20, 38].

1.3. Примеси и дефекты в кристаллах полупроводников и их влияние на свойства твердых тел. Влияние типа твердого раствора и природы примеси на ее электрическую активность, тип и величину проводимости. Точечные и протяженные дефекты в кристаллах полупроводниковых соединений, содержащих примеси. Биографические и тепловые, равновесные дефекты. Закон действия масс. Применение фазовых диаграмм состояния для определения возможности и условий введения примесей с заданным содержанием [1, 3, 6, 7, 23, 31].

1.4. Нестехиометрические соединения. Влияние величины отклонения от стехиометрии и природы атомов, находящихся в избытке или недостатке, на величину и тип проводимости. Дефекты в нестехиометрических кристаллах. Описание состава нестехиометрических соединений с помощью квазихимических уравнений. Описание отклонений от стехиометрии с использованием фазовых диаграмм состояния [1, 3, 6, 11].

1.5. Полупроводниковые стекла. Особенности химической связи, строение, состав, свойства стекол. Природа проводимости. Области применения [11, 20, 31].

1.6. Органические соединения в электронной технике. Органические полупроводниковые материалы: соединения с сопряженными связями, ион-радикальные соединения, комплексы с переносом заряда, механизм и величина проводимости, применение. Жидкие кристаллы: особенности состава и структуры молекул, определяющие возможность существования в жидкокристаллическом состоянии, специфические физические свойства.

Принципы работы электрооптических ячеек и жидкокристаллических индикаторов [3, 16, 18, 20].

Получение материалов электронной техники с заданными структурой, степенью чистоты и распределением примесей 2.1. Термодинамика и кинетика зародышеобразования и роста зародышей в растворах, расплавах и паровой фазе. Формирование и рост зародышей в объеме системы и на поверхности раздела. Влияние разных факторов на размер и концентрацию критических зародышей [2, 3, 35, 37].

2.2. Управление процессами формирования твердофазного продукта в монокристаллическом, тонкопленочном, поликристаллическом или нанодисперсном состоянии [3, 29, 31, 37].

2.3. Методы очистки твердофазных материалов и классы чистоты. Использование фазового равновесия твердое-жидкое для глубокой очистки веществ: влияние природы растворителя и растворенного вещества на растворимость в жидкой и твердой фазе, на коэффициент распределения. Профиль распределения примеси и его регулирование при очистке методами направленной кристаллизации и зонной плавки, количество остаточной примеси. Использование фазового равновесия твердое-пар для глубокой очистки веществ.

Оценка возможной степени очистки вещества с использованием закона Рауля. Очистка веществ с использованием химических превращений с последующим разделением продуктов: получение особо чистых кремния, германия, селена, теллура, использование карбонилов для разделения и очистки металлов. Использование процессов экстракции, осаждения, ионного обмена, хроматографии, электролиза и электродиализа для очистки [1, 4-6, 8, 11, 12, 38].

2.4. Микроклимат производственных помещений. Основные принципы очистки воды, регенерации и утилизации используемых растворов [8, 12, 36, 44].

2.5. Легирование монокристаллов, поликристаллических образцов и тонких пленок в процессе их получения; локальное легирование кристаллических структур. Регулирование количества вводимой примеси и профиля ее распределения в процессах диффузионного легирования, вплавления, ионной имплантации, определение качества и глубины залегания p-n-переходов. Равновесные и неравновесные процессы. Дефектная структура легированных материалов [1, 3, 7, 8, 10, 40].

Методы обработки поверхности твердых тел. Механические (физические), химические в растворах и в паровой фазе. Ионно-плазменные и плазмохимические методы очистки и травления поверхности.

3.1. Механическая обработка твердых тел: разрезание слитков на пластины, шлифовка, полировка, используемые для этих процессов материалы, глубина нарушенного слоя.

Влияние загрязнений поверхности полупроводников на их электрофизические параметры.

Очистка поверхности в жидких средах: органические растворители, кислоты, щелочи, роль лигандов и ультразвука. Промывка поверхности. Контроль качества очистки поверхности. Очистка поверхности ионно-плазменными методами [10, 12, 19, 27, 33, 36].

