WWW.DISUS.RU

БЕСПЛАТНАЯ НАУЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Авторефераты, диссертации, методички

 

На правах рукописи

Вагапова Наргиза Тухтамышевна

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ФОРМИРОВАНИЯ

КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В СИСТЕМЕ InGaAs/GaAs МЕТОДОМ

МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ

Специальность 05.27.06 - «Технология и оборудование для производства

полупроводников, материалов и приборов электронной техники»

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Москва 2012

Работа выполнена на кафедре «Материалы микро-, опто- и наноэлектроники»

Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московского государственного университета тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова»

(МИТХТ)

Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Акчурин Рауф Хамзинович

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Кузнецов Геннадий Дмитриевич (НИТУ «МИСиС») кандидат химических наук, доцент Шелонин Евгений Александрович (МИТХТ, кафедра физики и химии твердого тела)

Ведущая организация: ФГУП НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха

Защита состоится «17» апреля 2012 г. в 16.00 на заседании диссертационного совета Д 212.120.06 созданного на базе Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова» (МИТХТ) по адресу:

119571, Москва, пр-кт Вернадского, д. 86, ауд. М–119.

Ваши отзывы на автореферат просим присылать по адресу: 119571, Москва, пр-кт Вернадского, 86, МИТХТ им. М.В. Ломоносова

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИТХТ им. М.В.

Ломоносова по адресу: 119571, Москва, пр-кт Вернадского, д. 86, МИТХТ им.

М.В. Ломоносова.

Автореферат представлен на сайте http://www.mitht.ru Автореферат диссертации разослан «16» марта 2012 г.

Ученый секретарь Диссертационного Совета Д 212.120.06 Кузьмичева Г.М.

Общая характеристика работы

Актуальность.

Со времени создания первых работающих в непрерывном режиме при комнатной температуре лазеров на основе полупроводниковых гетероструктур (70-е годы прошлого века), они получили широкое применение в различных областях науки, техники и в повседневной жизни человека. Существенного повышения рабочих характеристик лазерных диодов удалось добиться с переходом на наноразмерные гетероструктуры, что стало возможным благодаря развитию таких технологических методов как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и газофазная эпитаксия с использованием металлорганических соединений и гидридов – МОС-гидридная эпитаксия (МОСГЭ). При этом наибольшая эффективность генерации излучения достигается в лазерах на основе полупроводниковых гетероструктур с упорядоченными массивами квантовых точек (КТ). Для них характерны меньшие значения порогового тока накачки, большее дифференциальное усиление, более слабая температурная зависимость порогового тока, более высокие рабочие частоты [1].

В настоящее время основным методом создания полупроводниковых гетероструктур с массивами КТ является эпитаксия, осуществляемая по механизму Странского-Крастанова (С-К). Несмотря на широкое использование этого метода, следует отметить и некоторые его ограничения. Механизм С-К реализуется лишь в том случае, когда величина рассогласования периодов кристаллической решетки подложки и осаждаемого материала лежит в определенном диапазоне значений. Это значительно ограничивает круг материалов, для которых он может быть применен. Экспериментальные результаты указывают также, что для лазеров на основе таких структур характерны большие, в сравнении с теоретически предсказываемыми, пороговые токи накачки, а также спектральное уширение пиков излучения. Наиболее вероятной причиной этого является относительной большой разброс размеров КТ и наличие смачивающего слоя, существенно влияющего на оптические свойства и кинетику носителей в КТ. При этом толщина смачивающего слоя зависит от величины решеточного рассогласования подложки и осаждаемого материала и практически не управляется.

Эффективность излучения лазерных диодов на гетероструктурах с КТ зависит также от и структурного совершенства КТ, в частности, от наличия в них дислокаций несоответствия. В связи с этим анализ условий реализации механизма С-К и образования дислокаций несоответствия в формируемых КТ для конкретных полупроводниковых систем представляет собой практически важную задачу.

Альтернативным и относительно новым вариантом создания массивов КТ является т.н. «капельная эпитаксия». Применительно к полупроводникам AIIIBV она заключается в последовательном осаждении элементов III и V групп и представляет один из вариантов кристаллизации по механизму паржидкость-твердое. К сравнительным достоинствам такого метода можно отнести независимость его от величины рассогласования периодов кристаллической решетки подложки и осаждаемого вещества и, как следствие, возможность формирования КТ в изопериодных системах; возможность получения гетероструктур с КТ без смачивающего слоя.

В последние годы появился ряд публикаций, посвященных разработке этого варианта в условиях МЛЭ. В то же время представляет несомненный научный интерес изучение возможности реализации этого механизма в условиях МОСГЭ как более производительного и экономичного метода.





Цель работы. Анализ условий формирования бездислокационных КТ по механизму С-К и исследование возможности реализации метода капельной эпитаксии в условиях МОСГЭ в системе InGaAs/GaAs.

В соответствии с указанной целью были поставлены следующие задачи:

1. Расчетная оценка границ составов эпитаксиальных слоев InxGa1-xAs, для которых возможно создание бездислокационных КТ по механизму С-К на подложках GaAs.

2. Определение возможности осаждения наноразмерных капель индия на подложках низкотемпературным термическим разложением триметилиндия (ТМИ).

3. Исследование влияния условий пиролиза ТМИ в проточном реакторе установки МОСГЭ на размеры и плотность массивов осаждаемых капель индия.

4. Изучение влияния режимов термообработки на геометрические параметры и изменение состава капель индия, осажденных на подложки GaAs.

5. Исследование воздействия предварительной обработки поверхности буферных слоев GaAs фосфином на формирование массива КТ.

6. Проведение предварительных экспериментов по формированию КТ обработкой наноразмерных капель индия арсином.

Научная новизна.

