На правах рукописи

Мьо Хейн Зо

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ

ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКАХ НЕКРУГЛОЙ

ФОРМЫ.

Специальность: 05.27.06 Технология и оборудование для

производства полупроводников, материалов и приборов электронной

техники

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва – 2008 г.

Работа выполнена на кафедре «Микроэлектроника» в Московском Государственном Институте Электронной Техники (Техническом университете).

Научный руководитель: Доктор технических наук, профессор Тимошенков Сергей Петрович.

Официальные оппоненты: Доктор технических наук, профессор В.П. Лаврищев Доктор химических наук, профессор В.С. Минаев

Ведущая организация: Акционерное общество открытого типа “Институт точной технологии и проектирования” (АО ИТТиП)

Защита состоится «09» 10 2008 года в 14.30 на заседании диссертационного совета Д 212.134.03 при Московском Государственном Институте Электронной Техники (Техническом университете) по адресу: 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, МИЭТ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ.

07 2008г.

Автореферат разослан «18»

Ученый секретарь В.Б. Яковлев диссертационного совета доктор физико-математических наук, профессор

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы В настоящее время в технологии микро-, нано- и оптоэлектроники при изготовлении мастер-шаблонов, наноштампов, СБИС, датчиков различного назначения широко используются тонкие (менее 1мкм) фоторезистивные покрытия с неоднородностью по толщине, не превышающей ± 5%. Слои этих покрытий необходимы для создания фотомасок, определяющих топологию микросхем и обеспечивающих высокую разрешающую и маскирующую способность, а также хорошую воспроизводимость.

Создание и массовое производство ИС и других электронных приборов, имеющих высокое быстродействие, минимальные размеры и вес, обусловлено высокой разрешающей способностью, которая определяется совершенством фотомаски, получаемой в литографическом процессе.

Известно, что в литографическом процессе при формировании пленок резистов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил образуются утолщенные области по углам подложки, которые приводят к заметному снижению разрешающей способности и полезной площади фотомаски.

Имеется достаточно большое количество публикаций, посвященных исследованию процесса формирования покрытий в поле центробежных сил на подложках круглой формы. Но, до сих пор очень мало работ, исследующих нанесение тонких полимерных пленок на некруглые подложки. При этом разные авторы неоднозначно интерпретируют процесс центрифугирования на подложках некруглой формы.

Кроме того, практически отсутствуют работы рассматривающие не отдельные этапы процесса нанесения полимерных покрытии, а в их совокупности. Такой подход позволил бы наметить пути оптимизации конструктивно-технологических параметров процесса и разработать единую программу управления им.

Поэтому появилась настоятельная необходимость рассмотрения процесса с единых позиций, которые бы способствовали разработке методик оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий.

Данная работа посвящается исследованию процесса формирования резистивных покрытий на подложках некруглой формы в поле центробежных сил, разработке методик оптимизации и управления процессом и разработке конструктивных схем центрифуг, обеспечивающих высокое качество покрытий, наносимых на подложки некруглой формы.

Цели и задачи работы:

1. Исследование процессов формирования пленок из растворов полимеров при нанесении их на подложки некруглой формы в поле центробежных сил.

2. Исследование закономерностей, определяющих толщину, равномерность толщины покрытия на подложках некруглой 3. Разработка модели формирования полимерных покрытий, учитывающей как гидродинамические, так и тепломассообменные особенности процесса.

4. Определение оптимальных режимов центрифугирования для получения однородных и воспроизводимых по толщине покрытий на подложках некруглой формы.

5. Разработка схем и рекомендаций по проектированию конструкции установок, обеспечивающих нанесение равномерных покрытий на подложки некруглой формы в поле Методы исследования:

Теоретические исследования основаны на анализе гидродинамики и тепло-массообмена при течении тонких слоев жидкости на вращающемся диске.

Экспериментальные исследования проводились на специально созданном стенде в лаборатории кафедры «Микроэлектроника»

МГИЭТ (ТУ).

Для измерения геометрических параметров покрытий на подложках некруглой формы были использованы: универсальный оптический микроскоп VISTEC INM100, профилометр Alpha step 200, МИИ – 4 и сканирующий электронный микроскоп.

Научная новизна диссертации:

1. Созданы физическая и математическая модели процесса нанесения покрытий из растворов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

';

2. Впервые получены зависимости, описывающие различные этапы (нанесение, испарение, сушка, полимеризация) формирования слоя полимера.

