Раздел 2.3 посвящен аналитическим и компьютерным методам исследования. Компьютерное моделирование взаимодействия ионов с материалами проводили с помощью программы SRIM. Моделирование распыления меди также проводилось В.И.Шульгой (программа OKSANA [6]), для графита использовали данные моделирования В.Экштайна (TRIM.SP) [7]. Погрешность коэффициента распыления оценивали по результатам не менее 5 процедур моделирования с различным набором псевдослучайных чисел. Дозовой характеристикой радиационного воздействия на материалы является уровень первичных радиационных повреждений, количественная мера которого – среднее число смещенных атомов на атом материала dpa. Для определения уровня dpa в поверхностном слое твердых тел при высоких флюенсах ионного облучения в диссертации разработаны методы аналитической оценки и компьютерного моделирования. При ионном облучении сечение дефектообразования dam 0.4 Sn/Ed определяется сечением ядерного торможения Sn и пороговой энергией дефектообразования Ed. Для кэвных энергий ионов, когда хорошим приближением является обратноквадратичный потенциал межатомного взаимодействия, величина Sn от энергии иона Е практически не зависит и величину dam можно полагать одинаковой на всей глубине дефектообразования Rd. Если коэффициент распыления Y оценивать по формуле Зигмунда [8], то уровень радиационных повреждений где x < xd = RdCos, показатель степени f 1, – коэффициент, зависящий от отношения масс атома мишени и падающего иона (M2/M1), Ec – энергия связи поверхностных атомов, x – характеристическая глубина выхода распыленных атомов. Видно, что dpaстац не зависит от удельных упругих потерь энергии ионами. Это не удивительно, так как сечение Sn одновременно обуславливает процессы распыления и дефектообразования. Величина dpaстац определяется, в основном, отношением характерных глубин Rd/х и энергий Ec/Ed и наиболее сильно зависит от угла падения ионов. Уровень радиационных повреждений оценивали также с использованием данных моделирования программы SRIM. Движения границы поверхности в результате распыления программа не учитывает, ее учет проводили путем численного интегрирования профилей интенсивности радиационного воздействия damn0, смещенных относительно друг друга на достаточно малый шаг по глубине = Y(t)/n0. Апробация методик аналитического и компьютерного расчета уровня dpa проведена для литературных данных по высокодозному облучению ионами Ar+ энергии 400 эВ Al(110). Профили dpa, рассчитанные обоими методами, близки друг к другу и оказались подобными экспериментальному профилю вакансий.

Глава 3 посвящена исследованиям ионно-индуцированных изменений структуры и морфологии поверхностного слоя материалов и их влиянию на эмиссионные процессы. Наибольшее внимание уделено стеклоуглеродам – неграфитируемым изотропным углеродным материалам, рассматриваемым как перспективные для использования в радиационных полях различной природы в атомных реакторах, термоядерных и других ионно-плазменных устройствах. Использовали образцы стеклоуглерода промышленных марок СУ-850, СУ-1300, СУ-2000 и СУ-2500 (производство НИИграфит, Москва), отличающиеся соответствующей конечной температурой термообработки Тоб. Исследовали также поликристаллическую медь М00 и близкие к изотропным мелкозернистые графиты МПГ-8 (НИИграфит) и POCO-AXF-5Q (производство США). Подготовка к эксперименту образцов (раздел 3.1) кроме механической обработки включала: для меди - химическое травление, для углеродных материалов – ультразвуковую обработку и отжиг в вакууме.

Результаты раздела 3.2 демонстрируют возможности разработанного в диссертации метода лазерной гониофотометрии для количественного анализа ионно-индуцированной микрогеометрии поверхности на примере исследования топографии поликристаллической меди при высоких флюенсах облучения ионами Ar+ энергии 30 кэВ. Установлено, в частности, что распределения локальных углов наклона микрограней ионноиндуцированного рельефа содержат максимумы, положения которых зависят от номинального угла падения ионов на мишень и отражают геометрию гребневидных топографических элементов, рис.1. Положения максимумов найдены близкими к предсказываемым теорией эрозии (локальные углы падения = 0, 90° и положение максимума зависимости Y() = 78°) для динамически равновесных условий высокодозного физического распыления [8].