3.2. Химическое травление в растворах. Механизм и кинетика процессов. Регулирование селективности и полирующих свойств. Скорость травления и влияние на нее различных факторов. Примеры селективных, полирующих и скоростных травителей кремния, германия, полупроводниковых соединений. Основные свойства травителей:

анизотропность, селективность, полирующие свойства, клин травления. Достоинства и недостатки химического травления в растворах [1, 5, 8, 12, 33, 36].

3.3. Электрохимическое, парофазное, ионно-плазменное, ионно-лучевое и плазмохимическое травление. Их механизм. Влияние различных факторов на скорость травления и качество получаемой поверхности. Сравнительная характеристика достоинств и недостатков разных методов травления [5, 8, 33, 36, 38].

микроструктура и свойства пленок.

4.1. Свойства пленок, методы их изучения. Адгезия, толщина, пористость пленок.

Механические свойства: прочность, пластичность, внутренние напряжения, микротвердость, антифрикционные свойства. Коррозионная устойчивость и защитные свойства пленок. Влияние химической природы вещества, фазового состава и микроструктуры пленок на их свойства. Применение тонкопленочных материалов [1-3, 13, 28, 41].

4.2. Эпитаксиальные и поликристаллические пленки, текстуры. Влияние состава, чистоты, морфологии поверхности подложки и ее температуры на микроструктуру пленок.

Дефекты в пленках. Структурные превращения в пленках по мере их роста [29, 35, 37, 39].

.4.3. Вакуумные методы получения пленок: термическое испарение, катодное и плазменное напыление. Термодинамика, кинетика формирования и роста пленок.

Химический состав, микроструктура и свойства пленок [2, 7, 10, 41].

4.4. Парофазные методы получения пленок: процессы ближнего и дальнего транспорта, реакции термического разложения, восстановления, обмена, диспропорционирования, окисления. Пиролиз металлоорганических соединений. Влияние состава паровой фазы, условий проведения процессов на химический состав, микроструктуру пленок, скорость их роста. Механизм и кинетика роста пленок [1-4, 8, 39].

4.5. Реакции окисления поверхности твердых тел кислородом, галогенами, получение пленок оксидов металлов, кремния: механизм и кинетика роста пленок в зависимости от условий окисления, структура пленок, их применение Химические и электрохимические методы получения пленок оксидов металлов в растворах: механизм и кинетика процессов окисления, состав и микроструктура пленок, их применение[1-4, 10, 14, 34].

4.6. Получение пленок диэлектриков с использованием приемов испарения растворителя.

Пленки органических полимеров (полистирол, полиметилметакрилат, фторорганические и кремнийорганические полимеры), методы получения, свойства и применение пленок.

Управляемый гидролиз алкоксисоединений и солей неорганических кислот. Золь-гель технология. Пути регулирования состава и микроструктуры пленок, получение многокомпонентных оксидов; допирование пленок [1-3, 9].

4.7. Химическое осаждение пленок металлов и сплавов из растворов с использованием окислительно-восстановительных реакций (восстановление растворенным восстановителем, контактное вытеснение, диспропорционирование, электрохимическое восстановление).

4.7.1.Термодинамика и кинетика реакций химического осаждения пленок металлов.

Явления катализа и автокатализа. Механизм реакций химического восстановления и контактного вытеснения металлов из растворов 1-3, 13, 42].

4.7.2. Активация подложек. Фотохимическая активация подложек и селективное осаждение металлов в процессах формирования токопроводящих элементов и рисунков из металлов [2, 3, 13, 42, 48].

4.7.3. Влияние состава раствора на скорость осаждения металлов и устойчивость раствора. Пути стабилизации растворов химического осаждения. Реакции химического восстановления меди формальдегидом, борогидридом, никеля – гипофосфитом. Процессы химического осаждения благородных металлов, кобальта, олова [2, 13, 42, 48].

4.7.4. Проблемы совместного осаждения металлов и получения сплавов, термодинамика и кинетика процессов, явления автокатализа. Принципы получения композиционных покрытий металл-диэлектрик с использованием химического осаждения из растворов [2, 13, 42].

