На правах рукописи

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

Институт физики твердого тела

ШТЕЙНМАН ЭДУАРД АЛЕКСАНДРОВИЧ

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИСЛОКАЦИЙ В

ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Специальность 01.04.07 - физика

конденсированного состояния

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

г. Черноголовка 2002 г.

стр.

Содержание 5 Введение 10 Глава 1.Обзор Системы скольжения,структура и 1.1 морфология дислокаций в ковалентных полупроводниках. Дислокационные состояния в 1. запрещенной зоне. ЭПР центры на дислокациях в кремнии. 1. Дислокационная люминесценция в 1. кремнии и германии. Влияние примесей 1. Ориентационное вырождение центров 1. ДФЛ Модели 1. Рекомбинационные свойства дислокаций 1. Заключение 1. Глава 2. Постановка экспериментов, структурные особенности дислокаций Глава 3. Пьезоспектроскопические и поляризационные исследования дислокаций Глава 4. Влияние примесей и образование кислородных комплексов вблизи дислокаций Глава 5. Одномерные свойства дислокаций Линии люминесценции, связанные с 5. прямолинейными сегментами дислокаций и модель рекомбинации. Особенности электрон-фононного 5. взаимодействия при рекомбинации из одномерных зон. ЭДСР на прямолинейных сегментах 5. Глава 6. Дефекты дислокационной структуры, связанные с нарушением регулярности дислокационных линий. Природа центров Д2 и Д1 и 6. эффективность дислокационной О возможности использования 6. дислокационных состояний для изготовления излучающих диодов Глава 7. Структурные дефекты в монокристаллах фуллеритов С60 и их Структурные особенности фуллерита 7. С60 и роль фазовых переходов Оптические исследования структурных 7. Пластическая деформация. Проявление 7. деформационных дефектов в оптических 7. Выводы Список литературы Введение.

собственными свойствами и доступный в виде совершенных дислокационными сегментами исследовался параллельно на германии и кремнии. Некоторые интересные особенности вокруг дислокаций были исследованы на монокристаллах между полупроводниковыми и молекулярными кристаллами.

ответственных за дислокационную люминесценцию.

использования для создания светоизлучающих диодов на основе кремния.

Актуальность работы.

актуальной.

приборов приводят к генерации дефектов. В частности, термообработки.

• Дислокации представляются весьма интересным объектом стойкостью.

наноструктур полупроводниках, установление связи между энергией и интенсивностью линий ДФЛ и конкретной морфологией и структурой дислокаций привело к появлению удобного неразрушающего метода экспресс диагностики образцов, прошедших ту или иную технологическую обработку.

К началу выполнения этой работы была известна ДФЛ в Японии и Соединенных штатов. Не была известна природа дислокаций и точечных дефектов.

Целью работы конкретной структурой дислокаций в германии и кремнии, исследования влияния условий деформации и термической связанных с одномерной природой дислокаций.

Научная новизна работы.

продолжением этих исследований явилось изготовление комнатной температуре.

Обнаружено, что дислокации активно образуют комплексы спектра в области линии Д1 в кремнии. Показано, что в кислорода вокруг дислокация даже в кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки (низкое содержание дислокационных состояний и уровней термодоноров.

волновой функции глубоких дислокационных состояний, явление представляет не только теоретический интерес.

принципиальную возможность повышения квантового выхода многофононной диссипации энергии.

Практическая значимость дислокаций, возникших в результате обработки образцов например, в гетеросруктурах типа SiGe/Si.

выполненных фундаментальных исследований предложено на полупроводниковых кристаллов со структурой алмаза для излучения» 1985г.).

Впервые создан светоизлучающий диод на основе кремния (Phys. Rev. B 51 No16 10520-10526 (1995)). Это позволяет надеяться на создание оптоэлектронных приборов на основе кремния.

1. Обзор.

транспорта носителей вдоль дислокационных линий.

дислокации.

экспоненциально.

посвященных дислокациям было огромно. Был открыт большинство 60° дислокаций расщеплены (Рис.1-1б, оборванных связей, чем это следовало из простой модели. В то же время, явственно обозначилась Рисунок 1-1. 1- Полная 60° дислокация. 2Диссоциированная 60° glide-set дислокация. Лента дефекта упаковки соединяет две частичные дислокации Шокли - слева 30° - частичная, справа - 90°- частичная. По данным TEM, реальная равновесная ширина дефекта упаковки d в Si порядка 15 - 17 постоянных решетки.

свойства дислокаций не столько связаны с самими дислокациями, сколько с некоторыми особенностями оборванные связи замыкаются попарно (Рис.1-2).

концентрация должна быть существенно меньше, чем собственно дислокаций, либо это некие комплексы изучения дислокаций при этом возросла, т.к. было роль в формировании свойств полупроводников.