Раздел 3.3 посвящен стеклоуглеродам. Физические свойства неграфитируемого стеклоуглерода значительно отличаются от свойств графитов, и это может проявляться в ионно-индуцированных процессах. Исследование потери веса m/m в вакууме за счет обезгаживания при вакуумировании, вакуумном отжиге при различных температурах и ионном облучении показало, что потеря m/m высокотемпературных стеклоуглеродов (СУ-2000, 2500) соответствует m/m графитируемых материалов и на несколько порядков величины увеличивается с уменьшением Тоб стеклоуглерода. Для наиболее близкого к графитам по потере веса в вакууме Рис.1. Схема гребневидного рельефа и зависимости положений максимумов 1 и 2 распределений f() от угла падения i на мишень бомбардирующих ионов стеклоуглерода СУ-2500 измерена угловая зависимость коэффициента распыления Y() в сопоставимых с [9] условиях распыления графита МПГ-ЛТ. Сравнение показало, что зависимости Y() для СУ-2500 и МПГЛТ являются близкими, рис.2. При больших углах падения ионов Y() проявляет максимум, положение которого соответствует рассчитанному с помощью моделирования столкновительного распыления. Ионное облучение стеклоуглеродов может приводить как к полному разупорядочению его структуры, так и к некоторому упорядочению в зависимости от температуры мишени [5]. Для установления закономерностей этих процессов измерены и проанализированы температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии (Т) для стеклоуглеродов с различной Тоб при варьировании параметров ионного облучения (сорта, энергии и Рис.2. Экспериментальные и расчетные угловые зависимости коэффициента распыления Y углеродных материалов ионами Ar+ энергии 30 кэВ плотности j тока ионов N+, N2+, Ar+). При плотности j 0.3 мА/см2 для высокотемпературных стеклоуглеродов наблюдается ступенчатый рост выхода электронов при некоторой температуре динамического отжига радиационных нарушений Ta, аналогично наблюдаемому для графитов. Для низкотемпературных стеклоуглеродов монотонно растет с ростом температуры, рис.3а. Температура термообработки, разделяющая два типа температурных зависимостей (T) – монотонную и ступенчатую при облучении ионами Ar+ выше, чем при облучении ионами N2+ при прочих равных условиях. Картины дифракции быстрых отраженных электронов от поверхности высокотемпературных стеклоуглеродов, облученных при T < Ta, показывают наличие диффузного гало, свидетельствующего об аморфизации поверхности, а для низкотемпературных близки к картинам дифракции для исходных образцов. После облучения при T > Ta наблюдается система трех дифракционных колец, характерных для поликристаллических графитов. Путем исследования влияния плотности ионного тока на зависимости (T) установлена основная причина различия ионноиндуцированных процессов в низко- и высокотемпературных стеклоуглеродах. Найдено, что с увеличением плотности j ионов (N+ энергии 15 и кэВ, N2+ энергии 30 кэВ) отжиг радиационных нарушений в процессе облучения стеклоуглеродов происходит при все меньших температурах Ta, рис.3б. Для низкотемпературных стеклоуглеродов скачкообразная зависимость трансформируется в монотонную и разупорядочение поверхностного слоя в исследованном интервале температур не наблюдается.

, эл./ион Рис.3. Температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии Найдено также, что для графитов (МПГ-8, УПВ-1Т) температура Ta в исследованном диапазоне плотности тока от j практически не зависит. Учет того, что теплопроводность стеклоуглеродов на порядок величины меньше, чем графитов, и в несколько раз уменьшается с уменьшением Тоб, позволяет предположить, что влияние плотности ионного тока связано с локальным повышением температуры при облучении материалов с низкой теплопроводностью. Для выяснения причин более эффективного разупорядочения стеклоуглерода ионами N2+ энергии 30 кэВ по сравнению с ионами Ar+ той же энергии выполнены оценки уровня первичных радиационных повреждений dpa с учетом движения поверхности из-за распыления. Интенсивность радиационного воздействия ионов Ar+ в три раза больше, чем ионов N2+, но за счет более интенсивного распыления ионами Ar+ на всей глубине дефектообразования соотношение стационарных уровней dpaN > dpaAr. Это может быть одной из причин более эффективного разупорядочения стеклоуглерода ионами азота по сравнению с ионами аргона. Другой причиной может быть образование в поверхностном слое химических CNx соединений [5].