4.7.5. Электрохимическое осаждение пленок металлов, сплавов и композитов:

термодинамика и кинетика процессов; состав растворов и условия электроосаждения;

фазовый состав, микроструктура и свойства покрытий; условия совместного осаждения металлов, химический и фазовый состав сплавов; принципы получения композиционных материалов [17, 21, 22, 32, 43, 45].

5. Получение тонкопленочных элементов с заданной топологией. Процессы фотолитографии. Получение субмикронных и наноразмерных элементов.

5.1. Применение процессов фотолитографии (производство полупроводниковых приборов, печатных плат, типография, сетко- и шелкография). Позитивные и негативные фоторезисты, их свойства. Реакции, протекающие в них под действием света, растворителей. Влияние толщины пленок фоторезистов на их защитные свойства и требуемую при облучении экспозицию [1, 5, 7, 8, 10, 12, 33, 36].

5.2. Технологические операции фотолитографии и принципы выбора режимов их проведения. Возможные виды брака, способы их устранения [5, 36].

5.3. Фотошаблоны, требования к ним, способы изготовления. Проекционная фотолитография [5, 8, 12].

5.4. Безрезистные технологии формирования элементов интегральных схем и других миниатюрных изделий электронной техники. Используемые источники энергии (электронно-лучевая, рентгено-лучевая литография, лазерная техника).

Фотостимулированные процессы осаждения, испарения, кристаллизации, окисления, восстановления и их использование для получения заданных структур [5, 13, 36].

6. Технология интегральных схем (ИС).

6.1. Общие представления об устройстве и принципе действия важнейших изделий электронной техники (диоды, транзисторы, ИС, газовые сенсоры, изделия оптоэлектроники, акустоэлектроники и др.). Типы ИС (полупроводниковые, тонкопленочные, гибридные, совмещенные). Основные элементы ИС (пассивные, активные, изолирующие) [7, 10, 12, 25, 26, 33].

6.2. Представления о биполярной и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) технологии, последовательность операций и их назначение [7, 8, 10, 25, 26].

6.3. Физико-химические процессы при операциях сборки и герметизации диодов, транзисторов, ИС. Операции крепления кристаллов и используемые для этого материалы (клеи, эвтектика Au-Si). Крепление выводов (термокомпрессия, ультразвуковая сварка, пайка, прижимные контакты, метод перевернутого монтажа) [7, 10, 12].

6.4. Контроль качества продукции. Послеоперационный контроль, приемо-сдаточные и периодические испытания, надежность приборов [[7, 10, 12, 26, 36].

6.5. Пути перехода к нанотехнологиям в электронной технике. Химико-информационный синтез наноструктур с использованием парофазных методов, молекулярно-лучевой эпитаксии, ионного наслаивания, фотостимулированных процессов и др. [15, 20, 37, 47].

7. Физико-химические процессы, используемые в производстве печатных плат и соединительных элементов приборов электронной техники.

7.1. Основные технологические процессы изготовления печатных плат и используемые материалы. Химический (субтрактивный), электрохимический (полуаддитивный), комбинированный, фотоаддитивный способы, их сущность, сравнение достоинств и недостатков. Представление о методах получения фольгированных диэлектриков (плакирование, штамповка, склеивание, полив, вакуумные технологии, химическое и гальваническое нанесение из растворов). Операции механической обработки поверхности, ее очистки, декапирования, травления, нанесения адгезивов: используемые материалы, растворы, физико-химические процессы. Принципы изготовления многослойных печатных плат [12, 46].

7.2. Избирательное химическое травление металлических покрытий, используемые реакции. Термодинамика и кинетика процессов. Химический и электрохимический механизм процессов травления. Составы растворов и условия травления в зависимости от способа защиты (фоторезисты, металлорезисты). Регенерация травильных растворов [8, 36, 45].

7.3. Электрохимические процессы обезжиривания, полировки и травления. Влияние состава растворов на микроструктуру обрабатываемой поверхности [1, 8, 36, 45].

ЛИТЕРАТУРА

Воробьева, Т. Н. Прикладная химия твердотельной электроники. Пособие для студентов химического факультета БГУ. Минск: БГУ, 2002.