3. Впервые получены обобщенные зависимости, учитывающие влияние различных факторов (гидродинамики, тепломассообмена, физики полимеров) на процесс формированию покрытии.

4. Разработана методика оптимизации конструктивнотехнологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий, способствующие повышению эффективности процесса нанесения покрытия на подложки.

5. Разработан новый способ формирования покрытий.

6. Разработаны технические предложения для проектировании центрифуг и схемы центрифуг, позволяющие устранять или уменьшать утолщенные области и обеспечивать более равномерное покрытие на подложках некруглой формы.

Практическая значимость работы Результаты могут быть использованы при проектировании центрифуг и отработки технологических процессов для нанесения пленок из растворов полимеров как в электронной технике, например, при изготовлении фотошаблонов, нанесении полимерных покрытий на подложки некруглой формы для МЭМС и НЭМС применения и при изготовлении наноштампов для нано-литографических (Nanoimprinting) процессов, так и в других отраслях, а также в учебном процессе ВУЗ-ов по специальности “Технологические процессы и оборудование электронной техники”.

Достоверность результатов Сопоставление теоретических и экспериментальных исследований, разработанных математических и физических моделей с результатами экспериментов, проведенных на специально разработанном стенде и промышленном фотолитографическом оборудовании, свидетельствуют об их адекватности.

Внедрение Учебный методический комплекс (УМК) по дисциплине «Технохимические и литографические процессы и оборудование», МИЭТ, 2007г.

УМК по дисциплине «Физические основы формирования топологии микросхем», МИЭТ, 2007г.

НИР «Изготовление макетов нано и микроэлектромеханических и оптоэлектромеханических элементов», 2007 г. (по государственному контракту №02.513.11.3228 от 17 мая 2007, шифр «2007-3-1.3-11-03Внедрение подтверждено соответствующими актами.

На защиту выносится следующее:

1. Физическая и математическая модели процесса формирования полимерной пленки на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

2. Обобщенные зависимости, характеризующие влияние различных факторов (гидродинамики, тепло-массообмена, физики полимеров) на процесс формирования покрытий.

3. Методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и устройство, способствующие повышению эффективности процесса нанесения полимерных покрытий на 4. Методика и компьютерная программа для определения оптимальных динамических характеристик (времени разгона и конструктивных размеров элементов привода) быстроразгонной 5. Новая конструкция центрифуги, способствующая повышению эффективности процесса нанесения полимерной пленки на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

Апробация работы Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. КРЕМНИЙ-2008, V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе.

Черноголовка, 1-4 июля 2008.

2. Всероссийский смотр научных и творческих работ иностранных студентов и аспирантов, Томский политехнический университет (Институт международного образования), 2007.

3. 13, 14 и 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика ". Москва, Зеленоград, МИЭТ.

4. Научная сессия МИФИ-2008. Т.8 Автоматика и электроника в атомной технике. «Микро и наноэлектроника». Москва.

Публикации по работе.

Основное содержание работы

отражено в 12 печатных работах.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов по работе, библиографического списка использованной литературы, приложения и актов о внедрении результатов работы. Общий объем диссертации – 170 страницах, включая: 9 таблиц, 65 рисунков, приложений и список литературы из 104 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность работы, поставлена цель и сформулированы основные научные положения, которые выносятся на защиту.

В первой главе, являющейся обзорной, проанализированы существующие различные методы нанесения пленок полимера, технологические аспекты и схемы оборудования, используемые для получения тонких пленок из растворов полимеров, в частности фоторезистов. Обсуждаются научно-технические проблемы, связанные с формированием пленок на некруглых подложках методом центрифугирования. Определены задачи формирования равномерных и воспроизводимых резистивных плёнок из растворов в поле центробежных сил на подложках некруглой формы.

Из анализа тенденций развития и совершенствования производства интегральных микросхем (ИС) и соответствующего уменьшения минимального топологического размера amin, установлено, что дальнейшее уменьшение amin тесно связано с повышением требований к фоторезистивным покрытиям и, в особенности, с повышением равномерности их толщины.

Исходя из вышеизложенного и учитывая особенности нанесения центрифугирования, определены место и значимость дальнейшего изучения процесса формирования качественных покрытий на подложках некруглой формы.

Во второй главе приводится теоретическое обоснование формирования пленок на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

Предварительная оценка показывает, что процесс нанесения покрытия из полимерного раствора на подложку методом центрифугирования протекает в ламинарном режиме.

Рассматриваются особенности гидродинамики для физической модели процесса нанесения пленки из раствора на подложку прямоугольной формы методом центрифугирования.