В большинстве компьютерных программ моделирование взаимодействия ионов проводится с гладкой на атомном уровне поверхностью, что является одной из причин количественных расхождений результатов эксперимента и моделирования, рис. 2. В разделе 3.4 показано, что учет микротопографии поверхности с помощью разработанного в диссертации метода ЛГФ приводит к хорошему согласию результатов моделирования с экспериментальными данными распыления меди, графита и стеклоуглерода. Найдено также, что ионно-индуцированная топография отражается на зависимости Y() в большей степени, чем на зависимости (), что обусловлено более сильной, чем 1/cos, угловой зависимостью Y().

Показано, в частности, что учёт изменения морфологии графита, облученного при различных температурах, оказывает в исследованных случаях незначительное влияние на величину и для описания скачкообразной зависимости (Т) графита этого недостаточно. Основной причиной трансформации зависимостей (Т) для углеродных материалов является изменение длины свободного пробега вторичных электронов при ионноиндуцированных структурных изменениях в поверхностном слое материала [5].

Глава 4 посвящена исследованиям влияния на ионноиндуцированные процессы анизотропии физических свойств материалов.

Из углеродных материалов наибольшей анизотропией физических свойств, присущей природным монокристаллам графита, обладает высокоориентированный пиролитический графит (ВОПГ). Сравнение распыления ВОПГ и поликристаллических графитов показывает, что при наклонном падении ионов и повышенной температуре мишени (T > Ta) для ВОПГ наблюдается топографическое подавления распыления, наибольшее (трехкратное) при = 60° [5]. Полученные в диссертации результаты изучения структурно-морфологических изменений при ионном облучении ВОПГ приводятся в разделе 4.1. В экспериментах использовали образцы ВОПГ марки УПВ-1Т (НИИграфит). Установлено, что при комнатной температуре облучения (T < Ta) ионами N2+ энергии 30 кэВ в геометрии наибольшего подавления распыления ионно-индуцированный рельеф на поверхности УПВ-1Т является квазипериодическим, характерным для высоких флюенсов ионного облучения аморфных материалов и контролируется столкновительным распылением. При Т = 400°С (T > Ta) облучение ионами N2+ приводит к морфологии с наклонными тупиковыми порами, образованными столбчато-игольчатыми топографическими элементами, столкновительное распыление доминирующих микрограней которых существенно подавляется по сравнению с распылением при номинальном угле падения. В три раза меньшее значение Y при = 60° является близким к соответствующему коэффициенту распыления Y при =0°. Причиной, вызывающей рост морфологических элементов при ионном облучении может быть неоднородность элементного состава [1]. Однако спектрометрия РОР показала, что состав измененного поверхностного слоя УПВ-1Т приблизительно одинаков на боковых гранях и торцах ионноиндуцированных топографических элементов. Атомная концентрация азота при облучении при комнатной температуре составляет 18%, при T=400°С намного меньше – 7%. Основная причина образования специфической морфологии, вызывающей подавление распыления УПВ-1Т при = 60°, связывается с результатами специально проведенного рентгеновского анализа УПВ-1Т. Найдено, что квазикристалл УПВ-1Т характеризуется наличием двух текстурных компонентов – основного с осью [001], нормальной к поверхности пластинки УПВ-1Т, и дополнительного с осью [001] под углом 58° относительно поверхности, причем объемные радиационные нарушения (использовали образцы УПВ-1Т после нейтронного облучения) приводят к уменьшению основного текстурного компонента и росту дополнительного. Предполагается, что ионное облучение вызывает аналогичную текстурную перестройку поверхностного слоя УПВ-1Т, которая с учетом анизотропной самодиффузии в графите отвечает за формирование наклонных столбчато-игольчатых морфологических элементов. Исследование микрогеометрии поверхности УПВ-1Т при облучении ионами Ar+ энергии 30 кэВ показало, что в отличие от ассиметричного гребневидного рельефа, см. рис.1, при наклонной ионной бомбардировке формируется зависящий от температуры мишени симметричный рельеф. Для угла падения ионов Ar+ = 60° наблюдается топографическое подавление распыления УПВ-1Т, причем эффект наблюдается не только при повышенной температуре мишени, как в случае облучения ионами N2+, но и комнатной. Двукратное подавление распыления отчетливо фиксируется при флюенсах 21019 ион/см2 и сохраняется при последующих облучениях мишени (с общим флюенсом ~ 1020 ион/см2).