1. Оценены критические толщины эпитаксиальных слоев InхGa1-хAs, обеспечивающие переход к механизму С-К при росте на подложках GaAs.

Установлены границы составов и критические толщины эпитаксиальных слоев, для которых возможно получение бездислокационных КТ.

2. Впервые исследована возможность формирования КТ капельным методом в условиях МОСГЭ. Показано, что в результате низкотемпературного пиролиза ТМИ возможно осаждение на подложках GaAs плотного массива наноразмерных капель индия и установлены зависимости геометрических размеров капель от условий осаждения.

3. Показана возможность использования термообработки образцов In(ж)GaAs(тв) в протоке водорода для направленного регулирования размеров осажденных капель индия.

4. С применением термодинамического анализа установлены пределы изменения состава капель индия в результате возможного подрастворения подложки GaAs в процессе термообработки.

Практическая ценность работы.

1. На основе проведенных исследований определены технологические режимы формирования плотных массивов наноразмерных капель индия на подложках GaAs термическим разложением ТМИ в рабочей камере установки МОСГЭ.

2. Установлены режимы термообработки образцов в водородной атмосфере, способствующие устранению слияния капель индия и уменьшению их размеров.

3. Проведенные пионерские исследования создают базу для последующего развития капельного метода получения гетероструктур InхGa1-хAs/GaAs с массивами КТ в условиях МОСГЭ.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Формирование КТ в системе InхGa1-хAs/GaAs по механизму С-К возможно в интервале составов (0,23 х 1). При этом с уменьшением х верхний предел толщин роста бездислокационных КТ возрастает от ~9, монослоев (МС) при х=1 до ~47 МС при х=0,23.

2. Термическим разложением ТМИ при Т = 150 - 350С на подложках GaAs(100) могут быть сформированы массивы наноразмерных капель индия плотностью ~ 0,4 2109 см-2, высотой ~2,5 12 нм. При прочих равных условиях размеры капель уменьшаются, а плотность их расположения возрастает с понижением температуры пиролиза ТМИ.

3. Термическая обработка капель индия, осажденных на поверхности подложек GaAs(100), в проточной атмосфере водорода при Т 350С позволяет фрагментировать слившиеся капли индия и уменьшить их размеры.

4. Возможное подрастворение подложки GaAs с осажденным индием в процессе термообработки при 150 Т 550С не приводит к значительному изменению состава капель и не может существенно повлиять на характеристики формируемых КТ.

Апробация диссертации.

Основные результаты работы были представлены на конференциях:

Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросистем», 22–25 октября 2009 г., Ульяновск;

IX международная научная конференция «Химия твердого тела:

монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии» 11-16 октября 2009 г., Кисловодск;

III Молодежная научно-техническая конференция «Наукоемкие химические технологии-2009», 13-14 ноября 2009 г., Москва;

XIII Международная научно-техническая конференция «Наукомкие химические технологии-2010» 29 июня–02 июля 2010 г., ИвановоСуздаль;

Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар «Нанотехнологии-2010», 19-24 сентября 2010 г., Дивноморское.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, из них 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК, 5 работ в материалах научно-технических конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы. Работа изложена на 115 страницах машинописного текста 14 шрифтом Times New Roman и включает, 37 рисунков, 1 таблицу и список цитируемой литературы, состоящей из 129 наименований.

Личный вклад автора.

Автор выполнил литературный обзор по теме диссертации, участвовал в постановке задач, выполнении технологических экспериментов, обработке, анализе и обобщении полученных результатов. Им лично выполнены представленные в диссертационной работе расчеты, необходимые для решения поставленных задач. Экспериментальная часть работы выполнена в сотрудничестве со специалистами ООО «Сигм Плюс». Личный вклад диссертанта составляет ~ 70 %.

Содержание работы Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулированы цель и задачи диссертационной работы, представлены научная новизна и практическая ценность полученных результатов работы.

В первой главе представлен литературный обзор современного состояния изучаемой проблемы. Рассмотрены особенности формирования КТ в системе InGaAs/GaAs по механизму С-К. Обсуждается зависимость параметров гетероструктур с массивами самоупорядоченных КТ от условий проведения процесса эпитаксии. На основе анализа изученных данных выделены наиболее важные факторы, влияющие на формирование КТ по механизму С-К, и отмечены ограничения метода.

Описан альтернативный механизм роста КТ, так называемый «капельный» метод. Показано, что на современном этапе указанный метод исследовался только применительно к условиям МЛЭ. Приведены литературные данные по влиянию условий роста на формирование массивов КТ капельным методом в условиях МЛЭ.

На основе проведенного анализа литературных данных определены основные направления исследования, обоснована цель и сформулированы основные задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена расчетной оценке условий формирования бездислокационных КТ в системе InGaAs/GaAs по механизму С-К.

Хотя теоретическому и экспериментальному исследованию формирования гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs с КТ посвящено значительное количество публикаций, во многих работах не рассматривается образование дислокаций несоответствия в ходе роста самих КТ. Специфика создания гетероструктур с КТ по механизму С-К заключается в том, что напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллической решетки сопрягаемых материалов, являются причиной перехода от двумерного к трехмерному росту (т.е. лежат в основе указанного механизма), и они же могут быть причиной образования структурных дефектов в виде дислокаций несоответствия. Задача получения низкоразмерных гетероструктур с относительно высокой разностью параметров решток без дислокаций несоответствия является одной из важнейших задач современного полупроводникового материаловедения.

На основе рассмотрения всей области составов твердых растворов InxGa1xAs определены границы переходов от двумерного роста эпитаксиальных слоев (ЭС) к островковому, а также от бездислокационного к дислокационному с образованием дислокаций несоответствия.

