WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

На правах рукописи

Стебеньков Артем Михайлович

ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СПЕКТР ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ

СОСТОЯНИЙ ТЕТРАЭДРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ

С ЛОКАЛЬНЫМИ ДЕФЕКТАМИ

01.04.04 – Физическая электроника

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Волгоград - 2009

Работа выполнена в Волгоградском государственном техническом университете на кафедре «Физика»

Научный руководитель доктор химических наук, профессор Литинский Аркадий Овсеевич.

Официальные оппоненты: доктор физико – математических наук, профессор Шмелёв Геннадий Михайлович.

доктор физико – математических наук, профессор Белоненко Михаил Борисович

Ведущая организация Волгоградский государственный университет.

Защита состоится 5 ноября 2009 в 10.00 часов на заседании диссертационного совета Д 212.028.05 при Волгоградском государственном техническом университете по адресу: 400131, г. Волгоград, пр. Ленина, 28, ауд.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Волгоградского государственного технического университета.

Автореферат разослан: «»_ 2009г.

Ученый секретарь диссертационного совета_Авдеюк О.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Локальные внутриобъемные дефекты в полупроводниковых и диэлектрических кристаллах играют важную роль в физическом материаловедении, поскольку они модифицируют спектр одноэлектронных состояний соответствующих кристаллов. Последний, в свою очередь, обуславливает электрофизические параметры твердых тел, которые путём введения локальных внутриобъемных дефектов можно варьировать с целью конструирования на их основе новых элементов электронной техники. Поэтому исследование влияния локальных внутриобъемных дефектов на электронное строение и энергетический спектр кристаллического объекта является важной задачей.

Многообразие свойств ковалентных и ионно-ковалентных кристаллов обуславливает их широкое применение в приборах и устройствах различного технического назначения. Электрофизические свойства ковалентных и ионноковалентных кристаллов к настоящему времени хотя и в значительной степени изучены, однако имеется мало исследований, посвященные изучению электронного строения кристаллов, содержащих различные локальные внутриобъемные дефекты замещения. Поэтому исследование кристаллов такого типа с локальными внутриобъемными дефектами является актуальной задачей физической электроники.

Электронно-энергетические характеристики многоатомных систем можно оценить исходя из электронной волновой функции рассматриваемого объекта.

Чтобы получить требуемую волновую функцию, необходимо решить уравнение Шредингера для соответствующей системы. Точное решение уравнения Шредингера возможно только для относительно простейших систем. Для многоэлектронных же систем волновые функции могут быть получены лишь при использовании тех или иных приближений: одноэлектронное, валентное и адиабатическое; пренебрегают интегралами некоторых взаимодействий; используют экспериментальные данные, корректирующие параметры в соответствующих уравнениях.

Целью диссертационной работы является моделирование и квантовохимическое исследование влияния различных локальных внутриобъемных дефектов замещения в ковалентных и ионно-ковалентных структурах на их электронное строение и спектр одноэлектронных состояний.

При достижении поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Проведен анализ моделей и расчётных схем, наиболее подходящих для исследования влияния локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и энергетический спектр ковалентных и ионно-ковалентных структур.

2. Исследовано влияние размеров кластерной модели ковалентных и ионноковалентных кристаллов на рассчитываемые характеристики изучаемых систем.

Установлены оптимальные размеры кластера, при которых эти характеристики достигают сходимости.

3. На основе полуэмпирических расчетов высокосимметричных моделей ковалентных структур с различными локальными внутриобъемными дефектами исследован их энергетический спектр электронов.

4. На основе сравнительного MNDO-PM/3-расчета высокосимметричных моделей квазисферических орбитально-стехиометрического кластера и кластера с компенсацией оборванных валентностей проанализированы электронное строение и спектр одноэлектронных состояний ковалентных и ионно-ковалентных структур с разными типами локальных внутриобъемных дефектов замещения.

5. В рамках неэмпирических расчетных схем и высокосимметричных кластерных моделей изучены особенности электронно-энергетического строения ковалентных и ионно-ковалентных структур с локальными внутриобъемными дефектами замещения.

6. На основе результатов расчета высокосимметричных кластерных моделей в рамках вычислительной схемы теории функционала плотности проанализированы особенности энергетического спектра электронов кристаллического германия с дефектами замещения атомами переходных элементов.



Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Построены высокосимметричные квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием нескомпенсированных связей одновалентными псевдоатомами, б) орбитально - стехиометрического кластера.

2. Проведенный анализ зарядового распределения позволил определить оптимальный размер кластерной высокосимметричной модели.

3. Проанализировано влияние различных видов локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний типичных ковалентных и ионно-ковалентных структур, моделируемых высокосимметричными квазисферическими кластерами.

4. Проведен сравнительный анализ электронно-энергетических характеристик типичных ковалентных и ионно-ковалентных структур, рассчитанных в рамках моделей орбитально-стехиометрического кластера и молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей атомами водорода.

5. Рассчитаны плотности одноэлектронных состояний кристаллического германия идеального и с локальными внутриобъемными дефектами замещения атомами переходных элементов. Для структур с различными мультиплетностями сделан вывод о том, каким значениям мультиплетности соответствуют более стабильные структуры.

Практическая ценность работы Результаты, полученные при исследовании влияния различного типа локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов, дают возможность целенаправленного поиска конструкционных материалов с требуемыми электрофизическими характеристиками для микро- и наноэлектронных устройств.

Внедрение результатов работы Работа выполнялась в рамках научно-исследовательской работы (тема 29.330:

«Исследование взаимодействия потоков заряженных частиц и электромагнитных волн со средами включая биологические»), проводимой на кафедре физики Волгоградского государственного технического университета по плану фундаментальных и поисковых работ.

Личный вклад автора Диссертантом построены высокосимметричные (квазисферические) модели тетраэдрических структур, проведён их квантовохимический расчёт и совместно с научным руководителем проанализированы полученные результаты.