В центральную область подложки подается доза раствора полимера, и затем подложка приводится во вращение с постоянной угловой скоростью. Под действием возникающих центробежных сил раствор растекается по подложке в виде радиально расширяющегося потока, при этом фронтом потока является утолщенный круговой валик, обусловленный действием поверхностного натяжения. При этом, валик по мере его радиального расширения подпитывается из «внешнего слоя» растекающегося раствора, (под внешним слоем подразумевается слой, движущийся с большей скоростью чем пограничный слой).

расширяющегося валика, соизмерима с толщиной ламинарного пограничного слоя и может быть определена следующим выражением:

v - вязкость раствора, м2/c; - угловая скорость, с-1.

соотношения между силами вязкостного трения и силами инерции и обратно пропорционально числу Рейнольдса При достижении краев подложки внешний слой сбрасывается с неё, однако на краях подложки сохраняется краевой валик (рис.1).

Рис. 1 Схема сил, действующих на валик при центрифугировании на прямоугольной подложке.

На краю подложки в точке А (рис.1), вследствие проявления сил поверхностного натяжения в жидкости, ограниченной валиком, возникает внутреннее давление где - коэффициент поверхностного натяжения, Н/м; r радиус валика, м; R - радиус подложки, м.

и внешнее давление, производимое центробежной силой F Ц и равное где - плотность жидкости, кг/м3; - угловая скорость, с- Для условия равновесия можно записать PПН = PЦ или Действующую в той же точке A, центробежную силу разложим на две составляющие:

- проекцию центробежной силы на ось Х, влияющей на геометрический размер валика - проекцию центробежной силы на ось Y, вызывающей движение жидкости в валике вдоль стороны b Из выражения (3) следует, что значение F Ц не меняется при перемещении точки А вдоль стороны b. Следовательно, диаметр равновесного валика d b = 2 r на стороне b при PПН = PЦ является постоянной величиной и определяется выражением, получаемом из уравнения (2) По аналогии с (5) можно определить диаметр равновесного валика d a на стороне а, т.е.

Таким образом, на разных сторонах прямоугольной подложки величина валика будет различаться, причем на длиной стороне величина больше, чем на короткой.

Очевидно, на подложке в форме квадрата величина валика будет одинакова по всему контуру.

В валике, образующемся на краях прямоугольной подложки, действуют составляющие центробежных сил F Ц. Под действием силы F Ц возникает движение жидкости со скоростью отн от середины каждой из сторон прямоугольника к его углам (рис.2).

Рис. 2 Схема сил, обуславливающих образование утолщенной области покрытия в углу подложки.

Очевидно, что на жидкость, движущуюся с относительной скоростью отн в валике будет действовать сила Кориолиса F K, Под действием этой силы жидкость из валика натекает внутрь подложки в направлении вектора F K.

По мере перемещения жидкости вдоль валика к углам подложки величина силы Кориолиса будет возрастать пропорционально скорости отн, которая в свою очередь, увеличивается пропорционально составляющей центробежной силы (4).

Относительная скорость отн определяется из следующего выражения:

в валике;

пройденное жидкостью от середины стороны b до точки А в валике, Подстановка L и а Ц в (8) приводит к окончательному выражению для относительной скорости следующий вид Движению жидкости под действием силы Кориолиса будет противодействовать сила трения жидкости о поверхность подложки F ТР, определяемая из следующего выражения:

где u = 2aK x - скорость натекания жидкости из валика под действием силы F K ; х – путь натекания жидкости из валика в точке А под действием F K ; R = 2 cos – радиальная координата действием силы F K.

Скорость натекания может быть вычислена по формуле Подстановка выражений для u, R, a K, в (11) дает окончательное выражение для силы трения:

Величина x в выражении (13) определяется из условия равновесия (в точке А) сил трения и Кориолиса:

Численные значения F з, F K определяются из расчета на единицу объема жидкости и имеют размерность [н/м3].

Таким образом, равнодействующая между силой Кориолиса и силой внутреннего трения является силой, формообразующей профиль границы утолщенных областей по углам подложки при натекании из валика.

следующему уравнению Функциональную зависимость x = f ( ), определяющую форму границы утолщенной области, определим из (15) Для вычисления площади, занимаемой утолщенными областями на подложке, необходимо уравнение (16) проинтегрировать в пределах В различных четвертях прямоугольной подложки вдоль ее сторон образование утолщенных областей будет определяться направлениями векторов Кориолисовой силы и вращения подложки (по часовой стрелке или против часовой стрелки), как показано на рис.3.