Для расчета использовалась методика, позволяющая описать различные типы роста, наблюдаемые при формировании гетероструктур [2]:

2D – двумерный рост;

СК – рост по механизму С-К, с образованием когерентных островков;

несоответствия (ДН);

СК-ДН – рост по механизму С-К с образованием, как островков, так и ДН.

Свободная энергия ЭС содержит вклады от упругой и поверхностной энергий ЭС:

Движущей силой образования ДН или перехода 2D-3D является стремление системы к уменьшению ЕЭС, которое может быть реализовано снятием в ЭС упругих напряжений, т.е. уменьшением Еупр.. Согласно линейной теории упругости для каждого из указанных типов роста свободная энергия может быть выражена как функция, зависящая от толщины ЭС (здесь и далее все энергетические величины отнесены на единицу поверхности):

E2D-ДН(h, d) = (1d0/d)2·M·(a/a)2·h +2·EДН(h)/d + Епов., (4) EСК-ДН(h, d) = (1 )·(1d0/d)2·M·(a/a)2·h +2·EДН(h)/d + Епов.+ Егр., (5) где h – толщина ЭС; M – биаксиальный модуль ЭС (M = Y/(1-), где Y – модуль Юнга, – коэффициент Пуассона); a/a – рассогласование параметров кристаллических решеток ЭС и подложки (a/a = (aподл.aЭС)/aЭС), где aподл. и aЭС – параметры кристаллической решетки подложки и ЭС, соответственно; – коэффициент, характеризующий изменение упругой энергии при образовании 3D-островков (в соответствии с [3] величина в расчете принималась постоянной и равной 0,4); d – среднее расстояние между ДН на границе раздела подложки и ЭС, d0 – расстояние между ДН при полной релаксации ЭС. EДН – энергия образования ДН единичной длины [2]. При расчете принималось, что ДН развиваются независимо и не взаимодействуют между собой. Егр. – энергия образования грани островка (Егр.,как и, зависит от формы островков).

Принимая, что образующиеся при росте на поверхности (001) островки имеют форму прямоугольных усеченных пирамид, величину Егр. можно выразить как функцию от Епов. и свободной энергии граней Егр. [4]:

где – угол между гранью и плоскостью (001).

При расчете принималось значение Егр.=5 meV/2, полученное в [4].

Свободная энергия ЭС в вариантах роста по типу 2D-ДН и СК-ДН может быть минимизирована при оптимальном расстоянии d между ДН, определяемом из условия: E2D-ДН или EСК-ДН/d|h constant = 0 [5]. В соответствии с этим уравнения (4) и (5) выражаются как:

EСK-ДН(h)=EДН2/[(1)M(a/a)2d02h]+ 2EДН/d0 + Епов.+ Егр.. (8) Для 60° ДН, образование которых характерно при росте ЭС на подложках с ориентацией (001), вектор Бюргерса b = aЭС/2. Такие ДН, в отличие от краевых с вектором Бюргерса, лежащим в плоскости подложки, снимают только половину несоответствия: (1/2)b/d, и в этом случае d0 = а/(22|а/а|). Энергия образования 60° ДН единичной длины рассчитывается [2]:

где G = (C11 C12 + C44)/3 – модуль сдвига ЭС, В табл. 1 приведены параметры, использованные в расчете.

Расчет проводился для ГС InxGa1-xAs/GaAs при варьировании х от 0 до 1 с шагом 0,1. Параметры кристаллической решетки, модуль Юнга, коэффициент Пуассона, а также упругие константы для твердых растворов InxGa1-xAs рассчитывались по правилу Вегарда.

Исходные данные, использованные в расчете (Т= 300К) [6].

Примеры расчетных зависимостей упругой энергии от толщины ЭС для гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs (х=1 и 0,5 с a/a = 6,7 и 3,5%, соответственно) и четырех типов роста представлены на рис. 1.

Рис. 1. Расчетная зависимость упругой энергии эпитаксиального слоя InxGa1-хAs от толщины при росте на подложках GaAs(100): а) - х = 1, б) - х = 0,5. На графике сплошной линией показана зависимость E2D(h), штриховой – EСК(h), штрихпунктирной – E2D-ДН(h), пунктирной – EСK-ДН(h). Точки пересечения 1, 2 и 3 обозначает переходы 2D-CK, 2D-ДН и СК-ДН, соответственно.

Жирной стрелкой обозначена область формирования бездислокационных КТ.

Из расчетных данных видно, что с уменьшением х критическая толщина переходов от одного механизма роста к другому закономерно возрастает: при уменьшении содержания индия накопление критического напряжения происходит при большей толщине ЭС. Видно также, что для указанных составов ГС энергетически более выгодным является релаксация напряжения растущего ЭС через образование трехмерных островков. Переход от бездислокационного двумерного к дислокационному росту, соответствующий точке 2 на рис 1, при толщинах ЭС ~3,8 и ~11,0 МС для х=1 и х=0,5, соответственно, имеет чисто теоретическое значение, т.к. ему предшествует переход к трехмерному росту по механизму С-К для соответствующих составов при толщинах ЭС ~1,9 и 5,1 МС.

С возрастанием толщины эпитаксиального слоя возможен переход от бездислокационного роста островков к дислокационному (3D-ДН, точки 3 на рис. 1). Согласно расчетным данным бездислокационный рост трехмерных островков для рассмотренных на рис.1 составов ГС InxGa1-xAs/GaAs возможен в диапазонах толщин ЭС ~1,9-9,4 и ~5,1-21 МС.

С уменьшением содержания арсенида индия в ЭС величина решеточного рассогласования уменьшается, что меняет соотношение между критическими толщинами переходов 1 и 2. Как видно из представленных на рис. 2 расчетных зависимостей, критическая толщина образования КТ в гетероструктурах InxGa1возрастает при уменьшении содержания арсенида индия в хAs/GaAs эпитаксиальном слое до значения х 0,23, а при меньших х энергетически более выгодным становится двумерный рост эпитаксиальных слоев с релаксацией упругих напряжений через образование дислокаций несоответствия.