Достоверность результатов следует из корректности используемых квантовохимических расчетных схем и корреляции некоторых из полученных результатов с имеющимися экспериментальными данными.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту 1. Модели высокосимметричных квазисферических кластеров, в форме а) молекулярного кластера с замыканием концевых связей одновалентными псевдоатомами и б) орбитально-стехиометрического кластера, построенные для тетраэдрических кристаллов, как идеальных, так и с локальными внутриобъемными дефектами замещения.

2. Особенности электронного строения и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов, идеальных и с локальными внутриобъемными дефектами замещения.

3. В рамках модели орбитально-стехиометрического кластера ситуация возникновения донорных состояний в запрещенной энергетической щели передается более правильно, чем в случае молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомами.

4. Среди структур кристаллического германия с дефектами замещения атомами переходных элементов более стабильными являются структуры с такой мультиплетностью, при которой энергия верхнего занятого состояния является более глубокой.

Апробация результатов. Результаты диссертационного исследования докладывались на научных семинарах кафедры физики ВолгГТУ (Волгоград, 2006гг.), на конференциях молодых исследователей Волгоградской области (Волгоград, 2005г.), на Международных семинарах «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, 2005, 2007г.), на двенадцатой Всероссийской конференции студентов-физиков и молодых учёных (Новосибирск, 2006г.), на Международной научно – технической конференции «Наука и образование – 2006»

(Мурманск, 2006г.), на международной конференции «Микроэлектроника и наноинженерия» (Москва, 2008г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, одна из которых из списка изданий, рекомендованных ВАК.

Структура и объём. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 129 наименований. Общий объём диссертационной работы составляет 106 страниц, включая 29 рисунков и 8 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность диссертационной работы, сформулирована её цель, указана научная новизна проведенных исследований и представлены основные положения и результаты, выносимые на защиту.

В первой главе, носящей обзорный характер, кратко рассматриваются основные физико-химические характеристики тетраэдрических кристаллов и приводятся сферы их применения. Обсуждены основные типы кластерных моделей, применяемых для описания твердотельных структур. Проведен обзор квантовохимических вычислительных схем, используемых для расчетов электрофизических характеристик многоатомных структур.

Во второй главе рассматриваются тетераэдрические полупроводники (ТП), как идеальные, так и с локальными внутриобъемными дефектами (ЛВД) замещения, для которых были построены соответствующие молекулярные модели и проведен квантовохимический расчет их спектра одноэлектронных состояний (СОС).

При малой концентрации дефекта (когда взаимодействием между соседними дефектами можно пренебречь) естественно исходить из «симметрично расширенного» (относительно «центрального» атома (ЦА)) молекулярного кластера (МК), симметрия которого совпадает с точечной симметрией (Td) моделируемого кристалла. Концевые атомы в используемых МК замыкались атомами водорода. Как показали конкретные расчёты, влияние концевых атомов водорода распространяется на атомы не более чем двух ближайших к ним сфер соседей, поэтому для изучения электронно-энергетических характеристик внутриобъёмных элементов структуры достаточно ограничится МК, содержащими 5-6 сфер соседей вокруг ЦА (рисунок 1).

Рисунок 1 – Квазимолекулярная модель элемента объёма тетраэдрического кристалла (центральный атом (ЦА) кластера помечен "крестиком"; концевые атомы водорода на рисунке Тетраэдрические полупроводники с ЛВД моделировались на основе МК, соответствующего идеальной структуре, путём замещения ЦА на атом дефекта. В качестве ТП рассмотрены кристаллы алмаза, кремния и германия. В качестве ЛВД – изовалентные атомы (C, Ge для кремния; C, Si для германия), либо атомы, валентность которых отличается на единицу от валентности атомов основного кристалла (Al, N и P). В качестве локального дефекта рассмотрена также электронейтральная вакансия (отсутствие ЦА в МК, моделирующем бездефектный кристалл). Для расчёта СОС применена полуэмпирическая процедура MNDO-PM/ [5, 6] (программа GAMESS [7]).

Спектр одноэлектронных состояний, рассчитанный для МК, моделирующих идеальные кристаллы, состоит из энергетических зон занятых (ЗЗС) и вакантных состояний (ЗВС), разделённых запрещённой энергетической щелью (ЗЭЩ).

Изовалентное замещение 1) ЦА Si (в кремнии) на атомы C и Ge и 2) ЦА Ge (в германии) на атомы C и Si не приводит к появлению в ЗЭЩ локальных состояний.

Состояния, отвечающие связывающим и разрыхляющим орбиталям Э-Э связей имеют энергии, соответствующие «внутренней части» ЗЗС и ЗВС соответственно.

Замещение ЦА на атом Al в алмазе, кремнии и германии приводит к появлению в ЗЭЩ неполностью заполненных состояний, энергии которых соответствуют верхней границе ЗЗС. Недозаполненность этих состояний обеспечивает дырочную проводимость соответствующих полупроводников. Наиболее чётко этот эффект проявляется для германия. Результаты расчетов СОС изучаемых структур с ЛВД донорного замещения представлены на рисунке 2.

Рисунок 2 – Схема энергетических уровней кристаллов алмаза, кремния и германия, идеальных и при замещении центрального атома на атомы Al, N и P(в единицах E/Eg, где Eg – ширина запрещённой щели) (по результатам MNDO-PM/3-расчета моделей типа молекулярного кластера (рисунок 1)) Замещение ЦА на атомы N или P в алмазе приводит к появлению частично заполненных состояний, энергия которых несколько ниже нижней границы ЗВС (см. рисунок 2). Частичная заполненность этих состояний обеспечивает электронную проводимость этих полупроводников. Что касается замещения ЦА на N или P в кремнии или германии, то для них этот эффект значительно менее выражен, так как соответствующие примесные состояния имеют энергии более глубокие (соответствующие примерно середине ЗЭЩ).

Дефект типа вакансии центрального атома в алмазе, кремнии и германии приводит к появлению в зоне запрещенных состояний, преимущественный вклад в которые вносят орбитали ближайших к вакансии атомов структуры. Наиболее стабильной структурой с дефектом типа вакансии в случае алмаза является квинтетное, в случае кремния – триплетное, в случае германия – триплетное и квинтетное состояния.