полупроводниковой электроники. Учитывая, что 99% основное внимание было уделено кремнию. К этому времени накопилась информация о вредном влиянии себя: нет необходимости изучать дефекты, которые поставило вопрос о дислокациях. С одной стороны германия также возвращают нас к дислокациям, так практически всегда генерируются дислокации.

гетерирования.

практически вся полупроводниковая промышленность решаются на основе А 3 В 5 соединений, что, конечно, структуры. Поэтому задача заключается в том, как работы по пористому кремнию и, вообще, создание конденсации собственных дефектов.

дислокации представляют интерес как линейные проводящие цепочки источники эффективного излучения.

работе будет обсуждаться фононное взаимодействие в такой системе.

дислокаций в ковалентных полупроводниках.

относятся германий и кремний, система скольжения {111} является основной. Это означает, что скольжения: в каждой из четырех плоскостей типа условие, где b 1 вектор Бюргерса полной дислокации, а b 2 и Поскольку b 1 наименьший возможный вектор Бюргерса в совершенной решетке, b 2 и b 3 соответствуют Рисунок 1-3.

полная дислокация с вектором Бюргерся [-101] и ее расщепленные частичные дислокации Шокли. 2 – Диссоциация полной дислокации на частичные дислокации Шокли. (Дж.Хирт и И.Лоте, Теория дислокаций, Москва, Атомиздат, 1972) должно приводить к большим расширениям решетки, скольжении второй частичной дислокации 1/6 [ уменьшается при диссоциации полной дислокации на образование дефекта упаковки увеличивает энергию дислокациями. Ситуация, когда эти две силы раны, образом.

сила, действующая на дислокацию, равна дислокаций (Рис.1-4) релаксируют к равновесному расщеплению. Однако, Рисунок 1-4.

расширяющейся под действием внешней силы.

Динамическое расщепление зависит от последователности частичных дислокаций по отношению к направлению сдвигового напряжения.

(H.Gottschalk, Journal de Physique, 44 p.C4- Рисунок 1-5. Схема изменения величины расщепления, полученная при измерении петли, приведенной в статье (Ray and Cockayne 1971). Рисунок взят из ст.

K.Wessel and H.Alexander, Phyl.Mag.

1977, 55, 1523.

структуры. На рис.1-5 показана соответствующая условный, поскольку равновесными дефектами в отличие от собственных комбинаций.

зоне.

одномерных зон. Эти зоны могут быть связаны как с атомами в ядре дислокации, координация которых зоны проводимости и валентной зоны.

дислокации состоит из ряда атомов с оборванными связи подразумевает состояние дефекта в котором атом имеет трех ближайших соседей. Сюда же можно отнести и другое состояние дефекта с атомом Si, энергетической щелью между ними [20]. Наилучшее зоны находилось при энергии E v +0.18эВ, а нижний деформации.

6*10 1 6 см - 2 можно было ожидать, что заполнение незначительно, т.е. дислокация почти нейтральна.

экспериментальные данные могут быть объяснены из 0.27эВ. Позднее ДЛТС измерения [22] подтвердили кластеры, которые не были учтены в [21].

Оно и Сумино исследовали образцы кремния n- и точечных дефектов с одинаковым уровнем примерно чем доноров.

(p-тип) и 900°С (n-тип) [25], обнаружило в p-типе E v +0.20эВ и набор пустых состояний с нижним краем соответствуют одномерной зоне, тогда как верхние состояния скорее можно рассматривать как группу E v +0.50эВ находились на одной дислокации, обычный одномерную заполненную зону с энергией E v +0.20эВ дислокацией.

ядром дислокации.

происходило развитие методики для адекватного ее флуктуаций заряда на скорость захвата и эмиссии электронов [29]. Первые данные по n-кремнию были Поскольку при отжиге должны отжигаться точечные дефектам. В работе [34] были исследованы образцы дислокациями и с сеткой “запутанных” дислокаций.

источника этой линии с 60° дислокациями. Позднее, исследуя зависимость С-линии от величины пробега дислокаций Конончук и др. [35] пришли к выводу о симуляции могут быть сделаны два разных вывода о примесей, набранных дислокацией при ее движении отжига. По-видимому в разных экспериментах вклад пропорциях.

различных данных в случае дислокаций затруднено которая обычно приводится в статьях не является процессе генерации дислокаций. В частности, при при более высоких температурах. Остаются только две линии: С-линия в n- кремнии и F- линия в pкремнии.

1.3 ЭПР центры на дислокациях в кремнии.

ЭПР исследований [40-51]. В отличие от данных по сигнала за счет реконструкции оборванных связей.

этими представлениями сигнал ЭПР, возникающий в результате низкотемпературной деформации (650°С охватывающих область порядка 20G, с g-факторами энергией активации 1.4 2эВ и с обеих сторон от центральной части другая группа линий, названных симметрией и главной осью, параллельной вектору он появляется лишь при 180-170К.