Рис. 2. Критические толщины образования КТ и ДН как функции от состава эпитаксиального слоя в гетероструктурах InxGa1-хAs/GaAs(100) (обозначения те же, что и на рис. 1, жирными стрелками указаны области бездислокационного роста трехмерных островков).

Результаты расчета по критическим толщинам перехода от двумерного к трехмерному росту находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, опубликованными в литературе.

Третья глава посвящена разработке капельного метода формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии.

Рассмотрены некоторые физико-химические аспекты этого метода экспериментальных исследований начального (и наиболее критичного) этапа процесса – создания массива наноразмерных капель индия на подложке GaAs в условиях МОСГЭ Дано описание экспериментальной установки МОСГЭ, описана методика проведения экспериментов по осаждению на подложке GaAs(100) наноразмерных капель индия. Процесс осуществлялся в горизонтальном реакторе проточного типа при пониженном давлении газовой смеси в рабочем объеме. В эксперименте использовались источники элементов третьей группы:

триметилиндия (ТМИ) – In(CH3)3, триэтилгаллия – Ga(C2H5)3, источники элементов пятой группы: арсин – AsН3, фосфин – PH3. Газ-носитель – водород – H2. Предварительная обработка подложек заключалась в осаждении буферного слоя GaAs при 550°С. Температурный интервал осаждения капель индия изменялся в пределах 360-100°С. Объем подачи ТМИ в реактор - 20-25 см3/мин, время осаждения индия варьировалось в интервале 1-5 с. При проведении экспериментов по последующей термообработке образцов температура отжига изменялась в пределах от 200 до 350°С при постоянном времени процесса равном 1 часу. Эксперименты по насыщению капель индия мышьяком проводили путем пиролиза арсина при Т=500°С. Морфологию поверхности образцов исследовали с помощью сканирующего атомно-силового микроскопа (АСМ) на платформе Солвер.

До начала экспериментальных исследований проведена предварительно приближенная оценка количества индия, необходимого для образования наноразмерных капель. Расчет проводили в предположении полусферической формы капель для разных задаваемых значений их диаметров (10100 нм) и поверхностной плотности (110911011 см2). Исходя из полученных данных, а также на основе известных данных по скорости и объему расхода ТМИ в реакторе, было определено примерное время осаждения капель индия.

Первая серия экспериментов при температурах, близких к температуре полного термического разложения ТМИ (310360°C), показала, что осаждение индия приводит к образованию не гладкой, а рельефной поверхности, образованной слившимися каплями индия (рис. 3а).

Проведение дальнейших экспериментов требовало оптимизации температурных условий процесса с целью уменьшения размеров осаждаемых капель индия. В отличие от МЛЭ, где температурные зоны формирования молекулярного пучка и осаждения на подложку пространственно разделены, при МОСГЭ пиролиз исходных реагентов и процессы на поверхности подложки происходят в одной температурной зоне. Уменьшение размеров капель индия требует снижения температуры осаждения с целью повышения поверхностного натяжения расплава индия и увеличения контактного угла. Однако, при снижении температуры степень термического разложения ТМИ резко падает и по данным [8] при Т 250°C становится равной нулю.

Рис. 3. АСМ изображения поверхности образцов после осаждения индия:

а - при 340оС, б – при 250 оС.

Необходимо отметить, что приведенные в [8] данные относятся к условиям гомогенного пиролиза ТМИ; при наличии подложки следует ожидать снижения температуры термического разложения ТМИ вследствие каталитического воздействия поверхности подложки.

Расчетная оценка температурной зависимости контактного угла в системе расплав индияподложка GaAs проведена с использованием экспериментальных данных, полученных после первой серии экспериментов.

Расчет проводили в приближении полусферической формы капель по уравнению Юнга:

принимая разность в числителе постоянной ввиду относительно малого интервала рассматриваемых температур. При расчете In опирались на экспериментальные данные [9]:

где T – температура, С.

По результатам проведенной оценки с понижением температуры от 310С до 160С величина контактного угла в системе In/GaAs возрастает на ~ 40% с (~11,4 до ~16,1), что должно уменьшить вероятность растекания капель.

На рис. 3б показана топографическая картина поверхности образца, полученного при 250С. Видно, что в этом случае плотность расположения капель индия заметно возрастает, а размеры их уменьшаются. Так, если для слоя осажденного при 340оС характерна поверхностная плотность капель ~ 0, см-2 и средняя высота неровностей рельефа в пределах 12 нм, то в случае осаждения при 250оС эти параметры составляют ~ 1,5109 см-2 и 7,5 нм соответственно. Очевидно, это объясняется как уменьшением количества осаждаемого индия с понижением температуры (вследствие меньшей степени разложения ТМИ), так и снижением подвижности адатомов In на поверхности подложки, приводящим к увеличению числа образующихся зародышей и уменьшению их размеров. Последующие эксперименты, проведенные при пониженных температурах, показали возможность осаждения индия даже при 100оС, что существенно ниже температуры пиролиза ТМИ, приведенной в литературе, и ниже температуры плавления индия. Однако, в этом случае наблюдалось образование на поверхности подложки сплошного неровного слоя толщиной ~ 2,5-5 нм.

Результаты АСМ показали, что даже в образцах, полученных при низких температурах, происходит частичное слияние капель индия. Очевидно, для дальнейшего уменьшения размеров капель, устранения их слияния и повышения их поверхностной плотности необходима разработка дополнительных технологических приемов.

