WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Учреждение образования

«Белорусский государственный университет

информатики и радиоэлектроники»

Кафедра микро- и наноэлектроники

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Методические указания

Минск 2007

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»

Кафедра микро- и наноэлектроники

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Методические указания и контрольные задания по дисциплине «Маршрутная технология интегральных и больших гибридных интегральных схем, датчики и сенсорные устройства»

(раздел «Базовые технологические процессы интегральных схем) для студентов специальности I-42 01 02 «Микро- и наноэлектроника, технологии и системы»

заочной и дистанционной формы обучения Минск УДК 621.3.049.77.002 (075) ББК 32.844. М Рецензент:

доцент кафедры ЭТТ БГУИР Ланин В. Л.

Составитель:

Ю. А. Родионов Базовые технологические процессы интегральных схем. Метод. указания по дисциплине «Маршрутная технология интегральных и больших гибридных интегральных схем, датчики и сенсорные устройства» (раздел «Базовые технологические процессы интегральных схем) для студ. спец.I-42 «Микро- и наноэлектроника, технологии и системы» заочной и дистанционной формы обуч./ Сост. Ю. А. Родионов – Мн.: БГУИР, 2007. – 18с.: ил.

В методических указаниях обобщены сведения по основным технологическим процессам производства кремниевых дискретных приборов, интегральных схем и МЭМС. Рабочая программа по данной дисциплине дополнена методическими указаниями к ней, приводится перечень лабораторных работ и контрольные задания.

Предназначены для студентов заочной и дистанционной форм обучения по специальности I- 41 01 02 «Микро- и наноэлектроника, технологии и системы».

УДК 621.3.049.77.002 (075) ББК 32.844. С Родионов Ю. А.

С БГУИР, Содержание 1. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ………………………………………………………….. 1.1. Цель изучения дисциплины………………………………………….. 1.2. Задачи изучения дисциплины………………………………………… 1.3. Место дисциплины в ряду дисциплин, изучаемых студентами специальности I-41 01 02 «Микро- и наноэлектроника, технологии и системы»……………………………………………………………….. 1.4. Значение дисциплины для инженеров электронной техники ……... 2. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ ПО ТЕМАМ ……………………….... 3. ЛИТЕРАТУРА………………………………………………………………….

4. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ И МЕТОДИЧЕСКИЕ

УКАЗАНИЯ К ЕЕ РАЗДЕЛАМ………………………………………………….. 4.1. Поверхностная обработка полупроводниковых материалов………. 4.2. Диэлектрические пленки на кремнии……………………………….. 4.3. Введение примесей в кремний и легирование полупроводниковых материалов…………………………………………………………….. 4. 4. Технология литографических процессов……………………………. 4.5. Металлизация………………………………………………………….. 5. ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ……………………………………… 6. КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ………………………………………………….. Изучение раздела «Базовые технологические процессы интегральных схем» следует вести последовательно по темам. После ознакомлений с темой и методическими указаниями необходимо подобрать литературу и законспектировать основные положения темы. Основным информационным источником для студентов заочной формы обучения является электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Базовые технологические процессы в микроэлектронике» для студентов специальности I-41 01 02. Этот комплекс имеется в электронной библиотеке кафедры «микро- и наноэлектроника» и библиотеке БГУИР и, при необходимости, выдается преподавателем на электронном носителе.

Программа дисциплины соответствует учебному плану в объеме 59, лекционного часа.

В процессе изучения студент выполняет одну контрольную работу. К экзамену студент допускается после зачета по контрольной работе.

1.1. Цель изучения дисциплины.

Целью изучения дисциплины является приобретение глубоких знаний по основным (базовым) технологическим процессам изделий микроэлектроники, которые лежат в основе производства дискретных полупроводниковых приборов, интегральных схем любого класса и назначения, микроэлектромеханических систем (МЭМС), изделий микрофотоэлектроники и т. д.

1.2. Задачи изучения дисциплины.

Основными задачами дисциплины является изучение технологических процессов подготовки поверхности полупроводниковой подложки к нанесению, либо созданию технологического слоя (легированного слоя, диэлектрических пленок, эпитаксиальных полупроводниковых пленок, пленок металлизации) и процессов формирования микрорельефа и топологии технологических слоев.

В задачи дисциплины входит также изучение методик контроля изделия, либо полуфабриката на всех этапах технологического процесса.