При вращении подложки по часовой стрелке утолщенные области образуются на сторонах подложки с размером b в I и III четвертях и на сторонах с размером а во II и IV четвертях рис.3а.

При вращении против часовой стрелки наблюдается зеркальное отражение картины утолщенных областей, как показано на рис.3б.

FЦ FПН FПН

FК X FЦ FЦ FК X FК X

Рис. 3 Размещение утолщенных областей в углах подложки в зависимости от направления её вращения: (а) по часовой стрелке, (б) C физической точки зрения процесс нанесения резиста на подложки методом центрифугирования может быть охарактеризован двумя параллельно идущими процессами, удалением растворителя из формируемой пленки резиста, и движением границы раздела резиствоздух. Для оптимизации этого процесса необходимо решить задачу диффузии растворителя из пленки резиста в полупространство, занимаемое воздухом. Для определения скорости перемещения границы раздела G следует решить гидродинамическую задачу о вращении затопленного диска с постоянной угловой скоростью в резисте с кинематической вязкостью р, с учетом испарения растворителя в процессе центрифугирования.

кинематическая вязкость воздуха. R – радиус подложки; Z = ( Z / R ) – относительная координата перпендикулярная плоскости подложки; Z – ось координат перпендикулярная плоскости подложки.

Формирование окончательной толщины пленки резиста происходит в результате его полимеризации. Процесс полимеризации может быть разбит на два этапа: первый – сопровождается процессом нанесения, второй – в процессе специальный термообработки. Толщина наносимой жидкой пленки резиста жр и окончательного слоя ее тр могут быть связаны условным коэффициентом полимеризации Кроме того, при нанесении резиста происходит сжатие пленки в одном направлении – по оси Z, а расширение происходит в радиальном направлении.

Третья глава диссертации посвящена экспериментальным исследованиям процесса нанесения полимеров на подложки некруглой формы и анализу их результатов.

Из вышеизложенного ясно, что слой полимера, наносимый на подложку, может быть разбит на две зоны: центральную, занимающую основную часть подложки и краевую. Поэтому экспериментальные методики и измерительная аппаратура были разделены на две группы.

Исследование слоя, нанесенного на основную часть подложки Для измерения геометрических параметров покрытий были использованы:

- микроинтерферометр МИИ – 4;

- сканирующий электронный микроскоп.

Измеренные геометрические параметры покрытий были использованы для обобщения результатов процесса нанесения.

Обобщение опытных данных проводилось с широким привлечением методов теории подобия.

Поскольку процесс формирования слоев полимеров на подложке сопряжен с одновременно протекающими гидродинамическими и тепло-массообменными процессами в качестве критериев – аргументов были приняты:

- число Ренойльдса (Re);

- число Шмидта (Sc);

- условный коэффициент полимеризации ( ).

При обработке результатов процесса нанесения слоёв полимеров на подложке в качестве критериев – функции были выбраны:

- относительная толщина плёнки полимера - = - коэффициент использования раствора полимера - g = G ;

- эффективная площадь нанесенного слоя S формирования слоя;

всей подложке; G эф - скорость дозирования раствора; площадь подложки; S кз - площади краевых зон.

Таким образом, полученные экспериментальные результаты могут быть представлены в виде следующих критериальных уравнении:

Как правило, обобщение результатов экспериментов с использованием критериальных уравнений проводится в логарифмических координатах. Это дает возможность линейной аппроксимации представляемых результатов.

На рис.4. представлены обобщенные зависимости относительной толщины нанесенного слоя негативного фоторезиста ФН-103 и позитивного фоторезиста ФП-383.

Рис. 4 Зависимости относительной толщины нанесенного слоя для Полученные зависимости обобщаются следующими уравнениями:

для позитивного фоторезиста – = 0. 0182 Re Из представленных уравнений видно, что показатель степени при числе Шмидта у негативного фоторезиста в два раза меньше. Это свидетельствует о меньшем влиянии процесса переноса массы на формируемую толщину пленки негативного фоторезиста.

Зависимости коэффициентов использования материала от физических свойств (число Sc) различных фоторезистов представлены на рис.5.

Рис. 5 Зависимости коэффициента использования материала от числа Sc для фоторезистов ФН-103 и ФП-383.

Представленные результаты обобщаются зависимостями со средним квадратичным отклонением, не превышающим ±5%:

для позитивного фоторезиста - g = 0. 05 Re для негативного фоторезиста - g = 0. 007 Re Как видно, коэффициент использования фоторезиста ничтожно мал и близок к величине 7х10-3 %.