Приведены результаты исследования различных способов обработки осажденного на подложки GaAs индия с целью устранения слияния и уменьшения размеров капель, а также формирования КТ InAs. В числе этих способов:

- термообработка образцов с осажденным индием при варьируемой температуре, - предварительное покрытие поверхности осаждения легколетучим компонентом, - насыщение мышьяком в результате пиролиза арсина.

Для оценки возможности использования процесса испарения индия, как инструмента для управления размерами осажденных капель был выполнен расчет зависимости равновесного давления пара индия (pInравн.) от температуры.

Расчет проводили с использованием приведенной в [10] экспериментальной зависимости вида:

Рис. 4. Температурная зависимость равновесного давления (Па) пара In Результаты расчета, представленные на рис. 4, показывают, что с увеличением температуры от 200 до 350°С величина pInравн. возрастает почти на 6 порядков (от ~ 6,2 10-16 до ~ 9,1 10-10 Pa). Это открывает возможности путем термообработки образцов при повышенных температурах удалять избыточное количество осажденного индия. Необходимо учитывать, однако, что при этом возрастает вероятность растекания капель за счет улучшения смачивания.

Результаты экспериментов по термообработке (на примере образцов с осажденным при 100С индием), представлены на рис. 5. Из картин рельефа поверхности подложки, снятых с использованием атомно-силовой микроскопии, видно, что изначально в результате пиролиза ТМИ образуется покрытие с нерегулярным рельефом и с нечетко выраженной конфигурацией неровностей (рис. 5 а). Термообработка таких образцов при 200С в течение часа вызывает сглаживание рельефа, при этом на поверхности образующейся пленки наблюдаются отдельные ямки (рис. 5 б). Таким образом, осаждение индия при температуре ниже температуры его плавления (Тпл.) можно представить как выпадение своего рода индиевого «снежного покрова», последующая термообработка которого при Т > Тпл. приводит к его таянию (плавлению) с образованием сплошной пленки. При этом образование «прогалин» в местах впадин очевидно связано с испарением индия в процессе термообработки.

Повышение температуры отжига до 350°С при продолжительности в 1 час вызывает фрагментацию пленки индия с образованием более четко очерченных островков с поперечным размером в основании ~ 150-200 нм (рис. 5 с).

Рис. 5. АСМ изображение рельефа поверхности образцов после осаждения индия при 100°С: без отжига (а), с последующим отжигом в течение часа при 200°С (б) и при 350°С (с).

Таким образом, очевидно, что проведение термической обработки при более высоких температурах повышает интенсивность испарения индия и может способствовать уменьшению размеров его капель. Видно также, что растекания индия в результате улучшения смачивания не наблюдается. С учетом этого, а также результатов расчета (рис. 4), можно ожидать, что дальнейшим повышением температуры отжига до 400-500°С можно добиться существенного уменьшения размеров капель индия при одновременном сокращении времени термообработки за счет увеличения интенсивности испарения (р Inравн. 2,5 10- Па при 400°С и 5,3 10-6 Па при 500°С).

Вместе с тем следует отметить, что в процессе термообработки может происходить подрастворение подложки GaAs расплавленным индием.

Результатом этого будет изменение состава капель и, как следствие, состава формируемых КТ. Для количественной оценки этого фактора был произведен расчет, основывающийся на рассмотрении термодинамического равновесия жидкой и твердой фаз в системе In-Ga-As. В рамках модели регулярных растворов оно описывается системой уравнений [11]:

RT ln(sInAsxsInAs)= RT ln[4 lInlAsxlIn xlAs /slInslAs] + SFInAs (TFInAs – T), (13) RT ln(sGaAsxsGaAs)= RT ln[4 lGalAsxlGa xlAs /slGaslAs] + SFGaAs (TFGaAs – T), (14) где – коэффициенты активности, а х – концентрации обозначенных компонентов (моль/ат. доли); индексы s и l относятся к твердой и жидкой фазам, соответственно. SF и TF энтропия (Дж моль–1К–1) и температура плавления (К) указанных соединений.

Расчет коэффициентов активности для твердой и жидкой фаз производили по уравнениям [10]:

RT ln(sInAs)=sInAs-GaAs(xsGaAs)2, RT ln(sGaAs)=s(xsInAs)2 ; (15) RT lnlIn = lIn-As(xlAs)2 + lIn-Ga(xlGa)2 + (lIn-As + lIn-Ga - lGa-As)xlGa xlAs ; (16) RT lnlGa = lGa-As(xlAs)2 + lIn-As(xlIn)2 + (lGa-As + lIn-As - lIn-As)xlIn xlAs ; (17) RT lnlAs = lIn-As(xlIn)2 + lGa-As(xlGa)2 + (lIn-As + lGa-As - lIn-Ga)xlIn xlGa. (18) Здесь s и l – параметры взаимодействия в твердой и жидкой фазах, соответственно, для обозначенных систем.

При расчете принимали (Дж моль–1): sInAs-GaAs = 8372, lIn-As = 26729.7 T, lGa-As = 21599.7 - 38.94 T и lIn-As = 0 [10].

Предельное изменение состава капли при подрастворении подложки определяли на основе расчета состава, лежащего на пересечения линии ликвидуса при соответствующей температуре с линией взаимодействия In-GaAs в трехкомпонентной системе. Расчет проводили для температурного интервала 160-500°С. Из результатов расчета (рис. 6) видно, что подрастворение подложки при этих температурах может привести к крайне незначительному изменению состава жидкой фазы. При этом состав равновесной с ней твердой фазы InxGa1xAs при температуре отжига 160°С остается практически неизменным (x 1) и может максимально измениться до x 0,89 при повышении температуры термообработки до 500°С.

Рис. 6. Расчетное максимальное изменение состава капли In в результате термообработки в контакте с подложкой GaAs при различных температурах (a) и соответствующее возможное изменение состава КТ InxGa1-xAs (б).