1.3. Место дисциплины в ряду дисциплин, изучаемых студентами специальности I-41 01 02 «Микро- и наноэлектроника, Данный курс базируется на знаниях, приобретенных студентами при изучении химии, физики, материаловедения и физики твердого тела и является одним из основополагающих курсов специальности.

1.4. Значение дисциплины для инженеров электронной техники.

При изучении дисциплины у студентов формируется инженерное мышление и научное мировоззрение, необходимое в производстве современных наукоемких изделий, определяющих научно- технический уровень Республики.



2. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ ПО ТЕМАМ

Введение – 2 лекционных часа 1. Поверхностная обработка полупроводниковых материалов - 10 лекц. ч.

2. Диэлектрические пленки на кремнии – 10 лекц. ч.

3. Введение примесей в кремний и легирование полупроводниковых материалов – 15 лекц. ч.

4. Металлизация – 7,5 лекц.ч.

Основная 1. ЭУМК по дисциплине «Базовые технологические процессы для студентов специальности I - 4101 02. Конспект лекций.

2. Ю.А.Родионов и др. Химическая обработка в технологии ИС. ПГУ, 2001.

3. Ю.А.Родионов. Литография в производстве интегральных микросхем.

Мн.: Дизайн ПРО, 1998.

Дополнительная 1. У. Моро. Микролитография. М.: Мир, 1990.

2. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш.

3. Малышева И.А. Технология микроэлектронных устройств. М.: Энергия,

4. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ И МЕТОДИЧЕСКИЕ

УКАЗАНИЯ К ЕЕ РАЗДЕЛАМ.

ВВЕДЕНИЕ

Задачи и содержание дисциплины. Основные сведения о развитии микроэлектроники, науки и производства сегодняшних и перспективных изделий. Требования, предъявляемые к современному производству и научно- техническому персоналу данного производства. Микронаноэлектроника как основополагающая отрасль мировой цивилизации.

4.1. ПОВЕРХНОСТНАЯ ОБРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Основные физико-химические свойства германия, кремния, арсенида галлия, теллура висмута. Индексы Миллера, кристаллографические плоскости.

Механическая обработка полупроводниковых подложек (резка, шлифовка, полировка, химико-механическая полировка). Нарушенный слой после механической обработки. Химическая очистка поверхности – основные реактивы и технологические приемы. Методы контроля чистоты поверхности.

Классификация основных загрязнений поверхности. Химическое травление кремния. Кинетика химического травления. Основные теории растворения кремния. Зависимости скорости травления от технологических факторов. Химико-динамическая полировка. Анизотропное травление.

Травление окисла и нитрида кремния. Отмывка пластин в деионизованной воде, растворах на основе перекиси водорода. Плазмохимическое травление кремния. ПХТ двуокиси и нитрида кремния.

[1], c. 1 – 28, [2], c. 95 – 171.

[3], c 60 – 8. 2.

Обратить особое внимание на основные химические реакции травления кремния, окисла кремния и нитрида кремния.

Понять природу химического и плазмо-химического травления технологических слоев. Иметь четкое представление о теориях растворения кремния в неорганических кислотах. При изучении процессов обезжиривания, травления и отмывки обратите внимание на качество химических реактивов и технологические режимы. Проанализируйте влияние технологических факторов на скорости травления технологических слоев. Определить основные факторы, определяющие качество химической подготовки и обработки полупроводниковых подложек. Оцените степень применимости основных средств и методик оценки качества поверхности после химических обработок.

1. Каковы основные кристаллографические ориентации кремниевых 2. Каковы основные коммерческие марки монокристаллического кремния для исходных подложек?

3. Поясните физическую природу механической обработки подложек.

4. Объясните структуру нарушенного слоя после механической обработки.

5. Назовите основные технологические приемы при механической обработке подложек.

6. Поясните сущность химико-механической полировки.

7. Каковы основные химические реакции травления примеси?

8. Каковы основные реакции травления диоксида и нитрида кремния?

9. Основные особенности отмывки кремниевых подложек в деионизованной 10. Какова степень очистки деионизованной воды в техпроцессе отмывки.

4.2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ

Термическое окисление кремния. Основные функции окисных пленок в структуре интегральных схем.

Окисление кремния при комнатной температуре (естественное окисление). Эффект тунелирования при естественном окислении.

Физический механизм роста окисла при высокой температуре.

Особенности роста пленок при сухом и влажном окислении.

Структура окисла кремня. Катионы – модификаторы. Гидроксильные группы в структуре окисла. Мостиковый кислород как фактор образования немостиковых гидрокисльных групп.