Коэффициент распыления при этом близок к соответствующему значению Y при = 0°.

Сильная анизотропия физических свойств является характерной для углерод-углеродных композитов (УУКМ), особенно однонаправленных, в которых армирующие материал углеродные волокна пронизывают матрицу в одном направлении, рис.4а. В разделе 4.2 рассмотрены вызываемые высокодозным облучением ионами N2+ структурно-морфологические изменения в поверхностном слое однонаправленного УУКМ марки КУПВМ (НИИграфит) с продольным и поперечным срезом, армирующие волокна соответственно параллельны и перпендикулярны поверхности. Установлено, что температурная зависимость коэффициента ионноэлектронной эмиссии (Т) для КУП-ВМ проявляет сложный ступенчатый энергии 30 кэВ при комнатной температуре (б), на вставке микрофотография при съемке в РЭМ с поворотом образца на 90°, и Т = 330°C (в), характер, обусловленный процессами динамического отжига радиационных нарушений в композите. Дифракция электронов на отражение показала, что ионное облучение приводит к потере анизотропии структуры поверхностного слоя композита КУП-ВМ – аморфизации при комнатной температуре и изотропной рекристаллизации при Т > Ta. Модифицирование однонаправленной волокнистой морфологии КУП-ВМ зависит от температуры мишени, рис.4. При комнатной температуре на поверхности волокон появляются продольные углубления, при повышении температуры наблюдается гофрирование волокон с ребрами гофров, перпендикулярными оси волокна, и гранями правильной призматической формы. Облучение поперечного среза КУП-ВМ также приводит к сильному изменению исходной морфологии, но с меньшими различиями при Т < Ta и Т > Ta – на поверхности образуются воронкообразные кратеры, отражающие неоднородную по сечению структуру армирующих волокон. Изменения элементного состава в результате ионного облучения практически не зависят от типа среза КУП-ВМ. Концентрация имплантированного азота в поверхностном слое при Т < Ta составляет ~16%, тогда как при Т > Ta ~11%.

Мониторинг изменения выхода вторичных электронов при ионном облучении является эффективным методом исследования ионноиндуцированных структурных изменений в тонком (~ нм) поверхностном слое материалов. В разделе 4.3 исследуется влияние кристаллической структуры твердого тела на молекулярный эффект в ионно-электронной эмиссии, состоящий в неаддитивности выхода электронов при бомбардировке твердого тела атомарными и молекулярными ионами одинаковой скорости с показателем молекулярного эффекта Rn = n/n1 < 1. Экспериментально обнаруженная недавно ориентационная зависимость показателя R2() = 2/21 при облучении ионами N2+ и N+ поверхности Cu(001) рассмотрена в работе в рамках моделей анизотропии ионно-электронной эмиссии кристаллов. Найдено, что сильная угловая зависимость показателя R2() может быть хорошо описана в рамках механизма выметания электронов, предложенного Е.С. Парилисом, каналирования ионов и затенения атомов при углах соответственно меньших и больших критического угла Линдхарда L. Показано, что первый максимум зависимости R2() наступает раньше максимума соответствующих кривых 2() и 1().

Это означает, что при выходе из тени при > L процесс выметания электронов может подавляться. Выводы теоретического рассмотрения подтвердились в экспериментах с использованием полупроводниковой Ge(111) и стеклоуглеродных мишеней. Картины молекулярного эффекта для кристаллического и аморфизированного состояния германия аналогичны наблюдаемым для кристалла Cu(001) и поликристаллической меди. Наибольший молекулярный эффект наблюдается для направленной ориентации Ge(111) при = 0° (R2=0.91±0.02) и практически отсутствует при = 10° (R2 1). Для аморфизированного состояния германия R2=0.96±0.02 является промежуточным значением. Сравнение данных для стеклоуглеродов СУ–850 и СУ–2500 показывает, что при T > Ta, когда упорядочение структуры приводит к практически одному и тому же состоянию поверхностного слоя, величина R2 для обоих материалов ~0.95 и близка к R2 для поликристаллического графита при T > Ta. При T < Ta, когда под действием облучения происходит разупорядочение структуры стеклоуглеродов, величина R2=0.92±0.02 для менее плотного стеклоуглрода СУ–850 оказывается меньше, чем R2=0.97±0.02 для более плотного СУ–2500. Это также можно связать с зависящими от средней атомной плотности процессами затенения атомов в твердом теле при ионизации быстрыми частицами.