В третьей главе рассчитаны и проанализированы СОС тетраэдрических кристаллов алмаза (C), кремния (Si), германия (Ge), нитрида бора (BN), фосфида бора (BP), нитрида алюминия (AlN), фосфида алюминия (AlP) и фосфида галлия (GaP) как с идеальной структурой, так и с ЛВД замещения ЦА на атомы, ковалентный радиус которых не превышает ковалентный радиус замещаемого ЦА. В качестве ЛВД рассмотрены атомы: 1) Be (для кристаллов С, BN, BP, AlN, AlP, GaP); 2) B (для кристаллов C, AlN, AlP, GaP); 3) C (для кристаллов Si, Ge, BN, BP, AlN, AlP, GaP); 4) N (для кристаллов C, Si, Ge); 5) Mg (для кристаллов BP, AlN, AlP, GaP);

6) Al (для кристаллов Si, BP, GaP); 7) Si (для кристаллов Ge, BP, AlN, AlP, GaP);

8) P (для кристаллов Si, Ge); 9) Ca (для кристаллов Ge, GaP); 10) Ge (для кристалла GaP); 11) As (для кристалла Ge). Расчёт проводился в рамках моделей орбитально-стехиометрического кластера (ОСК) и молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомами (в качестве которых были выбраны атомы водорода) (МК-Н).

В обоих случаях кластеры выбирались симметрично расширенными относительно ЦА (так же, как во второй главе). В ОСК и МК-Н входили три сферы соседей вокруг ЦА, оборванные валентности атомов третьей сферы замыкались атомами водорода (МК-Н) или (в случае ОСК) псевдоатомами A четвертой сферы, отличающимися от реального атома А (кристалла АА или АВ) тем, что A вносит в базис атомных орбиталей системы одну или две гибридные (sp3)-орбитали, ориентированные в сторону соответствующего соседнего внутрикластерного атома В (в случае чисто ковалентного кристалла B A ) третьей сферы. Отметим, что в случае моделирования чисто ковалентных кристаллов число включенных в базис ОСК-модели sp3-орбиталей совпадает с количеством атомов водорода, замыкающих атомы третьей сферы модели МК-Н, и для обеих моделей число заполненных молекулярных орбиталей (имитируют валентную зону проводника) одинаково.

Что же касается ионно-ковалентных кристаллов состава АВ, то в случае модели ОСК ситуация, касающаяся орбитального, электронного и остовного состава, такая же, как при моделировании чисто ковалентных структур, а для модели МК-Н для того, чтобы кластер был электронейтрален и имел полностью заполненные состояния, отвечающие орбиталям атома В (именно они соответствуют валентной зоне кристалла), число атомов Н, замыкающих (2p+1)-ю (нечетную) сферу атомов вокруг ЦА "А" определяется выражением:

где m =8 – число валентных электронов, приходящееся на пару атомов АВ; m – валентность атома "А"; ni – число атомов на i-ой сфере (для алмазоподобных структур n1=4, n2=12, n3=24); N = 2n(n1 + n3 +... + n2 p +1 ) – число валентных электронов, заполняющих связывающие состояния, соответствующие орбиталям атомов "В" ( n =4 – число орбиталей валентной оболочки атома "В").

Расчёты проводились в рамках полуэмпирической схемы MNDO в валентном базисе для всех структур, кроме кристаллов германия и кремния, для которых использована процедура MNDO/PM-3 (в этой расчётной схеме полуэмпирические параметры для атомов Si и Ge более предпочтительны). Расчетные схемы были реализованы в рамках пакета программ MNDO-85 [8].

Анализ полученных результатов позволяет сделать следующие выводы.

а) Обе модели в целом качественно правильно отражают зарядовое распределение в тетраэдрических кристаллах, причём в бинарных структурах стехиометрия кристалла передаётся более надежно, чем в чисто ковалентных структурах.

б) Замещение ЦА как в ковалентных, так и в ионно-ковалентных кристаллах на атомы, валентность которых превышает валентность ЦА ( N C ; N Si ;

Si Ga ) приводит к увеличению эффективного заряда ЦА, поскольку атом дефекта вносит "избыточный" электрон, делокализующийся по кристаллу. Состояние этого электрона характеризуется величинами энергий д (донорные уровни), лежащими в ЗЭЩ полупроводника, ближе к границе ЗВС. В рамках модели ОСК ситуация возникновения донорных состояний в ЗЭЩ (по близости энергий д к верхней границе ЗЭЩ) передаётся более реалистично.

Al Ga ; C Ge ) на "менее металлический" атом (с большим порядковым номером) приводит к увеличению положительного заряда q0 того атома, который оказывается в центре кластера. Такое замещение не приводит к появлению в ЗЭЩ дополнительных состояний. При этом, однако, в ковалентных структурах смещаются границы зон занятых и вакантных состояний. Так в кремнии и германии С Si и С Ge замещение сдвигает верхнюю границу ЗЗС на 4% и на 25% соответственно в область меньших энергий; при этом нижняя граница ЗВС смещается на 30% (для германия) в область более высоких энергий (по данным расчёта ОСК-модели). В случае же замещения Si Ge результаты расчёта ОСКмодели указывают на смещение верхней границы ЗЗС на 20% в область меньших энергий и нижней границы ЗВС на 35% в область больших энергий.

В четвертой главе рассмотрены кристаллы алмаза, кремния и германия, а также бинарные полупроводники типа AIIIBV, в которых в качестве элемента А выбраны атомы бора, алюминия и галлия, а в качестве элемента В - атомы азота, фосфора и мышьяка. Были проанализированы особенности энергетического спектра таких кристаллов в области ЗЭЩ, а также вблизи верхней границы ЗЗС и нижней границы ЗВС. Дефектные структуры создавались путем взаимозамещения атомов типа AIII в бинарных соединениях, либо атомов AIV в чисто ковалентных кристаллах. При этом полагалось, что возможны только замещения атомов с большим ковалентным радиусом на атомы с меньшим ковалентным радиусом.

Рассматриваемый спектр тем ближе к реальному, чем большего размера модель используется. Конкретные расчеты показывают, что достаточно ограничиться трехсферным кластером, поскольку в этом случае для бездефектных кристаллов с точностью до 1% обеспечиваются нулевые заряды на ЦА и атомах 1-ой и 2ой сфер для чисто ковалентных кристаллов и стехиометрическое соотношение между зарядами на атомах qA=-qB для ЦА и атомов 1-ой и 2-ой сфер для полупроводников типа AIIIBV.