зависимость поглощения света с энергией 1.71 эВ мм 2. Кривая 1 измерена при понижении температуры, кривая 2 - при повышении. Видно, что во-первых, имеется существенный гистерезис и, во-вторых, переходом первого рода. Немонотонность изменения момент перехода образец становится неоднородным.

Исследование образцов в поляризованном свете при исходных образцах отсутствуют упругие напряжения совершенном кристалле.

Рисунок.7- монокристалла С60 в проходящем свете с энергией 1. эВ, полученные при понижении температуры со скоростью 0.02 К/сек. Толщина образца примерно 0. мм. Приведено 6 кадров, снятых при температурах 258.5, 255.3, 254.5, 253.6, 252.8 и 250.5 К.

упругие напряжения, однако изменение оптического поглощения при фазовом переходе стало еще более однородным.

возникают микротрещины.

деформационных дефектов в оптических спектрах.

(Рис.7-1, область D) связанной с дефектами. Как уже упоминалось выше структура поглощения в этой означает, что природа дефектов в разных образцах что при работе с образцами больших размеров (для результате движения дислокаций, мы должны искать степени деформации около =12%. Спектры приведены Хорошо видно, что вклад линий с энергией Е=1.81, отрицательны на Рис.7-7б. Как упоминалось выше, экситонов Френкеля, которые, скорее всего, мало подвижны в кристаллах такого типа. При повышении соответствуют рекомбинации экситонов захваченных на некоторые дефекты.

На Рис.7-8 показана область больших энергий для спектров ФЛ четырех образцов С60, пластически Рисунок.7-7 (а) продеформированного при комнатной температуре до =12%. Сплошная кривая – спектр измеренный при 6 К, пунктирная кривая – 40 К. Спектры нормированны на интегральную интенсивность. Вставка показывает зависимость интенсивности ФЛ линии 1.76 эВ от температуры. (б) – результат вычитания спектра 6 К из спектра 40 К: ФЛ(40 К) – ФЛ(6 К).

Высокоэнергетичная часть спектров Рисунок.7- Флдля образцов продеформированных при: Т=293 К, =12%, Т=373 К, =6%, Т=473 К, =6%, Т=573 К, =15%.

Все спектры измерены при 5 К и нормированы на интегральную интенсивность.

деформация при температуре выше 200°С приводит к резкому увеличению линии D1(1.76 эВ) и, в то же Отношение интенсивностей A D 1 /A F E ( 0 0 ) при 5 К менее 1.2 для образца деформированного до =6% при Тем не менее, интенсивность ФЛ не может служить исследовали зависимость поглощения от степени и температуры деформации.

На Рис.7-9 показан спектр оптического поглощения возбуждению свободных экситонов и коэффициент Рисунок.7-9 (а) спектр поглощения при 6 К кристалла с60 до (сплошная кривая 1), и после пластической деформации при 473 К = 27% (пунктирная кривая 2). (б) разница спектров ФЛ, измеренных при 6 К для образца после и до деформации. Спектры ФЛ были нормированы на интегральную интенсивность до вычитания.

воспроизводится во всех образцах. В то же время, области от 1.67 эВ до 1.8 эВ (см. кривую 1 на образца к образцу в пределах 10 – 70 см - 1 [183]. В деформированном образце это поглощение превышает дифференциальный спектр ФЛ для того же образца.

запрет на 0-0 переходы нарушается, поэтому линии ФЛ и поглощения должны совпадать по энергии. При вибронных повторений.

деформации.

деформации может быть объяснено двумя различными причинами. Первая – рост плотности дислокаций в полимеризоваться под действием гидростатического Действительно, оценки показывают, что напряжения от деформации [185], заключающимся в увеличении температуры в диапазоне 300 - 400°С. Упрочнение дислокаций. В частности, такими стопорами могут быть группы молекул С60 соединенные ковалентными приводит к увеличению прочности.

7.4 Заключение Дефекты структуры кристаллов С60 в значительной деформационной природы. Это могут быть как сами вблизи дислокаций.

Таблица 1.

Энергетические положения E(эВ), полуширины E (мэВ) и амплитуды А(см - 1 ) основных линий поглощения монокристалла С 6 0 при температуре Т=7К в области энергий ниже 2.1 эВ.

Основные результаты и выводы работы.

Это позволило выделить вклад от изолированных дислокаций, и объяснить имеющиеся в литературе противоречивые данные по форме и интенсивности позволили сформулировать основные симметрийные свойства центров, ответственных за линии Д1 и свечения Д1-Д4 к дислокациям.

на линии ДФЛ. Показано, что кислород собираясь термодоноров.

центров рекомбинации и повышении эффективности состояния.

слое SiGe, от сетки дислокаций несоответствия уточнить природу центров Д1, которые оказались связанными с продуктами реакций дислокаций из сетке дислокаций несоответствия.