Следует так же отметить, что процессы массообмена не столь существенно влияют на эффективность использования материала резистов.

Из анализа зависимости эффективной площади нанесенного слоя резиста S (рис.6.) следует, что она слабо зависит от гидродинамики потока и увеличивается с ростом числа оборотов процесс центрифугирования.

Обобщение результатов, представленных на рис.6, приводит к следующему критериальному уравнению:

Рис. 6 Зависимость эффективной площади нанесенного слоя Если в качестве характерной величины (масштаба отнесения) выбрать толщину наносимого слоя резиста при минимально принятом числе оборотов центрифуги, то обобщенные результаты, для различных фоторезистов обобщаются единой зависимостью (рис. 7).

Так в анализируемых результатах, приведенных на рис.7, за масштаб отнесения была принята толщина плёнки, полученной при скорости вращения 50с-1.

Обобщение результатов привело к следующему уравнению:

где = ( n / 500 ) - относительная толщина пленки.

Рис. 7 Зависимость толщины нанесенного слоя различных Экспериментальные исследования краевого валика проводили с помощью микроинтерферометра МИИ – 4 и Е – микроскопа. С помощью последнего были получены оцифрованные изображения.

Результаты представлены рис.8а. и рис.8б. Можно заметить (рис.8а), что в сечении валик имеет форму вытянутой полукапли.

Рис. 8а. Микрофотография интерференционной картины на валике, полученная в поле зрения окуляра МИИ – 4.

Рис. 8б. Микрофотография валика на краю подложки, полученная с увеличением в 300 раз на E-микроскопе Полученные с помощью микроскопов микроизображения и измерения размеров краевого валика свидетельствует о корректности принятой физической модели.

На рис.9а. и рис.9б. приведены фотографии, иллюстрирующие конфигурацию утолщенных областей покрытия в углах подложек.

Полученные результаты экспериментальных исследований подтверждают предложенную физическую модель образования утолщенных областей в углах подложки.

Рис. 9 Фотографии подложек, иллюстрирующие конфигурацию утолщенных областей покрытия в углах при вращении подложки по часовой стрелке (а) и против часовой стрелке (б).

Измерение профиля утолщенной области покрытия в угле подложки проводили на профилометре Alpha Step – 200.

Точки локализации измерений и цифровые значения толщины слоя представлены на рис.10а.

Рис. 10а. Разметка по утолщенной области (к методике измерения профиля покрытия на профилометр Alpha Step – 200) Результаты измерения [мкм] профиля утолщенной области, представлены на рис.10б.

Рис. 10б. Трехмерное изображение профиля утолщенной области.

Четвертая глава посвящена разработке принципиальной схемы центрифуги, позволяющей минимизировать влияние краевых эффектов при нанесении покрытия на подложках некруглой формы.

Результаты теоретического и экспериментального исследований однозначно приводят к выводу, что для уменьшения центрифугировании необходимо в процессе формирования покрытия использовать реверсивное вращение центрифуги. С этой целью был разработан модуль быстроразгонной центрифуги, позволяющий осуществлять реверсивное вращение (рис.11).

Рис. 11 Конструктивная схема центрифуги с реверсивным вращением 1 – шпиндель; 2 – подшипники; 3 – крышка; 4 – маховик; 5 – подшипники; 6 – корпус; 7 – малоинерционный диск; 8 – фрикционные кольца; 9 – кольцевая мембрана; 10 – толкатель; 11 – наружные кольца подшипников; 12 – полость; 13– клапан; 14 – клапан; 15 – клапан; 16 – вакуумная камера; 17 – пружина; 18 – тормозные кольца; 19 – полость;

20 – клапан; 21 – маховик; 22 – малоинерционный диск; 23 – полость;

24 – кольцевая мембрана; 25 – полость; 26 – толкатель; 27 – пружина;

28 – наружные кольца подшипников; 29 – клапан.

При проектировании центрифуги с приводом, обеспечивающим быстрый разгон, были рассмотрены переходные процессы в электроприводе и решена задача по определению времени разгона до требуемой скорости вращения подложки.

Разработаны методика, алгоритм и программа расчета времени разгона подложек различных размеров.

С помощью разработанной программы может быть рассчитано время разгона центрифуги с заданными конструктивными и технологическими параметрами или решена обратная задача, т.е.