Модель окисления Дила-Гроува. Кинетика роста кремния. Факторы, определяющие влияние на скорость роста пленок. Влияние температуры окисления. Окисление в пирогенном паре и сухом кислороде. Влияние парциального давления окислителя. Влияние ориентации подложки на кинетику окисления. Влияние типа и концентрации примеси в подложке на скорость окисления. Оборудование для окисления кремния. Структурная схема установки окисления в технологическом цикле: сухой – влажный – сухой кислород.

Методы контроля параметров диэлектрических слоев. Контроль толщины диэлектрика. Контроль дефектности слоев. Основные технологические причины, обуславливающие пористость диэлектрического слоя. Метод электролиза воды. Метод электрографии. Метод электронной микроскопии.

Контроль заряда на границе полупроводник – диэлектрик. Быстрые и медленные состояния. Структура металл – полупроводник – диэлектрик.

Осаждение пленок диоксида кремния из силановых фаз. Схемы реакторов осаждения диоксида кремния из парогазовой смеси при пониженном и атмосферном давлении.

Осаждение нитрида кремния. Зависимость удельного сопротивления пленок нитрида кремния от соотношения кремний – водород в силановой фазе.

Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок.

[1], c. 31-58.

[3], c. 145-171.

Основные функции диэлектрических слоев в структуре кремниевых интегральных схем.

Механизм роста окисных пленок, физико-химические процессы окисла в зависимости от физических характеристик и технологических условий роста.

Окисление кремния при комнатной температуре. Обратить внимание на структуру окисла и границу раздела кремний – окисел Изучить трехмерную структуру окисла. Выяснить роль мостикового кислорода в связи кислород – кремний. Обратить внимание на несобственные элементы, способствующие стеклообразованию и модификации окисла при окислении. При этом особое внимание уделить бору и фосфору. Изучить катионы – модификаторы (натрий, калий, свинец) и понять их влияние на электроперенос в окисле.

Изучить модель Дила – Гроува, как наиболее правдоподобную при объяснении процессов окисления кремния. Обратить внимание на основные потоки массопереноса при окислении кремния в среде сухого кислорода.

Проанализировать зависимость толщины кремния от времени. Обратить внимание на применимость линейного и параболического закона окисления.

Уделить внимание факторам, определяющим общие закономерности окисления.

Разобраться с природой пирогенного окисления. Обратить внимание на роль кристаллографической ориентации поверхности кремниевой подложки при окислении.

При изучении оборудования для окисления особое внимание уделить вопросам создания ламинарного потока в газораспределительной системе.

Внимательно изучить процесс увлажнения кислорода в барбатере.

Изучить методы контроля параметров диэлектрических пленок. При этом особое внимание уделить методикам контроля толщины пленок и определения заряда на границе полупроводник – диэлектрик. Особое внимание уделить вопросам контроля дефектности пленок, в частности – пористости.

Выяснить применяемость разрушающих и неразрушающих методик определения качества диэлектрических пленок.

Уделить достаточное внимание изменению вольт-емкостной характеристики под воздействием фиксированного заряда.

1. Каковы функции диэлектрических пленок в структуре кремниевых ИС?

2. Какова структура диоксида кремния?

3. Объяснить физику роста окисла кремния при комнатной температуре.

высокотемпературного окисления.

5. Модель окисления Дила-Гроува.

6. Пояснение влияния технологических факторов на скорость роста окисных пленок.

7. Линейный и параболический законы термического окисления.

8. Контроль толщины диэлектрических пленок интерференционным 9. Контроль пористости диэлектрических пленок электролизом воды.

10. Электрографический метод контроля пористости диэлектрических 11. Контроль заряда на границе полупроводник – диэлектрик.

12. Структура установки снятия вольт- емкостных характеристик.

13. Быстрые и медленные состояния на границе раздела полупроводник – диэлектрик.

14. Структура металл – полупроводник – диэлектрик.

15. Осаждение пленок нитрида кремния из Силановых фаз.

16. Осаждение пленок оксида кремния из парогазовой смеси.

17. Особенности осаждения пленок диоксида кремния при пониженном 18. Особенности осаждения пленок диоксида кремния при атмосферном

class='zagtext'> 4.3. ВВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЙ И ЛЕГИРОВАНИЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Основные технологические методы создания легированных слоев. Роль легированных слоев в структуре ИС. Термодиффузия. Основные характеристики диффузионных слоев. Механизмы диффузии примесей в твердом теле (прямой обмен местами, кольцевой обмен, перемещение по вакансиям, перемещение по междоузлиям, миграция по протяженным дефектам, эстафетная диффузия).