поглощения кристаллов фуллерита С 6 0. Определены линии в спектре ФЛ, связанные с рекомбинацией классивикация линий ФЛ.

деформационной природы.

Апробация работы.

международных и Российских конференциях:

Semiconductors” (1983 March 7-11, Aussois, France);

2. на международной конференции « Свойства и структура Звенигород 17-22 марта):

3. на международной конференции “Defects in Crystals” (1988 Szczyrk, Poland, 22-27 May);

4. на международной конференции “Science and Technology of Defect control in Semiconductors” (1989 Yokogama, Japan, September 17-22);

Semiconductors” (1993 Gmunden, Austria July 18-23);

6. на международной конференции “Gettering and Defect Chossewitz, Frankfurt (Oder), Germany, October 9на международной конференции “Gettering and Defect Parkhotel Shclo Wulkow, Berlin, Germany September 2-7);

8. на международной конференции “Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology” (1997 Spa, Belgium October 5-10);

9. на международной конференции “Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology” (1999 Hr, Sweden, September 25-28), приглашенный доклад, полупроводников (2001г. сентябрь, Нижний Новгород) Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. Ю.А.Осипьян. Э.А.Штейнман. "Механизм рекомбинации 2. E.A.Steinman "Dislocation luminescence in Ge", Crystal Research and Technology, 14 255 (1981).

3. Ю.А.Осипьян. А.М.Ртищев. Э.А.Штейнман. “ фотолюминесценции при отжиге деформированных образцов Si”, ФТТ 26 в6 1772 (1984).

4. Yu.A.Ossipyan,A.M.Rtishchev, E.A.Steinman, "The effect of hydrogen on dislocation photoluminescence in sylicon". Journal de Physque 44 c4-255 (1983).

5. Ю.А.Осипьян. А.И.Колюбакин. С.А.Шевченко.

Э.А.Штейнман. “Дислокационная люминесценция в Ge”. ФТТ 26 677 (1984).

Е.Б.Якимов. Н.А.Ярыкин. «Взаимодействие дислокаций с кислородом и водородом в кремнии».ЖЭТФ (1982).

7. А.Н.Изотов.Э.А.Штейнман.” Поляризация линий дислокационной люминесценции в кремнии ” ФТТ 28 в 1015 (1986).

8. А.Н.Изотов.Ю.А.Осипьян.Э.А.Штейнман. “ Влияние закалки на дислокационные спектры фотолюминесценции в кремнии ” ФТТ 28 в4 1172 (1986).

9. E.A.Steinman, "The Dependence of Luminescence spectra on the dislocation structure in Si"Acta Phys. Pol.A69 403 (1986).

10. A.I.Kolyubakin, Yu.A.Ossipyan, S.A.Shevchenko, dislocations in Ge". Acta Phys.Pol.A (1986).

11. F.G.Kirscht, V.I.Nikitenko, H.Richter, E.A.Steinman, and E.B.Yakimov, "Photoluminescence of preannealed plastically deformed silicon crystals". Phys.Stat.Sol.(a) 93 K143 (1986).

12. А.Н.Изотов.Э.А.Штейнман. "Перестройка дислокационных оптических спектров под влиянием касательных напряжений" ФТТ 29 в3 879 (1987).

13. А.Н.Изотов.Э.А.Штейнман. "Систематика линий дислокационной фотолюминесценции в кремнии" ФТТ 30 в10 (1988) 14. Izotov A.N.,Kolubakin A.I.,Shevchenko S.A.,Steinman E.A. "Pecularities of dislocation luminescence Phenomena,1991,19-20,335-340.

15. A.N.Izotov, A.I.Kolyubakin, S.A.Shevchenko, E.A.Steinman, "Photoluminescence and splitting of dislocations in Ge". Phys.Stat.Sol.(a) 130 193- (1992).

16. А.Н.Изотов.А.И.Колюбакин.С.А.Шевченко.Э.А.Штейнман.

"Определение параметров дислокационной структуры в германии по спектрам фотолюминесценции" ФТТ, 1993, 35 Nom.10, 2635-2639.

17. V.V.Kveder,E.A.Steinman, "The influence of germanium". Phys.St.Sol. (a) 138 625 1993.

18. А.Н.Изотов. А.И.Колюбакин. С.А.Шевченко.

Э.А.Штейнман. "Определение структурных характеристик дислокаций в германии." ФТТ. т.35. 2635. (1993).

19. V.V.Kveder, E.A.Steinman, S.A.Shevchenko.

plastically deformed silicon." Phys. Rev. B 51 No 10520-10526 (1995) 20. V.V.Kveder, E.A.Steinman, H.G.Grimmeiss, "Photoluminescence studies of relaxation processes in strained Si1-xGex/Si epilayers".