Воробьева, Т. Н. Химия поверхности и тонких пленок. Пособие для студентов химического факультета БГУ / Т. Н. Воробьева, Е.И. Василевская. Минск: БГУ, Воробьева, Т. Н. Химия твердого тела / Т. Н. Воробьева, А. И. Кулак. Мн.: БГУ, Крапухин В. В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов / В.В. Крапухин. И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. М. Металлургия,1982.

Морро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. В 2-х частях / У. М.

Морро. М.: Мир. 1990.

Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. М.: Высшая школа, 1982.

Парфенов 0. Д. Технология микросхем / 0. Д. Парфенов. М. Высшая школа, 1986.

Пичугин И. Г. Технология полупроводниковых приборов / И. Г. Пичугин, Ю. М.

Таиров. М.: Высшая школа, 1984.

Суйковская Н. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н. В.

Суйковская. Л.: Химия, 1971.

Тилл. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж.

10.

Лаксон. М.: Мир, 1985.

Угай Я. А. Введение в химию полупроводников / Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 11.

Ханке Х. И. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры / Х. И. Ханке, 12.

X. Фабиан. М.: Энергия, 1980.

13. Химическое осаждение металлов из водных растворов / под ред. В. В. Свиридова.

Мн.: Университетское, 1987.

Аверьянов Е Е. Справочник по анодированию / Е. Е. Аверьянов. М.: Машиностроение, 1988.

15. Алесковский Б. В. Химико-информационный синтез. Начатки теории. Методы.

(Учебное пособие) / Б. В. Алесковский. С-Пб: С.-Петербургский гос. ун-т, 1998.

Америк Ю. Б. Химия жидких кристаллов и мезоморфных полимерных систем / 16.

Ю. Б. Америк, Б. А. Кренцель. М.: Наука, 1981.

Антропов Л. И. Теоретическая электрохимия (Учебник для вузов) / Л. И. Антропов.

17.

М.: Высшая шк., 1975.

Беляков В. А. Оптика холестерических жидких кристаллов / В. А. Беляков, А. С.

18.

Сонин. М.: Наука, 1982.

Бехштедт, Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р.

19.

Эндерлайн. М.: Мир, 1990.

Вест А. Химия твердого тела. Теория и практика. В 2-х ч. / А. Вест. М.: Мир, 1988.

20.

Вячеславов П. М. Электролитическое осаждение сплавов. Библиотечка 21.

гальванотехника, вып.5 / П. М. Вячеславов. Л.: Машиностроение. 1986.

Гамбург Ю. Д. Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов / Ю. Д.

22.

Гамбург. М.: Янус-К, 1997.

Гилевич М. П. Химия твердого тела / М. П. Гилевич, И. И. Покровский. Минск:

23.

Университетсткое, 1985.

Дамаскин Б. Б. Электрохимия. Учебное пособие для вузов / Б. Б. Дамаскин, А. Петрий. М.: Высшая школа. 1987.

Епифанов Г. И. Твердотельная электроника / Г. И. Епифанов, Ю. А. Мома. М.:

25.

Высшая школа. Ефимов И. Е. Микроэлектроника / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь. М.: Высшая школа, 26.

Зенгуил, Э. Физика поверхности / Э. Зенгуил. М.: Мир, 1990.

27.

Зимон, А. Д. Адгезия пленок и покрытий / А. Д. Зимон. М.: Химия, 1977.

28.

Иевлев, В. М. Структурные превращения в тонких пленках / В. М. Иевлев, Л. И.

29.

Трусов, В А. Холмянский. М.: Металлургия, 1982.

Ильин В. А. Технология изготовления печатных плат. Библиотечка 30.

гальванотехника, вып.9 / В. А. Ильин. Л.: Машиностроение. 1984.

Кнотько А. В. Химия твердого тела. Учебное пособие для студентов вузов. / А.

31.

В. Кнотько, И. А. Пресняков, Ю.Д. Третьяков. М.: Академия, 2006.

Кудрявцев Н. Т. Электролитические покрытия / Н. Т. Кудрявцев. М.: Химия, 1979.

32.

Курносов А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем 33.

/ А. И. Курносов. М.: Высшая школа, 1980.