Рассчитанные для указанных составов значения ширины запрещенной зоны с учетом нелинейности зависимости Eg = f(x) (коэффициент прогиба равен - 0,477 эВ [12]) составляют 0,36 эВ и 0,43 эВ, соответственно.

Таким образом, проведенные исследования показали, что для устранения частичного слияния капель индия, образующихся на поверхности GaAs(100) при низкотемпературном разложении ТМИ, можно использовать последующую термическую обработку образцов. При температурах термообработки ниже 500оС изменение состава капель индия за счет возможного подрастворения подложки мало и может оказать слабое влияние на изменение состава формируемых КТ.

В работе был опробован другой способ воздействия на геометрические параметры осаждаемых капель индия, основанный на предварительном покрытии поверхности осаждения легколетучим компонентом. С этой целью после осаждения на подложке буферного слоя GaAs поверхность подвергалась кратковременной (5 с) обработке фосфином при температуре 550С. Затем при 200С в результате пиролиза подаваемого в течении 2 с ТМИ осаждались капли индия, после чего образцы были подвергнуты отжигу в водородной атмосфере при 400С в течении 30 минут. Поверхность образца, полученного в таких условиях, показана на рис. 7.

Рис. 7. АСМ изображение образца, полученного с предварительной обработкой поверхности буферного слоя в атмосфере фосфина.

Полученная картина показывает, что при указанной обработке наблюдается более упорядоченный рельеф поверхности образцов и большая однородность размеров холмиков. Очевидно, предложенный метод при его дальнейшей доработке может быть успешно использован для формирования упорядоченного массива КТ капельным методом в условиях МОСГЭ.

Эксперименты по формированию гетероструктур InAs/GaAs с массивами КТ проводили путем обработки арсином наноразмерных капель индия, осажденных при Т=200С. Пиролиз арсина осуществляли при 500С в течение мин с подачей 200 см3/мин. Картина поверхности изготовленного в результате такой обработки образца показана на рис. Рис. 8. АСМ изображение поверхности образца, подвергнутого термообработке при 500 оС в течение 15 мин с подачей арсина.

Результаты этих экспериментов показали, что размеры островков не претерпевают значительных изменений в процессе такой обработки. Отсутствие огранки островков является, очевидно, следствием недостаточной выдержки при 500С, необходимой для рекристаллизации InAs. В то же время, полученные экспериментальные результаты указывают на возможность формирования массивов КТ методом капельной эпитаксии в условиях МОСГЭ. Следует отметить, что при пониженной подаче арсина (50 см3/мин) наблюдалось уменьшение высоты и возрастание поперечных размеров островков, связанное с поверхностной миграцией не связанных с As атомов индия.

В заключении приведены полученные выводы.

1. Расчетным путем оценен диапазон составов и толщин эпитаксиальных слоев, в пределах которого возможно формирование бездислокационных КТ в системе InxGa1-xAs /GaAs по механизму С-К. Показано, что указанный механизм может быть реализован для составов (0,23 х 1), при этом толщины перехода к дислокационному росту для указанных составов лежат в пределах от ~9,4 до ~47 монослоев, возрастая с уменьшением х.

2. Впервые исследована возможность создания КТ капельным методом в условиях МОСГЭ. Показано, что в результате низкотемпературного пиролиза ТМИ возможно осаждение на подложках GaAs плотного массива наноразмерных капель индия. Установлено, с понижением температуры осаждения от 360 до 200 С при прочих равных условиях плотность размещения капель возрастает от 0,4 до 1,5 109 см-2, а их средние размеры по основанию уменьшаются от ~350 до ~150 нм.

3. На основе расчетных и экспериментальных результатов показана возможность использования термообработки образцов In(ж)-GaAs(тв) в протоке водорода для направленного регулирования размеров наноразмерных капель индия путем испарения излишнего его количества.

4. В результате расчетной оценки, основанной на анализе гетерогенных равновесий в системе In-Ga-As, установлено пренебрежимо малое изменение состава капель индия в результате возможного подрастворения ими подложки GaAs в ходе термической обработки образцов. При этом возможное изменение состава равновесной твердой фазы InxGa1-xAs также мало: от x = 1 в отсутствие подрастворения до х 0,99 при Т= 350°С и до x 0,89 при повышении температуры термообработки до 500°С.

5. Показано, что предварительная обработка поверхности буферного слоя GaAs фосфином позволяет повысить упорядоченность расположения и уменьшить слияние осаждаемых капель индия.

6. Проведение предварительных экспериментов по обработке наноразмерных капель индия арсином без последующего отжига показало образование на поверхности подложки GaAs остроконечных кристаллических образований. Формирование КТ на основе таких образований является предметом дальнейших исследований.

Цитируемая литература 1. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. – 1998. – Т. 32. – №1. – С. 3.

2. H. Mariette. Formation of self-assembled quantum dots induced by the Stranski–Krastanow transition: a comparison of various semiconductor systems // C.

R. Physique. – 2005. – V.6. – P.23.

3. D.Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledensov. Quantum Dot Heterostructures// Wiley – 1999.

4. C. Priester, M. Lannoo. Origin of self-assembled QDs in highly mismatched heteroepitaxy // Rev. Lett. – 1995. – V.75. – P.93.

5. J. Tersoff, R.M. Tromp, Shape Transition in growth of strained islands:

spontaneous Formation of QW// Phys. Rev. Lett. – 1993. – V.70. – P.2782.

6. Landolt-Brnstein // Springer-Verlag, Berlin. – 1982. – V. III/17a and b.

7. U.W. Pohl, K. Potschke, I. Kaiander, J.-T. Zettler, D. Bimberg. Real-time control of quantum dot laser growth using reflectance anisotropy spectroscopy// J.

Cryst. Growth. – 2004. – V.272. – P.143.