21. В.В.Кведер. А.И.Шалынин. Э.А.Штейнман.

расщепления дислокаций на величину g-фактора дырок в одномерной дислокационной зоне" 22. E.A.Steinman, V.V.Kveder, H.G.Grimmeiss, Solid State Phenomena,47-48 pp.217-222(1996) " The Mechanisms and Application of Dislocation Related Radiation for Silicon Based Light Sources" 23. E.A.Steinman, H.G.Grimmeiss, “Magnesium-Related Luminescence in Silicon”. Semicond. Sci.Technol. p.1-5 (1998) 24. E.A.Steinman, H.G.Grimmeiss “Dislocation related luminescence properties of silicon” Semicond. Sci.Technol. 13 p.124-129 (1998) V.S.Avrutin, and N.F.Izyumskaya. "Dislocation structure and photoluminescence of partially relaxed Semicond.Sci.Technol. 14 (1999) no 6 pp582-586.

26. E.A.Steinman, V.V.Kveder, V.I.Vdovin, and H.G.Grimmeiss, “The origin and efficiency of dislocation luminescence in Si and its possible application in optoelectronics”Solid State Phenomena, vols.69-70, p.23 (1999) 27. Bashkin I.O., Izotov A.N., Moravsky A.P., "Photoluminescence of solid C60 polymerized under high pressure" Chem.Phys.Lett. v272 p.32 (1997).

28. D.V.Dyachenko – Dekov, Yu.L.Iunin, A.N.Izotov, V.V.Kveder, R.K.Nikolaev, V.I.Orlov, Yu.A.Ossipian, N.S.Sidorov, E.A.Steinman, “ON THE POSSIBILITY OF

POLYMERISATION OF C60 NEAR THE DISLOCATION

CORE».Phys.St.Sol., (b) 2000, 222, No. 1, 111- В заключение мне хотелось бы поблагодарить Юрия Андреевича Осипьяна за инициацию этой работы и Владимировича Кведера за плодотворное обсуждение ближайших помощников и соавторов:

Изотова А.Н.

Колюбакина А.И.

Шевченко С.А.

Якимова Е.Б.

Сальникова Е.К.

Елсукова Н.С.

ЛИТЕРАТУРА

1.W.Shockley, Phys. Rev. 91, 228 (1953).

2.W.T.Read, Phil. Mag. 45, 775 (1954); 45, (1954).

3.W.T.Read, Phil. Mag. 46, 111 (1955).

(1979) 5. R. Jones, J. de Phys. 40, C6-33 (1979) 6. P. В. Hirsch, J. de Physique, 40 (1979) С6J.R.Снеlikowsky, Phys. Rev. Lett, (1982).

Conf. Series No. 60 51 (1981).

(1989) 10. Т.Судзуки, Х.Есинага, С.Такеучи: "Динамика дислокаций и пластичность", Москва, "Мир" 11. S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 57, (1986) 12. W. Schrter, phys. stat. sol. 21, 211 (1967) 13. Yu. A. Ossipyan and S. A. Shevchenko, Sov.

Phys.-JETP 38, 345 (1974) sol. (a) 9, 455 (1972) 15. R. Wagner and P. Haasen, Inst. Phys. Conf.

Ser. 23, 387 (1975) 16. D. Mergel and R. Labusch, phys. stat. sol.

(a) 41, 431 (1977); (a) 42, 165 (1977) 17. H. Weber, W. Schrter, and P. Haasen, Helv.

Phys. Acta 41, 1255 (1968) 18. W. Schrter and R. Labusch, phys. stat. sol.

36, 539 (1969) Conf. Ser. 23, 56 (1975) 20. W. Schrter, E. Scheibe, and H. Schoen, J.

Microscopy 118, 23 (1980) Mukhina, phys. stat. sol. (a) 43, 407 (1977) 22. V. V. Kveder, Yu. A. Ossipyan, W. Schrter, and G. Zoth, phys stat. sol. (a) 72, 701 (1982) Phys. 19, L629 (1980) 4426 (1983) (a) 69, 151 (1982) Nikitenko, Soviet Phys. Semicond. 10, 231 (1976) 27. D. Lpine, V. A. Grazhulis, and D. Kaplan, Holland Publ. (1976) 28. H.-J. Kos and D. Neubert, phys. stat. sol.

(a) 44, 259 (1977) 29. T. Figielski, phys. stat. sol. (a) 121, (1990) Lett. 34, 73 (1979) Alexander, and J. Michel. Phys. Rev. B 32, (1985) 32. J. R. Patel and L. C. Kimerling, J. Physique 40, C6-67 (1979) 33. L. C. Kimerling, J. R. Patel, J. L. Benton, and P. E. Freeland, Inst. Phys. Conf. Ser. 59, 401 (1981) Symposia Proc. 2, 273 (1981) Orlov, and E. B. Yakimow, phys. stat. sol. (a) 143, K5 (1994) 36. L. F. Mattheiss and J. R. Patel, Phys. Rev.