Коэффициент диффузии. Температурная зависимость коэффициентов диффузии основных примесей в кремнии.

Распределение примесей при диффузии. Первый и второй законы Фика.

Диффузия из бесконечного источника. Диффузия из ограниченного источника.

Технология проведения термодиффузионного процесса.

Основные источники донорных и акцепторных примесей.

Диффузия из твердого планарного источника. Диффузия из газовой фазы.

Диффузия из твердого источника.

Контроль параметров диффузионных слоев. Измерение глубины залегания p-nперехода. Измерение поверхностного сопротивления диффузионного слоя.

Эпитаксиальные пленки. Рост эпитаксиальных пленок. Гомоэпитаксия.

Гетероэпитаксия. Основные причины образования дефектного переходного слоя.

Методы получения эпитаксиальных слоев кремния. Эпитаксия из жидкой фазы. Хлоридный метод. Силановый метод. Легирование эпитаксиальных пленок. Легирование из раствора. Легирование из газовой фазы. Основные технологические факторы, определяющие кинетику роста эпитаксиальных пленок.

Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках. Основные подложки. Легирование гетероэпитаксиальных пленок.

Перераспределение примесей при эпитаксии.

Ионное легирование. Характеристика процесса имплантации. Пробег ионов. Распределение пробегов. Ядерная тормозная способность. Электронная тормозная способность.

Радиационные нарушения мишени. Эффект каналирования. Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании. Устранение дефектов ионного легирования (термоотжиг, ламповый отжиг, лазерный отжиг).

Распределение внедренных ионов.

Распределение примесей в интегральных структурах. Влияние распыления полупроводника. Распределение примеси при термическом отжиге.

Оборудование для ионного легирования. Ионные источники.

[1], c. 58 – 106.

[3], c. 222 – 236.

Изучению теоретических аспектов термодиффузии уделить особое внимание. Необходимо понять механизмы перемещения примесных атомов по кристаллической решетке кремния.

Обратить внимание на коэффициент диффузии примесей и распределение примесей при диффузии.

Необходимо изучить законы термодиффузии Фика, определяющие протекание процессов распределения примесей в полупроводнике.

Обратить внимание на проведение этапов технологических процессов термодиффузии. Оценить применимость разных способов проведения термодиффузии.

При изучении контроля параметров диффузионных слоев обратить внимание на контроль толщины слоя методом косого и шарового слоя.

Контроль концентрации легирующей примеси в слое определяется измерением поверхностного сопротивления, поэтому на этот метод обратить особое внимание.

Рассмотрите рост эпитаксиальных пленок на кремниевых и сапфировых подложках. При этом уделите внимание хлоридному и силановому методам.

Изучите и оцените роль технологических факторов на параметры роста эпитаксиальных пленок.

При рассмотрении процессов ионного легирования нужно изучить теорию ионных пробегов в твердом теле. Очень важно изучить радиационные дефекты, возникающие в подложке при ионном облучении и научиться устранять их методами длительного температурного отжига, либо ламповым или лазерным облучением. Такой подход позволит в дальнейшем грамотно выбрать технологический прием и рассчитать его параметры.

Для грамотного выбора технологических режимов ионного легирования необходимо изучить закономерности распределения ионов в кремниевой подложке.

1. В чем сущность метода ионного легирования?

2. Объясните преимущества ионного легирования перед термодиффузией.

3. Основные законы термодиффузии Фика.

4. Механизмы термодиффузии в твердом теле.

5. Диффузия из ограниченного источника.

6. Диффузия из бесконечного источника.

7. Контроль глубины залегания p-n-перехода.

8. Контроль поверхностного сопротивления.

9. Хлоридный метод получения эпитаксиальных слоев.

10. Силановый метод получения эпитаксиальных слоев.

11. Основные типы эпитаксиальных реакторов.

12. Контроль толщины эпитаксиальных слоев.

13. Структурная схема установки ионного легирования.

14. Источники слоев для установки ионного легирования.

15. Ламповый отжиг дефектов слоев.

16. Высокотемпературный отжиг дефектов слоев.

17. Лазерный отжиг дефектов слоев.

4. 4. ТЕХНОЛОГИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

Классификация процессов литографии. Позитивные и негативные фоторезисты. Схема фотолитографического процесса. Взрывная (обратная) фотолитография. Основные свойства фоторезистов (светочувствительность, разрешающая способность, стойкость к воздействию агрессивных факторов.

Фотошаблоны. Техпроцесс изготовления металлизированных фотошаблонов.

Технологические операции фотолитографии.

Контактная фотолитография.

Литография в глубоком ультрафиолете. Проекционная фотолитография.

Электрополитография. Рентгенолитография. Электропорезисты.

[1], 107 – 138.

[3], 6 – 75.

[3], 84 – 116.

При изучении разделов по фоторезистам особое внимание обратить на физику светопоглощения в органических фотополимерах.

Внимательно изучить основные свойства фоторезистов, определяющих качество всего фотолитографического процесса.

Изучить техпроцесс изготовления металлизированного фотошаблона, особое внимание уделяя режимам нанесения технологических слоев и процессам химической подготовки стеклянной подложки.

Оценить применимость взрывной фотолитографии применительно к вскрытию топологии на больших площадях. Обратить особое внимание на техпроцесс проекционной электронно-лучевой литографии.

1. Позитивные и негативные фоторезисты.

2. Нанесение, сушка и задубливание фоторезисторов.

3. Совмещение и экспонирование рисунка при фотолитографии.

4. Особенности размерного травления.

При фотолитографии.

5. Техпроцесс изготовления металлизированного фотошаблона.

6. Техпроцесс изготовления цветного фотошаблона.

7. Взрывная (обратная) литография.

8. Химподготовка. Подложка перед нанесением фоторезиста.

9. Фотолитография на микрозазоре.

10. Проекционная фотолитография.

11. Проекционная фотолитография в глубоком ультрафиолете.

12. Электронно-лучевая литография.

13. Электронорезисты.

14. Рентгеновская литография.

Основные материалы металлизации. Требования к системам металлизации ИС. Свойства пленок алюминия. Электродиффузии в пленках алюминия. Методы получения металлических пленок.

Создание омических контактов. Многослойная разводка.

[1], c. 139 – 160.

[3], c. 245 – 267.

При изучении материалов металлизации особое внимание обратить на свойства алюминия – основного материала металлизации в кремниевых ИС.

Рассмотреть свойства ванадия и молибдена с точки зрения использования их в качестве металлов для создания диодов Шоттки на кремнии.

Обосновать применимость магнетронного распыления при нанесении металлизации толщиной более 0,1 мкм. При рассмотрении процессов электромиграции в металлических пленках особое внимание уделить физике электропереноса, в частности «электронному ветру».

1. Свойства алюминия, обеспечивающие применимость его в качестве металлизации кремниевых ИС.

2. Основные металлы, применяемые в качестве барьерных для диодов 3. Принцип электронно-лучевого испарения.

4. Конструкции и принцип работы цилиндрического и плоского магнетрона.

5. Электромиграция в тонких пленках металлизации.

6. Технологические пути снижения влияния электромиграции на ухудшение качества металлизации.

5. ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

1.Техпроцесс высокотемпературного окисления кремния 2. Техпроцесс ионного легирования кремния бором и фосфором 3.Техпроцесс термодиффузии бора и фосфора в кремний 4.Техпроцесс газофазной эпитаксии кремниевых слоев

6. КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

Каждый студент выполняет контрольное задание состоящее описания одного технологического процесса, либо приема и и решения двух обратных технологических задач:

1. По определению технологических режимов получения легированной методом термодиффузии пленки заданных параметров;

2. По определению технологических режимов создания легированной методом ионной имплантации пленки заданных параметров.

При этом задается:

1. тип подложки, например КЭФ – 4,5; КДБ – 40; КЭС – 0,1 и т.д.

2. требуемая толщина пленки например 0,1 мкм; 0,3 мкм; 0,18 мкм и т.д.

3. поверхностное сопротивление пленки, например 10 Ом/кв; 40 Ом/кв и По этим исходным данным требуется определить (рассчитать) технологический режим (температуру, длительность процесса, дозу облучения и т.д.) Такие задачи являются стандартными для специалиста в области технологии кремниевых ИС и постоянно решаются линейными технологами и разработчиками в повседневной практике. Для облегчения решения таких учебных задач для студентов приводятся типовые примеры решения реальных инженерных задач и примеры оформления отчетов по этим задачам ([1] ЭУМК по дисциплине «Базовые технологические процессы для студентов специальности I - 4101 02.) Каждый студент выполняет вариант контрольного задания, номер которого соответствует порядковому номеру фамилии студента в зачетной ведомости.