8 Stringfellow G.B. // Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice. London. Acad.Press. - 1999. – P. 9. White D.W.G. The Surface Tensions of Indium and Cadmium // Metallurgical Transaction. – 1972. – V. 3. – P. 1933.

10. Ан. Н. Несмеянов. // Давление пара химических элементов. М., изд-во АН СССР. – 1961. – C.367.

11. M. B. Panish, M. Ilegems. Phase equilibria in ternary III-V systems // Prog.

Sol. St. Chem. – 1972. – V.7. – P. 39.

12. Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, 2-nd edition. NY.

Springer Science+Business Media Inc. – 2006. – P. 1406.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих 1. Вагапова Н.Т. Исследование возможности формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОСгидридной эпитаксии/ Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Панин. А.А.// Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 1. С. 10-16.

2. Вагапова Н.Т. Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах InxGa1-xAs/GaAs/ Акчурин Р.Х., Вагапова Н.Т.// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2010. № 1. С. 45-48.

3. Вагапова Н.Т. Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии/ Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Ладугин М.А.// Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 15. С. 82-88.

4. Вагапова Н.Т. Расчетная оценка критических толщин образования квантовых точек и дислокаций несоответствия в гетероструктурах In xGa(1x)As/GaAs/ Акчурин Р.Х. Вагапова Н.Т. // Труды ХI Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы».

Ульяновск. 2009. С. 390-392.

5. Вагапова Н.Т. Формирование квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии/ Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А.// I Тезисы докладов IX Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск. 2009 г. С. 136-138.

6. Вагапова Н.Т. Возможности формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs методом капельной эпитаксии в установках МОСГЭ/ Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А.// III Молодежная научнотехническая конференция «Наукоемкие химические технологии-2009». Москва.

2009. С. 90.

7. Вагапова Н.Т. Проблемы формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом при МОС-гидридной эпитаксии/ Акчурин Р.Х., Вагапова Н.Т.// Тезисы докладов XIII Международной научно-технической конференции «Наукоемкие химические технологии-2010». Иваново-Суздаль.

2010. С. 23.

8. Вагапова Н.Т. Исследование условий формирования гетероструктур InAs/GaAs с массивами квантовых точек капельным методом в условиях МОСгидридной эпитаксии/ Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Ладугин М.А.// Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы-семинара «Нанотехнологии-2010». Таганрог. 2010. Часть 1.

С. 9-11.

Подписано в печать 14.04.2012 Формат 60x84/16. бумага писчая. Отпечатано на ризографе. Уч. зд. листов 1,0. Тираж 100 экз. заказ № Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственний университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова» (МИТХТ)


Похожие работы:

«СЕНЧЕНКО ТАТЬЯНА АЛЕКСАНДРОВНА СТРУКТУРЫ ТЕКСТА И ИХ ВОСПРИЯТИЕ: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ (НА МАТЕРИАЛЕ ТЕКСТОВ РАЗНЫХ ТИПОВ) Специальность 10.02.19 – теория языка АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата филологических наук Бийск – 2009 Работа выполнена на кафедре русского языка ГОУ ВПО Бийский педагогический государственный университет имени В.М. Шукшина. Научный руководитель : доктор филологических наук, профессор Шкуропацкая Марина Геннадьевна...»

«Кульков Сергей Сергеевич Разработка комплексной автоматизированной информационной системы для создания, хранения и предоставления информации в области химии и химической технологии 05.13.01 Системный анализ, управление и обработка информации (химическая технология, нефтехимия и нефтепереработка, биотехнология) 05.13.18 – Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ (технические наук и) АВТОРЕФЕРАТ Диссертации на соискание ученой степени Кандидата...»

«Михалев Александр Иванович Новые технологии в лечении осложнений язвенной болезни 14.00.27-...»

«Киселев Михаил Валентинович ОРГАНИЗАЦИОННО-ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ПОДГОТОВКИ СОТРУДНИКОВ ПЕНИТЕНЦИАРНЫХ УЧРЕЖДЕНИЙ В СИСТЕМЕ НЕПРЕРЫВНОГО ОБРАЗОВАНИЯ 13.00.08 Теория и методика профессионального образования АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата педагогических наук Томск – 2007 2 Диссертация выполнена на кафедре инновационных технологий в образовании Института теории образования Томского государственного педагогического университета...»

«ТОЛПЕГИН Павел Владимирович АВТОМАТИЧЕСКОЕ РАЗРЕШЕНИЕ КОРЕФЕРЕНЦИИ МЕСТОИМЕНИЙ ТРЕТЬЕГО ЛИЦА РУССКОЯЗЫЧНЫХ ТЕКСТОВ Специальность 05.13.17 – Теоретические основы информатики АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2008 Работа выполнена в Вычислительном центре им. А.А. Дородницына Российской академии наук, отдел математических проблем распознавания и методов комбинаторного анализа Научный руководитель : доктор...»

«Ушаков Константин Юрьевич АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССОМ НАЛАДКИ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОВОЗА Специальность 05.13.06 – Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (промышленность) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иркутск – 2013 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Иркутский государственный технический университет Дунаев Михаил Павлович Научный руководитель доктор технических...»

«МАЛЫШЕВА НАТАЛЬЯ ВИКТОРОВНА ДЕНДРОИНДИКАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЛЕНТОЧНЫХ БОРОВ АЛТАЙСКОГО КРАЯ 25.00.25 – геоморфология и эволюционная география Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата географических наук Москва - 2010 Работа выполнена в Учреждении Российской Академии наук Институте водных и экологических проблем Сибирского отделения РАН, Барнаул Научный руководитель Кандидат географических наук, доцент Николай Иванович Быков Официальные оппоненты Доктор...»