B23, 5384 (1981) (1981) 38. H. Ono and K. Sumino, J. Appl. Phys. 57, (1985) Solid State Comm. 3, 357 (1965) 40. F. D. Whler, H. Alexander, and W. Sander, J. Phys. Chem. Solids 31, 1381 (1970) Phys. JETP 31, 677 (1970) 42. U. Schmidt, E. Weber, H. Alexander, and W.

Sander, Sol. State Comm. 14, 735 (1974) 43. E. Weber and H. Alexander, Inst. Phys. Conf.

Ser. 23, 433 (1977) 44. L. Bartelsen, phys. stat. sol. (b) 81, (1977) C6-101 (1979) sol. (a) 55, 251 (1979) 47. M. Suezawa, K. Sumino, and M Iwaisumi, Inst.

Phys. Conf. Ser. 59, 407 (1981) Ossipyan, phys. stat. sol. (b) 103, 519 (1981) 49. Y. A. Osipyan, Sov. Scient. Rev., Sect. 4a, ed. J. M. Khalatnikov, p. 50. C. Kisielowki-Kemmerich, J. Czaschke, and H.

Alexander, Electronic Mat. 14a, 387 (1985) (b) 161, 11 (1990) 52. R.Newman, Phys.Rev., 105, 1715, (1957).

53. Н.А.Дроздов, А.А.Патрин,В.Д.Ткачев, Письма в 1523, (1977) Tkachev, Phys.Stat.Sol.(b), 83, K137, 9, (1977) 56. H. Alexander, C. Kisielowski-Kemmerich, and E. R. Weber, Physica 116B, 583 (1983) 57. R. H. Uebbing, P. Wagner, H. Baumgart, and (1986) 58. M. Suezawa and K. Sumino, phys. stat. sol.

(a) 78, 639 (1983) Sumino, Jpn. J. Appl. Phys. 20, L537 (1981) Phys.Stat.Sol.(a), 64, K63, (1981) 61. V. Higgs, E. C. Lightowlers, G. Davies, F.

Technol. 4, 593 (1989) 62. V. Higgs, E.C. Lightowlers, and P. Kightley, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 163, 57 (1990) 63. W.Wijaranakula, J.Appl.Phys. 70 3018 (1991) P.Kightley, Appl.Phys.Lett., 60, 1369 (1992) 65. V.Higgs, E.C.Lightowlers, S.Tajbakhsh, P.J.Wright, Appl.Phys Lett., 61, 1087 (1992) 66. S.J.Peartn, J.W.Corbett, M.Stavola, Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1992) 67.Ю.А.Осипьян,А.М.Ртищев,Э.А.Штейнман, Е.Б.Якимов,Н.А.Ярыкин, 294, (1982)) 68.Yu.A.Ossipyan, A.M.Rtishchev, E.A.Steinman, J.Phys.(Paris), 44, C4-255, (1983) 69.D.Gwinner, J.Phys.(Paris), 44, C4-141, (1983) 70.R.Sauer, J.Weber, J.Stolz, E.R.Weber, K.H.Kurster,H.Alexander, Appl.Phys.,A36, 1, (1985) 71.K.Weronek, J.Weber, and H.J.Queisser, Phys.St.Sol.(a), 137, 543, (1993) 72. А.А.Каплянский, Оптика и Спектроскопия, 16, 73..M.Suesawa, Y.Sasaki, Y.Nishina, K.Sumino, Jpn.J.Appl.Phys., 20, 537, Jpn.J.Appl.Phys., 21, L518, (1982) H.Alexander, Phys.Rev.Lett., 57, 1472, (1986) Shreter, Inst. Phys. Conf. Ser. 104, 119 (1989) 1990, p. A.A. Sitnikova, D.V. Tarhin, and Yu.G. Shreter, (1986) 80. М.И.Молоцкий ФТП, т.21, 342 (1987) Э.А.Штейнман, ДАН СССР,!5,1104,(1989).

J.H.Werner, H.P.Strunk,54, 56,(1991) 83. В.Я.Кравченко, ЖЭТФ, 107, 1, (1995).

berg, and P. R. Briddon, phys. stat. sol. (b) 222, 133 (2000) 85. S. R. Morrison, Phys. Rev 104, 619 (1956) 86. T. Figielski, Solid-State Electron. 21, (1978) (1973) 88. V. B. Shikin and N. I. Shikina, phys. stat.

sol. (a) 108, 669 (1988) Phys. Rev. B 63, 115208 (2001) 90. P. R. Wilshaw and G. R. Booker, Inst. Phys.