Для расчета выбранных моделей применена неэмпирическая процедура Хартри – Фока – Рутана в базисе STO-3G [9] (программа GAMESS [7]). Получены СОС бездефектных структур и структур с ЛВД замещения ЦА. В бездефектных структурах энергетические уровни группируются в ЗЗС и ЗВС, разделённые ЗЭЩ.

При введении ЛВД имеет место как изменение положения энергетических уровней ЗЗС и ЗВС, так и появление состояний, обусловленных орбиталями атома ЛВД, энергии которых *, лежат либо в области ЗЭЩ, либо вблизи границ ЗЗС или ЗВС, оставаясь внутри этих зон ( – энергии занятых состояний (отщепляются от ЗЗС); * - энергии вакантных состояний (отщепляются от ЗВС)).

Кроме того, оказалось возможным сделать следующие выводы:

I. Ковалентные кристаллы типа АIV.

1) Замещение ЦА на двухвалентные атомы АII (Be, Mg, Ca) приводит к появлению в ЗЭЩ глубоких вакантных состояний *, обусловленных орбиталями АII, лежащих на 10% ниже середины ЗЭЩ1), а также занятых состояний, отвечающих связывающим орбиталям Ве-А (АII-А), расположенных на 10% выше верхней границы ЗЗС.

2) Замещение ЦА на трехвалентные атомы АIII (B, Al, Ga) приводит к появлению в ЗЭЩ вблизи верхней границы ЗЗС неполностью заполненных (акцепторных) состояний акц, преимущественный вклад в которые вносят орбитали атома ЛВД. Степень их внедрения в ЗЭЩ 0 6%. Кроме того, возникают (кроме случая замещении Ge на Ga) глубоко отстоящие от нижней границы ЗВС ( на 56 80%) состояния *, отвечающие разрыхляющим орбиталям связей АIII-А.

3) Замещение ЦА на пятивалентные атомы BV (N, P, As) обуславливает появление глубоких (в центре ЗЭЩ) одноэлектронно-занятых состояний (локальные парамагнитные центры, преимущественный вклад в которые вносят орбитали атома BV). Степень их внедрения в ЗЭЩ находится в пределах ( ) 36 57%, причём N Si < N Ge < PGe < PSi ; AsGe < N C. Образуются также вакантные состояния *, примыкающие к верхней границе ЗЗС, преимущественный вклад в 4) Изовалентное замещение ЦА АIV на AIV приводит к появлению локальных состояний в ЗЭЩ, как связывающих, так и разрыхляющих *, обусловленных орбиталями атома AIV, причем степени внедрения ( *) и ( ) во всех случаях невелики ( -3 1%), за исключением замещения Ge на С ( ( )C Ge =55%;

( )C Ge =15%).

II. Ионно-ковалентные кристаллы типа AIIIBIV.

1) Замещение ЦА на атомы II группы (AII: Be, Mg, Ca) приводит к появлению частично заполненных состояний, слабо внедренных в ЗЭЩ ( на 0 7%) (кроме замещений Be BN, Be AlN и Mg GaAs для которых ( ) 18 26%). Также возникают вакантные состояния, глубоко внедренные в ЗЭЩ на 10 45% (кроме случаев замещений Ве GaP, Be GaAs, Mg GaP, Ca GaP и Ca GaAs, для которых ( *) -4 0%).

2) Замещение ЦА на атомы III группы (AIII: B, Al, Ga) приводит к появлению в окрестности верхней границы ЗЗС заполненных состояний (для них ( ) и ( *) очень малы).

3) Замещение ЦА на атомы IV группы (АIV: С, Si, Ge) приводит к появлению частично заполненных состояний, отстоящих от верхней границы ЗЗС на 23 49% (кроме случаев замещения ЦА на атом С в структурах AlN, AlP, AlAs, Сравнение проводится относительно верхней границы ЗЗС (для величин ) или нижней границы ЗВС (для величин * ), отвечающих объемной структуре бездефектного кристалла. С этой целью отсчет уровней энергии проводится относительно центров тяжести 1s-зоны атомов АIV (для ковалентных кристаллов) или ВV (для кристаллов AIIIBV), совмещенных для бездефектных структур и кристаллов с ЛВД GaP и GaAs, для которых ( ) 0 4%). Нижняя же граница ЗВС при этом практически не меняется, то есть ( *) -5 8% (кроме замещений C BN, C BP, Si BP, Si AlN и Ge GaP, для которых ( *) -10 -37%).

В пятой главе изучен СОС кристаллического германия (КГ) как бездефектного, так и с ЛВД замещения атомов Ge на атомы 3d-элементов. Элемент объема КГ моделировался кластером, точечная симметрия которого близка к точечной симметрии КГ. Кластер строился путем «наращивания» числа координационных сфер вокруг выделенного «центрального» атома Ge (включены три сферы соседей). Валентно-ненасыщенные атомы германия внешней (третьей) сферы замыкались атомами водорода. Межатомные расстояния выбирались такими же, как в структуре КГ (R(Ge-Ge)=2,44 ); R(Ge-Н)=1,54 (как в молекулах германийводородов).

Расчет проводился в рамках схемы теории функционала плотности (програмr ма GAMESS [7]), согласно которой одноэлектронные орбитали j (r ) и их энергии j находятся в результате решения одноэлектронного уравнения Шредингера:

в котором эффективный потенциал Vэфф (r ) представлен в виде:

где V (r ) – потенциал, обусловленный притяжением электрона к ядрам (или к остовам атомов); второй член в (3) – кулоновское взаимодействие электрона в соr r стоянии (r ) с другими электронами; Vxc (r ) – обменно-корреляционный потенr циал, зависящий от полного распределения электронной плотности n(r ) в соответствии с выражениями:

(N – число электронов; E [ n(r ) ] – функционал обменно-корреляционной энергии).