Заключение содержит перечень основных результатов и выводов, полученных в диссертации.

1. Разработан экспериментальный стенд гониофотометрии отраженного лазерного излучения, методики исследования микрогеометрии поверхности и её учета при оценках коэффициентов распыления Y и ионноэлектронной эмиссии с использованием расчетов эмиссионных процессов для гладкой поверхности. На примерах распыления поликристаллической меди и стеклоуглерода ионами Ar+ энергии 30 кэВ показано, что разработанная методика устраняет расхождения эксперимента и результатов компьютерного моделирования распыления гладкой поверхности.

2. Впервые с помощью лазерной гониофотометрии проведены исследования морфологии поверхности изотропных и анизотропных материалов, формирующейся при физическом распылении. Характер и параметры распределений локальных углов наклона микрограней ионноиндуцированного рельефа для поликристаллической меди и высокоориентированного пирографита (Ar+ энергии 30 кэВ) найдены существенно различными. Для меди положения максимумов распределений локальных углов близки к предсказываемым макроскопической теорией эрозии.

Для высокоориентированного пирографита необходимо учитывать его специфическую текстуру и анизотропную самодиффузию, т.е. отвечающие за формирование волнообразного рельефа факторы.

3. Разработаны аналитическая и компьютерная методики оценки уровня первичных радиационных повреждений dpa применительно к задачам облучения высокими флюенсами ионов. Показано, что при движении границы поверхности за счет распыления уровень dpa определяется углом падения бомбардирующих частиц, отношением характерных глубин проникновения ионов и выхода распыленных атомов, энергии связи поверхностных атомов к пороговой энергии дефектообразования и практически не зависит от сечения упругого торможения ионов. При анализе динамического отжига в стеклоуглеродах расчеты показали, что, хотя интенсивность радиационного воздействия ионов Ar+ в три раза больше, чем N+, стационарный уровень dpa, достигаемый при высоких флюенсах облучения ионами Ar+, оказывается меньше соответствующего уровня для N+ на всей глубине дефектообразования.

4. Впервые, с целью сопоставления процессов распыления изотропных и анизотропных углеродных материалов, экспериментально измерены коэффициенты распыления стеклоуглерода СУ-2500 и высокоориентированного пирографита УПВ-1Т при различных углах падения ионов Ar+ энергии 30 кэВ при комнатной температуре и T > 300°C. Показано, что угловая зависимость Y(i) для стеклоуглерода близка к таковой для поликристаллического графита. Для анизотропного УПВ-1Т коэффициент распыления при наклонном падении в два раза меньше соответствующих данных для изотропных материалов и близок к значению Y при нормальном падении ионов на мишень.

5. Впервые экспериментально показано, что температурные зависимости коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии (Т) для углеродных материалов отражают эффекты плотности ионного тока. С увеличением плотности тока отжиг радиационных нарушений в процессе облучения стеклоуглеродов происходит при все меньших температурах Ta, определяемых по скачку зависимости (T). Для низкотемпературных стеклоуглеродов скачкообразная зависимость (T) трансформируется в монотонную, и разупорядочение поверхностного слоя с понижением температуры облучения не наблюдается. Предположено, что влияние плотности ионного тока обусловлено локальным повышением температуры при облучении материалов с низкой теплопроводностью.

6. Экспериментально исследованы морфология, элементный состав и структура поверхностного слоя, формирующегося при падении ионов N2+ энергии 30 кэВ под углом падения 60° на базисную плоскость высокоориентированного пирографита УПВ-1Т при температурах ниже и выше температуры Ta ионно-индуцированного структурного перехода. Рентгеноструктурные исследования показали, что объемные свойства УПВ-1Т характеризуются наличием, по крайней мере, двух текстурных компонентов – основного с осью [001], нормальной к поверхности пластинки УПВ-1Т, и дополнительного с осью [001], направленной под углом 58° к поверхности. Двойникование кристаллитов при ионном облучении может приводить к текстурной перестройке поверхностного слоя УПВ-1Т и формированию наклонных столбчато-игольчатых морфологических элементов, вызывающих обнаруженное ранее подавление распыления.