Conf. Ser. 76, 329 (1985) 1266 (1970) 92. Yu.V. Gulyaev, Sov. Phys. Solid State 4, (1962) 93. M. Kittler, C. Ulhaq-Bouillet, and V. Higgs, J. Appl. Phys. 78, 4573 (1995) 94. V. Higgs and M. Kittler, Appl. Phys. Lett.

65, 2804 (1994) 95. M. Kittler and W. Seifert, Scanning 15, (1993) 96. M. Kittler and W. Seifert, Mat. Sci. Engin.

B42, 8 (1996) 98. S. Kunanagi, T. Sekiguchi, B. Shen, and K.

Sumino, Mater. Sci. Technol. 11, 685 (1995) 99. B. Shen, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Jpn.

J. Appl. Phys. 35, 3301 (1996) 100. M. Kittler and W. Seifert, Mat. Sci. Engin.

B24, 78 (1994) 101. M.Wattenbach, C.Kisielowsi-Kemmerich, Yu.A.Ossipyan, Phys.Stat.Sol., 158(b) K49 (1990) (1992) Phys.Rev., B51, 16721 (1995) 104.. B.Pevzner, A.F.Hebard, M.S.Dresselhaus, Phys.Rev. B 55(24), 16439 (1997) (1959) (1961) 107. А.А.Каплянский, Изв. АН СССР, сер.физ., 25, 20 (1961) 537, (1981) (1995) Phys.Stat.Sol.(a),73, k141,(1982) 112, 1546 (1958) 273, (1978) V.I.Nikitenko, E.B.Yakimov, Phys.Stat.Sol.(a), 60,341, (1980) 113. M.Tajima, U.Gosel, J.Weber, and R.Sauer, Appl.Phys.Lett., 43, 70, (1980) Semiconductor Silicon 1981, Y.Takeishi, The Electrochem.

Soc., Pennington (N.J.),p72, (1981) 115. S.J.Pearton, MRS Proc.59, 457, (1986) 116. F.Williams, Phys.Stat.Sol., 25, 493, (1968) 117. K.Colbow, Phys.Rev.A, 139, 274, (1965) W.M.Agustyniak, Phys.Rev.A, 40, 202, (1965) 119. Ю.А.Осипьян, А.М.Ртищев, Э.А.Штейнман, Е.Б.Якимов, Н.А.Ярыкин, ЖЭТФ, 82, 509,(1982) Semicond.Sci.Technol.,13 124 (1998) (1981) (1979).

М.:Атомиздат, 124. E.A.Steinman, Solid State Phenomena, 32-33, 303, (1993) Plicrystalline Semiconductors 11, Ed. J.H.Werner, H.P.Strunk,54, 56,(1991) 126. В.В.Кведер, Т.Р.Мчедлидзе, Ю.А.Осипьян, А.И.Шалынин: ЖЭТФ, 94(4), 1470 (1987) Д.Е.Хмельницкий: ФТТ, 30(2), 433 (1988) 128. В.В.Кведер, А.Е.Кошелев, Т.Р.Мчедлидзе, Ю.А.Осипьян, А.И.Шалынин: ЖЭТФ 95(1), 183 (1989) 129. E.I.Rashba, V.I.Sheka: "Electric-Dipole Spin Resonances" in "Landau Level Spectroscopy" (Edited by G.Landwehr, E.I.Rashba), Elsevier Science Publishers B.V., 130. T. Sekiguchi and K.Sumino, Z.J.Radzimski, G.F.Rozgoni, Material Science and Engineering B42, 141-145 (1996) 131. T. Sekiguchi and K.Sumino, J.Appl.Phys.

79(6), 3253 (1996) P.R.Briddon, T.Frauenheim, Phys.Rev.Lett., 87, No18, (2001) 133. I.R.Patel, L.C.Kimerling, Crystal Res.Tech.

16, 187 (1981) 134. K.Wuenstel, Solid St.Comm. 40, 797 (1981) 1185 (1980) 136. G.Zoth, Simens AG, Priv. comm.

(1973) Phys.Stat.Sol. (a) 79, 173 (1983).