Одноэлектронные состояния (волновые функции) задаются в виде линейной комбинации атомных орбиталей, поэтому требуется решить систему самосогласованных уравнений (2)-(4) относительно коэффициентов разложения молекулярных орбиталей по атомным орбиталям. Использован обменно-корреляционный потенциал предложенный Пердью, Бурке и Эрзерхофом [10], включающий как локальные (по электронной плотности), так и градиентные члены, и базис двухэкспонентных валентно-расщепленных орбиталей плюс эффективный остовный потенциал лос-аламосского типа для атомов Э переходных элементов (ЭSc; Ti; V;

Cr; Mn; Fe; Co; Ni; Cu; Zn) [11]. Для систем с четным числом электронов расчеты проводились для мультиплетностей M=2S+1 (S – полный спин) 1, 3 и 5; для систем с нечётным числом электронов для М=2, 4 и 6.

По величинам полных энергий структур (включающих энергию отталкивания ядер (или атомных остовов)) можно судить об их стабильности. Данные о том, каким величинам М соответствуют более стабильные (то есть с меньшей полной энергией) структуры, а также разницы полных энергий структур с различными М (Е=Е(М'')-E(M')) представлены на рисунке 3. Из этого рисунка следует, что одни Э-замещенные структуры более стабильны при наименьших значениях М (для ЭSc; Ti; V; Fe; Co), другие – при наибольших М (для ЭCu; Zn) или в случае промежуточных М (для ЭCr; Mn; Ni).

Рассчитаны также плотности одноэлектронных состояний (число состояний, приходящихся на единичный интервал энергии как функция от энергии) для КГ бездефектного и КГ с дефектами замещения атомами переходных элементов.

Рисунок 3 – Схема интервалов Е=Е(М'')-E(M') (цифра слева, эВ) между полными энергиями структур германия с дефектами замещения на атомы переходных элементов с различной мультиплетностью (целая цифра справа) Как следует из результатов расчетов, при замещении атома Ge на атомы 3dэлементов, состояния, обусловленные орбиталями внедренных атомов ("атомов дефекта") возникают, в основном, в области энергетической щели, соответствующей бездефектной структуре германия. Среди этих состояний имеются как заполненные (их число связано с мультиплетностью M=2S+1 системы; S – полный спин), так и вакантные. Заполненные состояния отвечают либо несвязывающим dэлектронным орбиталям (если таковые имеются), либо связывающим орбиталям Э-Ge и Ge-Ge связей, либо и тем и другим. Эти состояния примыкают к верхней границе ЗЗС, степень их внедрения в ЗЭЩ тем больше, чем выше мультиплетность системы. Вакантные же состояния отвечают либо свободным d-орбиталям Э-атомов (если таковые имеются), либо разрыхляющим орбиталям Э-Ge и Ge-Ge связей, либо и тем и другим. Эти вакантные состояния проникают в ЗЭЩ со стороны нижней границы ЗВС, соответствующей структуре бездефектного германия.

Число этих состояний и степень их проникновения в ЗЭЩ зависят от мультиплетности системы. Отметим также, что более стабильными (с наименьшей полной энергией) (см. рисунок 3) являются структуры с такой мультиплетностью, при которой энергия верхнего занятого состояния является более глубокой (имеет большие по величине отрицательные энергии).

В заключении диссертации сформулированы основные результаты исследования:

1. Построены высокосимметричные квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием нескомпенсированных связей одновалентными псевдоатомами, б) орбитально-стехиометрического кластера.

2. Выявлены следующие особенности спектра одноэлектронных состояний структур алмаза, кремния и германия, модифицированных локальными внутриобъемными дефектами замещения:

а) изовалентное замещение внутриобъемного атома приводит к появлению в запрещенной энергетической щели локальных состояний, однако степени их внедрения невелики (кроме замещения атома германия на атом углерода);

б) замещение на двухвалентные атомы (Be, Mg, Ca) приводит к появлению в запрещенной энергетической щели глубоких вакантных состояний (лежащих на 10% ниже середины запрещенной энергетической щели), а также занятых состояний (расположенных на 10% выше верхней границы зоны занятых состояний);

в) замещение на трехвалентные атомы (B, Al, Ga) приводит к появлению в области запрещенной энергетической щели вблизи верхней границы зоны занятых состояний акцепторных уровней (степень их внедрения в энергетическую щель около 6%), а также к возникновению глубоко отстоящих от нижней границы зоны вакантных состояний (на 56-80%) свободных энергетических уровней;

г) замещение на пятивалентные атомы (N, P, As) обуславливает появление глубоких (в центре запрещенной энергетической щели) одноэлектронно-занятых состояний, а также вакантных состояний примыкающих к верхней границе зоны занятых состояний (степень внедрения до 37%);

д) дефект типа внутриобъемной вакансии приводит к появлению в области запрещенной энергетической щели состояний (степень их внедрения в зону энергетической щели зависит от мультиплетности системы), преимущественный вклад в которые вносят орбитали ближайших к вакансии атомов структуры.

3. Анализ результатов сравнительных расчетов моделей кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомами и орбитальностехиометрического кластера, показал что:

а) обе модели качественно правильно отражают зарядовое распределение в исследуемых структурах;

б) в рамках модели орбитально-стехиометрического кластера величины энергий возникающих донорных состояний в запрещенной энергетической щели передаются более правильно, чем в случае молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомами;

в) при изовалентном замещении центрального атома в ковалентных структурах имеет место смещение верхней границы зоны занятых состояний на 20% в область меньших энергий и нижней границы зоны вакантных состояний на 33% в область больших энергий.

4. Для кластера с замыканием оборванных валентностей получено выражение для количества необходимого для этого одновалентных псевдоатомов, в зависимости от числа валентных электронов, приходящихся на пару атомов кристалла, и их распределения по координационным сферам.

5. Анализ результатов расчета энергетического спектра кристаллического германия, модифицированного атомами 3d-элементов, позволил установить что:

а) состояния, обусловленные орбиталями атомов дефекта возникают, в основном, в области запрещенной энергетической щели, соответствующей бездефектной структуре германия;

б) степень внедрения заполненных состояний, обусловленных атомом дефекта в запрещенную энергетическую щель тем больше, чем выше мультиплетность рассматриваемой системы;

в) более стабильными являются структуры с такой мультиплетностью, при которой энергия верхнего занятого состояния является более глубокой.