7. Экспериментально исследованы морфология, элементный состав и структура измененного поверхностного слоя однонаправленного углеродуглеродного композита КУП-ВМ при высоких флюенсах облучения ионами N2+ энергии 30 кэВ. Найдено, что ионное облучение приводит к потере анизотропии структуры поверхностного слоя композита: аморфизации при комнатной температуре и изотропной рекристаллизации при T > Ta.

Модифицирование волокнистой морфологии КУП-ВМ при ионном облучении зависит от температуры мишени – при комнатной температуре на волокнах появляются продольные углубления, при повышении температуры наблюдается гофрирование волокон: ребра гофров перпендикулярны оси волокна, грани имеют правильную призматическую форму и наноразмерную шероховатость.

8. Предложена модель молекулярного эффекта для ионноэлектронной эмиссии монокристаллов, объединяющая механизмы неаддитивности выхода электронов и анизотропии ионно-электронной эмиссии. Показано, что сильная угловая зависимость показателя молекулярного эффекта для кристаллов Cu(001) и Ge(111) хорошо описывается в рамках данной модели. В области частичного затенения нижележащих атомов процесс выметания электронов подавляется. Более сильный молекулярный эффект для менее плотного стеклоуглерода СУ–850, по сравнению с более плотным СУ–2500, обусловлен зависящим от средней атомной плотности процессом затенения атомов в твердом теле при ионизации быстрыми частицами.

1. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып.3. Характеристики распыленных частиц, применения в технике. / Под ред. Р.

Бериша и К. Виттмака. - М.: Мир, 1998. - 551 с.

2. Комаров Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. - М.: Металлургия, 1990. - 216 с.

3. Ehrhart P., Schilling W., Ullmaier H. Radiation Damage in Crystals // Encyclopedia of Applied Physics - 1996. - v. 15. - p. 429-457.

4. Chan W.L., Chason E. Making waves: Kinetic processes controlling surface evolution during low energy ion sputtering // J. Appl. Phys. - 2007. - v.

101. - p. 121301(1-46).

5. Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С. Модификация структуры и эмиссионные свойства углеродных материалов при высокодозном ионном облучении // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. с.58-74.

6. Shulga V. I. Computer simulation of single-crystal and polycrystal sputtering. I // Rad. Eff. - 1983. - v. 70. - p. 65-83.

7. Biersack J.P., Eckstein W. Sputtering Studies with the Monte Carlo Program TRIM.SP // Applied Physics A. - 1984. - v. 34. - p. 73-94.

8. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел / Под ред. Р. Бериша. - М.: Мир, 1984.

- 336 с.

9. Машкова Е.С., Молчанов В.А., Фаязов И.М., Экштайн В. Экспериментальное и компьютерное изучение угловой зависимости коэффициента распыления графита // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1994. c. 33-37.

Основные публикации по теме диссертации 1. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Жидкова И.И. Исследование поверхностного рельефа с использованием стенда лазерного гониофотометра // Труды НИИ РХТУ им. Д.И.Менделеева. Серия: "Инженерная механика, материаловедение и надежность оборудования" / РХТУ им.

Д.И.Менделеева, Новомосковский институт. Новомосковск. -2002. - Вып.

№4 (7). - с.14-18.

2. Андрианова Н.Н., Борисов А.М. Влияние угла падения на степень радиационных повреждений в поверхностном слое твердых тел при ионно-лучевом распылении / «Быстрозакаленные материалы и покрытия» // Докл. 2-й Всероссийской научно-технической конференции, 17-18 ноября 2003г. М.: ИТЦ «МАТИ» - РГТУ им. К.Э.Циолковского. - 2003. - с. 233-237.

3. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Немов А.С. Особенности ионноиндуцированного рельефа при высокодозном распылении поликристаллического графита / «Быстрозакаленные материалы и покрытия» // Докл.