139. V.V.Kveder, E.A.Steinman, S.A.Shevchenko.

H.Akiyama and H.Sakaki, Appl.Phys.Lett.,68 (14), 1889 (1996) 141. J.D.Axe, S.C.Moss, and D.A.Nweman in Solid F.Spaeren (Academic, New York, 1994) p. (1991) (1992) Condens.Matter, 7, 7475 (1995) 145. T.Atake, T.Tanaka, H.Kawaji, K.Kikuchi, K.Saito, S.Suzuki, I.Ikemoto, Y.Achiba, Physica C 185-189, 427 (1991) 146. P.A.Heiney, J.E.Fischer, A.R.McGhie, W.J.Romanow, A.M.Denenstein, J.P.McCauley, Jr.A.B.Smith III, D.E.Cox, Phys.Rev.Lett. 66, 2911 (1991) 147. W.I.F.David, R.M.Ibberson, T.J.S.Dennis, (1992) 148. R.Moret, P.Launois, S.Ravy, Fullerene Sci.&Technology, 4(6), 1287 (1996) 1499. W.I.F.David, R.M.Ibberson, T.Matsuo, Proc.Roy.Soc. London A 442, 129 (1993) 150. С.В.Лубенец, В.Д.Нацик, Л.С.Фоменко, А.П.Исакина, А.И.Прохватилов, (1997) 151. N.Minami, S.Kazaoui, R.Ross, Synthetic Metals 70, 1397 (1995) 152. B.M.Vaughan, Y.Chabre, D.Dubois, Europhysics Lett. 31(9), 525 (1995) 153. S.Matsuura, T.Ishiguro, K.Kikuchi, Y.Achiba, Phys.Rev. B, 51, 10217 (1995) J.Chem.Phys. 97, 6496 (1992) 155. R.D.Bendale, J.F.Stanton, M.C.Zerner, Chem.Phys.Lett. 194, 467 (1992) 156. K.Yabana, G.F.Bertsch, Chem.Phys.Lett. 197, 32 (1992) 157. M.Diehl, J.Degen, H.-H. Schmidtke, J.Phys.Chem., 99, 10092 (1995) 158. R.D.Bendale, J.F.Stanton, M.C.Zerner, Chem.Phys.Lett.,194, 467 (1992) 159. F.Negri,G.Orlandi, and F.Zerbetto, Chem.Phys.Lett. 144, 31 (1988) 160. Y.Wang et al. Phys.Rev.B 51, 4547 (1995) 161. A.Sassara, G.Zerra and M.Chergui, J.Phys.B:

At.Mol.Opt.Phys. 29, 4997 (1996) 162. W.Guss, J.Feldmann, E.O.Goebel, C.Taliani, H.Mohn, W.Muller, P.Haussler, (1994) 163. V.D.Negrii, V.V.Kveder, Yu.A.Ossipyan, I.N.Kremenskaya, R.K.Nikolaev, Phys.Stat.Sol.(b), 199, 587 (1997) 164. D.J. van den Heuvel et al. J.Phys.Chem. 99, 11644 (1995) 165. M.R.Wasilewski, M.P.O’Neil, K.R.Lykke, M.J.Pellin, and D.M.Gruen, J.Am.Chem.Soc. 113, 2774 (1991) (1991) 167. Y.Wang, J.Phys.Chem. 96, 764 (1992) E.J.J.Groenen, J.Schmidt, G.Meijer, Chem. Phys.Lett., 231, 111 (1994) 169. B.Pevzner, A.F.Hebard, M.S.Dresselhaus, Phys.Rev. B 55(24), 16439 (1997) 170. В.В.Кведер, В.Д.Негрии, Э.А.Штейнман, А.Н.Изотов, Ю.А.Осипьян, Р.К.Николаев, ЖЭТФ 113(2), 1 (1998) E.J.J.Groenen, M.Matsushita, J.Schmidt, G.Meijer, Chem.Phys.Lett. 233, 284 (1995) J.Chem.Phys. 97, 6496 (1992) 173. B.Renker, F.Gompf, R.Heid, P.Adelmann, A.Heiming, W.Reichardt, G.Roth, H.Schober, H.Rietschel, Z.Phys. B 90, 325 (1993) 174. L.Pintschovus, B.Benker, F.Gompf, R.Heid, Phys.Rev.Lett. 69, 2662 (1992) 175. L.Pintschovus, S.L.Chaplot, Z.Phys., B98, 527 (1995) (1971) Physics, Eds. I.Prigogine, S.A.Rice. Chichester, Wiley, 1973, v.23, p.227-341.

178. K.Yabana, G.F.Bertsch, Chem.Phys.Lett. 197, 32 (1992) J.Phys.Chem., 99, 10092 (1995) 180. R.D.Bendale, J.F.Stanton, M.C.Zerner, Chem.Phys.Lett., 194, 467 (1992) 181. M.Patrini, F.Marabelli, G.Guizzetti, M.Manfredini, C.Castoldi, and P.Milani, Proc.

ECS, Eds. K.M.Kadish and R.S.Ruoff, v.94-24, p.632.

182. E.A.Steinman, S.V.Avdeev, V.B.Efimov, R.K.Nikolaev, Yu.A.Ossipyan, G.I.Padalko, N.S.Sidorov, A.V.Bazhenov, R.A.Dilanyan, and S.S.Khasanov, J.of Low Temp.Phys. v.119, No:3-4, p. 223-32,(2000) А.Н.Изотов, Ю.А.Осипьян, Р.К.Николаев. ЖЭТФ 113, в.2 стр.1-13(1998) Chem.Phys.Lett. v272 p.32 (1997).

V.I.Orlov, Yu.A.Ossipian, N.S.Sidorov, E.A.Stein (2000).