6. Рекомендации по использованию результатов:

а) структуры C (B), Si (B, Al), Ge (B, Al, Ga), BP (Be, Mg), AlN (Mg), AlP (Be, Mg), AlAs (Be, Mg, Ca), GaP (Ca), GaAs (Ca) могут быть использованы в качестве эффективных p-компонент p-n переходов, а структуры C (N), Si (P), Ge (As), AlN (Si) – в качестве эффективных n-компонент p-n переходов (вследствие установленной нами малой величины соответствующих энергий активации примесных состояний);

б) кристаллический германий с дефектами замещения на атомы 3dэлементов, приводящими к появлению в энергетический щели большого количества примесных состояний (структуры с замещением Ge на V (М=6), Co (М=2), Cr (М=5) и Mn (М=6)), может быть применен в спиновой электронике, при производстве магнитных головок жестких дисков и спин-электронных нанотранзисторов;

в) структуры германия, модифицированные атомами переходных элементов (с замещением Ge на Sc (M=2), V (М=2, 4, 6), Cr (M=1, 5), Mn (М=2, 4, 6), Fe (M=1), Co (M=2) и Ni (M=3, 5)), могут найти применение в качестве активных сред лазерных устройств.

Цитируемая литература 1. Эварестов, Р. А. Квантовохимические методы в теории твёрдого тела / Р. А.

Эварестов. – Л.: Изд-во ЛГУ, 1982. – 280 с.

2. Kohn, W. Inhomogeneous Electron Gas / W. Kohn, P. Hohenberg // Phys. Rev. – 1964. – Vol. 136 B. – P. 864-871.

3. Kohn, W. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. – 1965. – Vol. 140 A. – P. 1133-1138.

4. Губанов, В. А. Полуэмпирич. методы молекулярных орбиталей в квантовой химии / В. А. Губанов, В. П. Жуков, А. О. Литинский. – М.: Наука, 1976. – 219 с.

5. Stewart, J.J. P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 1. Methods / J. J. P. Stewart // J. Comput. Chem. – 1989. – V. 10; № 2. – P. 209-220.

6. Stewart J. J. P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 2. Methods / J. J. P. Stewart // J. Comput. Chem. – 1989. – V. 10. № 2. – P. 221-264.

7. General Atomic and Molecular Electronic Structure System / M. W. Schmidt [et al.] // J. Comput. Chem. – 1993. – V. 14. – P. 1347-1363.

8. Близнюк, А. А. Комплекс программ MNDO-85 для расчета электронной структуры, физико-химических свойств и реакционной способности молекулярных систем полуэмпирическими методами MNDO, MNDOC и AM1 / А. А. Близнюк, А. А. Войтюк // Журн. структур. химии. – 1986. – Т. 27(4), – С. 190-191.

9. Hehre, W. J. Self-Consistent Molecular-Orbital Methods. I. Use of Gaussian Expansions of Slater-Type Atomic Orbitals / W. J. Hehre, R. F. Stewart, J. A. Pople // J.

Chem. Phys. – 1969. – V. 51. – P.2657.

10. Perdew, J. P. Generalized Gradient Approximation Made Simple / J. P. Perdew, K.

Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. – 1996. – V. 77. – P. 3865.

11. Wadt, W. R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for main group elements Na to Bi/ W. R. Wadt, P. J. Hay // J. Chem. Phys. – 1985.

– V.82. – P.284.

Результаты работы отражены в следующих публикациях:

1. Стебеньков, А.М. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных кристаллов с локальными дефектами. Кластерный квантовохимический подход / А.М. Стебеньков, А.О. Литинский // Физико - математическое моделирование систем: матер. II Междунар. семинара (Воронеж, 1-2 декабря 2005 г.) / Воронеж.

гос. техн. ун-т и др. - Воронеж, 2005. - Ч.1. - C. 213-217.

2. Литинский, А.О. Энергетический спектр электронов в ковалентных кристаллах с локальными дефектами. Квантовохимический расчет в рамках модели молекулярного кластера / А.О. Литинский, А.М. Стебеньков // Вопросы физической метрологии: вестник Поволжского отделения Метрологической академии России. - Волгоград, 2005. - Вып.7. - C. 67-70.

3. Стебеньков, А.М. Особенности энергетического спектра сферическисимметричных тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами / А.М. Стебеньков, Н.А. Растова, А.О. Литинский // ВНКСФ-12: матер. Двенадцатой Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых ученых, Новосибирск, 23-29 марта г.: информ. бюллетень / Новосиб. гос. ун-т и др. - Новосибирск, 2006. - C. 172-173.

4. Растова, Н.А. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных кристаллов с выделенной поверхностью / Н.А. Растова, А.М. Стебеньков, А.О. Литинский // ВНКСФ-12: матер. Двенадцатой Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых ученых, Новосибирск, 23-29 марта 2006 г.: информ. бюллетень / Новосиб.

гос. ун-т и др. - Новосибирск, 2006. - C. 161-162.

5. Стебеньков, А.М. Электронное строение и энергетический спектр ковалентных кристаллов с локальными дефектами. Кластерный квантовохимический расчет / А.М. Стебеньков, А.О. Литинский // Х Региональная конференция молодых исследователей Волгоградской области, 8-11 нояб. 2005 г. Вып.4, Физика и математика: тез. докл. / ВолГУ [и др.]. - Волгоград, 2006. - C. 21-23.

6. Стебеньков, А.М. Электронный спектр ковалентных полупроводников с локальными дефектами [Электронный ресурс] / А.М. Стебеньков, А.О. Литинский // Наука и образование - 2006: [матер.] Междунар. науч.-техн. конф., 4-12 апреля 2006 г. / Мурманский гос. техн. ун-т. - Мурманск, 2006. - C. 252-255.

7. Литинский, А.О. Особенности энергетического спектра электронов в ковалентных и ионно-ковалентных кристаллах с точечными дефектами замещения / А.О. Литинский, А.М. Стебеньков // Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах: матер. V междунар. семинара (Воронеж, 26-27 мая 2007 г.) / ГОУ ВПО "Воронеж. гос.