Решение задач можно заказать www.reshuzadachi.ru 1. Описать технологический процесс 1. Механическая резка слитка на пластины и шлифовка пластин 2. Химико-механическая полировка пластин 3. Обезжиривание поверхности пластин 4. Полирующее химическое травление пластин 5. Отмывка пластин после химобработок 6. Плазмохимическое травление 7. Высокотемпературное окисление кремния в сухом кислороде 8. Высокотемпературное окисление кремния в цикле сухой- влажный- сухой 9. Пирогенное окисление кремния 10. Механизмы термодиффузии в твердом теле 11. Основные законы термодиффузии в твердом теле 12. Основные технологические приемы проведения термодиффузии 13. Технологический контроль диффузионного слоя 14. Основные положения теории ионного легирования 15. Эффект каналирования при ионном легировании 16. Структура и принцип работы установки ионного легирования 17. Технологический контроль имплантированных слоев 18. Фотолитография на микрозазоре 19. Проекционная фотолитография в глубоком ультрафиолете 20. Электронно-лучевая литография 21. Рентгеновская литография 22. Магнетронное распыление металлов 23. Электронно-лучевое распыление металлов 24. Ионно-лучевое распыление металлов 25. Многослойная металлизация 26. Электромиграция в тонких пленках металлизации 2. Решить обратную задачу по термодиффузии варианта подложки примесь диф. слоя сопротивление 3. Решить обратную задачу по ионному легированию

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

СХЕМ «Микро- и наноэлектроника, технологии и системы»

заочной и дистанционной форм обучения Редактор Корректор Подписано в печать 2007. Формат 60х84 1/16 Бумага офсетная.

Гарнитура «Таймс». Печать ризографическая. Усл. Печ. л.

Издатель и полиграфическое исполнение. Учреждение образование «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»

ЛИ №02330/0056964 от 01.04.2004. ЛП №02330/0131518 от 30.04. 220013, Минск, П. Бровки,



Похожие работы:

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет В. В. Бендерский, В. Л. Хмылёв ИСТОРИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ СРЕДСТВ МАССОВОЙ ИНФОРМАЦИИ Учебное пособие Издательство ТПУ Томск 2006 ББК 34.9я73 УДК 681.2.002.2(075) Б 46 Бендерский В. В. Хмылёв В. Л. Б 46 История отечественных средств массовой информации: Учебное пособие. – Томск: Изд-во ТПУ, 2006. – 150 с. В учебном пособии в краткой форме изложены...»

«Предисловие Пособие адресовано учителям физики, работающим по авторской программе Н. С. Пурышевой, Н. Е. Важеевской и соответственно использующих в работе учебники этих же авторов. Поскольку построение курса отличается от традиционного, данное пособие начинается с раздела, в котором рассмотрена концепция курса. В нем изложены идеи, положенные в основу отбора содержания курса физики и его структурирования; показана реализация этих идей в курсе; приведена его структура. Затем даны рекомендации по...»

«Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Липецкий государственный технический университет УТВЕРЖДАЮ Декан ЭФ _ В.В. Московцев _2011 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ (МОДУЛЯ) Коммуникативные компетенции делового человека Направление подготовки _080100 Экономика Профиль подготовки Экономика предприятий и организаций _ Квалификация (степень) выпускника бакалавр_ Нормативный срок обучения _ 4 года г. Липецк – 2011 г. Содержание 1. Цели освоения дисциплины 2....»

«Проблемы высшей школы 153 УДК 657:004(075) БАЛ ОР. ОБ ОСОБЕННОСТЯХ ПРЕПОДАВАНИЯ УЧЕТА ВНЕШНЕЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЧВ О А ДЕЯТЕЛЬНОСТИ   СТУДЕНТАМ  ЭКОНОМИЧЕСКИХ СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ Бочарова А.Л. Раскрыто  значение  учебной  дисциплины  Учет  внешнеэкономической деятельности в процессе подготовки студентов экономических специальностей. Дана оценка литературных источников, выделены  основополагающие правила учета внешнеэкономической деятельности предприятий....»