определены конструктивные и технологические параметры.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Впервые получены зависимости, описывающие различные этапы (нанесение, испарение, сушка, полимеризация) формирования слоя полимера.

(гидродинамики, тепло-массообмена, физики полимеров, механики) на процесс формирования покрытий.

3. Разработана методика оптимизации конструктивнотехнологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий.

4. Разработана модель, описывающая краевые особенности формирования слоя полимерного покрытия методом центрифугирования на подложках некруглой формы.

5. Разработаны компьютерная и анимационные программы для вычисления толщины полимерной пленки и величины краевого валика на различных сторонах прямоугольной подложки при центрифугировании.

6. Даны рекомендации по оптимизации конструктивнотехнологических параметров процесса нанесения слоя полимерного покрытия на подложках некруглой формы методом центрифугирования.

7. Разработаны методики и программа, минимизирующие время разгона подложки до заданной частоты вращения. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании Опубликованные работы по теме диссертации 1. Мьо Хейн Зо., Физическая и математическая модели утолщенных зон, возникающих в углах подложек некруглой формы при нанесении на них фоторезистов в поле центробежных сил. 13-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. – М.: МИЭТ, 2006 г., с. 53.

2. Мьо Хейн Зо., Физическая и математическая модели валика, образующегося по краю подложки при центрифугировании. 13-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. – М.: МИЭТ, 2006 г., с. 54.

3. Мьо Хейн Зо, Ануфриенко.В.В. Исследование формирования пленок фоторезиста в поле центробежных сил. “Элементы микросистемной техники, оборудование и технология их производства”, Сб. трудов под ред. С.П. Тимошенкова. – М.: МИЭТ, 2007. – с.97-102.

4. Мьо Хейн Зо, Ануфриенко.В.В. Физическая и математическая модели утолщенных областей, возникающих в углах подложек некруглой формы при нанесении на них полимерных покрытий в поле центробежных сил. “Элементы микросистемной техники, оборудование и технология их производства”, Сб. трудов под ред.

С.П. Тимошенкова. – М.: МИЭТ, 2007. – с.102-107.

5. Мьо Хейн Зо, Анyфриенко.В.В. Исследование параметров валика, образующегося на краях подложек при нанесении фоторезиста на центрифуге. ж. Естественные и технические науки № 6 (26),2006, изд – во «Компания Спутник +», с 278-282.

6. Мьо Хейн Зо., Исследование процесса нанесения на центрифуге пленок из растворов фоторезиста и других полимерных покрытий на подложках некруглой формы. 14-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. – М.:

МИЭТ, 2007 г., с. 52.

7. Тимошенков С.П., Ануфриенко В.В., Мьо Хейн Зо., Особенности формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы, Научно-технический журнал "Известия высших учебных заведений. Электроника" – М.: МИЭТ, 2007. № 6, с. 71-74.

8. Мьо Хейн Зо, Ануфриенко В.В., Исследование границ и площади утолщенных областей, возникающих в углах подложек некруглой формы при нанесении на них полимерных покрытий в поле центробежных сил. ж. Естественные и технические науки № 6 (32 ),2007 г., изд – во «Компания Спутник +», c. 264-266.

9. Мьо Хейн Зо, Исследование процесса нанесения тонких полимерных пленок в поле центробежных сил на некруглых подложках для МЭМС применения, Научная сессия МИФИ-2008.

Т.8 Автоматика и электроника в атомной технике. Микро- и наноэлектроника, c.114 – 116., 10. Тимошенков С.П., Ануфриенко В.В., Мьо Хейн Зо., Разработка компьютерной модели и программных средств для определения параметров покрытий, формируемых из растворов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил. “Микросистемная техника. Моделирование, технология, контроль”, Сб. трудов под ред. С.П. Тимошенкова. – М.: МИЭТ, 2007. – с.19 -25.

11. Мьо Хейн Зо, Исследование формирования тонких полимерных покрытий на некруглых подложках методом центрифугирования для наноимпримт литографических процессов. 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. – М.: МИЭТ, 2008 г., с.53.

12. Мьо Хейн Зо., “Формирование пленок из полимерных растворов на некруглых подложках по методу центрифугирования в нанотехнологиях”, Ср-14, КРЕМНИЙ-2008, V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Черноголовка, 1-4 июля 2008.

Подписано в печать:

Заказ № 74. Тираж 85 экз. Уч.-изд.л.1,35. Формат 60х84 1/16.

Отпечатано в типографии МИЭТ (ТУ).

124498, Москва, МИЭТ (ТУ).