техн. ун-т" [и др.]. - Воронеж, 2007. - C. 89-94.

8. Литинский, А.О. Энергетические состояния электронов в ковалентных и ионно-ковалентных кристаллах с локальными дефектами замещения. Неэмпирич.

расчёт в рамках высокосимметричных кластерных моделей / А.О. Литинский, А.М. Стебеньков // Известия ВолгГТУ. Серия "Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь": межвуз. сб. науч. ст. / ВолгГТУ. - Волгоград, 2007. публикация в журнале списка ВАК.

Вып.1, №6. - C. 27-33.

Подписано в печать.09.2009. Формат 60x84 1/16. Бумага офсетная.

Печать офсетная. Усл.-печ. л. 1,0. Тираж 100 экз. Заказ № Волгоградского государственного технического университета



Похожие работы:

«Давыдкина (Перфильева) Любовь Владимировна ПСИХОЛОГИЧЕСКОЕ РАЙОНИРОВАНИЕ ГОРОДСКОГО ПРОСТРАНСТВА (на примере жителей г. Самары) Специальность: 19.00.05 – Социальная психология Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата психологических наук Курск – 2013 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Поволжская государственная социально-гуманитарная академия Научный руководитель :...»

«Гарбацевич Владимир Алексеевич ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ И СИГНАЛОВ ИОНОЗОНДА И ГЕОРАДАРА ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ГЕОФИЗИЧЕСКИХ СРЕД 01.04.03 – радиофизика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Троицк - 2008 2 Работа выполнена в Учреждении Российской Академии наук Институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн им. Н.В. Пушкова РАН Научный руководитель : доктор физико-математических наук Козлов Александр Николаевич...»

«Пузь Артем Викторович МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ СПЛАВОВ МЕДИЦИНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ 02.00.04 – физическая химия АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук Владивосток – 2014 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) Научный руководитель : доктор химических наук, профессор Гнеденков Сергей Васильевич Официальные оппоненты :...»

«ВЯТКИНА ЕЛЕНА СЕРГЕЕВНА ДОГОВОРНЫЕ ОТНОШЕНИЯ ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬКИХ ОРГАНИЗАЦИЙ В СФЕРЕ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА Специальность 12.00.03 – гражданское право: предпринимательское право; семейное право; международное частное право Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата юридических наук Казань 2002 Работа выполнена на кафедре гражданского права и процесса Казанского государственного университета имени В.И. УльяноваЛенина Научный руководитель -...»

«ЧЕРЕПАНОВ АНАТОЛИЙ ПЕТРОВИЧ МЕТОД ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РЕСУРСА СОСУДОВ И АППАРАТОВ ПО КОРРОЗИОННОМУ ИЗНОСУ, СТЕПЕНИ ОПАСНОСТИ И ОБЪЕМАМ ТЕХНИЧЕСКОГО ДИАГНОСТИРОВАНИЯ Специальность: 05.02.13 – Машины, агрегаты и процессы (по отраслям) Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Ангарск - 2013 2 Работа выполнена в Научно-диагностическом центре Открытого акционерного общества Ангарская нефтехимическая компания ОАО НКОСНЕФТЬ. Научный консультант :...»

«КОСИНОВ АЛЕКСАНДР ИЛЬИЧ СТАНОВЛЕНИЕ И ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ ЭКОЛОГИЧЕСКОЙ СЛУЖБЫ В КУРСКОЙ ОБЛАСТИ В КОНЦЕ XX – НАЧАЛЕ XXI ВВ. Специальность 07.00.02 – Отечественная история АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата исторических наук Курск 2013 2 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Курский государственный университет. Научный руководитель : доктор исторических наук, профессор Третьяков Александр Викторович Официальные оппоненты : Терещенко Анатолий Андреевич, доктор...»

«МАРТЫНЕНКО ВАСИЛИЙ БОРИСОВИЧ СИНТАКСОНОМИЯ ЛЕСОВ ЮЖНОГО УРАЛА КАК ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА РАЗВИТИЯ СИСТЕМЫ ИХ ОХРАНЫ Специальность 03.00.05 – Ботаника АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора биологических наук УФА 2009 Работа выполнена в лаборатории геоботаники и охраны растительности Учреждения РАН Института биологии Уфимского научного центра РАН Научный консультант Миркин Борис Михайлович доктор биологических наук, профессор Официальные оппоненты : Булохов...»

«ЕВСЕЕНКО КОНСТАНТИН АЛЕКСАНДРОВИЧ СОВЕРШЕНСТОВАНИЕ УСЛОВИЙ ВОСПРОИЗВОДСТВА ПРИРОДНЫХ РЕСУРСОВ Специальность: 08.00.01 (01) – Экономическая теория (Общая экономическая теория) Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Научный руководитель д.и.н., профессор Сидоров А.В. Москва – 2011 Работа выполнена на кафедре экономической теории факультета государственного управления Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова Научный...»

«КЛИМОВ Андрей Владимирович ТОПОЛЬНИКИ ПОЙМЫ РЕКИ ТОМИ (таксономический состав, полиморфизм, естественная гибридизация) 03.00.05 – Ботаника АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата биологических наук Новосибирск – 2008 Работа выполнена в Центральном сибирском ботаническом саду СО РАН, г. Новосибирск Научный руководитель – доктор биологических наук, c.н.с. Бакулин Виктор Тимофеевич. Официальные оппоненты : доктор биологических наук, проф. Куприянов Андрей...»

«ФИЛАТОВ ДАНИЛА АЛЕКСАНДРОВИЧ МОДЕЛИРОВАНИЕ И АНАЛИЗ ФИНАНСОВЫХ РЫНКОВ МЕТОДАМИ НЕЛИНЕЙНОЙ ДИНАМИКИ специальность 08.00.13 – Математические и инструментальные методы экономики АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Воронеж – 2007 Работа выполнена в Автономной образовательной некоммерческой организации Институт менеджмента, маркетинга и финансов Научный руководитель : доктор экономических наук, профессор Яновский Леонид Петрович...»