3-й Всероссийской научно-технической конференции, 23-24 ноября 2004г.

М.: ИТЦ «МАТИ» - РГТУ им. К.Э.Циолковского. - 2004. - с. 225-230.

4. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Машкова Е.С., Немов А.С. Исследование рельефа, развивающегося на поверхности поликристаллической меди при высокодозном распылении ионами аргона // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед.- 2005. - №3. - c. 79-84.

5. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Shulga V.I.

The effect of microrelief evolution on the angular dependence of polycrystalline Cu sputtering yield // Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. B. - 2005. - v.

230/1-4. - p. 583-588.

6. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Машкова Е.С., Немов А.С. Влияние ионно-индуцированной топографии графита на температурные и угловые зависимости ионно-электронной эмиссии /«Быстрозакаленные материалы и покрытия» // Докл. 4-й Всероссийской научно-технической конференции, 22-23 ноября 2005г. М.: ИТЦ «МАТИ» - РГТУ им. К.Э.Циолковского. - 2005.

- c. 230-234.

7. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Машкова Е.С., Немов А.С. Влияние ионно-индуцированной топографии поверхности на ионно-электронную эмиссию и распыление поликристаллической меди // Прикладная физика.

- 2006. - №4. - c. 89-93.

8. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С., Питиримова Е.А., Сорокин А.И. Температурные зависимости ионно-электронной эмиссии стеклоуглеродов при облучении ионами аргона энергии 30 кэВ // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. c. 4-9.

9. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S., Sorokin A.I., Virgiliev Yu.S. Ion-induced electron emission of glassy carbons // Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. B. - 2007. - v. 256. - p. 515-519.

10. Андрианова Н.Н., Бецофен С.Я., Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С., Питиримова Е.А. Исследование эффекта подавления распыления высокоориентированного пирографита при наклонной ионной бомбардировке // Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2007) Материалы 18 Межд. конф. 24-28 августа 2007г. М.: МАТИ. т. 3. - с. 75-78.

11. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Куликаускас В.С., Немов А.С., Питиримова Е.А., Тимофеев М.А. Модификация структуры и морфологии поверхностного слоя углеродуглеродного композита при высокодозном ионном облучении / «Быстрозакаленные материалы и покрытия» // Труды 6-й Всероссийской с международным участием научно-технической конференции. 4-5 декабря 2007г.

«МАТИ» - РГТУ им. К.Э.Циолковского: Сб. трудов. М.: МАТИ. - 2007. - с.

353-358.

12. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С., Сорокин А.И. Высокодозовое распыление стеклоуглерода ионами аргона // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - №1. С. 24-27.

13. Андрианова Н.Н., Борисов А.М. Моделирование дефектообразования в материалах при высоких флюенсах ионного облучения // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. - 2008. - № 3. - с. 23-26.

14. Авилкина В.С., Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Немов А.С.

Исследование шероховатой поверхности методами лазерной гониофотометрии, зондовой и электронной микроскопии // Приборы. - 2008. c. 11-14.

15. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S. The effect of crystalline structure on molecular effect in ion-induced electron emission // Vacuum. - 2008. - v. 82. - p. 906-910.

16. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С., Питиримова Е.А. Закономерности ионно-электронной эмиссии одномерного углерод-углеродного композиционного материала // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. - 2008. - № 5. - с. 23-26.

17. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Машкова Е.С., Немов А.С., Сорокин В.И., Питиримова Е.А. Влияние плотности потока на температурные зависимости ионно-электронной эмиссии углеродных материалов // Изв. РАН. Сер. Физич. - 2008. - т. 72. - №7. с. 944-948.

18. Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Машкова Е.С., Немов А.С.

Распыление высокоориентированного пирографита ионами аргона энергии 30 кэВ. Тезисы докладов XXXVIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами / Под ред.

проф. А.Ф.Тулинова, - М.: Университетская книга. - 2008. - c. 114.

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭМИССИОННЫХ ПРОЦЕССОВ И СТРУКТУРЫ

ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ВЫСОКИХ ФЛЮЕНСАХ

ОБЛУЧЕНИЯ ПУЧКАМИ АТОМАРНЫХ И МОЛЕКУЛЯРНЫХ ИОНОВ

Тел./факс: (495) 939-57-32. E-mail: [email protected]