«МАРШАЛОВ Дмитрий Александрович ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТ ДИАПАЗОНОВ ВОЛН 13, 6 И 3.5 СМ ДЛЯ АСТРОФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ Специальность 01.03.02 Астрофизика и звездная астрономия АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Санкт-Петербург 2010 Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте прикладной астрономии РАН. Научный руководитель :...»

«Попов Александр Игоревич МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ И КОМПЛЕКС ПРОГРАММ ДЛЯ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ДИАГНОСТИКИ БИОМЕДИЦИНСКИХ СИГНАЛОВ ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА Специальность: 05.13.18 – Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Петрозаводск – 2010 Работа выполнена в Поморском государственном университете имени М.В. Ломоносова. Научный руководитель : доктор технических наук,...»

«ФИЛАТОВ ДАНИЛА АЛЕКСАНДРОВИЧ МОДЕЛИРОВАНИЕ И АНАЛИЗ ФИНАНСОВЫХ РЫНКОВ МЕТОДАМИ НЕЛИНЕЙНОЙ ДИНАМИКИ специальность 08.00.13 – Математические и инструментальные методы экономики АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Воронеж – 2007 Работа выполнена в Автономной образовательной некоммерческой организации Институт менеджмента, маркетинга и финансов Научный руководитель : доктор экономических наук, профессор Яновский Леонид Петрович...»

«ЧЕРНЯК Кирилл Григорьевич ОРИЕНТАЦИЯ И СТРУКТУРА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СМЕКТИКОВ С* ВО ВНЕШНЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ Специальность 01.04.02 теоретическая физика Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Санкт-Петербург 2010 год Работа выполнена на кафедре статистической физики физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета Научный руководитель : доктор...»

«Павлова Татьяна Викторовна ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТЕПЛО- И ВЛАГООБМЕНА НА ПОДСТИЛАЮЩЕЙ ПОВЕРХНОСТИ И В ДЕЯТЕЛЬНОМ СЛОЕ ПОЧВЫ С ПОМОЩЬЮ ГЛОБАЛЬНЫХ КЛИМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ Специальность 25.00.30 – метеорология, климатология и агрометеорология Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Санкт-Петербург 2007 г. 1 Работа выполнена в государственном учреждении Главная геофизическая обсерватория им. А.И. Воейкова Научный руководитель :...»

«КОЛЕСНИКОВА Ирина Станиславовна РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЙ ЭФФЕКТ СВИДЕТЕЛЯ В СОВМЕСТНОЙ КУЛЬТУРЕ ЛИМФОЦИТОВ РАЗНОПОЛЫХ ДОНОРОВ. 03.01.01 – радиобиология АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата биологических наук Москва-2012 2 Работа выполнена в лаборатории радиационной генетики Федерального государственного учреждения Российский научный центр радиологии и хирургических технологий Минздравсоцразвития (ФГУ РНЦ РХТ Минздравсоцразвития), г....»

«ТОЛЧИНА Светлана Ивановна Обучение термодинамике студентов технического вуза на основе методов научного познания 13.00.02 теория и методика обучения и воспитания (физика, уровень профессионального образования) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата педагогических наук Челябинск 2012 1 Работа выполнена на кафедре физики, методов контроля качества и диагностики в ФГБОУ ВПО Тюменский государственный нефтегазовый университет Научный руководитель Казаков...»

«Леонтович Марфа Кирилловна Terebellidae (Polychaeta) умеренных и холодных вод Евразии. Таксономия и биогеография 03.02.08 – экология (биология) и 03.02.10 – гидробиология Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата биологических наук Москва 2011 2 Работа выполнена на кафедре гидробиологии Биологического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова Научные руководители: доктор...»

«Ермохина Ксения Алексеевна ФИТОИНДИКАЦИЯ ЭКЗОГЕННЫХ ПРОЦЕССОВ В ТУНДРАХ ЦЕНТРАЛЬНОГО ЯМАЛА 25.00.23 – Физическая география и биогеография, география почв и геохимия ландшафтов Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата географических наук Москва – 2009 Работа выполнена на кафедре биогеографии географического факультета Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова Научный руководитель доктор географических наук, профессор Мяло Елена...»

«Ктиторов Лев Владимирович Динамика безударного сжатия газа в цилиндрических слоистых мишенях для ИТС Специальность 01.02.05 – механика жидкости, газа и плазмы Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва 2010 Работа выполнена в Московском государственном университете имени М.В.Ломоносова Научные руководители: член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор Забродин Алексей Валериевич доктор...»

«Егорова Елизавета Михайловна КОНЦЕПТУАЛЬНЫЕ МОДЕЛИ В ЭКСПЕРТИЗЕ МЕЖДУНАРОДНЫХ КОНФЛИКТОВ (на материале аналитических оценок конфликта в Южной Осетии в августе 2008 г.) Специальность 23.00.04 – Политические проблемы международных отношений, глобального и регионального развития Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата политических наук Москва — 2013 Работа выполнена в Отделе международно-политических проблем Федерального государственного бюджетного...»

«Ступин Владимир Павлович КАРТОГРАФИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ И АНАЛИЗ МОРФОСИСТЕМ (НА ПРИМЕРЕ БАЙКАЛЬСКОЙ ГОРНОЙ СТРАНЫ И ПРИБАЙКАЛЬЯ) 25.00.33 – Картография Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Новосибирск – 2014 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Иркутский государственный технический университет (ФГБОУ ВПО ИрГТУ). Научный консультант – доктор технических...»

«Мартынов Алексей Владимирович АДМИНИСТРАТИВНЫЙ НАДЗОР В РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОСТРОЕНИЯ, ПРАКТИКА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ И ПРОБЛЕМЫ ПРАВОВОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ Специальность 12.00.14 – административное право, финансовое право, информационное право Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора юридических наук Воронеж - 2010 1 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Воронежский государственный...»










 
2014 www.av.disus.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.