Лыньков Л. М. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии / 34.

Л. М. Лыньков, Н. И. Мухуров. Минск: Бестпринт, 2002.

Медведев, С. А. Введение в технологию полупроводниковых материалов / С. А.

35.

Медведев. М.: Высшая школа, 1970.

Мокеев O. K. Химическая обработка и фотолитография в производстве 36.

полупроводниковых приборов и микросхем / O. K. Мокеев, А. С. Романов. М.:

Высшая школа, 1985.

Мелихов И. В. Физико-химическая эволюция твердого вещества / И. В. Мелихов.

37.

Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов / А. Я. Нашельский.

38.

М.: Металлургия, 1987.

39. Осаждение пленок и покрытий разложением металлорганических соединений / под ред. Г. А. Разуваева. М.: Наука, 1981.

40. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация / Х. Риссел, И. Руге. М.: Наука, 1983.

Ройх И. Л. Защитные вакуумные покрытия на стали / И. Л. Ройх, Л. Н. Колтунова.

41.

М.: Машиностроение, 1971.

Sviridov V. V. Chemical Problems of the Development of New Materials and 42.

Technologies. Collection of Papers. Iss. 1 / V. V. Sviridov, T. V. Gaevskaya, L. I.

Stepanova, T. N. Vorobyova. Minsk: BSU, 2003, P. 9-59.

43. Справочник гальванотехника / под ред. А. М. Гинберга, А. Ф. Иванова, Л. Л.

Кравченко. М.: Металлургия, 1987.

Смоляг Н. Л. Основы технологического расчета оборудования для 44.

ресурсосберегающих технологий в гальваническом производстве / Н. Л. Смоляг.

Минск: БГТУ, 2008.

45. Справочник по электрохимии / под ред. А. М. Сухотина. Л.: Химия. 1981.

Флеров В. Н. Химическая технология в производстве радиоэлектронных деталей.

46.

Библиотечка конструктора-технолога радиоэлектронной аппаратуры / В. Н.

Флеров. М.: Радио и связь, 1988.

47. Химия привитых поверхностных соединений / под ред. Г. В. Лисичкина. М.:

Физматлит, 2003.

Шалкаускас М. Химическая металлизация пластмасс / М. Шалкаускас, А.

48.

Вашкялис. Л.: Химия, 1985.

1. Общие представления о пленках, областях применения, процессах получения и стадиях формирования. Термодинамика формирования зародышей в объеме паровой или жидкой фазы, а также на поверхности раздела фаз.

2. Кинетика формирования зародышей. Термодинамика и кинетика роста зародышей.

Структурные превращения в растущих пленках.

3. Важнейшие физические свойства пленок и их защитная способность. Методы изучения и количественной оценки свойств.

4. Вакуумные и парофазные методы получения пленок.

5. Получение пленок оксидов окислением в газовой фазе и в растворах.

6. Термодинамика и кинетика получения пленок осаждением из растворов с использованием процессов испарения растворителя, гидролиза, химического и контактного восстановления металлов из растворов.

7. Составы растворов химического осаждения металлов. Сплошная и фотоселективная активация подложек. Совместное осаждение металлов.

8. Электрохимическое осаждение из растворов металлов, сплавов и композитов.

9. Процессы фотолитографии.

10. Очистка полупроводниковых веществ от примесей; очистка поверхности монокристаллов.

11. Модифицирование поверхности твердых тел. Физико-химические основы процессов травления.

12. Физико-химические основы технологии интегральных схем.

13. Физико-химические основы технологии печатных плат.

14. Бинарные полупроводниковые соединения. Влияние различных факторов (химического состава и микроструктуры, наличия примесей, отклонений от стехиометрии, термодинамических параметров системы, метода получения) на свойства.

15. Химический состав, микроструктура и структурно-чувствительные свойства материалов электронной техники. Влияние химической природы вещества, микроструктуры твердого тела, примесей, дефектов, отклонения от стехиометрии на важнейшие свойства, определяющие области применения тройных соединений с полупроводниковыми свойствами, полупроводниковых стекол. Принципы использования жидких кристаллов в электронной технике.