«10-11 класс СРЕДНЕЕ (полное) ОБЩЕЕ ОБРАЗОВАНИЕ Русский язык Дрофа Соответствует федеральному компоненту государственного стандарта общего Розенталь Д.Э. Русский 1 2012 образования 2006г. Подготовка к ЕГЭ-2013. Н.А. Сенина. язык. 10-11 кл. Греков В.Ф., Крючков Сиденко Н.В. Пособие для занятий по русскому языку в старших классах, Просвещение 2 С.Е., Чешко Л.А. Волгоград, 2006. Сочинение на ЕГЭ. Курс интенсивной подготовки. Н.А. Сенина, 2012 А.Г. Нарушевич. Пособие для занятий по русскому языку в...»

«Государственное казенное учреждение Новосибирской области Новосибирский институт мониторинга и развития образования Результаты мониторинга качества начального общего, основного общего, среднего (полного) общего образования в общеобразовательных учреждениях Новосибирской области (I этап 2013 г.) Новосибирск 2013 1 ББК 74.24 Р 34 Р 34 Результаты мониторинга качества начального общего, основного общего, среднего (полного) общего образования в общеобразовательных учреждениях Новосибирской области...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПИЩЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Кафедра теоретических основ тепло- и хладотехники ТЕРМОДИНАМИКА И ТЕПЛОМАССООБМЕН Рабочая программа и контрольная работа для студентов факультета заочного обучения и экстерната специальностей 260601, 260602, 220301 Санкт-Петербург 2006 2 УДК 621.565 Ширяев Ю.Н. Термодинамика и...»

«Конспект урока Пейзаж родной земли 4 класс, 1 четверть Разработка урока с использованием ИКТ, подготовлена учителем изобразительного искусства первой квалификационной категории МБОУ СОШ № 3 г Балаково Париновой Ириной Викторовной Балаково, 2013 г. Тема программы: Истоки искусств твоего народа, 8 часов, 4 класс, 1 четверть Тема урока : Пейзаж родной земли.4 класс, 1 четверть, 1-й урок Учебник для 4 класса нач. школы Л.А. Неменская, под ред. Б.М. Неменского; М.- Просвещение 2012 Тип урока: урок...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Е.Б. Лукиева ТЕОРИЯ И ПРАКТИКА СВЯЗЕЙ С ОБЩЕСТВЕННОСТЬЮ Часть 2 Рекомендовано в качестве учебного пособия Редакционно-издательским советом Томского политехнического университета Издательство Томского политехнического университета 2009 УДК 659.4(075.8) ББК 76.006.5я73 Л84 Лукиева Е.Б. Л84 Теория и практика связей с общественностью: учебное...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТУРИЗМА И СЕРВИСА (ФГБОУ ВПО РГУТиС) Институт туризма и гостеприимства (г. Москва) филиал Кафедра организации и технологии в туризме и гостиничной деятельности ДИПЛОМНАЯ РАБОТА на тему: Разработка рекомендаций по развитию этнического туризма на примере Камчатского края. по специальности:...»

«Учебная литература за последние 10 лет Шифр Библиографическое описание Название дисциплины, для которой рекомендовано издание 1. Т39209(14) Alma mater = Альма матер : учебное пособие / ПГУПС. Каф. Иностранные А57 языки ; сост.: Т. Г. Боголюбова, М. В. Петрова ; ред. И. Д. Фадеева. - СПб. : ПГУПС, 2002. - 19 с. : ил Экземпляры: всего:441 - ЧЗОД(1), НБ(1), ОУЛ(439) 2. Ш143.21- AUSTRALIA : Кн. для дом. чтения на англ. яз. для ст. I-II курса / сост. : Е. А. 923.4 Афанасьева, Л. А. Бобковская, И. Л....»

«МИНИСТЕРСТВО ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА БЕЛОРУССКОГО И РУССКОГО ЯЗЫКОВ В.В.Белый, В.А. Стадник ТРЕНИРОВОЧНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ ПО ТЕМЕ ПРЕДЛОЖНЫЙ ПАДЕЖ ИМЕН СУЩЕСТВИТЕЛЬНЫХ, ПРИЛАГАТЕЛЬНЫХ, МЕСТОИМЕНИЙ И ПОРЯДКОВЫХ ЧИCЛИТЕЛЬНЫХ Учебно-методическое пособие Минск БГМУ 2010 УДК 811.161. 1(075.8) ББК 81.2 Рус-923 Б 43 Рекомендовано Научно-методическим советом университета в качестве учебно-методического пособия 2010г., протокол № А в т о...»