«Быков Сергей Валентинович ФАКТОРИЗАЦИОННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И СВОЙСТВА КОРНЕВЫХ МНОЖЕСТВ ВЕСОВЫХ КЛАССОВ АНАЛИТИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ 01.01.01 – вещественный, комплексный и функциональный анализ Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико–математических наук Саратов 2010 Работа выполнена на кафедре математического анализа Брянского государственного университета имени академика И.Г. Петровского доктор физико-математических наук, профессор Научный руководитель :...»

«Малькова Марина Георгиевна ЗОНАЛЬНЫЕ ФАУНИСТИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ И СТРУКТУРА СООБЩЕСТВ МЕЛКИХ МЛЕКОПИТАЮЩИХ И СВЯЗАННЫХ С НИМИ ЧЛЕНИСТОНОГИХ В ЗАПАДНОЙ СИБИРИ 03.00.08 – зоология Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора биологических наук Новосибирск – 2009 2 Работа выполнена в лаборатории арбовирусных инфекций Федерального государственного учреждения науки Омский научно-исследовательский институт природноочаговых инфекций Федеральной службы по надзору в сфере...»

«Дудин Иван Иванович Зависимость от каннабиноидов в структуре сочетанной психической патологии по данным отдаленного катамнеза (клинический, клинико-эпидемиологический и социодемографический аспекты) 14.00.18 – психиатрия 14.00.45 - наркология Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора медицинских наук Москва - 2009 2 Работа выполнена в ФГУ Государственный научный центр социальной и судебной психиатрии им. В.П.Сербского Росздрава и Амурской государственная...»

«ДУДНИКОВ Максим Васильевич ГЕНЕТИЧЕСКИЙ ПОЛИМОРФИЗМ ЯРОВОЙ ТРИТИКАЛЕ ПО УСТОЙЧИВОСТИ К ПАТОГЕННОМУ КОМПЛЕКСУ ВОЗБУДИТЕЛЕЙ ФУЗАРИОЗА КОЛОСА В УСЛОВИЯХ МОСКОВСКОЙ ОБЛАСТИ Специальность: 03.02.07 – генетика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата биологических наук Москва 2012 1 Работа выполнена на кафедре генетики и биотехнологии ФГБОУ ВПО Российский государственный аграрный университет – МСХА имени К.А. Тимирязева Научный руководитель : доктор...»

«Тормашев Дмитрий Сергеевич ОЦЕНКА ТЕХНИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ И ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ НАДЕЖНОСТИ НАСОСОВ СИСТЕМ СУДОВЫХ ДИЗЕЛЕЙ Специальность: 05.08.05 – Судовые энергетические установки и их элементы (главные и вспомогательные) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Новороссийск – 2012 Работа выполнена в ФГОУ ВПО Морская государственная академия имени адмирала Ф.Ф. Ушакова Научный руководитель : доктор технических наук, профессор,...»

«ХАМИТОВА СВЕТЛАНА МИХАЙЛОВНА ОСОБЕННОСТИ РЕПРОДУКЦИИ СОСНЫ КЕДРОВОЙ СИБИРСКОЙ В УСЛОВИЯХ ИНТРОДУКЦИИ (НА ПРИМЕРЕ ВОЛОГОДСКОЙ ОБЛАСТИ) 06.03.01 – Лесные культуры, селекция, семеноводство АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата сельскохозяйственных наук Архангельск - 2012 Работа выполнена на кафедре лесного хозяйства ФГБОУ ВПО Вологодская государственная молочнохозяйственная академия им. Н.В. Верещагина. Научный руководитель : доктор сельскохозяйственных...»

«МАРФИНА Ольга Валерьевна СТРУКТУРА СООБЩЕСТВ РАКОВИННЫХ АМЕБ В ПРИБАЙКАЛЬЕ Специальность 03.02.08 – экология (биология) Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата биологических наук Пенза – 2011 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Пензенский государственный педагогический университет имени В. Г. Белинского на кафедре зоологии и экологии. Научный руководитель : доктор...»

«ПАРНОВА Татьяна Ивановна ВЛИЯНИЕ МНОГОЛЕТНЕГО ПРИМЕНЕНИЯ РАЗНЫХ ПО ИНТЕНСИВНОСТИ СИСТЕМ ОБРАБОТКИ, УДОБРЕНИЙ И ГЕРБИЦИДОВ НА АГРОФИЗИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ ПЛОДОРОДИЯ ДЕРНОВО-ПОДЗОЛИСТОЙ ГЛЕЕВАТОЙ ПОЧВЫ И УРОЖАЙНОСТЬ ПОЛЕВЫХ КУЛЬТУР Специальность 06.01.01 – общее земледелие АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата сельскохозяйственных наук Москва 2009 Работа выполнена на кафедре земледелия ФГОУ ВПО Ярославская государственная сельскохозяйственная академия...»

«ГРИГОРИЧЕВ КОНСТАНТИН ВАДИМОВИЧ ПРИГОРОДНЫЕ СООБЩЕСТВА КАК СОЦИАЛЬНЫЙ ФЕНОМЕН: ФОРМИРОВАНИЕ СОЦИАЛЬНОГО ПРОСТРАНСТВА ПРИГОРОДА 22.00.04 – социальная структура, социальные институты и процессы Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора социологических наук Хабаровск – 2014 Диссертация выполнена в ФГБОУ ВПО Иркутский государственный университет Научный консультант : доктор исторических наук, профессор Дятлов Виктор Иннокентьевич Официальные оппоненты : Рязанцев...»

«Камалова Эльвина Ильдаровна ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ИНТЕРВАЛЬНОЙ ГИПОКСИЧЕСКОЙ ТРЕНИРОВКИ В ПОДГОТОВКЕ ПЛОВЦОВВЕТЕРАНОВ 35-50 ЛЕТ 13.00.04 – теория и методика физического воспитания, спортивной тренировки, оздоровительной и адаптивной физической культуры Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата педагогических наук Набережные Челны - 2009 Диссертационная работа выполнена на кафедре теории и методики борьбы и восточных единоборств ФГОУ ВПО Камская...»






 
2014 www.av.disus.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.