«МИНИСТЕРСТВО ОХРАНЫ ЗДОРОВЬЯ УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ФАРМАЦЕВТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ К 200-летию НФаУ КЛИНИЧЕСКАЯ ЛАБОРАТОРНАЯ ДИАГНОСТИКА: МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ Учебное пособие для студентов специальностей Фармация, Клиническая фармация, Лабораторная диагностика высших учебных заведений Под редакцией проф. И.А. ЗУПАНЦА 3-е издание, переработанное и дополненное Харьков Издательство НФаУ Золотые страницы 2005 УДК 616.074/078 (035) ББК 53.4 Рекомендовано Министерством образования и науки Украины К 49...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Общие рекомендации по подготовке к защите отчетных и квалификационных работ Учебно-методическое пособие Рекомендовано методической комиссией факультета вычислительной математики и кибернетики для студентов ННГУ, обучающихся по специальностям 010501 Прикладная математика и информатика, 080801 Прикладная информатика (в информационной сфере) и направлениям подготовки 080800 Прикладная информатика,...»

«Выбор логистического посредника записка для преподавателя Учебная дисциплина Основы логистики Логистика Логистика снабжения Тема Выбор логистического посредника: критерии и причины выбора Решение: учебное видео Санкт-Петербург 2011 к.э.н. Лукин М.А. Выбор логистического посредника. Записка для преподавателя. – СПб.: Решение: учебное видео, 2011. – 40 c. Научные рецензенты: к.э.н. Левяков О.М., к.э.н., доц. Малевич Ю.В. Записка предназначена для преподавателей дисциплин Основы логистики и...»

«1 Серия МАГИСТР КОМПЬЮТЕРНОЙ ЛИНГВИСТИКИ И СЕМИОТИКИ Экслибрис серии 2 Серия МАГИСТР КОМПЬЮТЕРНОЙ ЛИНГВИСТИКИ И СЕМИОТИКИ Книги серии Магистр компьютерной лингвистики и семиотики являются учебными пособиями для студентов вузов, осваивающих соответствующие образовательные программы подготовки бакалавров и магистров по направлениям 230100 — Информатика и вычислительная техника и 230200 — Информационные системы Материал учебных пособий ориентирован на дисциплины как базовой, так и вариативной...»

«1 ЮРИДИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ Кафедра теории и истории государства и права Епифанов А.Е. АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ИСТОРИИ ГОСУДАРСТВА И ПРАВА ЗАРУБЕЖНЫХ СТРАН Учебно-методический комплекс для подготовки магистра по направлению 03090 Юриспруденция Рассмотрено и утверждено на заседании кафедры _ _ 2012 г. Протокол № Зав. кафедрой _ Д.Н.Вороненков Санкт-Петербург – СОДЕРЖАНИЕ Наименование раздела Стр. Раздел 1. Рабочая программа учебной дисциплины Актуальные проблемы истории государства и права зарубежных...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ивановская государственная текстильная академия (ИГТА) Кафедра проектирования текстильных изделий ОДНОСЛОЙНЫЕ РЕМИЗНЫЕ ТКАНИ Методические указания к лабораторным работам по курсу Строение и проектирование тканей сложных переплетений для студентов 3 курса специальности 260703 (280400) Проектирование текстильных изделий специализации 280401 Проектирование текстильных полотен...»

«Министерство образования Российской Федерации Международный образовательный консорциум Открытое образование Московский государственный университет экономики, статистики и информатики АНО Евразийский открытый институт А.А. Романов Р.В. Каптюхин Правовое регулирование и управление рекламной деятельности Учебное пособие Москва 2007 1 УДК 659.1 ББК 76.006.5 Р 693 Романов А.А., Каптюхин Р.В. Правовое регулирование и управление рекламной деятельности: Учебное пособие / Московский государственный...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ КЕМЕРОВСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПИЩЕВОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ ЯКОВЛЕВА Л.А., ВЕТРОВА Г.С. ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ В ЭКОНОМИКЕ Учебное пособие для студентов специальности 080109 всех форм обучения Кемерово 2006 УДК 33 : 681.518 ББК 65:32.973.202я7 Я47 Рецензенты: В.В. Крюкова, доцент, канд. тех. наук Н.И. Усенко, профессор, канд. эконом. наук Рекомендовано редакционно-издательским советом Кемеровского технологического института пищевой промышленности Яковлева Л.А...»






 
2014 www.av.disus.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.